DE1490713B2 - Keramischer elektrischer widerstand mit positivem temperaturkoeffizienten des widerstandswertes und sperrschichtfreien kontaktbelegungen und verfahren zur herstellung der sperrschichtfreien kontakte - Google Patents

Description

gen wird, indem er bei Temperaturen von 600 bis 750° C in oxydierender Atmosphäre während einer Zeitdauer von etwa 10 Minuten getempert wird.

Die Erfindung betrifft einen keramischen elektrischen Widerstäiid fhit positivem Temperatürkoeffizienten des Widerstandswertes, bestehend aus einem oxydierend gebrannten Körper aus Perowskitstruktur besitzendem ferroelektrischem Material, das durch Dotierung mit gitterfremden Ionen halbleitend (nleitend) ist, der ad seiner zu kohtaktierenden Oberfläche mit Kontaktbelegungen versehen ist, die aus wenigstens einem unedlem Metall und Einbrennsilber bestehen, an die jeweils eine äußere Kontaktbfclegung angelötet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen elektrischen Widerstandes mit positivem Koeffizienten des Widerständswertes = im folgenden als Kaltleitet bezeichnet — mit Indium-Gallium enthaltender Kontaktbe-

AIs Perowskiisfrüktüf besitzende ferroelektrisch©-,?© Materialien kommen beispielsweise Bariumtitanat BaTiO₃, Barium-Strontium-Titanate (Ba, Sr)TiO₃ Barium-Blei-Titanate (Ba, Pb)TiO₃ in Frage, bei denen also im Kationenteil wenigstens zwei zweiwertige Metalle vorhanden sind; auch Perowskitstruktur besitzende Materialien, die im Anionenteil ebenfalls mindestens zwei Metalle enthalten, wie z. B. Barium-Titanat-Stannat Ba(Ti, Sn)O₃ oder Barium-Titanat-Zirkonat Ba(Ti, Zr)O₃ und auch Materialien, die sowohl im Kationen- als auch im Anionenteil mindestens zwei zwei-, bzw. zwei vierwertige Metalle enthalten, wie z. B. (Ba, Sr), (Ti, Sn)O₃,

kommen in Frage. AlS Dotierungssubstartz zur Er- Stellung die verhältnismäßig sehr aufwendigen Auf-

zieiüng der gewünschten Leitfähigkeit werden in das dampfvorgänge unedler Metälle vefmiederi Und der

Kristallgitter bei def ^Herstellung der keramischeil Eihreibevörgarig fester Metalle möglichst Umgängen

körper gitterfremde Metalle eingebaut, wie z. B'. werden. Trotz dieser Bedingungen sollen die KÖn-

eirizelri odef gemBinsätn Antimon, ödet Niob oder 5 täktbfeleguhgeri praktisch SpfeffschichtfrBi sein.

WiSrriÜt ö'def Wolffätti odef Seltene Efden. Zuf Losung dieser Aufgabe ist der eingangs be-

Es ist bekannt, derartige Käitieitef friit einer In- schfiebene keräniische KaltleitBf effihdürigsgemäß

diuhi- odef indiüfn-Galiiuniächicht durch Bedampfen dadurch gekennzeichnet, daß die eihg'Bbfätintfen Köfi-

odBr AuffBibeh zu yBfseheh, die dann als sperrschicht;- taktbelegüngeri aus riBberi riiif Bis etwa 5 °/ό an Hafl·

freie kontaktschicht dieri6n~ soll. DiB Haftfestigkeit it> oxiden, überwiegend SiIbBf; enthaltendem ,Material

dieser Kontaktschicht 1st jedoch, nicht ausreichend, beistehen und in einer ZbhB zur Oberfläche' des Ke-

utfi dafäüs gebrauchsfertige käitieitäfwidetstäride in famikkÖrpefs hih züriehmBhd mit Indium odef Ih-

MässBttpfbdüktiohBn herzüstBiieii. Aüßfeidefh sind diüm züsäüimeh mit Gallium.angereichert sind ürtd

diese,Schichten nicht wäfhiBbBständig und nicht lot- züf Außenfläche der KöntäktbBlegüfig hin ihdiüm-

bäf (SätiBf uhd Flaschen in >>Pfoc. of the EIeC- 15 biw: ihdium₇gälliuiri-freifes Silber vÖfliBgt. ;

tronic Components Symposium«, 1956_; S: 4i bis 46). . BBi den Vefsüc'heh, die züf Vorliegenden Erfiri-

EirtB genügend größe Haftfestigkeit bei gleichzeitig düng gefühf t haben, hat sich iiäfhliBh übBrf äsCheri-

güter.Lötbäfkeit und WäffiiebBstänäigkBit Bilden dBfwfeisB.hBf ausgestellt; daß diB Neigungvon Indium

zwäf eingebrannte SilfeBf schichten, die jedoch beim odef indiüin-Gäliiüm-Schich'tefi, bei deri ähzüwerideh-

Einbfeiitieri zu Stiemchichtefi führen. . ät> den Tembefatüfen in oxydiefehdef ÄtftiÖsphäfe ih

Düfch BinBii bekannten Vorschlag ist auch schön ihre nichtleitenden Oxyde übefüügBhBii, unter der

ν VBfSucht wbfde'ft, in Nachbarschaft iuf Kferärhik ein EinbrennsilBefschicht riicht .füeritf vorhanden ist; ÖB-

iV uhfedies Metall, BeispieisWeise Älürhiiiiüm Öder Zink, Wohl Silbfer ais SäüBfstöffubBftfagBf; BeiSpielswBise

tjurch Äüfdärhpffeh äüfzübfingfeti und äüf diesef bei def Hefs'tBllüng v6h Sp'effSc'hifchtköriderisätöfBii,

Schicht eine Silberschicht durch Einbrennen zu ^e- Sg bekannt ist: Ebenäö üBefraScheiid war das Ergebhfe,

festigen. Das EinbrBnneh def SilbefSchicht ist däBei daß die Häftfes'tigkeii der KÖntäktBBlegüngert äüf

tunlichst in feduzieferidBf ÄtinosphäfB und bBi so deni Kefämikkötp'fer duffch .diB üntBfgelegte Ifidiühi-

hiedrigBn TefhpefätÜreü vörzünehniBn, daß eihefseits GäÜninVSchicht in kBinBf WeisB bBeifiträchtigt wird,

keine Schädigung der Unedlen Metallschicht dufch Bainit könnten die Vorteile beider KöntäktiBfüngs-

Oxydatiön und Düf chlegieffen und äridefef sBits keirife 30 rfietälle niiteinändef Verfeinigt wer den; wobfei die je-

Schädigung des kefärmschen Materials durch Re- WBiligefi SchWiBfigkBiteh; ^namiich Unbfeständigkfeit

düktiöh Bihtfitt. Afi def artige spit f schichtf f eie Kon- def nicht sp'eff enden Metallschicht BzW. SpBf f-

täktbelegUhgeri kÖüfien hur begreriztfe Äfiförderühg'eh schichtbildung def lotfähigBfi MBtällsehicht; veffhie-

gesteüt wefdBn, dehn BntWedef vVeisBii die bei riiBd- den wefdeH köflnteh: ISi Ergebnis liegt somit feine

figBf Teinpefätür eingebrannten Silbefschichten keine 35 KöntäktbelBgung Vöf, ,die allen in der Pfäxis äh

genügend hohe Haftfestigkeit äüf, öder es ist, fäüs Kaltleiter gfestBllten .ÄhfofdBrüngen geffecht wird:

Bei hÖhefen TBhipefätüten eihgBBfaiini wifd, fücht BesÖhdefs vöfteiifiaft ist BS; wBnii die ÄiifeicHe-

sichefgestellt, daß infolge püfchlegierehs dfer Schicht fung mit Indiüni ödBf Ihdiüni-Gälliüm züf ÖBef-

äüs unedlem Metäli SfJerfschichteh teffhiederi wer- fläche des KBfämikköfpefS hin BfSt höchstens vöii der

dBn(BfitiSchePätehtschrift9ii 741). . 40 hälBfeh Stafke def Köntaktbelegüng ab Beginnt.

Eiii sfehf ällgetrifein gehaitBiief, zürti Stände der Die KöntäktbBlBgurig ist Zweckmäßig zur Kefarfiik-

Technik gehörfendef VöfSchlag sieht untfer ähdefefn oberfläche hih defärt rriit Indiüni ddBf Iiidiüni-Gal-

Vör.', deri speffschichtfreifen Kontakt dädüfch hefzu- lium angereicheft; daß äii die KBfäniiköbeffiäche

)) steuert, daß zunächst düf ch Eihf eiberi BihBs Metalls feine üfi WBsBiitlichen hur wenige Möleküllägett stärke

fein Überzug gebildet wird, Wobei jeWfeils ein Metall 45 Schicht äüs praktisch' tBinBfn Ihdiürfi bdef Ifidiiifri-

Vefwendet wBrdefi soll, das iÜ deri Hälbleitefkörper Gallium ähgferizt. Diesfe wenige Möleküllägen stärkB

fiiit dem gifeichen öder eiiiBhi höheren ValBhzzüstartd Schicht verhält sich nänilich iti b'Bzüg.äüf die Häft-

äls denijBrtigeii des zu vetdfähgenderi katiöris des festigkeit wesentlich anders als eine_t teiätiv dick äüf-

Halbleiterkörpers diffundiert Ödef üi Lückeh des getragene Schicht aus gleichem MatBfial. DiBs ist

Haibieitefkörpefs abwandert; äüf diesen ÜBBrzug, gb wahrscheinlich auf feifi ändefes Chemisches Verhalten

für den als Metall Titan vorgeschlagen wird; $άία äüf Gfürid der WechselwifküEg ffiit UBih kefämischfen

deinn noch eine durch Einbrennen erzeugte Silber- Material ,zurückzuführen:

schicht angebracht. Ais EiübfBhhterhpBiätur werden jZüffl EinsfelieH der angegebenen Verteilung des

hierbei 425° C vorgeschlagen; das ist aber eine Tem- Inäiüfns ödef iridiuin-Galliüni in def SilbBfSchicht

pBfäiÜf, bei ÜBr die orVBh geschiidBrtefi Schwierigkei- 35 dienen die fblgeüideri Verfahferii ,

ten auftreten^(deutsche Auslegeschrift 1 123 019). EffindüngsgBmäß ist ei& Verfahren züf HefstBl-

EsHt weiterhin. bBkärlnt,K:Brämische Körper aus lürig eines Widerstän'ies mit ihdiüin-Galiiurh eht-

Nickelferriten und Titättaten ttiii einer indiuni-Afriäi- hältendef KBätäktBelegühg äädurcri gekeiinzeichiie^

gani-Elektrode zu versehBri, um einen rnögliChst daß zunächst die Öbefflache des KBfkmikköfpefs

niBdrigeri kbritäktwidefstand ^u erhältBn (»ioüfnal έ'ο wenigstens irri BefBich der anzübfifigenäen Köhtäkt-

of AppliedPhysics«; %1, 1956, S. Ϊ90). B'BlegühgBn. bei Raumtemperatur Mt einfer indiürii-

beir vöfiiegfefiden Effindüng Hegt die ÄüfgäBe zu- Gälliüfn-Schicht in eitler Schichtdieke Von etwa OjI

gründe, eihB KöhtäktbelBgüüg aiizügBBeh, die ih.Oxy- bis ΙΟ.μήι odef darunter; Vorzugsweise 3(JLm^dUfCh

diefefidef Atrhbsr3hare eitigebfänrit Werdefl kariri, Bestfeidhe.fi fiiit einem; rfiit Indiüm-Gälliüfri-Legife-

u?id zwar Bei so höhen tfempefatufen, daß feine für 65 rung gStfäriKteii iStoffgeweBe, Me Kunststoffäsefn

die praktische Anwendung ausreichende, den bB- ödfer Filz, Versehen Wifd; daß äüf diese Schicht das

kannten eingebrannter! SilbBfschichteo entsprechende HäftbxidB enthaltende EübreMsilbBfpräbäfät äüf-

, Haftfestigkeit gewährleistet ist und bei dBreh Her- getragen wird und daß ääfiii dBf so vöfberBitete' Kör-

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per zum Einbrennen der Kontaktbelegungen bei Als besonders vorteilhaft hat sich das Einbrennen einer Temperatur zwischen 550 und 750° C in einem der Kontaktbelegungen bei einer Temperatur zwi-Zeitraum von 3 bis 45 Minuten einer oxydierenden sehen 550 und 600° C in einem Zeitraum von etwa Atmosphäre unterworfen wird. 10 Minuten erwiesen. Während auf das Einhalten der Das Tränken des Stoffgewebes mit dem Metall 5 angegebenen Temperaturen ein besonderes Augenwird dabei in der Weise vollzogen, daß zunächst ein merk zu richten ist, ist die Einhaltung der Einbrennindiumstift mit einem Galliummetallstück in Ver- zeit nicht von so entscheidender Bedeutung. Die unbindung gebracht wird, wobei sich am Indium ein tere Grenze der Einbrennzeit ist durch die Fordeeutektisches Gemisch aus Indium-Gallium-Legierung rung gegeben, daß die Silberpaste überhaupt einbildet, das bei Raumtemperatur flüssig ist, so daß io brennt, während Überschreitungen der Einbrennzeit ein Tropfen entsteht, der auf das Stöffgewebe über- um das Doppelte nicht ausschlaggebend sind. tragen wird. Durch mehrfaches Wiederholen dieses Die auf die beschriebene Weise hergestellten Kon-Vorganges wird der Filz mit einer überwiegend aus taktbelegungen sind sperrschichtfrei, wärmebeständig Indium bestehenden Indium-Gallium-Legierung arf- und lötbar und unterscheiden sich in der Haftfestiggereichert. Ein so getränktes Stoffgewebe kann zur 15 keit nicht von direkt auf die Keramik aufgebrachen Auffüllung mit Gallium und Indium durch Einrei- Silberbelegungen.

ben der Metalle erneut getränkt werden. Das Stoff- Mit diesen vorteilhaften Eigenschaften sind aber gewebe ist zum Einreiben der Keramikoberfläche die Vorteile der angegebenen Kontaktierung und des dann geeignet, wenn nur so viel Indium-Gallium-Le- dazugehörigen Verfahrens nochmicht erschöpft, denn gierung darin enthalten ist, daß erst bei leichtem 20 es hat sich bei der Durchführung der Versuche, die Druck die Legierung aus dem Gewebe austritt und zur Erfindung geführt haben, zusätzlich gezeigt, daß auf die Keramikoberfläche übertragen wird. es möglich ist, bei sehr dünn aufgetragenen Indium-Das Bereiben mit Indium-Gallium-Legierung kann oder Indium-Gallium-Schichten durch Erhöhung rationell dadurch vorgenommen werden, daß meh- der Einbrenntemperatur den Kaltwiderstandswert des rere Karamikscheibchen, die etwa gleiche Stärke 25 Bauelementes zu beeinflussen. Hierzu wird vorgehaben, nebeneinander in einen Ring eingelegt wer- schlagen, das Metall, nämlich Indium oder Indiumden, dessen Dicke um weniges geringer ist als die Gallium-Legierung, in einer Dicke von etwa 0,1 bis Dicke der Keramikscheiben. Der Dickenunterschied 1 μηι auf den Keramikkörper aufzutragen und das beträgt vorzugsweise V10 bis ²Ao mm. Mittels eines Einbrennen bei Temperaturen von 600 bis 750° C in getränkten Gewebestempel wird durch leichten 30 oxydierender Atmosphäre während einer Zeitdauer Druck und leichte Drehbewegung die eigentliche Be- von etwa 10 Minuten vorzunehmen,
reibung vorgenqmmen. Die Rückseite der Scheiben Eine gewisse Abwandlung dieses Verfahrens gewird in entsprechender Weise behandelt. stattet es auch, bereits fertiggestellte und mit den er-Die nach diesbr Methode mit einer Metallschicht findungsgemäßen Kontaktbelegungen versehene keversehenen Keramikscheiben können als Schüttgut 35 ramische Kaltleiter in ihrem Widerstandswert nachbehandelt werden, weil die Metallschicht gegenüber zukorrigieren. Hierzu wird vorgeschlagen, daß zur mechanischer Beanspruchung nicht empfindlich ist; Erhöhung des Kaltwiderstandswertes der fertiggedie Wirkungsweise der Zwischenschicht wird durch stellte, mit Kontaktbelegungen versehene keramische mechanische Beanspruchung nicht beeinträchtigt. Kaltleiter einer nachträglichen Behandlung unterzo-Es empfiehlt sich, die Schichtdicke durch Entfer- 40 gen wird, indem er bei Temperaturen von 600 bis nen des die Keramikoberfläche nicht benetzenden 750° C in oxydierender Atmosphäre während einer überschüssigen Metalls mittels eines nicht getränk- Zeitdauer von etwa 10 Minuten getempert wird,
ten Gewebes oder Filzes einzustellen. Zur Erklärung für diese Steuerung des Wider-Erfindungsgemäß ist ein weiteres Verfahren zur standswertes wird angenommen, daß durch die Über-"Herstellung eines Widerstandes mit Indium efithal- 45 höhung der Eüibrenntemperatur Teile der Indiumtender Kontaktbelegung dadurch gekennzeichnet, schicht weglegiert werden, so daß eine effektive daß zunächst die Oberfläche des Keramikkörpers we- Verminderung des sperrschichtfreien Kontaktierungsr nigstens im Bereich der anzubringenden Kontaktbe- bereiches erfolgt. Die Lötfläche bleibt dabei aber in legungen bei Raumtemperatur mit einer Indium- voller Größe erhalten.

Schicht in einer Schichtdicke von etwa 0,1 bis 10 μπι so An Hand der Zeichnungen wird die Erfindung er-

oder darunter, vorzugsweise 3 μπι, unter Vermeidung läutert,

des Einreibens festen Indiums versehen wird, daß auf Es zeigt

diese Schicht das Haftoxide enthaltende Einbrenn- Fig. 1 einen Kaltleiterwiderstand nach der Er-

silberpräparat aufgetragen wird und daß dann der findung,

so vorbereitete Körper zum Einbrennen der Kontakt- 55 Fig. 2 eine Draufsicht auf eine Bereibungsvor-

belegungen bei einer Temperatur zwischen 550 und richtung,

75O⁰C in eineml,Zeitraum von. 3 bis 45 Minuten Fig. 3 eine Seitenansicht _M4ei ^Vorrichtung nach

einer oxydierenden Atmosphäre unterworfen wird. Fig. 1 mit herabgesenktem Stempel;

Das Einbrenn-Silberpräparat besteht aus pulveri- F i g. 4 zeigt ein Diagramm.

siertem Silber und/oder Silberoxid, aus Haftoxiden, 60 In Fig. 1, in der aus Gründen der Übersicht die

wie z. B. Bleiborsilikaten, die als niedrigschmelzende Proportionen übertrieben angegeben sind, ist mit 1

Glasfritte zugesetzt sind, und/oder aus Wismutoxid, der keramische Kaltleiterkörper bezeichnet. Beider-

das ebenfalls als Haftoxid wirkt, sowie einem or- seits dieses Kaltleiterkörpers befinden sich die Kon-

ganischen Suspensionsmittel, beispielsweise überwie- taktbelegungen 2, die jeweils aus einer an indium-

gend Nitrozellulose, gelöst in Äthylenglykolmono- 65 oder indium-gallium-reichen Zone 3 und einer aus

äthyläther. Der überwiegende Bestandteil nach, dem fast reinem Silber bestehenden Zone 4 zusammen-

Einbrennen ist Silber, der Haftoxidanteil beträgt nur gesetzt sind. Die gestrichelte Linie soll andeuten,

bis etwa 5 % der Gesamtmenge. daß es sich hierbei um einen stetigen Konzentrations-

wandel handelt. An den Kontaktbelegungen 2 sind die äußeren Kontaktelemente 5 mittels Lotes 6 angelötet.

In F i g. 2 ist eine Scheibe 7 gezeigt, die eine kreisförmige Öffnung 8 aufweist. In der Öffnung 8 werden Scheiben 9 aus keramischem Kaltleitermaterial gehalten. Wie in Fig.3 zu sehen ist, ist die Dicke A der Scheibe 7 geringer als die Dicke B der keramischen .Kaltleiterscheiben 9. Da beide Scheibenarten auf einoir Unterlage 10 aufliegen, ragen die Kaltleiter- ίο scheiben 9 aus der Scheibe 7 heraus. Der Stempel 11 trägt an seinem unteren Ende ein Stoffgewebe 12, beispielsweise aus Filz, das mit der Indium-Gallium-Legierung getränkt ist.

Durch leichten Druck in Richtung des Pfeiles 13 und Drehbewegung in Richtung des Pfeiles 14 werden die Kaltleiterscheiben berieben.

F i g. 4 zeigt ein Diagramm, das die Zunahme des Widerstandswertes des keramischen Kaltleiterwiderstandes in Abhängigkeit von der Einbrenntemperatur wiedergibt. In Ordinatenrichtung ist der spezifische Kaltwiderstand in Ohm-cm aufgetragen, während in Abszissenrichtung die Einbrenntemperaturen in Grad Celcius angegeben sind. Das Diagramm ist an einem keramischen Kaltleiter angenommen, der aus Barium-Strontium-Titanat (Ba_1-^ Sr_x)TiO₃ mit X = 0,12 besteht und dessen Curie-Temperatur, etwa bei 80° C liegt.

Das Diagramm zeigt·, daß im Einbrenntemperaturbereich von 500 bis 600° C der Kaltwiderstand des keramischen Kaltleiters konstant und niedrig bleibt; ab 600° C beginnt der Widerstands anstieg des keramischen Kaltleiterwiderstandes infolge einer Verkleinerung der effektiven sperrschichtfreien Kontaktfläche. Ab 750° C ist eine deutliche ausgedehnte Sperrschichtbildung zu verzeichnen. Ab 500° C entsteht eine Kontaktbelegung mit ausreichend großer Haftfestigkeit.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 209 550/138

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Keramischer elektrischer Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten des Widerstandswertes, bestehend aus einem oxydierend gebrannten Körper aus Perowskitstruktur besitzendem ferroelektrischem Material auf Bariumtitanat-Basis, das durch Dotierung mit gitterfremden Ioneii halbleitend (gleitend) ist, der an seiner zu kdntaktierendeh Oberfläche mit Kontäktbelegungen versehen ist, die aus wenigstens einem unedlen Metall und Einbreiinsilber bestehen, an die jeweils eine äußere Köntäktbelegung augelötet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die eingebrannten Kbntafctbelegü&geii (2) aus neben nur bis etwa 5% an Haftöxidenj überwiegend Silber, enthaltendem Material bestehen und in einer Zone (3) zur Oberfläche des Keramikkörpers (1) hin zunehmend mit Indium oder Indium zusammen mit Gallium angereichert sind und zur Außenfläche der Kontaktbelegung (2) hin indium- bzw. indium-gallium-freies Silber (4) vorliegt.

2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anreicherung mit Indium oder Indium-Gallium zur Oberfläche des Keramikkörpers (1) hin erst höchstens von der halben Stärke der Kontaktbelegung (2) ab beginnt.

3. Widerstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Köntäktbelegung (2) zur Keramikoberfläche hin derart mit. Indium oder Indium-Gallium angereichert ist, daß an die Keramikoberfläche eine im. ,wesentlichen nur wenige MöiefcüÜägSii stärke Schicht (3) aus praktisch reinem Indium oder Indium-Gallium angrenzt.

4. Verfahren zur Herstellung eines Widerstandes mit Indium-Gallium enthaltender Kontaktbelegung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die. Oberfläche des KerarnikkÖrpSrs (i) Wenigstens irrt Bereich der anzubringenden Kontaktbelegungen (2) bei Raumtemperatur mit einer Indium-Gallium-Schicht in einer Schichtdicke von etwa 0,1 bis 10 μΓη oder darunter, vorzugsweise 3 μΐη, durch Bestreichen mit einem mit Indium-Gallium-Legierüüg getränkten Stoffgewebe, wie Kufiststöfffasern oder Filz, versehen wird, daß auf diese Schicht das Haftoxide enthaltende Einbrennsilberpräparat aufgetragen wird und daß dann der so vorbereitete Körper züiii Einbrennen der Köntaktbelegungen bei einer Temperatur zwischen 550 und 750° C in einem Zeitfäürii von i bis 45 Minuten einer Oxydierenden ,Atmosphäre unterworfen wird.

5. Verfahren nach .Anspruch. 4, .dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke durch Entfernen des die Keramikoberrläche nicht Benetzenden überschüssigen Metalls.,mittels eines nicht getränkten Gewebes öder Filzes eingestellt wird;

6. Verfahren zur Herstellung eines Widerstandes mit Indium enthaltender Kontaktbelegung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Oberfläche des Keramikkörpers (1) wenigstens im Bereich der anzubringenden Kontaktbelegungen (2) mit einer Indium-Schicht in einer Schichtdicke von etwa 0,1 bis 10 μΐη oder darunter, vorzugsweise 3 μΐη, unter Vermeidung des Einreibens festen Indiums versehen wird, daß auf diese Schicht das Haftoxide enthaltende Einbrennsilberpräparat aufgetragen wird und daß dann der so vorbereitete Körper zum Einbrennen der Kontaktbelegungen bei einer Temperatur zwischen 550 und 750° C in einem Zeitraum von 3 bis 45 Minuten einer oxydierenden Atmosphäre unterworfen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbrennen der Kontaktbelegungen bei einer Temperatur zwischen 550 und 600° C in einem Zeitraum von etwa 10 Minuten vorgenommen wird.

8. Verfahren nach Anspruch 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Einstellung des Kaltwiderstandes Indium-Gallium-Legierühg oder ^ Indium in einer Dicke von etwa 0,1 bis 1 jxm aufgetragen wird und das Einbrennen bei Temperaturen von 600 bis 750° C in oxydierender Atmosphäre während einer Zeitdauer von etwa 10 Minuten vorgenommen wird.

9. Verfahren nach Anspruch 4, 5, 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erhöhung des Kaltwiderstandswertes der fertiggestellte, mit