DE1521834B2 - Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen - Google Patents

Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen

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JPH06232099A (ja) * 1992-09-10 1994-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法
GB2299894B (en) * 1992-09-10 1997-01-22 Mitsubishi Electric Corp Method for producing a semiconductor laser device
EP1001458A1 (en) * 1998-11-09 2000-05-17 STMicroelectronics S.r.l. Isotropic etching of silicon using hydrogen chloride

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