DE1499847B2 - Festwertspeicher - Google Patents

Description

1 2

Die vorliegende Erfindung betrifft einen magneti- kann, um den Speicherzustand des betreffenden Kerns sehen Festwertspeicher mit mindestens einer einzustellen. Ein solcher Speicher ist sowohl in der Speicherebene, die eine Anzahl von Speicherplätzen Herstellung als auch im Betrieb umständlich, da die enthält, welche jeweils ein Bit speichern, dessen Wert Ringkernmatrix durch Auffädeln der Ringkerne auf vom Vorhandensein oder NichtVorhandensein einer 5 die Ansteuer- und Lesedrähte hergestellt werden muß die magnetische Kopplung einer Abfrageleiteranord- und die Kurzschlußstecker diffizil zu placieren sind, nung und eines Leseleiters an dem betreffenden Außerdem ist das Bereithalten der Kurzschluß-Speicherplatz beeinflussenden Leitungsverbindung stecker umständlich,
abhängt. Aus der deutschen Patentschrift 1 133 927 ist ein

Aus der deutschen Auslegeschrift 1 174 836 ist be- ίο Halbfestwertspeicher bekannt, der eine Anzahl von reits ein solcher magnetischer Festwertspeicher be- im wesentlichen zueinander parallelen Ansteuerleikannt. Bei diesem bekannten Speicher hängt der Wert tern und eine Anzahl von im wesentlichen zueinander jeder Binärziffer vom Vorhandensein bzw. Fehlen parallelen und die Ansteuerleiter kreuzenden Leseeiner induktiven Kopplung zwischen einer in Betrieb leiter enthält. Für die Ansteuerleiter und/oder Lesemit Abfrageimpulsen gespeisten Eingangsstrom- 15 leiter ist eine Platte als Boden vorgesehen, die aus schleife und einer Ausgangsstromschleife ab. Für jede hochpermeablem Material wenigstens an den Kreuzu speichernde Binärziffer ist eine in sich geschlossene zungsstellen zwischen den Ansteuer- und Leseleitern Ringleitung vorgesehen, die in die Eingangsstrom- besteht und mit einer Metallplatte aus elektrisch gut schleife .eingefügt ist und einen Magnetkern umgibt, leitendem Material bedeckt ist. Die Metallplatte ist der eine die Ausgangsschleife darstellende Lesewick- ao ihrerseits mit einer Platte bedeckt, die aus hochlung trägt. Zur Darstellung des Wertes der in dem permeablem Material wenigstens an den Kreuzstellen betreffenden Magnetkern gespeicherten Binärziffer zwischen den Ansteuer- und Leseleitern besteht. Die wird wahlweise der eine oder der andere der beiden Codierung erfolgt dadurch, daß in der Metallplatte von der Ringleitung gebildeten Stromwege unter- an vorgegebenen Kreuzungsstellen Schlitze vorbrechen. Ein solcher Festwertspeicher ist durch das as gesehen sind. Ein solcher Speicher liefert wegen der Vorhandensein von Kopplungsschleifen nicht stö- nur schwachen Kopplung durch die Schlitze hindurch rungsfrei und daher nur in platzraubender Anord- nur schwache Ausgangssignale,
nung realisierbar. In der deutschen Auslegeschrift 1 176 197 ist ein

Es ist ferner aus der deutschen Patentschrift Halbfestwertspeicher vorbeschrieben, der als eigent-1 062 742 eine magnetische Codiervorrichtung be- 30 liches Speichermedium Lochkarten od. dgl. aus elckkannt, die mindestens eine Gruppe von in einer Reihe trisch leitendem, magnetisch abschirmendem Material angeordneten ferromagnetischen Ringkernen und enthält, die zwischen Ansteuer- und Leseleiterschleimindestens einen Codierdraht enthält, der gemäß fen angeordnet sind und an den entsprechenden einer bestimmten Codekombination durch die Ring- Speicherplätzen den entsprechenden Schleifen gegenkerne hindurchgeführt ist. Die zu einer Reihe ge- 35 über je nach dem Wert des zu speichernden Bits hörenden Kerne sind auf einem platten- oder streifen- ein Koppelloch aufweisen oder geschlossen sind. Dieförmigen Träger befestigt, in dem eine dem Loch im ser Speicher hat den Nachteil, daß die Justierung Ring entsprechende Öffnung und eine neben dem der Koppellöcher bezüglich der Koppelschleifen Ring liegende Öffnung vorgesehen sind, so daß der schwierig ist und daß die Ausgangsignale wegen der Draht beim Einfädeln möglichst wenig von einer 40 schwachen Kopplung eine nur kleine Amplitude Geraden abweicht. Solche Anordnungen sind wegen haben.

der Fädelung umständlich herstellbar. Denselben " Ein aus der deutschen Auslegeschrift 1 197 929 beNachteil weisen auch die üblichen Ringkernspeicher- kannter Halbfestwertspeicher enthält eine Gruppe von matrizen auf, wie sie z. B. aus der deutschen Patent- Ansteuerleitern und eine Gruppe von Leseleitern, die schrift 1 087 381 bekannt sind. 45 von den Ansteuerleitern isoliert sind, senkrecht zu

Aus der deutschen Patentschrift 1 093 116 ist fer- diesen verlaufen und mit diesen an den Kreuzungsner ein Halbfestwertspeicher mit Ringkernen be- stellen wahlweise koppelbar sind. Als Koppelelement kannt, deren Speicherzustand durch Vormagnetisie- dienen elektrisch leitende Flächen oder geschlossene rung mittels mechanisch verschiebbarer Permanent- Leiterschleifen, die parallel zur Ebene der beiden magnete einstellbar ist. Eine solche Anordnung ist 50 Leitergruppen in unmittelbarer Nachbarschaft von sehr platzraubend. diesen und von diesen isoliert angeordnet sind und

Durch die deutsche Auslegeschrift 1 101 024 ist im wesentlichen die betreffende Kreuzung gerade weiterhin ein Halbfestwertspeicher bekanntgeworden, überdecken. Auch dieser Speicher ist relativ komplider eine Platte aus Isoliermaterial enthält, auf deren ziert und liefert nur schwache Signale.
Seiten zwei sich kreuzende Sätze von langgestreckten 55 Aus der deutschen Auslegeschrift 1 216 937 ist Leiterschleifen angeordnet sind. Die Platte weist an noch ein Halbfestwertspeicher mit einer Platte aus den Kreuzungsstellen der Leiterschleifen jeweils ein magnetischem Material bekannt, die auf einer Seite Loch auf, in das ein Zapfen aus ferromagnetischem ein rechteckiges Gitter von Rillen aufweist, welche Material einsetzbar ist, durch den die Leiter dann zwei Scharen sich kreuzender Drähte enthalten. Über an der betreffenden Stelle induktiv gekoppelt werden. 60 den Kreuzungsstellen der Drähte sind Brückenglieder Auch dieser Speicher hat den Nachteil, daß er sehr aus magnetischem Material angeordnet, die in Konplatzraubend ist, da bei gedrängtem Aufbau Störun- takt mit dem magnetischen Material der Platte stehen, gen auftreten. Auf der mit Rillen versehenen Seite der Platte ist

In der deutschen Patentschrift I 132 965 ist ein eine zweite Platte aus nichtmagnetischem, nichtleiten-Halbfestwertspeicher in Form einer Ringkernmatrix 65 dem Material angeordnet, die eine Vielzahl von bekannt, bei dem jedem Ringkern eine zusätzliche Löchern aufweist, von denen jedes jeweils über einer Drahtschleife zugeordnet ist, die durch einen Kurz- Kreuzungsstelle der Drähte angeordnet ist. In die schlußstecker geschlossen oder unterbrochen werden Löcher sind drehbare Stöpsel aus nichtmaenetischem

3 4

Material eingesetzt, die in ihrem in das Loch ein- Die Magnetschicht 10 ist mit systematisch in Zeigesteckten Ende einen Schlitz aufweisen, der ein len und Spalten angeordneten Lochpaaren versehen, magnetisches Brückenglied aufweist, das durch Ver- Und zwar bilden die Löchert, und A' ein solches drehen des betreffenden Stöpsels in die eine oder Paar, die Löcher B und B' ein weiteres solches Paar andere Diagonalrichtung bezüglich der betreffenden 5 und die Löcher C und C ein drittes solches Paar. Kreuzungsstelle der Drähte einstellbar ist. Die In dem illustrativen Beispiel nach Fig. 1 hat die Speicherung ist hier wegen Bereithaltung von Magnetschicht 10 insgesamt 18 Lochpaare, die eine Brückengliedern und deren diffiziler Placierung um- entsprechende Anzahl von Speicherzellen für die ständlich, außerdem lassen sich solche Speicher Speicherung von 18 Binärbits bilden. Zweckmäßigerschlecht miniaturisieren und in mehreren Ebenen auf- 10 weise werden die Löcher in eine nach dem Aufstreichbauen, verfahren hergestellte Ferritschicht vor dem Sintern

Schließlich ist aus der Zeitschrift »Electronics«, der Schicht eingestanzt.

Engineering Issue, 10. Oktober 1958, S. 100 bis 103, Die gelochte Magnetschicht 10 wird mit einem ge-

ein Ferritplattenspeicher bekannt, der ein Lochpaar druckten Leseleiter 12 mit einem Anschlußende bei

für jeden Speicherplatz aufweist. i₅ 14 und einem weiteren Anschlußende bei 16 ver-

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu- sehen. Der gedruckte Leseleiter 12 befindet sich teilgrunde, die oben geschilderten Nachteile der bekann- weise auf der Oberfläche der Magnetschicht 10, teilten Festwertspeicher zu vermeiden. weise auf den Wänden sämtlicher Löcher der Schicht

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch . 10 und teilweise auf tier Rückseite der Schicht 10. einen Festwertspeicher der eingangs genannten Art 30 Der durch den gedruckten Leseleiter 12 gebildete gelöst, der dadurch gekennzeichnet ist, daß jede Leitungsweg verläuft von der Anschlußklemme 14 Speicherebene eine Schicht aus Magnetmaterial mit durch das Loch C, über den auf der Rückseite der einem Lochpaar für jeden Bitspeicherplatz enthält, Magnetschicht 10 aufgedruckten Teil 18, zurück daß entsprechende Lochpaare aller Speicherebenen durch das Loch C, längs der Oberseite der Schicht mit jeweils einem gemeinsamen Abfragedraht gekop- 25 10 bei 20, nach unten durch das Loch B' entlang der pelt sind, dei durch das erste Loch hin-und durch Rückseite bei 22, nach oben durch das Loch B usw. das zweite Loch in entgegengesetztem Sinn zurück- Der gedruckte Leseleiter 12 verkoppelt somit läuft, daß in jeder Speicherebene alle Lochpaare in sequentiell sämtliche Lochpaare der Magnetschicht an sich bekannter Weise mit einem Leseleiter gekop- 10, indem er jeweils durch das eine Loch eines Paapelt sind, der durch das jeweils erste Loch eines ₃₀ res nach unten und durch das andere Loch des be-Lochpaares in einem ersten Richtungssinn, durch das treffenden Paares nach oben verläuft. Der Leseleijeweils zweite Loch aber in einem dazu entgegen- terl2 wird nach einem beliebigen bekannten Vergesetzten, zweiten Richtungssinn geführt ist, und daß fahren so auf die Magnetschicht aufplattiert oder auffür jedes Lochpaar ein Leiterstück vorgesehen ist, gebracht, daß im Bereich der Lochwände eine öffdas den Eintrittspunkt und den Austrittspunkt des ₃₅ nung verbleibt, durch die ein Abfragedraht oder -lei-Leseleiters am Lochpaar leitend verbindet, wobei der ter gezogen werden kann.

Wert des in dem betreffenden Speicherplatz gespei- Auf der Oberseite der Magnetschicht 10 sind je-

cherten Bits davon abhängt, ob dieses Leiterstück weils zwischen den Löchern eines Paares, das eine

unterbrochen ist oder nicht. »0« speichern soll, zusätzliche gedruckte Kurzschluß-

Mit einem solchen Festwertspeicher werden nicht _4<J leiterstücke vorgesehen. Ein solches Leiterstück bei

nur die oben geschilderten Nachteile des Standes der 24 bildet zusammen mit der Lesewicklung 12, 18

Technik vermieden, er eignet sich darüber hinaus einen leitenden Kurzschlußweg oder eine Kurzschluß-

auch für einen miniaturisierten Aufbau. windung um das magnetische Material zwischen den

Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen beiden Löchern C und C. In entsprechender Weise

des Festwertspeichers gemäß der Erfindung sind in 45 bildet ein Leiterstück 26 eine Kurzschlußwindung um

den Unteransprüchen gekennzeichnet. das magnetische Material zwischen den Löchern B

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele eines und B'. Zwischen den Löchern A und A', wo eine

Festwertspeichers gemäß der Erfindung an Hand der »1« gespeichert werden soll, ist das zusätzliche Leiter- ·

Zeichnung erläutert, es zeigt stück weggelassen. Nach dem gleichen Schema ist

Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Festwertspeicher 50 bei sämtlichen Speicherzellen der Magnetschicht 10

gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, das verfahren. Diejenigen Speicherzellen, die ein zusätz-

18 Binärziffern zu speichern vermag, und liches verbindendes Kurzschlußstück aufweisen, sind

F i g. 2 eine vereinfachte Darstellung eines zweiten jeweils mit einer »0« bezeichnet, um das darin gc-

Ausführungsbeispiels der Erfindung mit drei im speicherte Informationsbit anzugeben, während die-

Querschnitt dargestellten Speicherebenen. 55 jenigen Speicherzellen, die kein zusätzliches Leiter-

Der in Fig. 1 dargestellte Festwertspeicher ent- stück aufweisen, mit einer »1« bezeichnet sind, um hält eine Schicht 10 aus einem vorzugsweise hoch- das darin gespeicherte Informationsbit anzugeben, permeablen verlustarmen Magnetmaterial mit Natürlich sind die Symbole »0« und »1« willkürlich linearer ©-^-Charakteristik (^S13=magnetische Induk- den beiden strukturellen Anordnungen zugeordnet, tion; ξ> = magnetische Feldstärke). Die Magnet- 60 und sie können ebensogut vertauscht oder durch entschicht 10 kann aus Ferrit bestehen und durch Ver- sprechende andere Symbole ersetzt weiden, pressen von Ferritteilchen in Schichtform und an- Ein in der Nähe des unteren Randes der Magnetschließendes Sintern hergestellt werden. Man kann schicht 10 gelegenes Lochpaar D, D' ist mit einem die Magnetschicht 10 jedoch auch durch Aufstreir verbindenden Kurzschlußstück zwischen den beiden chen einer Ferritsuspension auf eine glatte Fläche, 65 Löchern versehen, das vom Loch D bei 30 um den Trocknenlassen und anschließendes Sintern zur Ein- unteren Rand 32 der Magnetschicht bei 34, längs stellung der gewünschten magnetischen Eigenschaf- der Rückseite der Magnetschicht bei 36, zurück um ten herstellen. den Rand 32 bei 38 und entlang der Oberseite der

5 6

Schicht bei 40 zum Loch D' verläuft. Da der Lei- Die gedruckten Leseleiter 12, 51 und 53 auf den tungsweg30, 34, 36, 38 und 40 eine Kurzschlußwin- entsprechenden Magnetschichten 10, 50 und 52 sind dung um das magnetische Material zwischen den an entsprechende Leseverstärker SA _u SA₂ und SA₃ Löchern D und D' bildet, ist die in der betreffenden angeschlossen. Speicherzelle gespeicherte Information eine »0«. 5 Im Betrieb des Speichers nach Fig. 1 und 2 wird Das Leiterstück ist deshalb um den Rand 32 der selektiv einer der Abfragetreiber erregt, so daß er Magnetschicht 10 geführt, um die gespeicherte In- einen Impuls durch den Abfragedraht schickt, der formation von »0« in »1« ändern zu können. Das die entsprechend angeordneten Speicherzellen in den Leiterstück kann ohne weiteres bei 34 und/oder bei verschiedenen Magnetschichten verkoppelt. Während 38, wo der gedruckte Leiter um den Rand der io in Fig. 2 nur-drei Abfragetreiber /,, I₂ und /„ geSchicht 10 herumläuft, mittels eines Schleifwerkzeu- zeigt sind, hat natürlich ein Speicherpaket mit Mages oder eines scharfen Kratz- oder Schabinstrü- gnetschichten mit jeweils 18 Speicherzellen von der mentes unterbrochen werden. Der Umf angsrand 32 in Fig. 1 gezeigten Art 18 entsprechende Abfrageliegt frei und ist von den erforderlichen Anschlüssen treiber. Wird beispielsweise der Abfragetreiber I₁ gean den Speicher getrennt. 15 wählt, so daß er einen Stromimpuls durch den Ab-Die durch die Löcher E und E' gebildete Speicher- fragedraht 61 schickt, so werden in sämtlichen gezelle enthält ein gedrucktes Leiterstück, das bei 42 druckten Leseleitern 12, 51 und 53 informationsan- und 44 unterbrochen worden ist, um die gespeicherte zeigende Lesesignale induziert. .
Information von »0« in »1« zu verändern. Anderer- Der den Draht 61 durch das Loch .4 entlanglauseits speichert die durch die Löcher F und F' gebil- so fende Abfragestromimpuls induziert eine Lesesignaldete Speicherzelle eine »0«, da die gedruckten Leiter- spannung durch Übertragerwirkung in dem auf den stücke bei 46 und 48 intakt geblieben sind. Wänden des Loches befindlichen Teil des Leseleiters. Die Ausbildung und Anordnung der gedruckten Ebenso induziert der durch den Draht 61 im Loch A' Kurzschluß-Leiterstücke an den Speicherzellen längs . nach oben laufende Stromimpuls eine Lesesignaldes unteren Randes der Magnetschicht 10 ist so ge- as spannung in dem auf den Wänden des Loches Λ' troffen, daß die gespeicherte Information dieser befindlichen Teil des Leseleiters 12. Die beiden in-Randzellen verändert werden kann, nachdem die duzierten Lesesignalspannungen sind in ihrer Polari-Magnetschicht 10 zusammengebaut und zu einem tat additiv, so daß sie einen Stromfluß hervorrufen, Speicherpaket verdrahtet ist. Die Speicherzellen am der vom Leseverstärker SA, wahrgenommen wird, unteren Rand der Magnetschicht 10 können Reserve- 30 Die resultierende Lesesignalspannung wird vom Lesezellen sein, die erst dann benutzt werden, wenn die verstärker SA₁ als Anzeige der Speicherung einer in anderen Speicherzellen gespeicherte Information »1« in der gewählten Speicherzelle der Magnetschicht verändert werden soll. In diesem Falle kann die ge- IO interpretiert.

wünschte neue Information in einige oder sämtliche Zugleich induziert der durch den Draht 61 zur beder drei Randzellen eingespeichert werden, und diese 35 treffenden Speicherzelle in der Magnetschicht 50 geZellen können dann an die Stelle der die alte In- langende Abfrageimpuls im dortigen Leseleiter 51 formation speichernden Zellen treten. Die am unteren wegen des Vorhandenseins des Kurzschlußsegmentes Außenrand der Magnetschicht 10 nach F i g. 1 vor- 54 keine Spannung. Die Abwesenheit einer induziergesehene Anordnung kann gewünschtenfalls auch an ten Spannung stellt ein Lesesignal dar, das vom Leseden anderen drei Außenrändern der Magnetschicht 4° verstärker SA₂ als Anzeige der Speicherung einer 10 vorgesehen werden. »0« in der betreffenden Zelle der Magnetschicht 50 F i g. 2 zeigt einen Schnitt entlang der Linien 2-2 interpretiert wird. Die vom Abfragetreiber /, in der in F i g. 1 sowie im Schnitt zwei weitere ähnliche ge- Magnetschicht 52 angesteuerte Speicherzelle ist lochte Magnetschichten 50 und 52, die zusammen gleichartig wie die angesteuerte Zelle in der Magnetmit der Schicht 10 in einem Paket angeordnet sind. 45 schicht 10, indem sie eine »1« speichert, so daß zum Die Magnetschicht 50 hat jeweils bei 54 zusätzliche Leseverstärker SA₃ eine induzierte Spannung gelangt. Kurzschlußleiterstücke, so daß die entsprechenden In der gleichen Weise kann jede beliebige der anSpeicherzellen jeweils eine »0« speichern. Die deren Speicherzellen in den verschiedenen Magnet-Magnetschicht 52 hat in der gezeigten Ausbildung schichten durch einen entsprechenden Abfragetreiber keine solchen Kurzschlußleiterstücke, so daß die ent- 50 angesteuert werden.

sprechenden Speicherzellen jeweils eine »1« spei- In einem praktisch ausgeführten und erprobten ehern. Speicherpaket lieferten die Abfragetreiber Abfrage-Entsprechende Speicherzellen in den Magnet- impulse mit einer Amplitude von 15 Milliampere und schichten 10, 50 und 52 sind jeweils durch einen Ab- einer Impulsbreite von 20 Nanosekunden. Ein Lesefrageleiter 61 verkoppelt, der zweckmäßigerweise die 55 signal von 50 bis 100 Millivolt wurde in jedem Lei-Form eines isolierten Drahtes haben kann. Der Ab- ter induziert, der eine angesteuerte Speicherzelle, die fragedraht 61 verläuft jeweils durch das eine Loch eine »1« speichert, verkoppelt. Ein einstufiger der entsprechenden Lochpaare in sämtlichen Schich- transistorbestückter Lese-Differentialverstärker erten 10, 50 und 52 und dann zurück durch das andere zeugte ein eine »1« anzeigendes Leseausgangssignal Loch der gleichen Lochpaare in sämtlichen Schich- 60 von 2 Volt. Die Leseausgangsspannung einer eine ten. Der Abfragedraht 61 ist an einen Abfrage- »0« speichernden Speicherzelle betrug V20 der Spantreiber/, angeschlossen, der durch die durch den Ab- nung einer eine »1« speichernden Zelle und entfragcdraht 61 gebildete Schleife einen Abfragestrom- sprach in ihrer Amplitude ungefähr den im System impuls schickt. In entsprechender Weise bilden die auftretenden willkürlichen Störspannungen.
Abfragedrälitc 62 und 63 Schleifenwegc für Abfrage- 65 Es wurde gefunden, daß ein Abfragetreiber, der impulse, die von entsprechenden Abfragetreibern /., einen Abfrageimpuls von 5 Milliampere ' liefert, und /_:1 durch die entsprechenden Lochpaare in den Lcscsignale für »0« und »1« erzeugen kann, die nach MhidUcii 10, 50 und 52 geschickt weiden. Verstärkung in einem einstufigen Diflerciitialvcrstär-

ker ausreichende Amplituden haben, um direkt in die üblichen Schaltwerke des Ziffernrechners eingespeist zu werden. Das Speicherpaket wurde mit einer Folgefrequenz von 20 Megahertz betrieben. Das heißt, die in den Speicherzellen längs eines Abfragedrahtes gespeicherte Information konnte innerhalb des Zeitraumes von 50 Nanosekunden abgelesen werden, wobei innerhalb des gleichen Zeitraumes auftretende Störungen so weit abklingen konnten, wie es für die Einleitung des nächstfolgenden Abfragevorganges notwendig ist.

Die als Leseleiter bezeichneten Leitersätze und die als Abfrageleiter bezeichneten Leitersätze können in ihrer Funktion vertauscht werden, d. h., die Abfragetreiber I₁, I₂ und /₃ können funktionsmäßig mit den Leseverstärkern SA _1; SA₂ und S^i₃ vertauscht werden. Der Anschluß der Abfragetreiber an Drähte, die durch die verschiedenen Magnetschichten des Paketes geführt sind, und der Anschluß eines Leseverstärkers an den gedruckten Leiter jeder Magnet-Schicht ist vom betriebsmäßigen Standpunkt bei einem Ziffernrechner vorzuziehen, da gewöhnlich ein bestimmtes Informationswort aus einer großen Anzahl solcher Informationswörter mit jeweils einer verhältnismäßig kleinen Anzahl von Informationsbits gewählt werden soll. Beispielsweise kann es erwünscht sein, irgendeines von ungefähr viertausend Wörtern mit je 64 Bits anzusteuern. Bei einer solchen Anordnung wären 64 Magnetschichten mit jeweils einem einzelnen Leseverstärker sowie viertausend Abfragedrähte, die jeweils durch sämtliche 64 Magnetschichten geführt sind, vorzusehen.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Magnetischer Festwertspeicher mit mindestens einer Speicherebene, die eine Anzahl von Speicherplätzen enthält, welche jeweils ein Bit speichern, dessen Wert vom Vorhandensein oder NichtVorhandensein einer die magnetische Kopplung einer Abfrageleiteranordnung und eines Leseleiters an dem betreffenden Speicherplatz beeinflussenden Leitungsverbindung abhängt, dadurch gekennzeichnet, daß jede Speicherebene eine Schicht (10, 50, 52) aus Magnetmaterial mit einem Lochpaar (A, A'; B, B';...) für jeden Bitspeicherplatz enthält, daß entsprechende Lochpaare aller Speicherebenen mit-jeweils einem gemeinsamen Abfragedraht (61, 62, 63) gekoppelt sind, der durch das erste Loch (A, B,...) hin- und durch das zweite Loch (A', B',...) in entgegengesetztem Sinn zurückläuft, daß in jeder Speicherebene alle Lochpaare in an sich bekannter Weise mit einem Leseleiter (12, 51, 53) gekoppelt sind, der durch das jeweils erste Loch (A, B ...) eines Lochpaares in einem ersten Richtungssinn, durch das jeweils zweite Loch (A', B',...) aber in einem dazu entgegengesetzten, zweiten Richtungssinn geführt ist, und daß für jedes Lochpaar ein Leiterstück (24, 26) vorgesehen ist, das den Eintrittspunkt und den Austrittspunkt des Leseleiters am Lochpaar leitend verbindet, wobei der Wert des in dem betreffenden Speicherplatz gespeicherten Bits davon abhängt, ob dieses Leiterstück unterbrochen ist oder nicht.

2. Magnetischer Festwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetmaterial der Schicht (10, 50, 52) eine im wesentlichen lineare ©-.^-Charakteristik hat.

3. Magnetischer Festwertspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leseleiter (12, 51, 53) und die Leiterstücke (24, 26) als gedruckte Leiter ausgebildet und auf der Magnetschicht angeordnet sind.

4. Magnetischer Festwertspeicher nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Leiterstück (34, 36, 38) über einen Außenrand (32) der Magnetschicht (10) verläuft.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 551/396