DE1299026B

DE1299026B - Magnetischer Duennschicht-Datenspeicher

Info

Publication number: DE1299026B
Application number: DEJ34202A
Authority: DE
Inventors: Gamblin Rodger Lotis
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1966-08-04
Filing date: 1967-07-20
Publication date: 1969-07-10
Also published as: GB1182839A; NL6710738A; CH453434A; US3466634A

Description

Die Erfindung betrifft einen magnetischen Dünn- Eine besonders vorteilhafte Anordnung ergibt sich schicht-Datenspeicher mit zwei anisotropen, eine dadurch, daß die erste Treibleitung parallel zur ge-Magnetfiußkopplung aufweisenden Magnetschichten, meinsamen Vorzugsachse der beiden Magnetschichten die beiderseits einer ersten Treibleitung angeordnet verläuft und die Magnetschichten eine Magnetflußsind, und mit einer zweiten Treibleitung, die außer- 5 kopplung entlang der harten Achse aufweisen, halb der Magnetschichten quer zur ersten Treib- Die erfindungsgemäße Speichereinrichtung besitzt leitung verläuft. gegenüber den bekannten Einrichtungen der eingangs Es sind magnetische Dünnschichtspeicher mit erläuterten Art verschiedene Vorteile. Diese bestehen anisotropen Magnetschichtelementen bekannt, bei hauptsächlich darin, daß die geschlossene Magnetdenen zur zerstörungsfreien Wertentnahme der io flußstruktur in Richtung der harten Achse eine be-Magnetisierungsvektor der Speicherelemente durch sonders gute Eignung als Übertragungsleitung aufein entsprechend bemessenes Abfragefeld nur teil- weist sowie günstige Impedanzwerte und ein verweise in Richtung der harten Achse ausgelenkt wird bessertes Nutzsignal-Störsignal-Verhältnis besitzt, (z. B. USA.-Patent 3 092 812). Nach Beendigung des Der erstgenannte Vorteil beruht auf dem Umstand, Abfragefeldes stellt sich daher der vor Beginn der 15 daß eine Übertragungsleitung einen endlichen Abfrage vorhandene Speicherzustand wieder ein. ohmschen Widerstand besitzt und daher die sich auf Durch die vorübergehende Magnetisierungsänderung ihr ausbreitenden Wellen schwächt. Der Verlust pro werden in eine Leseleitung Signale induziert, deren Längeneinheit der Leitung ist durch I²R gegeben, Polarität Auskunft über die gespeicherte Information worin / der auf der Leitung fließende Strom und gibt. Diese Anordnungen liefern nur relativ schwache 20 R der Widerstand pro Längeneinheit der Leitung Lesesignale und erfordern eine sehr genaue Bemes- ist. Der Strom / wird jedoch für eine vorzunehsung der Abfrage-Treibimpulse. inende Leistungsübertragung annähernd durch den Des weiteren ist es bekannt, für ein Dünnschicht- Wellenwiderstand der Leitung bestimmt. Der Strom Speicherelement zwei Magnetschichten zu verwenden, ist für eine gegebene Leistung umgekehrt proporzwischen denen einer der Treibleiter angeordnet ist 25 tional der Quadratwurzel des Wellenwiderstandes, und die beiderseits dieses Leiters magnetisch mit- Wenn eine Leitung, die einen beträchtlichen einander gekoppelt sind (z. B. Journal of Applied Leistungsverlust der vorerwähnten Art aufweist, mit Physics, März 1964, S. 748 bis 753). Die gemeinsame einer induktiven Last versehen wird, erhöht sich ihr Vorzugsachse der Schichten kann entlang der betref- Wellenwiderstand. Durch diese Erhöhung nimmt der fenden Treibleitung verlaufen, wodurch sich eine 30 Strom auf der Leitung ab, und der Leistungsverlust Magnetflußkopplung entlang der harten Achse ergibt. pro Längeneinheit senkt sich entsprechend dem Die Anordnungen haben den Vorzug eines gernigen Quadrat dieser Abnahme. Da der Strom wie die Streufeldes in Richtung der Magnetflußkopplung. Die Quadratwurzel der Leitungsimpedanz abnimmt, ver-Speicherzustands-Abfrage erfolgt wie bei den ein- ringert sich der Leistungsverlust umgekehrt zum schichtigen Speicherelementen durch eine einmalige 35 Wellenwiderstand. Da die gemäß der Erfindung ver-Auslenkung der Magnetisierung in Richtung der wendete Magnetflußkopplung entlang der harten harten Achse. Dabei wird in einer Leseleitung, die Achse ihrer Natur nach eine induktive Last darstellt, parallel zur harten Achse verläuft, ein Lesesignal wird dadurch eine Übertragungsleitung erhalten, induziert. Wenn die Abfrageoperation zerstörungsfrei deren Verlustleistung gegenüber einer Leitungssein soll, wird die Magnetisierung des Elements 40 struktur mit einer Magnetflußkopplung entlang der wiederum nur zum Teil in die Richtung der harten leichten Achse um den Faktor 10 verbessert ist. Achse ausgelenkt, um eine Rückstellkomponente zu Der zweite der obengenannten Vorteile der behalten, die nach Abklingen des Lesefeldes wirksam Magnetflußkopplung entlang der harten Achse resulwird. Wegen der Klemflächigkeit der Speicher- tiert aus der praktischen Betrachtung der Impedanz elemente sind auch bei dieser Anordnung die Lese- 45 der Einrichtung. In Dünnschichtspeichereinrichtunsignale relativ klein, so daß die Trennung der Lese- gen verwendete Übertragungsleitungen sind im allgesignale von den sie begleitenden Störsignalen erheb- meinen relativ breit und dicht benachbart einer liehe Schwierigkeiten bereitet. leitenden Grundplatte angeordnet. Heraus ergibt Aufgabe der Erfindung ist es, einen Dünnschicht- sich, daß diese Leitungen ohne induktive Belastung Datenspeicher anzugeben, der stärkere und leichter 50 einen Wellenwiderstand von 5 bis 10 Ohm aufweisen, auswertbare Lesesignale als bekannte Speicher dieser Eine Leitung mit einer Magnetflußkopplung entlang Art liefert. Bei einem magnetischen Dünnschicht- der harten Achse hat dagegen eine Impedanz von Datenspeicher mit zwei anisotropen, eine Flußkopp- 20 bis 40 Ohm auf Grund der induktiven Belastung lung aufweisenden Magnetschichten, die beiderseits durch die Speicherschichten. Fast alle Schaltungen, einer ersten Treibleitung angeordnet sind, und mit 55 die sich außerhalb der eigentlichen Speichereinheit einer zweiten Treibleitung, die außerhalb der Magnet- befinden, weisen üblicherweise einen Impedanzpegel schichten quer zur ersten Treibleitung verläuft, wird von etwa 50 Ohm auf. Es ist extrem schwierig, Schaldies gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die tungen wirtschaftlich herzustellen, deren Impedanz erste Treibleitung in Verbindung mit den sie umge- in der Größenordnung von 5 bis 10 Ohm liegt. Eine benden Magnetschichten als Hochfrequenz-Übertra- 60 Leitungsstruktur gemäß vorliegender Erfindung gegungsleitung für Mikrowellensignale dient, daß der stattet daher eine wesentlich bessere Anpassung der Absorptionswert der Übertragungsleitung durch An- äußeren Schaltungen an die eigentliche Speicherlegen eines Abfrageimpulses an die zweite Treib- einheit.

leitung in Abhängigkeit von der gespeicherten Der dritte der obengenannten Vorteile der Magnet-Information veränderbar ist und daß eine mit der 65 flußkopplung entlang der harten Achse ergibt sich ersten Treibleitung verbundene Detektorschaltung daraus, daß die gekoppelte Schicht die Hochfrequenzdie Art der Absorptionsänderung als Lesesignal aus- leitung für Felder entlang der harten Achse vollwertet, ständig umschließt. Das Magnetfeld, das durch den

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in der Leitung fließenden Strom erzeugt wird, wird ständig geschlossene Flußpfadstruktur entlang der daher fast völlig in den Magnetschichten konzen- harten Achse hat im wesentlichen die gleiche Wirtriert, so daß, da die Permeabilität der Schichten in kung. Eine Leseleitung 12 führt durch den von den imaginäre Resonanz gerät, eine maximale Änderung Magnetschichten 3, 4, 5 und 6 begrenzten länglichen in der Absorption festzustellen ist. Die Nutzsignal- 5 Raum. Sie ist von diesen Magnetschichten durch Störsignal-Änderung für eine Anordnung mit einer Isoliermaterial 11 getrennt, das die Leitung 12 all-Magnetflußkopplung entlang der leichten Achse oder seitig umgibt. Ein Stromfluß in Richtung des Pfeiles mit ebenen Magnetschichtelementen ist geringer, da 13 bewirkt die Ausbreitung eines Hochfrequenzjedes Streufeld Energie speichert, die von einer An- signals über die Leitung 12. Dieser Stromfluß erzeugt derung der Resonanzeigenschaften der Schicht unbe- io ein Magnetfeld, das einen Feldvektor in Richtung einflußt bleibt. Eine Magnetschichtstruktur mit eines Pfeiles 14 aufweist, der parallel zur harten Magnetflußkopplung entlang der harten Achse erhöht Achse der Anordnung 2 verläuft. Die Richtung der daher das Nutzsignal-Störsignal-Verhältnis mehr als harten Achse ist durch einen Pfeil 16 dargestellt. Die den Faktor 2. Leseleitung 12 leitet die Hochfrequenzsignale von

Für die Einrichtung gemäß der Erfindung ist es 15 einer Mikrowellen-Signalquelle 18 zu einer Diodenweiterhin von Bedeutung, daß die Magnetflußkopp- Detektor-Schaltung 20. Die magnetische Vorzugslung entlang der harten Achse den größten Nutz- achse der Anordnung verläuft parallel zu einem effekt zeigt, wenn der Magnetflußpfad von dem durch Pfeil 22.

ihn hindurchführenden Leiter durch eine Isolations- Das Speicherelement 2 befindet sich in einem von

schicht getrennt ist. Es wurde beobachtet, daß eine 20 zwei stabilen Zuständen, die durch einen ersten Anordnung, bei der die Magnetschichten direkt auf Magnetisierungsvektor 24, der einer binären Eins zuden von ihnen umgebenen Leiter aufgebracht sind, geordnet ist, und einem zweiten Magnetisierungsbei einer wesentlich höheren Frequenz resoniert. Dies vektor 26, der einer binären Null zugeordnet ist, ist unerwünscht, da es eine Verminderung des Nutz- dargestellt werden. Eine Störleitung 27 ist so angesignal-Störsignal-Verhältnisses mit sich bringt. _a5 ordnet, daß ein Magnetfeld, welches von einem durch

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung einen Impulsgenerator 28 der Leitung 27 zugeführten sind aus den Unteransprüchen ersichtlich. Nachfol- Störimpuls erzeugt wird, die Absorptionscharaktegend ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an ristik des Speicherelements 2 beeinflußt. Wie aus Hand von Zeichnungen dargestellt. Es zeigt F i g. 2 ersichtlich, ist die Leitung 27 oberhalb des

F i g. 1 eine perspektivische Schnittdarstellung eines 30 Magnetschichtbereichs 3 angeordnet und von diesem Speichers gemäß der Erfindung, durch eine Isolationsschicht 29 getrennt.

Fig. 2 eine graphische Darstellung zur Erläute- Die Arbeitsweise der Anordnung wird unter Be-

rung der Arbeitsweise des Speicherelements nach zugnähme auf F i g. 2 erläutert, die eine Absorptions-F i g. 1, kurve 30 für das Speicherelement 2 in Abhängigkeit

F i g. 3 Absorptionskurven für die binären Spei- 35 von verschiedenen Frequenzen zeigt. Die Mikrocherzustände des Speicherelements nach F i g. 1, wellen-Signalquelle 18 liefert Wechselstromenergie

F i g. 4 eine Darstellung der Ausgangssignal- über einen Frequenzbereich von 550 bis 950 MHz, amplitude von der zugeführten Wechselstromenergie wie an der Y-Achse der Darstellung von F i g. 2 anfür das Speicherelement nach F i g. 1, gegeben ist. Der Wert der Absorption ist entlang der

F i g. 5 die Abhängigkeit der Ausgangssignal- 40 X-Achse eingetragen. Der größte Absorptionswert amplitude von der Stromstärke der Abfrageimpulse tritt bei einer Resonanz im Punkt Z auf. Ein Arbeitsdes Speicherelements nach F i g. 1, punkt W wird durch Auswahl einer Arbeitsfrequenz

Fig. 6a, 6b die Hüllkurven der Hochfrequenz- eingestellt, die unterhalb der Resonanzfrequenz liegt Ausgangssignale des Speicherelements nach F i g. 1 und etwa 700 MHz beträgt. Das Mikrowellensignal für die Binärwerte 1 und 0, 45 von der Quelle 18 erzeugt ein erstes Magnetfeld,

Fig. 7a, 7b die Hüllkurven der Hochfrequenz- welches rechtwinklig zur leichten Achse des Speicher-Ausgangssignale des Speicherelements nach F i g. 1 elementes 2 verläuft. Da die Frequenz des Mikrofür den gespeicherten Binärwert 1 bei Abfrage- wellensignals teilweise in Resonanz mit den Elekimpulsen unterschiedlicher Länge und tronen der Magnetschichtstruktur der Schichten 3

F i g. 8 eine schematische Darstellung eines erfin- 50 bis 6 liegt, wird dieses Signal teilweise durch die dungsgemäßen Speichers, der mit Speicherelementen Schichten absorbiert. Der Stromimpuls auf der Leinach F i g. 1 aufgebaut ist. tung 27 erzeugt ein zweites Magnetfeld, das parallel In F i g. 1 ist eine einzelne Mikrowellen-Dünnfilm- zu der leichten Achse der Schicht verläuft. Dieses Speicherzelle 2 in perspektivischer Schnittdarstellung zweite Magnetfeld verschiebt den Arbeitspunkt der veranschaulicht. Die Speicherzelle besteht aus einem 55 Anordnung nach A oder B, in Abhängigkeit davon, oberen Mikrowellen-Absorptionsflächenbereich 3 und ob das zweite Magnetfeld parallel zu einem im einem unteren Mikrowellen-Absorptionsflächenbe- Speicherelement 2 eingestellten, dem Binärwert 1 zureich 4. Ein Paar seitliche Kopplungsstege 5 und 6 geordneten Magnetisierungsvektor 24 oder antigarantieren einen geschlossenen Flußpfad entlang der parallel zu einem im Speicherelement 2 eingestellten, gemeinsamen harten Achse der Magnetschichten 3,4. 60 dem Binärwert 0 zugeordneten Magnetisierungs-Die Magnetschichten 3, 4, 5 und 6 begrenzen einen vektor 26 gerichtet ist. In der F i g. 6 b ist das Ergeb-Raum, dessen Länge A wesentlich größer ist als seine nis einer Erhöhung der Absorption der Mikrowellen-Breite B und der im wesentlichen einen trapez- signale veranschaulicht. Die gezeigte Kurve stellt eine förmigen Querschnitt besitzt. Zwischen den unteren binäre Eins dar. F i g. 6 a zeigt dagegen das Resultat Enden 9 und 10 der Stege 5 und 6 und der unteren 65 einer Verringerung der Absorption der Mikrowellen-Schicht 4 befinden sich kleine Lücken 7 und 8. Diese signale, die auftritt, wenn eine binäre Null gespeichert Lücken entstehen bei der Aufbringung der Schichten. ist. Ein geeigneter Störimpuls, durch den Lesesignale Sie wirken sich jedoch nicht störend aus; eine voll- entsprechend den Fig. 6a und 6b erhalten werden,

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hat eine Stromstärke von 60 Milliampere und eine scheint, unabhängig von der Charakteristik der Dauer von 5 Nanosekunden. Das resultierende Signal, Speicherzelle 2 veränderbar ist. welches vom zugeordneten Detektor20 auf der be- In den Fig. 7a und 7b ist die Impulsform der

treffenden Leitung 12 festgestellt wird, ergibt ein Signale dargestellt, die den Detektor 20 bei Auftreten Störsignal-Nutzsignal-Verhältnis von 40:1. Die zwei 5 von Störimpulsen unterschiedlicher Dauer erreichen, den beiden Binärwerten zugeordneten Absorptions- Das in F i g. 7 a gezeigte Signal tritt am Eingang des werte ergeben eine Absorptionsdifferenz 36, die Detektors 20 auf, wenn das Hochfrequenzsignal von durch den Detektor 20 feststellbar sein muß. Andere der Quelle 18 eine Leistung von 20 Milliwatt besitzt Arbeitskurven mit anderen Absorptionswerten sind und ein Störimpuls auf Leitung 27 eine Dauer von über einen weiten Frequenzbereich anwendbar. Ver- io 5 Nanosekunden aufweist. Das in Fig. 7b dargesuche haben ergeben, daß die Frequenz von 700 MHz stellte Signal bezieht sich auf die gleiche Wechselbei der dargestellten Ausführungsform gute Resultate Stromleistung und eine Dauer der Störimpulse auf zeigt. Leitung 27 von 50 Nanosekunden. Aus den F i g. 7 a

In Fig. 3 sind die Arbeitskurven 38 und 40 für und 7b ist die Unabhängigkeit der Speicherzelle 2 den binären Eins-Zustand und den binären Null- 15 von der Dauer der Abfrageimpulse auf Leitung 27 zu Zustand in Abhängigkeit von einem breiten Fre- erkennen.

quenzbreich von 550 bis 850 MHz angegeben. Auf Die Fig. 6a und 6b zeigen schließlich das Aus-

der Z-Achse ist die Amplitude der Mikrowellen- gangssignal, das am Detektor 20 bei Verwendung signale in Millivolt nach einer Verstärkung von eines Abfrageimpulses mit einer Dauer von 5 Nano-60 db aufgetragen. Die Γ-Achse gibt die Frequenz 20 Sekunden empfangen wird. Die Fig. 6a stellt die des Mikrowellensignals in Megahertz an. Wie die Hüllkurve des Hochfrequenzsignals dar, wenn das Figur zeigt, haben die beiden Kurven bei der verwen- Speicherelement 2 den Eins-Speicherzustand eindeten Arbeitsfrequenz von 700 MHz ihre größte nimmt. Die F i g. 6 b repräsentiert die Hüllkurve des Distanz zwischen den verschiedenen Absorptions- Hochfrequenzsignals, das am Detektor 20 empfangen zuständen. In F i g. 3 wird dies durch eine Linie 41 25 wird, wenn sich das Element 2 im Null-Zustand bedargestellt, die sich im Bereich von 700 MHz be- findet. Beim Ausführungsbeispiel wurde eine Signalfindet. Bei dieser Frequenz wird eine Absorptions- differenz von 62 Millivolt zwischen den beiden differenz von annähernd 15 Millivolt erzielt. Magnetisierungszuständen festgestellt.

Die Fi g. 4 zeigt, daß der Wert der Hochfrequenz- In Fig. 8 ist eine Speichermatrix schematisch dar-

leistung, die durch die Mikrowellen-Signalquelle 18 30 gestellt, die unter Verwendung von Speicherelementen erzeugt wird, relativ hoch sein kann, ohne daß die der in Verbindung mit den F i g. 1 bis 7 beschriestabilen Magnetisierungszustände der Speicherzelle 2 benen Art aufgebaut ist. Die Leseleitung 12, die gestört werden. Die X-Achse dieser Figur gibt das durch jedes der länglichen, den in Fi g. 1 angege-Ausgangssignal in Millivolt und die Γ-Achse die benen Querschnitt aufweisenden Elemente 2 führt, Hochfrequenzleistung in Watt an. Eine erste Kurve 35 ist an eine Verbindungsleitung 50 angeschlossen, die 42 stellt die verschiedenen Pegel der Hochfrequenz- mit einer Mikrowellen-Signalquelle 18 verbunden ist. leistung dar, die über Leitung 12 den Detektor 20 In bekannter Weise wird jeder der Leitungen 12 erreicht bei Auftreten eines 200 Milliampere starken Hochfrequenzleistung von der Quelle 18 zu gleichen Störimpulses auf der Leitung 27. Eine zweite Kurve Teilen zugeführt. Die Glieder 2 bilden an den Kreugibt verschiedene Werte der über die Leitung 12 den 40 zungsstellen mit den orthogonal zu ihnen verlaufen-Detektor 20 erreichenden Leistung bei einem den Leitungen 27 die einzelnen Speicherelemente. 400 Milliampere starken Störimpuls auf Leitung 27 Die Vereinigung mehrerer Speicherelemente zu einem an. Beide Kurven machen deutlich, daß das Hoch- gemeinsamen, einen geschlossenen Magnetflußpfad frequenzsignal über einen Bereich von 5 Watt Ein- aufweisenden Glied 2 ist möglich, da die Abfragegangsleistung auf der Leseleitung 12 erhalten wird. 45 leitungen 27 einen solchen Abstand voneinander Der ausgewählte Arbeitsbereich der Mikrowellen- haben, daß der Magnetisierungszustand des Gliedes 2 Signalquelle 18 liegt in dem strichliert angegebenen mit einer ersten Leitung 27 keinen Einfluß auf den Feld 43 unterhalb der V2-Watt-Grenze. Aus Fig. 4 Magnetisierungszustand des gleichen Gliedes mit ist ersichtlich, daß die Speicherung im Element 2 einer benachbarten Leitung 27 hat. Die Leitungen 27 auch dann stabil bleibt, wenn beispielsweise durch 50 sind mit Impulsgeneratoren 28 verbunden, die durch einen Schaltungsfehler eine unbeabsichtigte Über- eine bekannte Selektorschaltung 48 einzelen auswählsteuerung der Eingangssignale auftritt. bar sind. Auf diese Weise kann ein bestimmtes Wort

In Fig. 5 ist eine Kurve 46 dargestellt, welche die durch Betätigung eines Impulsgenerators 28 ausge-Beziehung zwischen der Stromstärke der Störimpulse wählt werden. Dieser Impulsgenerator 28 fragt den auf der Leitung 27 und der Signalamplitude der den 55 Inhalt der Speicherelemente ab, die sich an der Detektor 20 erreichenden Mikrowellensignale angibt, Kreuzungsstelle der betreffenden Störleitung 27 und wenn ein 20 Milliwatt starkes Hochfrequenzsignal der verschiedenen Leseleitungen 12 befinden. Jede der Leitung 12 zugeführt wird. Entlang der Y-Achse dieser Kreuzungsstellen repräsentiert eine Bitstelle ist die Stromstärke der Störimpulse in Milliampere in dem zu lesenden Wort. An ihren der Leitung 50 und entlang der X-Achse die Amplitude der Aus- 60 abgewandten Enden sind die Leitungen 12 mit gangssignale in Millivolt aufgetragen. Der Störimpuls Diodendetektor- und Leseverstärkerschalrungen 20 ist 100 Nanosekunden lang und besitzt eine Anstiegs- verbunden, so daß das gesamte Wort parallel gelesen und Abfallzeit von einer Nanosekunde. Die Kurve 46 und an nachgeschaltete Einheiten weitergeleitet werzeigt, daß bei einer Erhöhung der Amplitude die den kann.

Störimpulse auf der Leitung 27 ein Amplituden- 65 Eine nicht gezeigte Grundplatte mit einer Dicke anstieg des dem Detektor 20 zugeführten Lesesignals von 1 bis 5 Eindringtiefen des Hochfrequenzsignals auftritt. Hieraus ist erkennbar, daß die Signal- ist zwischen den Leseleitungen 12 und den Störamplitude, die am Eingang des Detektors 20 er- leitungen 27 angeordnet, um eine Kopplung zwischen

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diesen Leitungen zu vermeiden. Eine Wortentnahme wird ausgeführt durch Auswahl eines der Impulsgeneratoren 28 unter Wikung der Selektorschaltung 48. Der ausgewählte Generator liefert einen Störimpuls zu der mit ihm verbundenen Leitung 27. Dieser Impuls bewirkt in jeder Leitung 12, die von der betreffenden Leitung 27 gekreuzt wird, eine Absorptionsänderung. Die Absorptionsänderungen der auf den Leitungen 12 auftretenden Mikrowellensignale werden durch die Detektor- und Verstärkerschaltungen 20 festgestellt und ausgewertet.

Claims

Patentansprüche:

1. Magnetischer Dünnschicht-Datenspeicher mit zwei anisotropen, eine Magnetflußkopplung aufweisenden Magnetschichten, die beiderseits einer ersten Treibleitung angeordnet sind, und mit einer zweiten Treibleitung, die außerhalb der Magnetschichten quer zur ersten Treibleitung ver- ao läuft, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Treibleitung in Verbindung mit den sie umgebenden Magnetschichten als Hochfrequenz-Übertragungsleitung für Mikrowellensignale dient, daß der Absorptionswert der Übertragungsleitung durch Anlegen eines Abfrageimpulses an die zweite Treibleitung in Abhängigkeit von der gespeicherten Information veränderbar ist und daß eine mit der ersten Treibleitung verbundene Detektorschaltung (20) die Art der Absorptionsänderung als Lesesignal auswertet.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Treibleitung parallel zur gemeinsamen Vorzugsachse der beiden Magnetschichten verläuft und daß die Magnetschichten eine Magnetflußkopplung entlang der harten Achse aufweisen.

3. Speicher nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine obere Magnetschicht (3) und eine untere Magnetschicht (4) an ihren parallel zur ersten Treibleitung verlaufenden Rändern durch zwei seitliche Magnetschichten (S₃ 6) verbunden sind.

4. Speicher nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Treibleitung durch Isoliermaterial (11) von sie allseitig umgebenden Magnetschichten (3 bis 6) getrennt ist.

5. Speicher nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz der der ersten Treibleitung zugeführten Hochfrequenz-Wechselstromenergie von der den höchsten Absorptionswert ergebenden Resonanzfrequenz der Anordnung abweicht.

6. Speicher nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die der ersten Treibleitung zugeführte Hochfrequenz -Wechselstromenergie und/oder die Abfrageimpulse so bemessen sind, daß die durch remanente Magnetisierung entlang der gemeinsamen Vorzugsachse gespeicherte Binärinformation nicht zerstört wird.

7. Speicher nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Matrix die Speicherschichten mehrerer der ersten Treibleitung gemeinsamen Speicherelemente als einheitliche Schichten ausgebildet sind, die die Treibleitung über ihre gesamte Länge umgeben.

8. Speicher nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zweiten Treibleitung und der ihr benachbarten Magnetschicht (3) eine Isolierschicht (29) angeordnet ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909528/228