DE1546032B2 - Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontakten - Google Patents
Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontaktenInfo
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Claims (2)
1. Wäßrige basische Ätzlösung zur Herstellung nach dem Aufdampfen des Kontaktierungsmaterials,
von getrennten Halbleiterkontakten aus einer zu- 5 welches vorzugsweise aus Aluminium besteht, vonsammenhängenden
Aluminiumschicht, da- einander getrennte Kontakte zu erhalten, muß die auf
durch gekennzeichnet, daß die Ätz- der gesamten Halbleiteroberfläche vorhandene zulösung
alkalimetallfrei ist und Tetramethylammo- sammenhängende Aufdampfschicht nach dem Aufniumhydroxid
enthält. dampfen derart geätzt werden, daß Kontaktierungs-
2. Ätzlösung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- io material nur an den zu kontaktierenden Stellen verzeichnet,
daß sie aus einer 10 °/oigen wäßrigen Lö- bleibt.
sung von Tetramethylammonramhydroxid besteht. Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus
führungsbeispiel näher erläutert.
Bei der Herstellung von Kontaktstellen bei Planar-
15 Anordnungen wird die auf der Halbleiteroberfläche befindliche Oxidschicht bekanntlich an denjenigen
Die Erfindung betrifft ein Lösungsmittel zur Her- Stellen weggeätzt, an denen die Halbleiteranordnung
stellung von getrennten Halbleiterkontakten aus einer kontaktiert werden soll. Nach dem Ätzen der dazu
zusammenhängenden Schicht. Nach der Erfindung ist erforderlichen Struktur mit Hilfe der bekannten KPR-das
Lösungsmittel organisch, basisch und alkalifrei. 20 Technik wird die gesamte Halbleiteroberfläche mit
Diese Eigenschaften hat beispielsweise das erfindungs- Aluminium bedampft, welches an den freigeätzten
gemäß vorgeschlagene Tetramethylammoniumhydr- Stellen in den Halbleiterkörper einlegiert wird. Nach
oxid [N(CH3)JOH, welches vorzugsweise beim Ent- dem Einlegieren werden diejenigen Teile der zusammenfernen
von Teilen einer Aluminiumschicht auf Halb- hängenden Aluminiumschicht entfernt, die zur Konleiteranordnungen
Anwendung findet. Es ist vorteil- 25 taktierung der Halbleiteranordnung nicht erforderlich
haft, bei der Lösungsmittelbehandlung gleichzeitig sind. An Stelle der bisher üblichen Natronlauge erUltraschall
einwirken zu lassen. folgt das Wegätzen der unerwünschten Teile der AIu-
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß miniumschicht erfindungsgemäß mit einem organischen
bei den bekannten Lösungsmitteln und insbesondere Lösungsmittel, welches basisch und alkalifrei ist. Bei
beim Entfernen von unerwünschtem Kontaktierungs- 30 der Verwendung von Aluminium als Kontaktierungsmaterial
mittels Natronlauge Alkaliionen mit dem material wird erfindungsgemäß Tetramethylammoni-Halbleiter
in Berührung kommen, die nachher nicht umhydroxid [N(CH3)JOH verwendet. Zur Abtragung
mehr auswaschbar sind. Durch die leichte Beweglich- eignet sich beispielsweise eine 10.%ige wäßrige Lösung
keit hydrolysierter Alkaliionen besteht die Gefahr der von Tetramethylammoniumhydroxid.
Ausbildung von Inversionsschichten, die bei Ver- 35 Es ist vorteilhaft, bei der Behandlung mit Tetrawendung einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden methylammoniumhydroxid gleichzeitig eine Ultra-Passivierungsschicht in dieser entstehen. schallbehandlung vorzunehmen. Die Reaktionszeit
Ausbildung von Inversionsschichten, die bei Ver- 35 Es ist vorteilhaft, bei der Behandlung mit Tetrawendung einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden methylammoniumhydroxid gleichzeitig eine Ultra-Passivierungsschicht in dieser entstehen. schallbehandlung vorzunehmen. Die Reaktionszeit
Die nachträgliche Entfernung von bereits aufge- beträgt bei Zimmertemperatür beispielsweise 2 bis
brachtem Kontaktierungsmaterial ist beispielsweise 5 Minuten. Das Ätzmittel kann von der Halbleiterbei
der Herstellung von Planar-Anordnungen erforder- 40 oberfläche beispielsweise mit deiönisiertem Wasser entlich,
da das Kontaktierungsmaterial der Einfachheit fe rat werden. ■ -
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19511546032 DE1546032B2 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontakten |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19511546032 DE1546032B2 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontakten |
| DET0027950 | 1965-02-06 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1546032A1 DE1546032A1 (de) | 1970-03-05 |
| DE1546032B2 true DE1546032B2 (de) | 1973-08-23 |
| DE1546032C3 DE1546032C3 (de) | 1974-05-02 |
Family
ID=25752871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19511546032 Granted DE1546032B2 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontakten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1546032B2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2639004A1 (de) * | 1975-11-26 | 1977-06-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Mittel zur oberflaechenbehandlung von zwischenprodukten bei der herstellung von halbleiterelementen |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339340A (en) | 1975-11-26 | 1982-07-13 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Surface-treating agent adapted for intermediate products of a semiconductor device |
-
1951
- 1951-01-28 DE DE19511546032 patent/DE1546032B2/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2639004A1 (de) * | 1975-11-26 | 1977-06-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Mittel zur oberflaechenbehandlung von zwischenprodukten bei der herstellung von halbleiterelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1546032C3 (de) | 1974-05-02 |
| DE1546032A1 (de) | 1970-03-05 |
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