DE1521834B2 - Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen - Google Patents
Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzenInfo
- Publication number
- DE1521834B2 DE1521834B2 DE19631521834 DE1521834A DE1521834B2 DE 1521834 B2 DE1521834 B2 DE 1521834B2 DE 19631521834 DE19631521834 DE 19631521834 DE 1521834 A DE1521834 A DE 1521834A DE 1521834 B2 DE1521834 B2 DE 1521834B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor crystal
- etching
- silicon
- reaction chamber
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
- H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
- H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
-
- H10P14/24—
-
- H10P14/274—
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3411—
-
- H10P14/3442—
-
- H10P14/3444—
-
- H10P14/6309—
-
- H10P14/6322—
-
- H10P14/6334—
-
- H10P14/6682—
-
- H10P14/69215—
-
- H10P50/242—
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20155662A | 1962-06-11 | 1962-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1521834A1 DE1521834A1 (de) | 1970-01-08 |
| DE1521834B2 true DE1521834B2 (de) | 1971-10-07 |
Family
ID=22746310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19631521834 Ceased DE1521834B2 (de) | 1962-06-11 | 1963-06-11 | Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE631658A (enExample) |
| DE (1) | DE1521834B2 (enExample) |
| GB (1) | GB1047942A (enExample) |
| NL (2) | NL142525B (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2218567A (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-15 | Philips Electronic Associated | A method of forming an epitaxial layer of silicon |
| JPH06232099A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法,半導体装置の製造装置,半導体レーザの製造方法,量子細線構造の製造方法,及び結晶成長方法 |
| GB2299894B (en) * | 1992-09-10 | 1997-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | Method for producing a semiconductor laser device |
| EP1001458A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-17 | STMicroelectronics S.r.l. | Isotropic etching of silicon using hydrogen chloride |
-
0
- BE BE631658D patent/BE631658A/xx unknown
- NL NL293887D patent/NL293887A/xx unknown
-
1963
- 1963-04-22 GB GB15836/63A patent/GB1047942A/en not_active Expired
- 1963-06-11 DE DE19631521834 patent/DE1521834B2/de not_active Ceased
- 1963-06-11 NL NL63293887A patent/NL142525B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1047942A (en) | 1966-11-09 |
| NL142525B (nl) | 1974-06-17 |
| BE631658A (enExample) | |
| DE1521834A1 (de) | 1970-01-08 |
| NL293887A (enExample) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1029941B (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten | |
| DE1086512B (de) | Verfahren zum Herstellen eines gleichrichtenden UEberganges in einem Siliziumkoerper | |
| DE1564963C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements | |
| DE1913718C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE3112186A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristall-siliziumfilmen | |
| DE112019004412T5 (de) | Verfahren zur Auswertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliziumprobe, Verfahren zur Auswertung des Siliziumwaferherstellungsprozesses, Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristallingots | |
| DE102020114711A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung einer Oxidschicht, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und zur Ausbildung einer Oxidschicht eingerichtetes Schichtausbildungsgerät | |
| DE1285465B (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Schichten aus Silicium oder Germanium | |
| DE1213054B (de) | Diffusionsverfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE4010595A1 (de) | Verfahren zur bildung eines kristallinen films | |
| DE1901819C3 (de) | Herstellungsverfahren für polykristalline Siliciumschichten | |
| DE1924825A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines Halbleitermaterials | |
| DE1521834B2 (de) | Verfahren zur herstellung geschichteter halbleiter kristall elemente durch aetzen | |
| DE1913565C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls einer halbleitenden Am Bv -Verbindung | |
| DE2838928A1 (de) | Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern mit bor | |
| DE2014797B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltelementen jn einer integrierten Halbleiterschaltung | |
| DE69601452T2 (de) | Verfahren zur Aufbringung einer dünnen Schicht | |
| DE69704539T2 (de) | Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines Silizium-Einkristalles und Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus monokristallinem Silizium | |
| DE2613004B2 (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Einkristallschichten auf Substraten aus einer Schmelzlösung | |
| DE102015218218A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gebondeten SiC-Wafers und gebondeter SiC-Wafer | |
| DE2951292A1 (de) | Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern durch eindiffundieren von bor | |
| DE2700094A1 (de) | Verfahren zum herstellen von hybridoxiden | |
| CH434215A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere Transistoren und Dioden, und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnungen | |
| DE2220807A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Duennfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten | |
| DE1955130B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit eindiffundierten Störstellenfronten geringer Eindringtiefe und mit hoher Störstellendichte an der Halbleiteroberfläche |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BHV | Refusal |