DE1521542B2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE1521542B2
DE1521542B2 DE1521542A DE1521542A DE1521542B2 DE 1521542 B2 DE1521542 B2 DE 1521542B2 DE 1521542 A DE1521542 A DE 1521542A DE 1521542 A DE1521542 A DE 1521542A DE 1521542 B2 DE1521542 B2 DE 1521542B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tin
foil
semiconductor wafer
stripping
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1521542A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1521542A1 (de
DE1521542C3 (de
Inventor
Uwe 7151 Buerg Goezinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DE19511521542 priority Critical patent/DE1521542A1/de
Publication of DE1521542A1 publication Critical patent/DE1521542A1/de
Publication of DE1521542B2 publication Critical patent/DE1521542B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1521542C3 publication Critical patent/DE1521542C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/14Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness
    • C23C2/22Removing excess of molten coatings; Controlling or regulating the coating thickness by rubbing, e.g. using knives, e.g. rubbing solids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

abgekühlt, wobei A T diejenige Temperatur ist, die erforderlich ist, um das Zum Vom flüssigen Zustand in den erstarrten Zustand zu überführen.
Die fertig verzinnte Solarzelle 4 mit der Zinnschicht 7 zeigt die F i g. 3.
Da die zu verzinnenden Halbleiterscheiben und insbesondere auch Solarzellen im allgemeinen eine sehr geringe Dicke haben und beispielsweise nur wenige 100 μπι dick sind, sind sie schwer zu handhaben. Nach F i g. 4 ist deshalb eine besondere Pinzette 8 entwickelt worden, deren Arme an ihren Enden rechtwinklig abgewinkelte Greifer 9 haben, um die zu verzinnenden Halbleiterscheiben (4) am Rande erfassen zu können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1 2
Gemäß einer Weiterbildung ·. der Erfindung . wird
Patentansprüche· *^e Halbleiterscheibe mit einer solchen Geschwindig-
1 keit an der Folie vorbeigezogen, daß das Zinn nach dem Abstreifen an der Folie erstarrt ist. Die Kraft,
1. Verfahren zum;-öHerstellen einer dünnen, 5 mit der die Halbleiterscheibe beim Abstreifen des gleichmäßigen Zinnschicht auf der Oberfläche Zinns an die Folie gedrückt wird, beträgt vörzugseiner Halbleiterscheibe mit Hilfe einer Tauch- weise 1 bis 2 kp. , . .
badverzinnung, insbesondere zum Verzinnen von Die Folie, die zum Abstreifen des Zinns dient, soll
Solarzellen, dadurch gekennzeichnet, aus einem Material bestehen, welches bis 3000C daß das nach dem Tauchen an der Halbleiter- io temperaturbeständig ist. Als Material für die Folie scheibe anhaftende überschüssige Zinn an einer hat sich besonders Teflon bewährt. Die Folie, die gekrümmten FoUe aus^lasjtischem und tempera- möglichst dünner als 0,15 mm sein soll, wird vorturbeständigeinl^ateri^ cturcii Vorbeiziehen ab- zugsweise auf eine gekrümmte Unterlage'.·. aufgegestreift wird. ' - spannt, die z: B. aus Gummi besteht. \ '
^EVferfähren-iiäch: Anspruch 1,? dadurch ge- 15 Die Erfindung hat sich vor allem beim Verzinnen kennzeichnet, ^aß.die^Halb^eiterscheibe.m verti- von Solarzellen bewährt. Solarzellen bestehen bekaler Richtung" atf der' "Folie vorbeigezogen wird. kanntlich aus einer Halbleiterscheibe mit relativ gro-
3. Verfahren?na.ch£Anspruch l..oder 2, dadurch ßen Abmessungen von beispielsweise 20 ■ 20 mm mit gekennzeichnet,... daß· ^cfje \K4lbleiterscheibe mit einem pn-übergang, dessen eine Halbleiterzone einer solchen Oe&hwindigkeit an der. Folie vor- ao durch eine Zinnschicht auf der einen Oberflächenbeigezogen wird, daß das Zinn nach dem Abstrei- seite der Halbleiterscheibe kontaktiert wird. "Da Sofen an der Folie erstarrt ist. larzellen bevorzugt in der Raumfahrttechnik Anwen-
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 dung finden und sehr oft mehrere tausend Einzelzelbis3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kraft, mit len zu einer. Solarzelle kombiniert werden müssen, der die Halbleiterscheibe beim Abstreifen das as kommt sehr wesentlich auf ein möglichst geringes Zinn an die Folie gedrückt wird, 1 bis 2 kp be- Gewicht bei den Einzelzellen an. Das Verfahren trägt. nach der Erfindung bietet die Möglichkeit, sehr
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfah- dünne und gleichmäßige Zinnschichten auf Solarzelrens nach den Ansprüchen 1 bis 4, bestehend aus len und natürlich auch auf anderen Halbleiterscheieiner Folie, die bis 300° C temperaturbeständig 30 ben herzustellen und ihr Gesamtgewicht erheblich zu ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie auf reduzieren. _■>■
einer gekrümmten Unterlage aufliegt. Die Erfindung wirdr.im folgenden an Ausführungs-
- --6.-Vorrichtung-oach-AnspruchS,..dadurch ge-.__beispielen erläutert.
lci--k?— ^i?^J^ $?«£??& aus Polytetrafluorät- Zum Verzinnen von Solarzellen ist in Fig. 1 ein
'■•hyleri-besteht:-'"--' —-^••--> -^- ;; · ■·■ -.1·. ;·ν j5 zinnbad vorhanden, über dem sich eine Abstreifvor-
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, da-, "richtung befindet. Diese besteht aus einer gekrümmdurch gekennzeichnet, daß die Folie dünner als ten Unterlage 1 aus Moosgummi, einer auf die Un-0,15 mm ist. terlage gespannten Folie aus Polytetrafluoräthylen 2
8. Vorrichtung nach Anspruch7, dadurch ge- sowie aus einer Halterung? für die Unterlage. Die kennzeichnet, daß die Unterlage aus Gummi, 4° Folie 2 soll möglichst dünn und vorzugsweise dünner vorzugsweise Moosgummi, besteht. als 0,15 mm sein, damit sich die Solarzelle beim Vorbeiziehen ganzflächig an die Folie anschmiegen
ralü ΟΟΰν (Hdrri:isibaneic?s^-r.:;;;:;,,-;.;vi;:^: : :; -;. kann. Polytetrafluoräthylen hat sich als Folienmaterial deshalb besonders bewährt, weil es die nötige
45 Elastizität besitzt und außerdem bis ungefähr
390° C temperaturbeständig ist Die Temperaturbeständigkeit'der Folie Ik deshalb von Bedeutung, weil sich diese beim Abstreifen des flüssigen Zinns nicht plastisch verformen darf. Die Folie muß aber nicht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- 5o nur dünn und temperaturbeständig sein, sondern sie len einer dünnen, gleichmäßigen Zinnschicht-auf der ;" ''muß - darüber hinaus : auch eine möglichst; glatte Oberfläche einer Halbleiterscheibe mit Hilfe einer Oberfläche besitzen, wenn gute Ergebnisse erzielt Tauchbadverzinnung, insbesondere zum Verzinnen werden sollen und die verzinnte Oberfläche glatt
■ von Solarzellen.-Die-Erfindung.besteht-b.ei.einem sol- seinjoll.
chen Verfahren darin,, daß das nach dem Tauchen an 55 Zum νεΓζΐηηεη^ΪΓααϊέ'δοίέΙ^ΙΓβ'ίΤη'^β Zinnder Halbleiterscheibe~ä^äften3e^ herausgezogen.--und an-
an einer gekrümmten Folie aus elastischem und tem- schließend mit einem Auflagedruck von 1 biSy2 kp an peraturbeständigem Material durch Vorbeiziehen ab- der Folie 2 vorbeigezogen,. Dabei wird das übergestreift wird, schüssige Zinn.'; (^) nach. ünter£ abgestreift. Der ge-Es ist bereits bekannt, Halbleiterscheiben in ein 6o samte Vorgang1 muß' mit einer· bestimmten Geschwin-Tauchbad aus flüssigem Zinn einzutauchen und die digkeit vor sich "gehen ·> und;:zwar derart, daß das Halbleiterscheiben auf diese Weise zu verzinnen. Zinn auf der Solarzelle noch flüssig ist, wenn es mit Weiterhin ist es bekannt, überschüssiges Zinn nach der Folie in Berührung kommt, jedoch bereits erdem Tauchvorgang durch Abstreifen zu entfernen. starrt ist, wenn die Solarzelle an der Folie vorbeige-Schließlich ist es auch bekannt, zum Abstreifen eines 6S führt ist. Die Geschwindigkeit der vertikalen Aufüberschüssigen Überzugsmetalls eine bis etwa wärtsbewegung der Solarzelle muß also so bemessen 380° C wärmebeständige Kunststoffolie zu verwen- werden, daß sich das Zinn während der Abstreifpeden. riode gemäß F i g. 2 um die Temperaturdifferenz Δ Τ
DE19511521542 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben Granted DE1521542A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19511521542 DE1521542A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19511521542 DE1521542A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben
DET0032419 1966-10-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1521542A1 DE1521542A1 (de) 1969-09-11
DE1521542B2 true DE1521542B2 (de) 1973-09-20
DE1521542C3 DE1521542C3 (de) 1974-04-25

Family

ID=25752649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19511521542 Granted DE1521542A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren und Vorrichtung zum Verzinnen von Halbleiterscheiben

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1521542A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3047671A1 (de) * 1980-12-18 1982-07-22 Friedrich Heck KG, 5870 Hemer Verfahren zum kontinuierlichen schmelzfluessigen ueberziehen von metallteilen mit einer loetfaehigen schicht aus zinn oder zinn-blei-legierung und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3047671A1 (de) * 1980-12-18 1982-07-22 Friedrich Heck KG, 5870 Hemer Verfahren zum kontinuierlichen schmelzfluessigen ueberziehen von metallteilen mit einer loetfaehigen schicht aus zinn oder zinn-blei-legierung und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
DE1521542A1 (de) 1969-09-11
DE1521542C3 (de) 1974-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2408617C3 (de) Verfahren zur kontinuierlichen und partiellen Beschichtung eines Werkstücks
DE1108754B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Schaltungsplatten in Fernmelde-, insbesondere Fernsprech-anlagen
DE1521542B2 (de)
DE2240853A1 (de) Verfahren zum verbinden einer zur herstellung einer leiterplatte geeigneten metallschicht mit einer biegsamen dielektrischen unterlage
DE1260934B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von plattierten Bandstreifen fuer Gleitlager
DE1696153B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum beidseitigen Aufbringen eines Strichs auf eine bewegte Papierbahn
DE1564770C3 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von Halbleiteranordnungen
DE3047671C2 (de) Verfahren zum kontinuierlichen schmelzflüssigen Überziehen von Metallteilen mit einer lötfähigen Schicht aus Zinn oder Zinn-Blei-Legierung und Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens
DE1464296C (de) Verfahren zum Atzen eines Halbleiter bauelementes
DE965052C (de) Verfahren zur Herstellung von Kommutatoren
DE1490652C3 (de) Verfahren zur Herstellung dünnschichtiger magnetfeldabhängiger Halbleiterkörper
DE542997C (de) Zugentlastung fuer bewegliche elektrische Leitungen
DE3109057C2 (de) Verfahren zum Beschichten eines Kunststoff-Hohlprofiles mit Dekor-Material im Durchlauf sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE1665547C3 (de) Verfahren zum stellenweisen Entmanteln, elektrischer Kabel und Leitungen und Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens
DE1053895B (de) Verfahren zum UEberziehen von metallischen Baendern mit fluessigem Metall
DE1067529B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung des Flaechentyps
EP1377390B1 (de) Verfahren zum erzeugen und aufbringen dünner schichten auf oberflächen
DE2147180C3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Zurückhatten von Flüssigkeit an schnellaufenden Metallbändern
DE1049455B (de)
DE3151515C2 (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen, galvanischen Beschichtung von langen Gegenständen
DE312882C (de)
AT234152B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE1940326C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Metallätzen
DE2000573C (de) Vorrichtung zur Herstellung einer Quetschverbindung
DD142137A3 (de) Vorrichtung zum einseitigen abdecken von halbleiterscheiben

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)