DE1544284A1 - Verfahren zum Herstellen von Diffusionsschichten und Diffusionsfronten,insbesondere von pn-UEbergaengen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Diffusionsschichten und Diffusionsfronten,insbesondere von pn-UEbergaengenInfo
- Publication number
- DE1544284A1 DE1544284A1 DE19661544284 DE1544284A DE1544284A1 DE 1544284 A1 DE1544284 A1 DE 1544284A1 DE 19661544284 DE19661544284 DE 19661544284 DE 1544284 A DE1544284 A DE 1544284A DE 1544284 A1 DE1544284 A1 DE 1544284A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- diffusion
- substrate
- junctions
- fronts
- alkyl compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 alkyl compound Chemical class 0.000 claims description 7
- JRPGMCRJPQJYPE-UHFFFAOYSA-N zinc;carbanide Chemical group [CH3-].[CH3-].[Zn+2] JRPGMCRJPQJYPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical group C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical group C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000010716 Vigna mungo Nutrition 0.000 claims 1
- 244000042295 Vigna mungo Species 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IFKPLJWIEQBPGG-QGZVFWFLSA-N (5s)-6-(dimethylamino)-5-methyl-4,4-diphenylhexan-3-one Chemical compound C=1C=CC=CC=1C([C@H](C)CN(C)C)(C(=O)CC)C1=CC=CC=C1 IFKPLJWIEQBPGG-QGZVFWFLSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283984 Rodentia Species 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 235000014101 wine Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0102680 | 1966-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1544284A1 true DE1544284A1 (de) | 1970-03-05 |
Family
ID=7524601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661544284 Pending DE1544284A1 (de) | 1966-03-23 | 1966-03-23 | Verfahren zum Herstellen von Diffusionsschichten und Diffusionsfronten,insbesondere von pn-UEbergaengen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE692358A (en, 2012) |
| CH (1) | CH487261A (en, 2012) |
| DE (1) | DE1544284A1 (en, 2012) |
| NL (1) | NL6700725A (en, 2012) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3437120A1 (de) * | 1984-10-10 | 1986-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten auf halbleiterkoerpern oder zur eindiffusion von stoerstellen im halbleiterkoerper |
-
1966
- 1966-03-23 DE DE19661544284 patent/DE1544284A1/de active Pending
-
1967
- 1967-01-09 BE BE692358D patent/BE692358A/xx unknown
- 1967-01-17 NL NL6700725A patent/NL6700725A/xx unknown
- 1967-02-07 CH CH179967A patent/CH487261A/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3437120A1 (de) * | 1984-10-10 | 1986-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten auf halbleiterkoerpern oder zur eindiffusion von stoerstellen im halbleiterkoerper |
| US4774195A (en) * | 1984-10-10 | 1988-09-27 | Telefunken Electronic Gmbh | Process for the manufacture of semiconductor layers on semiconductor bodies or for the diffusion of impurities from compounds into semiconductor bodies utilizing an additional generation of activated hydrogen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE692358A (en, 2012) | 1967-06-16 |
| NL6700725A (en, 2012) | 1967-09-25 |
| CH487261A (de) | 1970-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1696628B2 (de) | Verfahren zum ueberziehen der oberflaeche eines gegenstandes mit silikatglas | |
| DE1913039A1 (de) | Verfahren zum Einbringen von dotierenden Verunreinigungen in Halbleiterkoerper | |
| DE1446161A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Supraleiters mit verbesserter Supraleitfaehigkeit und unveraenderten Abmessungen | |
| DE1246890B (de) | Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE1965258A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialschicht | |
| DE2856885B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines flexiblen Supraleiters,bestehend aus einer C-Faser mit einer duennen Schicht einer Niobverbindung der allgemeinen Formel NbCxNy und einer aeusseren hochleitfaehigen Metallschicht | |
| DE2818261A1 (de) | Halbleiter-solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE1089074B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren | |
| DE1290409B (de) | Verfahren zur Erzeugung duenner Schichten aus Kadmiumsalzen durch Aufdampfen | |
| DE1931417C3 (de) | Verfahren zur Doppeldiffusion von Halbleitermaterial | |
| DE1276607B (de) | Verfahren zum stellenweisen Eindiffundieren von Zink und Cadmium in einen Halbleiterkoerper | |
| DE2147265A1 (de) | Verfahren zur Züchtung eines kristallinen Körpers durch epitaxialen Niederschlag | |
| DE19908400A1 (de) | Verfahren zur Herstellung hochdotierter Halbleiterbauelemente | |
| DE1544284A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Diffusionsschichten und Diffusionsfronten,insbesondere von pn-UEbergaengen | |
| DE2230749A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen | |
| DE2200623A1 (de) | Verfahren zum Eindiffundieren einer Verunreinigung in einen Halbleiterkoerper | |
| DE974580C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten | |
| DE1034289B (de) | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, wie Photowiderstands-zellen und Trockengleichrichter | |
| DE1621234C3 (de) | Verfahren zum Niederschlagen einer zusammenhängenden festen Schicht von Siliciumnitrid auf der Oberfläche einer Unterlage | |
| EP1142004A1 (de) | Verfahren zur bor-dotierung von wafern unter einsatz eines vertikalofensystems | |
| DE2012927B2 (de) | Verfahren zum dotieren von halbleitermaterial | |
| DE2915883A1 (de) | Verfahren zum anbringen einer epitaktischen schicht | |
| DE1257989B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle | |
| DE1619981C3 (de) | Verfahren zum Auftragen polykristalliner Schichten von Elementen auf Substrate | |
| DE1769177C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Aluminiumsilikat-Schicht auf Halbleitermaterial |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |