DE1521542B2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/14—Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness
- C23C2/22—Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness by rubbing, e.g. using knives, e.g. rubbing solids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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Description
abgekühlt, wobei A T diejenige Temperatur ist, die erforderlich
ist, um das Zum Vom flüssigen Zustand in den erstarrten Zustand zu überführen.
Die fertig verzinnte Solarzelle 4 mit der Zinnschicht
7 zeigt die F i g. 3.
Da die zu verzinnenden Halbleiterscheiben und insbesondere auch Solarzellen im allgemeinen eine
sehr geringe Dicke haben und beispielsweise nur wenige 100 μπι dick sind, sind sie schwer zu handhaben.
Nach F i g. 4 ist deshalb eine besondere Pinzette 8 entwickelt worden, deren Arme an ihren Enden
rechtwinklig abgewinkelte Greifer 9 haben, um die zu verzinnenden Halbleiterscheiben (4) am Rande erfassen
zu können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1 2
Gemäß einer Weiterbildung ·. der Erfindung . wird
Patentansprüche· *^e Halbleiterscheibe mit einer solchen Geschwindig-
1 keit an der Folie vorbeigezogen, daß das Zinn nach
dem Abstreifen an der Folie erstarrt ist. Die Kraft,
1. Verfahren zum;-öHerstellen einer dünnen, 5 mit der die Halbleiterscheibe beim Abstreifen des
gleichmäßigen Zinnschicht auf der Oberfläche Zinns an die Folie gedrückt wird, beträgt vörzugseiner
Halbleiterscheibe mit Hilfe einer Tauch- weise 1 bis 2 kp. , . .
badverzinnung, insbesondere zum Verzinnen von Die Folie, die zum Abstreifen des Zinns dient, soll
Solarzellen, dadurch gekennzeichnet, aus einem Material bestehen, welches bis 3000C
daß das nach dem Tauchen an der Halbleiter- io temperaturbeständig ist. Als Material für die Folie
scheibe anhaftende überschüssige Zinn an einer hat sich besonders Teflon bewährt. Die Folie, die
gekrümmten FoUe aus^lasjtischem und tempera- möglichst dünner als 0,15 mm sein soll, wird vorturbeständigeinl^ateri^
cturcii Vorbeiziehen ab- zugsweise auf eine gekrümmte Unterlage'.·. aufgegestreift
wird. ' - spannt, die z: B. aus Gummi besteht. \ '
^EVferfähren-iiäch: Anspruch 1,? dadurch ge- 15 Die Erfindung hat sich vor allem beim Verzinnen
kennzeichnet, ^aß.die^Halb^eiterscheibe.m verti- von Solarzellen bewährt. Solarzellen bestehen bekaler
Richtung" atf der' "Folie vorbeigezogen wird. kanntlich aus einer Halbleiterscheibe mit relativ gro-
3. Verfahren?na.ch£Anspruch l..oder 2, dadurch ßen Abmessungen von beispielsweise 20 ■ 20 mm mit
gekennzeichnet,... daß· ^cfje \K4lbleiterscheibe mit einem pn-übergang, dessen eine Halbleiterzone
einer solchen Oe&hwindigkeit an der. Folie vor- ao durch eine Zinnschicht auf der einen Oberflächenbeigezogen
wird, daß das Zinn nach dem Abstrei- seite der Halbleiterscheibe kontaktiert wird. "Da Sofen
an der Folie erstarrt ist. larzellen bevorzugt in der Raumfahrttechnik Anwen-
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 dung finden und sehr oft mehrere tausend Einzelzelbis3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kraft, mit len zu einer. Solarzelle kombiniert werden müssen,
der die Halbleiterscheibe beim Abstreifen das as kommt sehr wesentlich auf ein möglichst geringes
Zinn an die Folie gedrückt wird, 1 bis 2 kp be- Gewicht bei den Einzelzellen an. Das Verfahren
trägt. nach der Erfindung bietet die Möglichkeit, sehr
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfah- dünne und gleichmäßige Zinnschichten auf Solarzelrens
nach den Ansprüchen 1 bis 4, bestehend aus len und natürlich auch auf anderen Halbleiterscheieiner
Folie, die bis 300° C temperaturbeständig 30 ben herzustellen und ihr Gesamtgewicht erheblich zu
ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie auf reduzieren. _■>■
einer gekrümmten Unterlage aufliegt. Die Erfindung wirdr.im folgenden an Ausführungs-
einer gekrümmten Unterlage aufliegt. Die Erfindung wirdr.im folgenden an Ausführungs-
- --6.-Vorrichtung-oach-AnspruchS,..dadurch ge-.__beispielen erläutert.
lci--k?— ^i?^J^ $?«£??& aus Polytetrafluorät- Zum Verzinnen von Solarzellen ist in Fig. 1 ein
'■•hyleri-besteht:-'"--' —-^••-->
-^- ;; · ■·■ -.1·. ;·ν j5 zinnbad vorhanden, über dem sich eine Abstreifvor-
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, da-, "richtung befindet. Diese besteht aus einer gekrümmdurch
gekennzeichnet, daß die Folie dünner als ten Unterlage 1 aus Moosgummi, einer auf die Un-0,15
mm ist. terlage gespannten Folie aus Polytetrafluoräthylen 2
8. Vorrichtung nach Anspruch7, dadurch ge- sowie aus einer Halterung? für die Unterlage. Die
kennzeichnet, daß die Unterlage aus Gummi, 4° Folie 2 soll möglichst dünn und vorzugsweise dünner
vorzugsweise Moosgummi, besteht. als 0,15 mm sein, damit sich die Solarzelle beim Vorbeiziehen
ganzflächig an die Folie anschmiegen
ralü ΟΟΰν (Hdrri:isibaneic?s^-r.:;;;:;,,-;.;vi;:^: : :; -;. kann. Polytetrafluoräthylen hat sich als Folienmaterial
deshalb besonders bewährt, weil es die nötige
45 Elastizität besitzt und außerdem bis ungefähr
390° C temperaturbeständig ist Die Temperaturbeständigkeit'der
Folie Ik deshalb von Bedeutung, weil sich diese beim Abstreifen des flüssigen Zinns nicht
plastisch verformen darf. Die Folie muß aber nicht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- 5o nur dünn und temperaturbeständig sein, sondern sie
len einer dünnen, gleichmäßigen Zinnschicht-auf der ;" ''muß - darüber hinaus : auch eine möglichst; glatte
Oberfläche einer Halbleiterscheibe mit Hilfe einer Oberfläche besitzen, wenn gute Ergebnisse erzielt
Tauchbadverzinnung, insbesondere zum Verzinnen werden sollen und die verzinnte Oberfläche glatt
■ von Solarzellen.-Die-Erfindung.besteht-b.ei.einem sol- seinjoll.
chen Verfahren darin,, daß das nach dem Tauchen an 55 Zum νεΓζΐηηεη^ΪΓααϊέ'δοίέΙ^ΙΓβ'ίΤη'^β Zinnder
Halbleiterscheibe~ä^äften3e^ herausgezogen.--und an-
an einer gekrümmten Folie aus elastischem und tem- schließend mit einem Auflagedruck von 1 biSy2 kp an
peraturbeständigem Material durch Vorbeiziehen ab- der Folie 2 vorbeigezogen,. Dabei wird das übergestreift
wird, schüssige Zinn.'; (^) nach. ünter£ abgestreift. Der ge-Es
ist bereits bekannt, Halbleiterscheiben in ein 6o samte Vorgang1 muß' mit einer· bestimmten Geschwin-Tauchbad
aus flüssigem Zinn einzutauchen und die digkeit vor sich "gehen ·>
und;:zwar derart, daß das Halbleiterscheiben auf diese Weise zu verzinnen. Zinn auf der Solarzelle noch flüssig ist, wenn es mit
Weiterhin ist es bekannt, überschüssiges Zinn nach der Folie in Berührung kommt, jedoch bereits erdem
Tauchvorgang durch Abstreifen zu entfernen. starrt ist, wenn die Solarzelle an der Folie vorbeige-Schließlich
ist es auch bekannt, zum Abstreifen eines 6S führt ist. Die Geschwindigkeit der vertikalen Aufüberschüssigen Überzugsmetalls eine bis etwa wärtsbewegung der Solarzelle muß also so bemessen
380° C wärmebeständige Kunststoffolie zu verwen- werden, daß sich das Zinn während der Abstreifpeden.
riode gemäß F i g. 2 um die Temperaturdifferenz Δ Τ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19511521542 DE1521542A1 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19511521542 DE1521542A1 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben |
DET0032419 | 1966-10-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1521542A1 DE1521542A1 (de) | 1969-09-11 |
DE1521542B2 true DE1521542B2 (de) | 1973-09-20 |
DE1521542C3 DE1521542C3 (de) | 1974-04-25 |
Family
ID=25752649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19511521542 Granted DE1521542A1 (de) | 1951-01-28 | 1951-01-28 | Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1521542A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3047671A1 (de) * | 1980-12-18 | 1982-07-22 | Friedrich Heck KG, 5870 Hemer | Verfahren zum kontinuierlichen schmelzfluessigen ueberziehen von metallteilen mit einer loetfaehigen schicht aus zinn oder zinn-blei-legierung und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
-
1951
- 1951-01-28 DE DE19511521542 patent/DE1521542A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3047671A1 (de) * | 1980-12-18 | 1982-07-22 | Friedrich Heck KG, 5870 Hemer | Verfahren zum kontinuierlichen schmelzfluessigen ueberziehen von metallteilen mit einer loetfaehigen schicht aus zinn oder zinn-blei-legierung und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1521542A1 (de) | 1969-09-11 |
DE1521542C3 (de) | 1974-04-25 |
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