DE1524861C - Wortorgamsierter magnetischer Dunn schichtspeicher - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen wortorganisierten ma- Orthogonalfeld-Einschreibtechnik nicht ohne weiteres gnetischen Dünnschichtspeicher, bei dem die ein anwendbar, da die Wortleitungen nicht parallel zu Wort bildenden Speicherzellen quer zu deren ma- den Vorzugsachsen verlaufen und daher keine Ausgnetischer Vorzugsachse nebeneinander angeordnet lenkung in Richtung der harten Achsen erzeugen sind und bei dem den Speicherzellen benachbarte, 5 können. Es ist möglich, das Einschreiben von Inforparallel und orthogonal zu den Vorzugsachsen ver- mationen in der Weise auszuführen, daß in Richtung laufende Einschreibtreibleitungen vorgesehen sind. der Vorzugsachsen (Bitrichtung) ein Impuls angelegt

Das Einschreiben von Informationen in wortorga- wird, der eine teilweise Auslenkung in Richtung der nisierte magnetische Dünnschichtspeicher erfolgt harten Achsen bewirkt. Gleichzeitig wird denjenigen häufig in der Weise, daß durch einen parallel zu den io Speicherzellen, in die eine binäre Eins einzuspeichern magnetischen Vorzugsachsen der anisotropen Spei- ist, je ein Wortimpuls entsprechender Polarität zugecherzellen angelegten Treibstrom (Wortstrom) die führt, der die Magnetisierung in die gewünschte Rieh-Magnetisierung der Speicherzellen in Richtung der tung dreht. Der Vorgang wird daraufhin mit einem harten Achse ausgelenkt wird und daß durch einen Wortimpuls umgekehrter Polarität zur Einspeichekoinzidenten Bitstrom in Richtung der harten Achsen 15 rung einer binären Null wiederholt. Bei diesem Ver-Einschreibfelder erzeugt werden, deren Polarität von fahren ist es nachteilig, daß zwei Speicherzykluszeiten der zu speichernden' Information abhängt (z. B. deut- für eine Einschreiboperation benötigt werden. Ein sehe Auslegeschrift 1191610). Werden die beiden weiterer Nachteil ist der Umstand, daß eine beson-Treibfelder gleichzeitig abgeschaltet, so dreht sich die dere Schaltung erforderlich ist, die den Wortleitun-Magnetisierung durch die Anisotropie der Magnet- 20 gen in Abhängigkeit von der einzuschreibenden Inschicht in eine durch die Polarität des Bittreibfeldes formation Impulse einer bestimmten Polarität zuvorausbestimmte Richtung der Vorzugsachse. Eine führt. Da der Einschreibvorgang wegen der schwäauf diese Weise als remanente Magnetisierung ent- cheren Bitimpulse nicht durch völlige Auslenkung lang der Vorzugsachse gespeicherte Information kann der Magnetisierung entlang der harten Achse erreicht durch einen Treibimpuls auf der Worttreibleitung 25 wird, ist die Speicherung nicht sehr dauerhaft und wieder gelesen werden. Bei der hierdurch bewirkten kann bei Auftreten einer größeren Anzahl Leseopeerneuten Auslenkung der Magnetisierung in Rieh- rationen zerstört werden.

tung der harten Achse werden auf in Bitrichtung ver- Es ist außerdem bei. magnetischen Dünnschichtlaufenden Leseleitungen Impulse induziert, deren speichermatrizen bereits bekannt, die MatrLxleiter der Polarität die gespeicherte Binärinformation anzeigt. 30 einen Koordinate im Bereich der Speicherelemente In einem derartigen Speicher ist somit ein Wort streckenweise parallel zu den Mätrixleitern der andurch eine in Richtung der Vorzugsachse nebenein- ' deren Koordinate zu führen (z. B. Electronics, Bd. 32, anderliegende Anzahl Speicherzellen definiert. 1959, Nr. 23, S. 55 bis 57). Werden zwei ausgewähl-

Es sind nun aber wortorganisierte Speicher vorge- ten Leitungen der beiden Koordinaten koinzidente schlagen worden, die auf Grund ihres Arbeitsprinzips 35 Treibströme zugeführt, so addieren sich die durch sie für eine Speicherwertentnahme erfordern, daß die zu erzeugten, die gleiche Richtung aufweisenden Magneteinem Wort gehörenden Speicherzellen in Richtung felder zu einem resultierenden Feld, das die Schaltder harten Achse, also quer zur Vorzugsachse neben- schwelle für Rotationsschalten in den Speichereinander liegen. Ein Beispiel eines derartigen Spei- elementen überschreitet. Für wortorganisierte Dünnchers ist der sogenannte Mikrowellen-Absorptions- 40 schichtspeicher, die nach den oben erläuterten speicher (deutsches Patent 1 299 029), bei dem die Schreib- und Leseverfahren mit orthogonalem FeIdden gleichen Bitstellen der Worte zugeordneten Spei- verlauf arbeiten, ist eine derartige Leiterführung ohne cherzellen zu einer Einheit zusammengefaßt sind. Verwendung zusätzlicher Mittel nicht brauchbar, da Eine in Vorzugsrichtung (Bitrichtung) verlaufende jeweils nur gleichgerichtete Felder von den Matrix-Leseleitung bildet zusammen mit Magnetschichten, 45 leitungen im Bereich eines Speicherelementes erzeugt die sie allseitig umgeben, eine Hochfrequenz-Über- werden. ·

tragungsleitung, der Mikrowellensignale zugeführt Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, für Dünnwerden, deren Frequenz in der Nähe der Resonanz- schichtspeicher mit Wortorgänisation in Richtung der frequenz der Ubertragungsleitungen liegt. Die Spei- harten Achse eine Leitungsstruktur anzugeben, welche cherzellen werden durch die Kreuzungsstellen der so ein schnelles Einspeichern unter, Verwendung des Leseleitung mit orthogonal zu dieser, also parallel zur Orthogonalfeldverfahrens gestattet. Die Einspeicherharten Achse, verlaufenden Wortabfrageleitungen de- operation soll nur einen Speicherzyklus in Anspruch finiert. Die gespeicherten Binärwerte werden durch nehmen und mit unipolaren Worttreibimpulsen arremanente Magnetisierung in einer der beiden Rieh- beiten. Gemäß der Erfindung wird dies dadurch ertungen entlang der Vorzugsachse dargestellt. Die 55 reicht, daß die Treibleitungen im Bereich der Übertragungsleitung besitzt im Ruhezustand einen Speicherzellen diese überdeckende Breitteile und bestimmten Absorptionswert für die sich auf ihr aus- zwischen den Speicherzellen abwechselnd von den breitenden und dabei die Magnetisierung der Spei- linken und rechten Kanten der Breitteile ausgehende, cherzellen teilweise entlang der harten Achse aus- die Breitteile paarweise, verbindende schmale Stege lenkenden Mikrowellensignale. Dieser Absorptions- 60 aufweisen und daß die Treibleitungen schleifenförmig wert wird durch das Auftreten eines Impulses auf der mit je einem gleichartigen Rückleiter gekoppelt sind, Wortabfrageleitung geändert, wobei die Richtung der dessen Breitteile sich mit den entsprechenden Breit-Änderung von der gespeicherten Binärinformation teilen der Hin-Leitung im Bereich der Speicherzellen abhängt. Mittels einer entsprechenden Detektorschal- überdecken und dessen schmale Stege zwischen den tung kann daher aus dem am Ausgang der Leselei- 65 Breitteilen zu den entsprechenden schmalen Stegen tung erscheinenden Mikrowellensignal der gespei- der Hin-Leitung seitenverkehrt sind,
cherte Binärwert abgeleitet werden. Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung be-

Bei Speichern dieser Art ist die eingangs erläuterte steht darin, daß orthogonal zu den Vorzugsachsen

3 4

der Speicherzellen verlaufende Worttreibleitungen Beispiel einen Impuls von 200 Milliampere und eine vorgesehen sind, die im Bereich der Speicherzellen Leistung von 20 Milliwatt zu der betreffenden Treibmit deren Vorzugsachsen gleichgerichtete Teilstücke leitung 16. Diese Treibleitungen verlaufen orthogonal aufweisen, und daß parallel zu den Vorzugsachsen zu den Leseleitungen 10 und sind an ihren den Geneverlaufende Bittreibleitungen vorgesehen sind, deren 5 ratoren 14 abgewandten Enden bei 18 geerdet. Eine Breitteile orthogonal zu den Vorzugsachsen ausge- Anzahl über eine Selektorschaltung 21 einzeln ausrichtet sind. - wählbare Worttreiber 20, von denen jeder mit einer

Der Anmeldungsgegenstand hat den Vorteil, daß Treibleitung 22 verbunden ist, liefert Schaltströme auch solche wortorganisierte Dünnschichtspeicher, für die Dünnschichtelemente 2, um deren Magnetibei denen die Wortstruktur durch eine Anzahl in io sierung teilweise in Richtung der harten Achse HA Richtung der harten Magnetisierungsachse hinter- auszulenken. Die Worttreiber 20 sind in bekannter einanderliegende Speicherzellen gebildet wird, im Weise aufgebaut und erzeugen im dargestellten Bei-Schreibbetrieb nach dem Orthogonalfeldverfahren spiel einen 50 Nanosekunden langen Treibimpuls von betrieben werden können, wie es für Dünnschicht- 200 Milliampere. Die Treibleitungen 22 verlaufen im speicher.mit Wortorganisation entlang der Vorzugs- 15 allgemeinen quer zu den Leseleitungen 10. Jede der achse bekannt ist. Da es die Eigenart der erfindungs- Leitungen 22 verläuft jedoch im Bereich der Speichergemäßen Leiterführung gestattet, in den Speicher- zellen 4 in einem Teilstück 24 parallel zu den Lesezellen Worttreibfelder in Richtung der harten Achse leitungen 10. Die Leitungen 22 sind an ihren den und Bittreibfelder in Richtung der Vorzugsachse un- Worttreibern 20 abgewandten Enden bei 18 geerdet, mittelbar herzustellen, obwohl die Wortleitungen 20 Sie verlaufen außerdem so, daß in benachbarten nicht parallel zur Vorzugsachse und die Bitleitungen Speicherzellen 4 der Stromfluß in den Teilstücken 24 nicht parallel zur harten Achse verlaufen^ wie es antiparallel gerichtet ist. ■ sonst für die Anwendung des Orthogonalverfahrens Eine Anzahl über eine Selektorschaltung 27 einzeln' notwendig ist, kann eine Worteinspeicherung in einem auswählbare Bittreiber 26, von denen jeder mit einer einzigen Operationszyklus vorgenommen werden. 35 Bittreibleitung 28 verbunden ist, erzeugen Bittreib-

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung impulse, die schwächer als die Worttreibimpulse sind, sind aus den Ansprüchen zu ersehen. Nachfolgend ist Die Bittreiber sind in für sich bekannter Weise aufein Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand von gebaut und liefern beispielsweise einen 50 Nano-Zeichnungen dargestellt. Es zeigt Sekunden langen Impuls von 40 Milliampere zu der

Fig. 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer zwei- 30 ihnen zugeordneten Bittreibleitung 28. Die Bittreib-

dimensionalen magnetischen Dünnschichtspeicher- leitungen 28 verlaufen im allgemeinen parallel zu den

matrix gemäß vorliegender Erfindung, Leseleitungen 10. Im Bereich der Speicherzellen 4

Fig. 2 eine detaillierte Teilansicht der Leiter- enthält jedoch jede der Bittreibleitungen 28 ein Teilführung in der Matrix nach Fig. 1, ' _v stück 30, das parallel zu der der betreffenden

F i g. 3 einen Teilschnitt entlang der Linie 3-3 von 35 Speicherzelle 4 zugeordneten Treibleitung 16 ver-

Fig. 2, läuft. Innerhalb einer jeden Bittreibleitung 28 haben

F i g. 4 einen Querschnitt durch ein Dünnschicht- aufeinanderfolgende Teilstücke 30 zueinander einen

element, wie es in der Matrix nach den Fig. 1 und 2 antiparallelen Verlauf. Jede der Bittreibleitungen 28

verwendet wird, ist nach Durchlauf durch die entsprechende Matrix-

Fig.5a und 5b Vektordiagramme zur Erläuterung 40 spalte schleifenförmig zum zugeordneten Bittreiber

der Wirkungsweise der Anordnung nach den F i g. 1 26 zurückgeführt. Dies ist bei 32 schematisch ange-

und 2 und deutet. Die zurückgeführten Enden der Bittreib-

F i g. 6 ein weiteres Vektordiagramm, das die leitungen 28 sind bei 18 geerdet.

Speicherung von Informationen in einer Speicher- Die Leseleitungen 10, die Abfrageleitungen 16, die

zelle der Matrix von den F i g. 1 und 2 darstellt. 45 Wortleitungen 22 und die Bitleitungen 28 von F i g. 1

Die in Fig. 1 dargestellte zweidimensionale sind ausführlicher in Fig. 2 dargestellt, die einen Speichermatrix besteht aus einer Anzahl länglicher Ausschnitt der Speichermatrix von Fig. 1 zeigt. Der magnetischer Dünnschichtelemente 2, von denen einfacheren Darstellung halber wurden die Dünnjedes mehreren Speicherzellen 4 gemeinsam ist und Schichtelemente 2 in F i g. 2 nicht gesondert aneine magnetische Vorzugsachse in Längsrichtung auf- 50 gegeben. Zur Veranschaulichung kann jedoch beim weist. Die Vorzugsachse ist in den Figuren mit EA Betrachten dieser Figur davon ausgegangen werden, bezeichnet, während die orthogonal zur Vorzugs- daß die Dünnschichtelemente 2 deckungsgleich mit achse verlaufende harte Achse die Bezeichnung HA den Leseleitungen 10 sind und sich unter diesen beträgt. Ein Oszillator 6 erzeugt ein Mikrowellensignal finden. Die Leseleitungen 10 bilden die Grundmit einer ausgewählten Frequenz zwischen 550 und 55 elemente, nach denen die übrigen Leitungen orientiert 950 MHz. Eine bevorzugte verwendete Frequenz ist sind; Um die Funktionen dieser Leitungen erläutern 700 MHz. Die Übertragungsleitung 8 leitet die Mikro- zu können, wird vorerst auf den Aufbau der Dünnwellensignale von der Quelle 6 zu einer Anzahl Lese- Schichtelemente 2 eingegangen, von denen eines in leitungen 10. Die Mikrowellensignale teilen sich in Fig. 4.im Querschnitt dargestellt ist. Das dargestellte bekannter Weise gleichmäßig auf die Leitungszweige 60 Dünnschichtelement besteht aus einem oberen Ma-10 auf. Jede Leitung 10 ist an ihrem anderen Ende gnetschichtteil 74, einem unteren Magnetschichtteil mit einer Detektor- und Leseverstärkerschaltung 12 76 und zur seitlichen Verbindung der Schichtteile 74 verbunden. Eine Anzahl Impulsgeneratorschaltungen und 76 dienenden Schichtteilen 78 und 80. Die ge-14 liefert Impulse an die Treibleitungen 16. Die Im- ineinsame magnetische Vorzugsachse dieser Schichtpulsgeneratoren 16 können in für sich bekannter 65 teile verläuft senkrecht zur Zeichnungsebene und ist Weise einzeln durch eine Selektorschaltung 15 für in Fig. 4 durch ein Kreuz 44 b dargestellt. Die geeine Impulserzeugung ausgewählt werden. Der jeweils meinsame harte Achse dieser Schichtteile verläuft ausgewählte Generator 14 liefert im dargestellten parallel zum Pfeil 44a (s. auch Fig. 6). Der obere

5 6

Schichtteil 74 und der untere Schichtteil 76 stehen in Fig. 2 links unten dargestellte Breitteil 366 an

über die seitlichen Schichtteile 78 und 80 in einer seiner rechten Kante 40 mit einem Steg 45 6 und an

Magnetflußkopplung entlang der harten Achse. Im der linken Kante 38 mit einem Steg 46 b verbunden.

Inneren der Magnetschichten und von diesen durch Der Rückführstrom wird daher dem betreffenden

nicht dargestelltes Isoliermaterial getrennt verläuft 5 Breitteil 366 über den Steg 45 b zugeführt und ver-

die Leseleitung 10. Die nachfolgend in Verbindung läßt diesen über den Steg 46 b. Es stellt sich somit im

mit Fig. 2 beschriebenen Treibleiter befinden sich Breitteil 36ft ein Stromfluß in Richtung des Pfeiles52

oberhalb der oberen Magnetschicht 74. ein. Gemäß F i g. 5 a kann dieser Strom in zwei Kom-

Die Worttreiblcitungen 22, von denen nur die Teil- ponenten 54 und 58 aufgeteilt werden. Die Kompostücke 24 jeweils parallel zu einer der Leseleitungen io nente 54 verläuft parallel zur leichten Achse EA in 10 verlaufen, haben über ihrer ganzen Länge eine entgegengesetzter Richtung wie die Komponente 54 a, einheitliche Breite und Dicke und dehnen sich in die in der vorausgehend beschriebenen Weise durch Fig. 2 von links nach rechts aus. Die entlang der den hinführenden Strom am linken unteren Steg36 leichten Achsen EA der Dünnschichtelemente 2 erzeugt wurde. Da beide Komponenten gleich groß (Fig. 1) verlaufenden Bitleitungen 28 sind schleifen- 15 sind, löschen sie sichgegensetig aus. Die Komponente förmig ausgebildet, indem jede dieser Leitungen aus 58 verläuft parallel zur harten Achse HA und hat die einem"oberen Zweig 28« und einem darunter befind- gleiche Richtung wie die durch den hinführenden liehen, als Rückleiter dienenden Zweig 28 b besteht. Strom erzeugte Komponente 48, so daß sich die Jeder der Zweige 28a umfaßt eine Anzahl Breitteile Komponenten 58 und 48 addieren. Durch diese 36. die im wesentlichen Rechteckform haben, und 20 beiden Komponenten werden Magnetfelder 49 und zwischen diesen befindliche schmale Stege 45, 46, 60 (Fig. 5b) erzeugt, die in Richtung der leichten deren Breite wesentlich kleiner ist als die der Breit- Achse EA der Dünnschichtelemente 2 verlaufen und teile 36. In der in F i g. 2 dargestellten Anordnung ein resultierendes Magnetfeld 62 ergeben. Dieses haben die Breitteile 36 die Form eines Parallelo- Magnetfeld dient als Bit-Einschreibfeld. Es wirkt zugramms. Der Breitteil 36 hat parallele Seitenkanten 25 sammen mit einem Wort-Magnetfeld, das durch einen 38 und 40, sowie eine obere Kante 42 und eine Strom in den Abschnitten 24 der Worttreibleitungen untere Kante 44, die ebenfalls parallel zueinander 22 erzeugt wird. Dieser Strom ist ausreichend stark, verlaufen und mit den Kanten 38 und 40 einen um eine Auslenkung der Magnetisierung der Dünnschiefen Winkel bilden, so daß sich ein Parallelo- Schichtelemente 2 im Bereich der Speicherzellen 4 in gramm ergibt. Ein schmaler Steg 45, der sich zwi- 30 die harte Achse zu bewirken. Hierbei ist zu erwähnen, sehen zwei benachbarten Breitteilen 36 befindet, ist daß sich die Speicherzellen 4 von F i g. 1 unterhalb in Stromflußrichtung mit der einen Seite des be- der Überlappungsbereiche der Stege 36 und 366 betreffenden Breitteiles 36, beispielsweise auf der der finden.

Kante 40 zugewandten Seite, verbunden. Ein ent- Aus F i g. 6 ist ersichtlich, daß die beiden Richsprechendes Verbindungsstück 46 führt von diesem 35 tungen44a' und 44a" entlang der Vorzugsachse EA Breitteil in Stromflußrichtung auf der entgegen- bzw. leichten Achse zur Speicherung der binären In- *gesetzten Seite, beispielsweise auf der der Kante 38 formation dienen. Die Richtung 44a'entlang der mazugewandten Seite zum nächsten Breitteil 36. Ein in gnetischen Vorzugsachse EA kann hierbei der Binärder Anordnung nach Fig. 2 beispielsweise in der ziffer Null und die entgegengesetzte Richtung 44a" äußersten linken Bitleitung 28 von oben nach unten 40 der Binärziffer Eins zugeordnet sein. Um die Magnetifließender Strom durchquert den links unten dar- sierung einer Speicherzelle 4 in eine dieser beiden gestellten Breitteil in Richtung des Pfeiles 47. Wie die Richtungen entsprechend der einzuschreibenden In-F i g. 5 a zeigt, kann dieser Stromvektor 47 in zwei formation einzustellen, wird durch einen vom zuKomponenten 54a und 48 aufgeteilt werden. Hierbei geordneten Bittreiber 26 erzeugten Strom entverläuft die Komponente 54 a in Richtung der Vor- 45 sprechender Polarität in den oberhalb der Speicherzugsachse EA und die Komponente 48 in Richtung zelle 4 (Fig. 1) befindlichen Breitteilen 36 und 366 der harten Achse HA der Dünnschichtelemente 2. ein Bitfeld 62 (F i g. 5 b) erzeugt, dessen Polarität die Nachdem die Bittreibleitung 28 das untere Ende der einzuspeichernde Information bestimmt. Koinzident Matrix erreicht hat. bildet sie eine Umkehrschleife zu diesem Bittreibstrom wird ein Worttreibstrom auf und führt das Rückleitungsteil 286 unterhalb des 50 Leitung 22 erzeugt, der im Bereich des Teilstückes vorausgehend beschriebenen Leitungsteiles zurück in 24, das dem betreffenden Speicherelement 4 zugeord-Richtung des betreffenden'Bittreibers 26. Bei dieser net ist, ein Worttreibfeld 44a entlang der harten Rückführung bildet sie in der gleichen Weise, wie es Achse HA erzeugt. Durch Zusammenwirken des Bitvorausgehend für den ersten Leitungsteil beschrieben treibfeldes 62 und des nicht dargestellten Worttreibwurde. Breitteile 366, die sich mit den Breitteilen 36 55 feldes wird die Magnetisierung der Speicherzelle in des hinführenden Teiles der Leiterschleife über- Abhängigkeit von der einzuspeichernden Information lappen. Der Rückleitungsteil 286 hat die gleiche in unstabile Lagen der Richtungen 66 und 64 (F i g. 6) Breite wie der hinführende Teil 28 λ der Leiter- eingestellt. Nach Abschalten beider Treibfelder dreht schleife. In Fig. 2 wurde jedoch zugunsten einer ' der Magnetisierungsvektor in eine der remanenten besseren Anschaulichkeit der Rückleitungsteil 286 60 Lagen 44 a' oder 44 a" ein. Der Einschreib Vorgang etwas breiter als der Leitungsteil 28 a dargestellt. ist damit beendet.

Die unterhalb liegenden Breitteile 366 haben die Oberhalb der Bittreibleitungen 28 befinden sich die

gleiche Form wie die oberhalb liegenden Breitteile Abfrageleitungen 16 (Fig. 2). Diese Leitungen ver-

36. Die eine Verbindung zwischen den Stegen 366 laufen quer zu den Leseleitungen 10. Ihre Breite ist

herstellenden schmalen Stege 45 6. 466 befinden sich 65 so bemessen, daß sie die Stege 36, 36 6 völlig über-

jcdoch jeweils am seitenverkehrten Rand der Breit- decken.

teile gegenüber den entsprechenden Stegen 45. 46* In Fig. 3 ist ein Teilschnilt entlang der Linie 3-3

zwischen den Breitteilen 36. So ist beispielsweise der von Fig. 2 dargestellt. Dieser Schnitt zeigt die An-

Ordnung der verschiedenen Leiterebenen oberhalb der Speicherzellen 4. Die oberste Leiterlage wird durch die Leitung 16 gebildet. Darunter befindet sich der hinführende Teil 28 a der Bittreibleitung 28. Als nächstes folgt der rückführendc Teil 28 ft der Bit- S . trcibleituhg 28. Die in F i g. 3 im Schnitt dargestellten Bereiche dieser beiden Leitungsteile entsprechen den Stegen 36 und 36 ft. Unterhalb der Bitleitung 28 befindet sich das Teilstück 24 der Lescleitung 22. Zwischen jeder vorausgehend beschriebenen Leiterlage befindet sich eine Isolierschicht 70. Unterhalb der Teilstücke 24 ist durch eine weitere Isolierschicht getrennt ein Hochfrequenzschirm 72 angeordnet. Dieser Schirm besteht aus einer Kupferschicht, deren Dicke ein Mehrfaches der Eindringtiefe des zum Lesen benutzten Hochfrcqucnzsignals beträgt, aber kleiner ist als die Eindringtiefc der Abfragesignale auf der Leitung 16. Die unter Verwendung von Mikrowellensignalen erfolgende Leseoperation der in F i g. 1 dargestellten Speicheranordnung ist nicht Gegenstand ao der vorliegenden Erfindung. Eine ausführliche Beschreibung ist daher in diesem Zusammenhang nicht notwendig. Es sei lediglich erwähnt, daß die Leseleitungen 10 in Verbindung mit den sie umgebenden Magnetschichten 74, 76,78 und 80 als Hochfrequenz- as Übertragungsleitungen für Mikrowellensignale dienen, die vom Oszillator 6 den Leitungen 10 zugeführt werden. Die Frequenz dieser Signale liegt in der Nähe dej Resonanzfrequenz der durch die genannten Magnetschichten gebildeten Struktur. Wenn koinzident zu den Mikrowellensignalen von einem der Impulsgeneratoren 14 ein Impuls zu der zugeordneten Abfrageleitung 16 geliefert wird, verändert sich der Absorptionswert der Hochfrequenz-Übertragungsleitung. Diese Absorptionsänderung, deren Richtung von der binären Information abhängt, die in der am Kreuzungspunkt der stromführenden Leitungen 10 und 16 befindlichen Speicherzelle enthalten ist, wird von der betreffenden Detektor- und Leseverstärkerschaltung 12 als Lesesignal ausgewertet.

Claims (8)

Patentansprüche:

1. Wortorganisierter magnetischer Dünnschichtspeicher, bei dem die ein Wort bildenden Speicherzellen quer zu deren magnetischen Vorzugsachsen nebeneinander angeordnet sind und bei dem den Speicherzellen benachbarte, parallel und orthogonal zu den Vorzugsachsen verlaufende Einschreibtreibleitungen vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibleitungen im Bereich der Speicherzellen diese überdeckende Breitteile (36) und zwischen den Speicherzellen abwechselnd von den linken und rechten Kanten der Breitteile ausgehende, die Breitteile paarweise verbindende schmale Stege (45, 46) aufweisen und daß die Treibleitungen schleifenförmig mit je einem gleichartigen Rückleiter gekoppelt sind, dessen Breitteile (26 ft) sich mit den entsprechenden Breitteilen der Hin-Leitung im Bereich der Speicherzellen .überdecken und dessen schmale Stege (456, 46 ft) zwischen den Breitteilen zu den entsprechenden schmalen Stegen der Hin-Leitung seitenverkehrt sind. " ■

2. Dünnschichtspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß orthogonal zu den Vorzugsachsen der Speicherzellen verlaufende Worttreibleitungen (22) vorgesehen sind, die im Bereich der Speicherzellen mit deren Vorzugsachsen gleichgerichtete Teilstücke (24) aufweisen, und daß parallel zu den Vorzugsachsen verlaufende Bittreibleitungen (28) vorgesehen sind, deren Breitteile (36, 36ft) orthogonal zu den Vorzugsachsen ausgerichtet sind.

3. Dünnschichtspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Breitteile (36, 36 ft) die Form eines Parallelogramms besitzen, das in bezug auf die Treibstromrichtung eine obere und eine untere schräge Kante besitzt und in welchem der Treibstrom annähernd in Richtung der parallelen oberen und unteren Kante fließt.

4. Dünnschichtspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die oberen und unteren Kanten der sich deckenden Breitteile (36, 36 ft) der Hin- und Rückleitung (28 a, 286) jeweils den gleichen Winkel mit dem zugeordneten stromzuführenden schmalen Steg (45, 45 ft bzw. 46, 46 ft) bilden, so daß ein kreuzweiser Treibstromverlauf entsteht.

5. Dünnschichtspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibleitungen Bandleitungen sind, in denen die Breitteile (36, 36 ft) und die sie verbindenden schmalen Stege (45, 45 ft, 46, 46 ft) durch Ausschnitte in Form eines gleichschenkligen Trapezes gebildet werden, die für aufeinanderfolgende Breitteilpaare jeweils an der entgegengesetzten Kante der Bandleitung angebracht sind.

6. Dünnschichtspeicher nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die quer zur Vorzugsachse der Speicherzellen verlaufenden Worttreibleitungen (22) mit ihren im Bereich der Speicherzellen mit den Vorzugsachsen gleichgerichteten Teilstücken (24) einen für sich bekannten mäanderförmigen Leitungsverlauf aufweisen.

7. Dünnschichtspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Hin-Leitung (28 a) und die Rückleitung (28 ft) der Bitleitung (28) auf der gleichen Seite der Speicherzellen befinden.

8. Dünnschichtspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wort- und Bittreibleitungen (22, 28) oberhalb der als Doppelschichtelemente (2) mit Magnetflußkopplung in Richtung der harten Achse aus-. gebildeten Speicherzellen angeordnet sind. -.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 643/117