DE1931417C3 - Verfahren zur Doppeldiffusion von Halbleitermaterial - Google Patents
Verfahren zur Doppeldiffusion von HalbleitermaterialInfo
- Publication number
- DE1931417C3 DE1931417C3 DE1931417A DE1931417A DE1931417C3 DE 1931417 C3 DE1931417 C3 DE 1931417C3 DE 1931417 A DE1931417 A DE 1931417A DE 1931417 A DE1931417 A DE 1931417A DE 1931417 C3 DE1931417 C3 DE 1931417C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- aluminum
- dopant
- layer
- diffused
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60P—VEHICLES ADAPTED FOR LOAD TRANSPORTATION OR TO TRANSPORT, TO CARRY, OR TO COMPRISE SPECIAL LOADS OR OBJECTS
- B60P1/00—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading
- B60P1/04—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element
- B60P1/16—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element actuated by fluid-operated mechanisms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/04—Dopants, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Description
und eine .Diffusionsgrenze bei einer Tiefe von etwa H) // unter der Oberfläche hat.
Wenn es sich in einem anderen Beispiel bei dem umhüllten Dotierstoff 2 um einen Donator, wie
phosphordotiertes Siliziumpulver, handelt, werden aus der tiefen aluminiumdiffundierten Schicht des
p-Typs und der flachen phosphordiffundierten Schicht des η-Typs bestehende Doppeldiffusionsschichten in
der Halbleiterschicht 3 gebildet.
Mit dem Verfahren gemäß der Erfindung kann ein ρ; -p-n-Übergang geschaffen werden, wenn ein
Akzeptor, beispielsweise Indium oder Gallium, r- ™>
ITI des Periodensystems welche beide zur Gruppe ιι imumumhüllung
der Elemente gehören, in·der α hörigc Halbeingeschlossen
ist um ^ %yP wie Silizium oder
leitersubstanzen der Gruppe. , ^n ejn
Germanium, ^ dotieren. Da^e^eschaRen werden.
Halblciterbauteil des n-p-n lyps g Phosphor
wenn ein Donator, beisp. J* v des
Hierzu !BlattZeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum Dotieren von Halbleiter- wiegen durch Bemessen der Fläche des Stücks leicht
material durch Doppeldiffusion, bei dem Alu- 5 möglich ist.
minium und ein weiterer Dotierstoff von einer Wenn es sich bei dem umhüllten bzw. einge-
erhitzten, zusammengesetzten Dotierstoffquellc schlosscnen Dotierstoff um einen Akzeptor handelt,
gleichzeitig in die Halbleiter-Oberfläche ein- so werden gleichzeitig eine tiefe alumini^mdiffun-
diffundiert werden, dadurch gekenn ζ eich- dierte Schicht des p-Typs und eine flache Schicht des
net, daß die zusammengesetzte Dotierstoff- ίο ρ · -Typs geschaffen.
quelle (1') aus einer Aluminiumumhüllung (1) Handelt es sich bei dem eingeschlossenen bzw.
mit dem anderen, in dieser Umhüllung ent- umhüllten Dotierstoff um einen Donator, so werden
haltenen Dotierstoff (2) besteht. gleichzeitig eine tiefe aluminiumdiffundierte Schicht
2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch ge- 1Om p-Typ und eine flache Schicht vom η-Typ gekennzeichnet,
daß die Aluminiumumhüllung (1) 15 schaffen, welche mit hoher Konzentration mit der
aus einer Aluminiumfolie von gleichmäßiger und aus der Umhüllung stammenden Verunreinigung
exakt bestimmter Dicke besteht. diffundiert ist.
Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten dev
Erfindung werden im folgenden an Hand von
20 schematischen Zeichnungen eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum F i g. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Aus-
Dotieren von Halbleitermaterial durch Doppel- führungsbeispiels und zeigt einen Verfahrensschritt
diffusion, bei dem Aluminium und ein weiterer beim Umhüllen des eingeschlossenen Dotierstoffes in
Dotierstoff von einer erhitzten, zusammengesetzten 25 einem Stück Aluminiumfolie;
Dotierstoffquelle gleichzeitig in die Halbleiterober- F i g. 2 ist ein seitlicher Schnitt durch einen
fläche eindiffundiert werden. Elektroofen zum Erhitzen eines Diffusionsrohres.
Beim Herstellen von Halbleiterbauteilen wird her- Zunächst wird eine Aluminiumfolie mit bestimm-
kömmlicherweise ein Gasdiffusionsverfahren zum ter. derartig gleichmäßiger und genauer Dicke her-Diffundieren
von Donoren oder Akzeptoren in die 30 gestellt, daß die Masse eines Stücks derselben an
Halbleiterschichten angewandt, oei dem die Halb- Hand der Fläche eines solchen Stücks bestimmt werleiterschichten
in Gasen von Dotierstoffen erhitzt den kann. Daraufhin wird ein Stück aus der
werden. Wenn es sich bei eintm der im Gas- Aluminiumfolie ausgeschnitten, dessen Größe von
diffusionsverfahren verwendeten Dotierstoffe um der benötigten Menge bestimmt ist. Auf das ausAluminium
handelt, wird oft ein anderes Element, 35 geschnittene Stück Aluminiumfolie wird eine bebeispielsweise
Bor. gleichzeitig in die Halbleiter- nötigte Menge eines anderen Dotierstoffes 2, beischicht
eindiffundiert, um eine Schicht mit hoher spielsweise bordotierten Si'izium; ulvers, aufgebracht.
Konzentration an der Oberfläche zu erhalten, da nur Dann wird der zweite Dotierstoff 2 mit dem Stück 1
mit Aluminium diffundierte Schichten, obgleich sie Aluminiumfolie umwickelt. Auf diese Weise ist der
tief diffundiert sind, keine hohe Konzentration a,i 40 zweite Dotierstoff 2 in der aus dem Stück 1 beder
Oberfläche bilden können. Bei einem derartigen stehenden Aluminiumfolie eingeschlossen, so daß
gleichzeitigen Diffusionsverfahren wird eine alu- eine leicht zu handhabende zusammengesetzte
miniumdiffundierte Schicht tief unter der Oberfläche Dotierstoffquelle gebildet ist. Auf diese Weise köngcbildet.
während eine andere flache Diffusions- nen die beiden Dotierstoffe leicht und exakt gewogen
schicht mit hoher Konzentration unmittelbar unter 45 werden.
der Oberfläche gebildet wird. Bei bekannten Aus- Daraufhin wird, wie F i g. 2 zeigt, die zusammen-
fiihrungsformen des Doppeldiffusionsverfahrens wird gesetzte Dolierstoffquelle Γ in einen Vakuumraum 8
Aluminium durch Erhitzen eines kleinen Klumpens eines Diffusionsrohres, beispielsweise eines Quarz-Aluminiuni
dilfundiert, welcher zusammen mit dem rohres 4, eingebracht, welches gleichfalls die Halbanderen
Dotierstoff, beispielsweise Bor. in einer als 50 leiterscheiben, beispielsweise Siliziumscheiben 3. an
Dotierstoffquelle dienenden Umschließung enthalten einem Gestell 7 im Vakuumraum 8 enthält. Wenn
ist, oder das Aluminium wird durch Erhitzen von das Quarzrohr 4 in einem Elektroofen 5 mit einer
Halbleiterschichtcn, die vorübergehend mit einer im elektrischen Heizvorrichtung 6 2 Stunden auf eine
Vakuum niedergeschlagenen Aluminiumschicht über- Temperatur von 11500C erhitzt wird, werden die
zogen sind, zusammen mit dem anderen Dotierstoff 55 Verunreinigungen in der zusammengesetzten Dotierin
einem Diffusionsrohr diffundiert. Bei der ersten stoffquelle 1' verdampft und diffundieren in die
Verfahrensweise müssen das Aluminium und der Siliziumschichten 3. Bei diesem Diffusionsverfahren
andere Dotierstoff einzeln abgewogen und einzeln in diffundieren gleichzeitig beide Dotierstoffe, d. h.
das Dilfusionsrohr eingebracht werden, während die Aluminium und Bor, in die Siliziumschichten 3 und
zuletzt genannte Verfahrensweise eine Zwischenstufe 60 bilden Doppeldiffusionsschichten, die aus einer tiefen
zur Aluminiumniederschlagung erfordert. Es ist also aluminiumdiffundierten Schicht des p-Typs und einer
schwierig und umständlich, mit dem bekannten Ver- flachen bordiffundierten Schicht des ρ'■-Typs befahren
zur gleichzeitigen Diffusion Halbleiterbauteile stehen. In einem Beispiel hat die aluminiummit
guter Steuerung ihrer Merkmale herzustellen. diffundierte Schicht des p-Typs eine Konzentration
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung besteht 65 von etwa 10"'cm-3, und ihre Diffusionsgrenzc liegt
die zusammengesetzte Dotierstoffquelle aus einer bei einer Tiefe von etwa 20 μ unter der Oberfläche
Aluminiumumhüllung mit dem anderen, in dieser der Schicht 3, während die bordiffundierte Schicht
Umhüllung eingeschlossenen Dotierstoff. des ρ · -Typs eine Konzentration von etwa 10"1 cm~:1
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5304368 | 1968-06-21 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1931417A1 DE1931417A1 (de) | 1970-01-08 |
DE1931417B2 DE1931417B2 (de) | 1973-03-08 |
DE1931417C3 true DE1931417C3 (de) | 1973-09-27 |
Family
ID=12931841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1931417A Expired DE1931417C3 (de) | 1968-06-21 | 1969-06-20 | Verfahren zur Doppeldiffusion von Halbleitermaterial |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3615945A (de) |
DE (1) | DE1931417C3 (de) |
FR (1) | FR2011965B1 (de) |
GB (1) | GB1199399A (de) |
NL (1) | NL150620B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3798084A (en) * | 1972-08-11 | 1974-03-19 | Ibm | Simultaneous diffusion processing |
US3841927A (en) * | 1972-11-10 | 1974-10-15 | Owens Illinois Inc | Aluminum metaphosphate source body for doping silicon |
US3920882A (en) * | 1973-04-16 | 1975-11-18 | Owens Illinois Inc | N-type dopant source |
US3914138A (en) * | 1974-08-16 | 1975-10-21 | Westinghouse Electric Corp | Method of making semiconductor devices by single step diffusion |
US4099997A (en) * | 1976-06-21 | 1978-07-11 | Rca Corporation | Method of fabricating a semiconductor device |
US4029528A (en) * | 1976-08-30 | 1977-06-14 | Rca Corporation | Method of selectively doping a semiconductor body |
JPS5431273A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4235650A (en) * | 1978-09-05 | 1980-11-25 | General Electric Company | Open tube aluminum diffusion |
US4239560A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-16 | General Electric Company | Open tube aluminum oxide disc diffusion |
DE3028346A1 (de) * | 1980-07-25 | 1982-03-18 | Josef 8221 Inzell Plereiter | Kipperfahrzeug mit raupenfahrwerk |
US4804634A (en) * | 1981-04-24 | 1989-02-14 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit lateral transistor structure |
DE3782608D1 (de) * | 1986-09-30 | 1992-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen eines p-dotierten halbleitergebiets in einem n-leitenden halbleiterkoerper. |
JP3518745B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2004-04-12 | 日立金属株式会社 | 複合蒸着材およびその製造方法 |
-
1969
- 1969-05-30 GB GB27564/69A patent/GB1199399A/en not_active Expired
- 1969-06-11 US US832281A patent/US3615945A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-06-18 FR FR696920352A patent/FR2011965B1/fr not_active Expired
- 1969-06-20 NL NL696909457A patent/NL150620B/xx not_active IP Right Cessation
- 1969-06-20 DE DE1931417A patent/DE1931417C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2011965B1 (de) | 1973-08-10 |
GB1199399A (en) | 1970-07-22 |
NL150620B (nl) | 1976-08-16 |
DE1931417B2 (de) | 1973-03-08 |
NL6909457A (de) | 1969-12-23 |
US3615945A (en) | 1971-10-26 |
FR2011965A1 (de) | 1970-03-13 |
DE1931417A1 (de) | 1970-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1931417C3 (de) | Verfahren zur Doppeldiffusion von Halbleitermaterial | |
DE1246890B (de) | Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE1514807B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer planaren halbleiteranordnung | |
DE1034776B (de) | Diffusionsverfahren fuer leitungstypbestimmende Verunreinigungen in Halbleiteroberflaechen | |
DE1018558B (de) | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter | |
DE2154386B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch | |
DE2214224B2 (de) | Verfahren zur bildung von pn-uebergaengen in iii-v-halbleiter-einkristallen | |
DE2316520A1 (de) | Verfahren zum dotieren von halbleiterplaettchen durch diffusion aus einer auf das halbleitermaterial aufgebrachten schicht | |
DE3009300C2 (de) | ||
DE1564086B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleitersystems | |
DE2012459A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Dotierungs st of f que He | |
DE3124634C2 (de) | ||
DE1614351C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS Photowiderstanden | |
DE1464921B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
DE1539969C (de) | Diode mit veränderlicher Kapazität | |
DE2915883A1 (de) | Verfahren zum anbringen einer epitaktischen schicht | |
US3079287A (en) | Improved grown junction transistor and method of making same | |
DE1261487B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumkoerpers mit mehreren Schichten verschiedenen Leitungstyps | |
AT249748B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen durch einkristallines Abscheiden von Halbleitermaterial | |
DE1905415A1 (de) | Verfahren zum Dotieren von Silicium- oder Germaniumkristallen mit Antimon und/oder Wismut | |
DE2051992A1 (en) | Doped semiconductor | |
DE1058634B (de) | Gasdiffusionsverfahren zur Herstellung eines Transistors | |
DE2200585C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrolumineszenten Halbleiterbauelements | |
DE3027197A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitereinrichtung | |
DE1539969B2 (de) | Diode mit veraenderlicher kapazitaet |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EF | Willingness to grant licences |