DE1489647A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1489647A1
DE1489647A1 DE19651489647 DE1489647A DE1489647A1 DE 1489647 A1 DE1489647 A1 DE 1489647A1 DE 19651489647 DE19651489647 DE 19651489647 DE 1489647 A DE1489647 A DE 1489647A DE 1489647 A1 DE1489647 A1 DE 1489647A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing part
carrier plate
thermal expansion
face
brazed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651489647
Other languages
English (en)
Inventor
Spickenreuther Dipl-El- Dieter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri France SA
Original Assignee
BBC Brown Boveri France SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri France SA filed Critical BBC Brown Boveri France SA
Publication of DE1489647A1 publication Critical patent/DE1489647A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Dr. Expl.
U89647
64/65 Hf/kn
Aktiengesellschaft Brown, Boveri 4 Cie., Baden (Schweiz)
•^" «53-S3 *^» ^^» SK^^E ^^ j^^ ϊΓϊ ^SS «ί? 535 !SB^™^ ΐΧ2*ΐ ΐ^ ^^ΐ ^»^ 3^ ^^535* 3X t^» 2lw*Sv *ET ^b?^S» ^2C *Sf Sflt^^^ ISp ΐ^* SS 3C> 3S5 ^S^ *^5 2ι3^3Ιϊ «3ΐ^ΐν «^— «3t a^* S^ 5^ b^C SE· ^C^ «5» ^3E 3hV
Halbleiteranordnung
Es ist bekannt, dass in einer Halbleiteranordnung die Wfichlotverblndung zwischen der Trägerplatte eines Halbleiterelementes und einem metallischen Gehäuseteil bei thermischer Wechselbeanspruchung hohen mechanischen Spannungen ausgesetzt ist. Der Orund liegt in der Verschiedenheit der thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Trägerplatte und des Oehäuseteils. Die Trägerplatte besteht meist aus Wolfram oder Molybdän, da diese Metalle etwa den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie der mit der Trägerplatte verbundene Halbleiterkristall (z.B. Silizium) haben. Der Gehäuseteil dagegen besteht aus Gründen hoher Wärmeleitfähigkeit meist aus Kupfer.
Es sind Halbleiteranordnungen bekannt geworden, bei welchen co
<=> die Trägerplatte mit dem Gehäuseteil hart verlötet ist. Nach-
cj teilig ist bei der Herstellung solcher Halbleiteranordnungen in
^* vor allem der hohe Schmelzpunkt des Lotes, bei welchem eine ο
(J1 Beschädigung des Halbleiterkristalls schwer zu vermeiden 1st. In einem bekannten Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-
- 2 - ' 64/65
U89647
anordnung wird dieser Nachteil dadurch umgangen, dass auf den Gehäuseteil eine Auflage hart aufgelötet wird, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient etwa gleich demjenigen der Trägerplatte des Halbleiter-elementes ist. In einem weiteren Verfahrensschritt wird die Auflage mit der Trägerplatte durch eine Weichlötung verbunden. Bei thermischer Wechselbeanspruchung der Anordnung liegen die mechanischen Spannungen in der Lotschicht zwischen Gehäuseteil und Auflage. Da das Hartlot eine gute Festigkeit besitzt, ist auch die Lastwechselfestigkeit der Lotverbindung gut. Nachteilig ist dagegen, dass die Auflage, die wie die Trägerplatte aus Molybdän oder Wolfram besteht, eine geringere Wärmeleitfähigkeit als Kupfer hat und deshalb die thermischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung verschlechtert.
Es ist schliesslich eine Halbleiteranordnung bekannt geworden, bei welcher die Wärmeausdehnung des aus Kupfer bestehenden Gehäuseteils dadurch verkleinert ist, dass d«r einen kreisförmigen Querschnitt aufweisende Gehäuseteil von einem Ring umspannt ist, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient kielner als derjenige des Gehäuseteils 1st und der beispielsweise aus Wolfram besteht. Der Ausdehnungskoeffizient des Gehäuseteils ist dann etwa gleich demjenigen des Ringes, so dass die Trägerplatte des Halbleiterelementes durch Weichlötung mit dem Gehäuseteil verbunden werden kann. Nachteilig an dieser Anordnung ist die Gefahr, dass die starken, im Gehäuseteil auftretenden mechanischen Spannungen zu plastischen Deforma-
909835/0453
U89647 64/65
tlonen des Oehäuseteils führen können, wodurch eine Beschädigung der Weichlotschicht hervorgerufen wird.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, bei welcher das eine scheibenförmige Trägerplatte aufweisende Halb- leitereleroent durch Lötung grossflächig mit einem ebenen, metallischen Gehäuseteil verbunden 1st, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient verschieden von demjenigen der Trägerplatte ist, und bei welcher der Gehäuseteil mit einer hart angelöteten Auflage versehen 1st, die etwa den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die Trägerplatte hat. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage eine in den Gehäuseteil eingelassene und mit ihm auf der einen Stirnseite hart verlötete Ringscheibe ist, deren ausserer Durchmesser angenähert gleich dem Durchmesser der Trägerplatte 1st und deren andere, in der gleichen Ebene wie die der Trägerplatte zugekehrte Fläche des Gehäuseteils liegende Stirnseite zusammen mit der Fläche des Gehäuseteils mit der Trägerplatte durch Weichlot verbunden ist.
Anhand der Zeichnung, in welcher eine Halbleiteranordnung mit Ausnahme der das Gehäuse schliessenden Teile beispielsweise gezeigt ist, soll die Erfindung näher erläutert werden.
Mit 1 1st eine im wesentlichen einkristalline Siliziumscheibe bezeichnet, die durch Einlegieren einer Gold-Antimon-Folle in gewünschter Weise zur Erzeugung eines pn-Ueberganges dotiert und kontaktiert worden ist. Durch eine Weichlotschicht
909835/CU53
.4- ^89647
ist der v'oldkontakt 2. mit der Molybdänschelbe 4 verbunden, auf welch η seinerseits eine einseitig geschlossene KupferhUlse 6 mittels der Lotschicht 5 hart verlötet ist. Die Molybdänscheibe IJ, die die Durchbiegung des Hülsenbodens -verbindet, ist mit einer Lotschicht 14 hart auf den inneren Boden der Hülse 6 verlötet. In die Hülse 6 ist die Kupferlitze 7 als Stromzuführung eingepresst.
Die Unterseite des Halbleiterkristalls 1 let mit einer aus Molybdän bestehenden Trägerplatte 8 versehen. Zur Strom- und Wärmeableitung dient der aus Kupfer bestehende, in einen Kühlkörper einschraubbare Gehäueeboclen 9· *n seinem oberen Teil ist der Gehäuseboden 9 mit einer Andrehung versehen, in welche die ebenfalls aus Molybdän bestehende Ringscheibe 10 eingelassen ist. Die eine Stirnseite der Ringscheibe 10 ist mit dem Gehäuseboden 9 hart verlötet, was durch die Hartlotschicht 11 verdeutlicht ist. Die andere Stirnseite der Ringscheibe und die der Trägerplatte 8 zugekehrte Fläche des Gehäusebodens 9 Hegen in einer Ebene. Sowohl Stirnseite der Ringscheibe 10 wie auch die Fläche des Gehäusebodens sind mit der Trägerplatte durch das Weichlot 12 verbunden. Die übrigen, in bekannter Weise zum gasdichten Verschliessen des Gehäuses. vorgesehenen Teile sind nicht eingezeichnet.
Bei der beschriebenen Anordnung ist derjenige Bereich des Gehäuseteils, in welchem bei thermischer Wechselbeanspruchung die Ausdehnungen verhältnismässig klein sind,nämlich der um
909835/0453
H89647 W/C9
das Zentrum liegende Bereich, durch eine Weichlotschicht direkt mit dem Halbleiterelement verbunden. Dadurch wird ein guter Wärmeübergang erzielt, ohne dass in der Wdchlotschicht nachteilig grosse mechanische Spannungen auftreten. In den Bereichen grosser Wärmeausdehnung, nKnlich in grösserer Entfernung vom Zentrum, sind die mechanischen Spannungen in die Hartlotschicht zwischen Ringscheibe und Gehäuseteil verlegt, so dass an dieser Stelle die Weichlotschicht ebenfalls nicht beansprucht ist. Da die Auflage ringförmig 1st, ist der Wärmeübergang über die ganze Verbindungsfläche zwischen Halbleiterelement und Gehäuseteil gesehen nur geringfügig.
Zur Herstellung einer Anordnung nach der Erfindung wird beispielsweise wie folgt verfahren*
Ein Gehäuseboden aus Kupfer wird mit einer Andrehung von 10,5 Durchmesser und 1,1 mm Höhe versehen. Eine Ringscheibe aus Molybdän mit einem äusseren Durchmesser von 21 mm, einem inneren Durchmesser von 11 mm und einer Dicke von 1 mm, die auf beiden Stirnseiten vernickelt und verkupfert worden ist, wird zusammen mit einer Folie aus 72 % Silber und 28 % Kupfer über die Andrehung gelegt. In einer Wasserstoffatmosphäre wird die Stirnseite der Ringscheibe mit dem Gehäuseboden bei 800°C verlötet. Nach dem Abkühlen wird der Gehäuseboden in einer Lehre plan gepresst, so dass die obere Stirnseite der Ringscheibe und die Fläche der Andrehung in einer Ebene liegen. Anschliessend wird zum Abbau der beim Pressen entstandenen inneren Spannungen unter
909835/0453 bad original
U89647
- 6 - 64/65
Schutzgas ,während etwa 2 Stunden eine Temperieruiig bei .53O0C vorgenommen, wobei die Abkühlung mit etwa 2o°C/fiir;ute erfolgt.
Die Trägerplatte aus Molybdän des Halbleiterelementes, die mit einem legierten Siliziumkristall verbunden ist unüdle einen Durchmesser von beispielsweise 20 mm bei einer Dicke von 0,75 mm aufweist, wird hierauf mit der Fläche der Andrehung und mit der oberen Stirnseite der Ringscheibe verlötet. Hierzu wird als Lot eine Folie aus 80 % QoId und 20 <$> Zinn vei-wendet. Die Verlötung wird unter Schutzgas bei etwa 300 C vorgenommen.
Die Kontaktierung des legierten Siliziumkristalls mit einer flexiblen Kupferlitze und das Versohllessen des Gehäuses werden in bekannter tfeise vorgenommen.
BAD OBiGiNAL
909835/0453

Claims (1)

  1. Patentanspruch
    Halbleiteranordnung, bei welcher das eine scheibenförmige Trägerplatte aufweisende Halbleiterelement durch Lötung grossflächig mit einem ebenen metallischen Gehäuseteil verbunden ist, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient verschieden von demjenigen der Trägerplatte ist, und bei welcher der Gehäuseteil mit einer hart angelöteten Auflage versehen ist, die etwa den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die Trägerplatte hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage eine in den Gehäuseteil eingelassene und mit ihm auf der einen Stirnseite hart verlötete Ringscheibe ist, deren Husaerer Durchmesser· angenähert gleich dem Durchmesser der Trägerplatte ist und deren andere, in der gleichen Ebene wie die der Trägerplatte zugekehrte Fläche des Gehäuseteils liegende Stirnseite zusammen mit der Fläche des Gehäuseteils mit der Trägerplatte durch Weichlot verbunden ist.
    Aktiengesellschaft BROWN, BOVERI 4 CIE
    BAD ORIGINAL 909835/0A53
    Leerseite
DE19651489647 1965-06-24 1965-08-09 Halbleiteranordnung Pending DE1489647A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH889765A CH423997A (de) 1965-06-24 1965-06-24 Halbleiteranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1489647A1 true DE1489647A1 (de) 1969-08-28

Family

ID=4345995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651489647 Pending DE1489647A1 (de) 1965-06-24 1965-08-09 Halbleiteranordnung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3416048A (de)
AT (1) AT254987B (de)
CH (1) CH423997A (de)
DE (1) DE1489647A1 (de)
GB (1) GB1084939A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0005020A1 (de) * 1978-04-13 1979-10-31 LUCAS INDUSTRIES public limited company Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem metallischen Bauteil und einer metallischen Litze

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1935143C3 (de) * 1969-07-11 1975-04-17 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg Hartlotverbindung bei Halbleiter-Bauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US3749347A (en) * 1971-09-02 1973-07-31 Angstrohm Precision Inc Mounting element for electrical components
US5177590A (en) * 1989-11-08 1993-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having bonding wires
DE102004018250A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE577086A (de) * 1958-04-03 1900-01-01

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0005020A1 (de) * 1978-04-13 1979-10-31 LUCAS INDUSTRIES public limited company Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem metallischen Bauteil und einer metallischen Litze

Also Published As

Publication number Publication date
CH423997A (de) 1966-11-15
GB1084939A (en) 1967-09-27
AT254987B (de) 1967-06-12
US3416048A (en) 1968-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4321053C2 (de) Druckkontaktierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer druckkontaktierten Halbleitervorrichtung
CH652533A5 (de) Halbleiterbaustein.
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE1241536B (de) In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung
EP0520294A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1589854B2 (de) Halbleitergleichrichter
DE3421672C2 (de)
DE1489647A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1514643A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3044514A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1439923A1 (de) Halbleiteranordnung
DE68921681T2 (de) Flache Halbleiteranordnung vom Druckkontakt-Typ.
DE1083936B (de) Elektrische Halbleitervorrichtung fuer groessere Leistungen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
DE1539638B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1029936B (de) Legierungs-Verfahren zum Herstellen von p-n-Schichten
DE2238569B2 (de) Verfahren zum loeten einer halbleiterplatte
DE2729074C2 (de) Anordnung für ein gekapseltes Halbleiterschaltungsplättchen und Verfahren zu deren Herstellung
DE1539111B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1151324B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1951128B2 (de) Halbleiteranordnung
DE1903082A1 (de) Halbleiterelement
DE2161945C3 (de) Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers auf einem Träger durch Löten
DE3736671C1 (en) Method for producing semiconductor components
AT232132B (de) Halbleiteranordnung
AT226327B (de) Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses an einer Halbleiteranordnung