DE1489130C - Verfahren zum Herstellen einer lichtelektrischen Speicherelektrode für eine Fernsehaufnahmeröhre - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen bracht, wobei sich eine stabile p-n-Bindung bildet,

einer lichtelektrischen Speicherelektrode für eine Bei dem bekannten photoelektrischen Element gemäß

Fernsehaufnahmeröhre, bei dem auf eine mit einer der französischen Patentschrift liegt dagegen lediglich

leitenden durchsichtigen Grundschicht versehene Glas- ein Ag-Mosaik vor.

platte eine Bleioxydschicht und darüber eine Chal- 5 Die lichtelektrischen Speicherelektroden von Fern-

cogenschicht aufgedampft wird. sehaufnahmekameras müssen hohen Anforderungen

Es ist bekannt, daß lichtelektrisch leitende Materia- hinsichtlich Empfindlichkeit, :Ansprechgeschwindig-

lien, deren elektrische Leitfähigkeit in Abhängigkeit keit und Gleichförmigkeit genügen. Diese Eigen-

von der einfallenden Lichtstärke schwankt, auf die schäften sind für die verschiedenen verwendeten

lichtelektrischen Speicherelektroden von Fernsehauf- io lichtelektrisch leitenden Materialien weitgehend unter-

nahmekameras auf bringbar sind, uni optische'Bilder schiedlich. Überdies können sich diese Merkmale für

in eine Reihe elektrischer Signale umzuwandeln. ein bestimmtes Material in Abhängigkeit von den

Als lichtelektrisch leitende Materialien sind einige Herstellungsbedingungen, einschließlich des Aufdamp-

Elemente sowie eine große Anzahl chemischer Ver- . fungs- und Wärmebehandlungsverfahren, wesentlich

bindungen bekannt, wie z. B. die Sulfide, Selenide, 15 verändern.

Oxyde usw. von zahlreichen Metallen, jedoch sind nur Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines wenige von diesen als verhältnismäßig zufrieden- Verfahrens zum Herstellen einer lichtelektrischen stellend für die Verwendung in lichtelektrisch leitenden Speicherelektrode für Fernsehaufnahmeröhre unter Auftreffplatten der Abtaströhren von Fernsehauf- Verwendung von Bleimonoxyd als wirksamen Bestandnahmekameras bekannt. Eines dieser wenigen be- 20 teil, wobei die Schwierigkeit in der Fertigung auf kannten Materialien ist Bleimonoxyd (PbO). Grund der chemischen Unbeständigkeit von Blei-

In der USA.-Patentschrift 3 003 075 ist ein infrarot- monoxyd beträchtlich verringert ist.

empfindliches photoelektrisches Element beschrieben, Die Besonderheit des erfindungsgemäßen Vef-

bei welchem die Komplexreaktionsprodukte von fahrens besteht darin, daß auf die auf 100 bis 160⁰C

Bleioxid, Schwefel und Sauerstoff als lichtempfindliche 25 erwärmte, mit der Bleioxydschicht versehene Glasplatte

Masse verwendet werden. Gemäß F i g. 2 der USA.- eine Chalcogenschicht und hierauf eine Silberschicht

Patentschrift wird ein PbO — S_:— PbO-Mehrschich- durch thermische Zersetzung eines Silberchalcogenids

tenverbund als eine Ausführungsform dieses Elements niedergeschlagen wird.

darstellt. Das Brennen des Elements erfolgt an der Die Erfindung wird nun an Hand einer Querschnitt-Luft (bei atmosphärischem Druck), so daß sich eine 3° ansicht einer erfindungsgemäß hergestellten lichtstabile p-Schicht auf der Oberfläche des Elements elektrischen Speicherelektrode weiter erläutert,
bildet und p-n-Bindungen zwischen der Oberfläche Bleimonoxyd zeichnet sich durch einen hohen und dem Innern entstehen. Bei diesem Verfahren sind elektrischen Dunkelwiderstand, eine große Empfinddrei Brennstufen erforderlich, was sich nächteilig auf lichkeit im Bereich der kurzen Wellenlängen eindie Wirtschaftlichkeit auswirkt. Ferner ist die chemi-. 35 schließlich des sichtbaren Bereichs und eine verhältnissche Stabilität dieses Elements geringer als bei einem mäßig hohe Ansprechgeschwindigkeit auf eine schnelle ■ Element auf Ag-Basis wie bei der Erfindung. Veränderung der einfallenden Lichtstärke aus.

Das erfindungsgemäße lichtempfindliche Element Andererseits ist Bleimonoxyd chemisch verhältnisbesteht aus einer Schicht aus PbO- Ss Ag (S = Chal- mäßig unbeständig. So absorbiert beispielsweise cogen). Die lichtempfindliche Schicht bei dem erfin- 40 Bleimonoxyd in der Luft selbst bei Raumtemperatur dungsgemäßen Element besteht aus einer PbO-Schicht, leicht Wasserdampf und Kohlendioxyd und wandelt und die S-Schicht wird auf die Oberfläche der PbO- es in Bleihydroxycarbonat (PbCO₃ · Pb[OH]₂) um. Schicht aufgebracht, wobei n-p-Bindungen an der . Durch diese Unbeständigkeit des Bleimonoxyds ist es Grenzfläche zwischen der S-Schicht und der PbO- schwierig, eine lichtelektrische Speicherelektrode zu Schicht gebildet werden. Versuche ergaben, daß die 45 schaffen, die nur aus Bleimonoxyd besteht,
chemische Stabilität der n-p-Bindungen bei einer Gemäß der Erfindung wird ein Silberfilm aufge-PbO — S-Schicht schwächer waren, weshalb eine dampft, um eine derartige drastische Veränderung in Silberschicht angewendet wurde. Diese S-Schicht und der chemischen Zusammensetzung des Bleimonoxyds, Ag-Schicht wurden durch Verdampfen, von AgS die durch den Einfluß der Umgebungsluft und von gebildet. In dieser Verdampfungsstufe wird das AgS 5° Wasserdampf verursacht wird, auszuschalten,
zersetzt, und geeignete Mengen S und Ag werden ver- Grundsätzlich hängen die elektrischen Eigendampft und wandern an die Oberfläche der PbO- schäften des Bleimonoxyds von dessen chemischer Schicht, wodurch ein lichtempfindliches Element mit Zusammensetzung ab; so ist beispielsweise das guten Eigenschaften erhalten wird. . elektrische Dunkelleitvermögen durch die Abweichung . Aus der französischen Patentschrift 1 000 716 ist 55 von der chemischen Stöchiometrie bestimmt und ist ein aus einer CdS-Schicht und Ag-Teilchen bestehendes bei einer stöchiometrischen Zusammensetzung miniphotoelektrisches Element bekannt. Die Geschwindig- mal. Enthält Bleimonoxyd Sauerstoffatome im Überkeit des Ansprechens von CdS ist wesentlich geringer schuß, dann entstehen auf Grund von Bleiionenleerals bei PbO. Bei diesem bekannten Verfahren wird stellen oder nichtstöchionietrischen Sauerstoffionen eine CdS — Ag-Schicht hergestellt, indem man Ag als 60 freie Löcher, während bei einem Überschuß an Blei-Überzug auf CdS aufbringt, wobei eine CdS — Ag- atomen im Bleimonoxyd durch die Sauerstoffionen-Bindung entsteht. Demgegenüber besteht die Bindung leersteilen oder die nichtstöchiometrischen Bleiionen bei dem erfindungsgemäßen Photoelement aus einer freie Elektronen auftreten, wobei das Bleimonoxyd (PbO — PbO„ · S(! ,,)—S ξ Ag-Schicht. Die Bin- dann eine p- bzw. η-Leitfähigkeit aufweist,
dung besteht also aus einer sogenannten p-n-Bindung, 65 Darüber hinaus hängen in einer aufgedampften welche aus zwei Halbleitern besteht. Bei dem erfin- Schicht deren elektrische Eigenschaften mehr von der dungsgemäßen photoelektrischen Element wird das Oberfläche als vom Innern ab sowie den Bedingungen Chalcogen auf die Oberfläche der PbO-Schicht aufge- der die Bleimonoxydschicht bildenden Kristallparti-

3 ' ■ . 4

kein, dem Kontakt an den Übergangsstellen zwischen desorbierte Sauerstoff wieder teilweise oder gänzlich

diesen Partikeln usw.■■"■■>■■■ - ·-^: ·■ vom Bleimonoxyd adsorbiert. Diese Tatsache steht

Sind diese Partikeln von Sauerstoff umgeben, dann in einem bestimmten Zusammenhang mit der soge-

wi'rd dieser unter einem bestimmten oberhalb des nannten Bildkonservierung und dem anormal lang-

Ausgleichsdrucks liegenden Druck an den Partikel- 5 samen Ansprechvermögen oder der Nacheilung, die

oberflächen adsorbiert und/oder absorbiert, und auf bei Abtaströhren von Fernsehaufnahmekameras unter

diese Weise nehmen die Oberflächenbereiche der Verwendung von Bleimonoxyd oft zu beobachten sind.

Partikeln im Vergleich zum Innern mehr die p-Art Gemäß der Erfindung wird ein Film aus einem

an. Folglich bilden sich in n-Kristallpartikeln in der Chalcogen und/oder Silberchalcogeniden auf die

Nähe der Oberflächenbereiche p-n-Ubergangsstellen, io Bleimonoxydschicht aufgedampft, um die Nachteile

und folglich weist die - Bleimonoxydschicht' einen auf Grund einer Sauerstoffadsorption und-desorption

offensichtlich sehr hohen Widerstand auf. Nachstehend an den Oberflächen der Bleimonoxydkristallpartikeln

ist eine dementsprecheride umfassende "Erläuterung auszuschalten,

gegeben. ' . Unter Bezugnahme auf die Zeichnung ist nach-

Wird die Verdampfung unter einem hohen Vakuum 15 stehend eine Ausführungsform beschrieben, bei der oder in einer Sauerstoff atmosphäre mit niedrigem sowohl für den Schwefel- als auch den Silberfilm als Druck durchgeführt, dann wird das Bleimonoxyd Dampfquelle Silbersulfid verwendet ist. während der Verdampfung gespalten und nimmt an ' ₁ Sauerstoff ab. Folglich neigen die Kristallpartikeln Auslunrungstorm 1 zum Zeitpunkt der Spaltung dazu, einen Überschuß 20 Die Glasplatte 2 mit einer transparenten, elektrisch an Bleiatomen zu enthalten, und weisen die sogenannte leitenden Beschichtung 1 wurde auf 100⁰C erhitzt und η-Leitfähigkeit auf. Nach dem Zersetzen können die bei dieser Temperatur gehalten, · und in einer Sauer-Kristallpartikeln etwas von dem Umgebungssauerstoff Stoffatmosphäre von etwa 10~³ mmHg wurde Bleiadsorbieren, der selbst bei hohem Vakuum vorliegen monoxyd auf einem Platinschiffchen erhitzt und verwürde, und die Kristalloberflächen können auf natür- 25 dampft, um Bleimonoxyd auf die Beschichtung 1 liehe Weise eine Sauerstoffüberschußbedingung er- abzulagern, so daß eine Schicht 3 mit einer Stärke halten. Die Sauerstoff Überschußbedingung an den von rund 20 Mikron entsteht. Anschließend, und zwar Oberflächen der Kristallpartikeln kann auch künstlich ebenfalls in einer Sauerstoff atmosphäre von etwa erzielt werden, indem vermittels einer Wärmebehand- 10~³mmHg, wurde die Bleimonoxydschicht 3 ungelung eine Sauerstoffadsorption bewirkt wird. An den 30 fähr 30 Minuten lang auf eine Temperatur zwischen Oberflächen der Kristallpartikeln wird auf diese Weise 300 und 330⁰C erhitzt. Die auf diese Weise erhaltene eine sogenannte p-Leitfähigkeit geschaffen. Aus diesem Schicht 3 bestand aus winzigen Bleimonoxydkristall-Grund wird angenommen, daß die Sauerstoffkonzen- partikeln mit einer Partikelgröße von einem Bruchteil tration fortlaufend zwischen dem η-Kern und der eines Mikron. Ein etwas Silber enthaltender Schwefelp-Hülle jedes Kristallpartikels schwankt. Somit liegt 35 film 4 und ein etwas Schwefel enthaltender Silberfilm 5 der sogenannte stöchiometrische Bereich des maxi- wurden anschließend nacheinander vermittels Vakuummalen spezifischen Widerstands neben der Oberfläche Aufdampfung auf die Bleimonoxydschicht 3 aufgedes Partikels, die den η-Kern mit niedrigem spezi- bracht.

fischerei Widerstand einschließt. Es besteht kein Zweifel Genauer gesagt, die einer Wärmebehandlung unter-

darüber, daß von Hüllen mit hohem Widerstand um- 40 zogene Bleimonoxydschicht 3 wurde bei 120⁰C gehal-

schlossene Kerne nicht wesentlich zu einer elektrischen ten, und die Temperatur des auf einem Platinschiffchen

Leitfähigkeit der Schicht beitragen können, während befindlichen Siibersulfids, das gegenüber der Schicht 3

der Leitkreis (conduction circuit) aus Serien von angeordnet war, wurde allmählich erhöht. Als die

Hüllen mit hohem Widerstand gebildet ist. Daraus Temperatur etwa 950⁰C erreicht hatte, zersetzte sich

läßt sich folgern, daß das Vorhandensein von Sauer- 45 das Silbersulfid plötzlich und bildete einen etwas Silber

stoff oder anderen Akzeptoren (p-Verunreinigungen) enthaltenden Schwefelfilm 4 auf der Oberfläche der

notwendig ist, um den für eine lichtelektrische Speicher- Bleimonoxydschicht 3, und anschließend wurde ein

elektrode benötigten hohen Widerstandswert zu erzie- etwas Schwefel enthaltender Silberfilm 5 aufgeformt,

len. , Es wurde besonders auf die Möglichkeit geachtet,

Falls jedoch der adsorbierte Sauerstoff als Akzeptor 50 daß einige der Schwefelatome zu einem gewissen Grad

verwendet wird, hat der adsorbierte Sauerstoff, da die in der Bleimonoxydschicht 3 diffundieren und an den

lichtelektrische Speicherelektrode in einem Vakuum- Oberflächen der Bleimonoxydkristallpartikeln adsor-

behälter als Teil der Abtaströhre der Fernsehaufnahme- biert werden könnten. Wenn das Platinschiffchen

kamera verschlossen wird, das Bestreben, aus den Ober- 30 mm von der Bleimonoxydschicht entfernt gehalten

flächen der Bleimonoxydkristallpartikeln zu desor- 55 und rund 2 mg Silbersulfid zur Verdampf ung verwendet

bieren, und deren elektrische Leitfähigkeit wird wurde, betrug die Dicke des Schwefelfilms 4 und des

beeinträchtigt. Insbesondere, wenn die Kameraröhre Silberfilms 5 ungefähr einige zehn Ä bzw. einige

. gerade in Betrieb ist, verbindet sich ein Teil der durch hundert Ä. ·> ■

das Licht in der Bleimonoxydschicht erzeugten Löcher, In der lichtelektrischen Speicherelektrode gemäß der

die in Richtung auf. die Oberfläche der durch das an 60 Erfindung kann der in der Ausführungsform 1

die Schicht gelegte elektrische Feld ein negatives bsschriebene Film 4 aus einem Element bestehen, das

Potential aufweisenden Bleimonoxydschicht treiben aus einem der Chalcogen-Elemente Schwefel, Selen

auf ihrem Weg mit dem an den Kristallpartikeln im und Tellur oder aus einer Kombination dieser. EIe-

Zustand eines negativen Ipns adsorbierten Sauerstoff, mente besteht, wie Schwefel/Selen, Schwefel/Tellur,

und folglich wird der adsorbierte Sauerstoff elektrisch 65 Selen/Tellur und Schwefel/Selen/Tellur. Ein kleiner

neutral und verliert sein elektrisches Bindevermögen, ' Teil des Chalcogenfilms 4 besteht chemisch aus

so daß eine Desorption stattfindet. Nachdem das Licht Bleichalcogenid und Silberchalcogenid. Darüber hinaus

und/oder das elektrische Feld aufgehoben ist, wird der gibt es andere Arten zur Erzielung des Films 4. So

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wird zur Erzielung eines vorstehend beschriebenen seits die Bleimonoxydschicht selbst während einer Schwefelfilms 4 eine spaltbare Verbindung, wie z. B. , kurzen Zeitdauer bei der Silberverdampfung oberhalb Silbersulfid, verwendet. ■■." .'■■■. 16O⁰C gehalten wird, werden die Zusammensetzung

In der lichtelektrischen Speicherelektrode mit, dem und der Aufbau der Bleimonoxydschicht verändert, vorstehend beschriebenen Aufbau gemäß der Erfindung 5 und überdies diffundiert das auf diese Weise abgeschützt der aufgedampfte Silberfilm 5 die Bleimonoxyd- lagerte Silber schnell durch den Film 4 in die Bleischicht 3 vor unmittelbarem Kontakt mit der Außen- monoxydschicht.

luft und dient als Schutzschicht, wodurch jede blei- Wie vorstehend beschrieben, besteht. die licht-

bende Veränderung der Natur der Bleimonoxydschicht elektrische Speicherelektrode gemäß der Erfindung 3 auf Grund von Adsorption und/oder Adsorption io aus einem Chalcogenfilm, der zwischen eine Bleimonschädlicher Gase minimal gehalten wird, die aus einer oxydschicht und einen Silberfilm eingebracht ist. Bei Elektronenkanone stammen oder während der Ferti- einer derartigen. Anordnung sind die Merkmale der gung einer Kameraröhre vorliegen, z. B. während der lichtelektrischen Speicherelektrode natürlich auf Grund Montierung der Elektronenkanone oder des Luftleer- der unterschiedlichen Natur des Chalcogenfilms machens der Röhre. 15 anders.

Weiterhin schützen in der erfindungsgemäß herge- Ausführungsform 2

stellten lichtelektrischen Speicherelektrode zweiwertige

Chalcogenatome, die wahrscheinlich als Akzeptor für Die Verdampfung und Wärmenachbshandlung einer

Verunreinigungen wirken, ähnlich wie der Sauerstoff, Bleimonoxydschicht 3 wurde auf gleiche Weise durchda ihre Wertigkeit die gleiche ist wie Sauerstoff, die 20 geführt wie in der Ausführungsform 1 beschrieben. Bleimonoxydknstallpartikeln, die den Oberflächenteil Anschließend wurde durch Vakuumaufdampfen ein der Bleimonoxydschicht bilden, an der die Adsorption Selenfilm 4 auf die Bleimonoxydschicht 3 aufgeformt, und Desorption in einem Höchstmaß stattfinden kann, die während der Selenaufdampfung bei 120⁰C ge- und diese Chalcogenatome bleiben beständiger auf halten wurde. Darauf wurde ein dünner Silberfilm den Oberflächen der Bleimonoxydkristallpartikeln 25 auf den Selenfilm aufgedampft, während die Unterlage als die Sauerstoffatome, wodurch vermittels des bei einer Temperatur von ungefähr 120⁰C gehalten Chalcogens stabile p-Bereiche an den Oberflächenteilen wurde. In diesem Fall wurde ein Gemisch aus 0,3 mg d;r Kristallpartikeln erzielbar sind. Demzufolge ist das Selen und 1,2 mg Silber auf einem Platinschiffchen vorstehend beschriebene langsame Ansprechen oder erhitzt, indem das Schiffchen mit einem allmählich Nacheilen auf Grund" der photochemischen Verän- 30 ansteigenden Heizstrom beheizt wurde
derung während des Betriebs der lichtelektrischen Der Selenfilm überdeckte die Bleimonoxydschicht

Speicherelektrode durch das Licht und elektrische dichter als der Schwefelfilm, wodurch sich auf Grund Feld beträchtlich gemildert. einer geringeren Veränderung des Sauerstoffgehalts

Obgleich einwertige Silberatome ebenfalls als eine der Bleimonoxydschicht eine geringere Veränderung Art Akzeptor für Verunreinigungen in der Bleimon- 35 im Dunkelstrom der Auftreffplatte ergab,
oxydschicht wirken und man von ihnen erwartet, daß _A' '

sie auf gleiche Weise wirken wie bei Chalcogen be- Ausfuhrungsform 3

schrieben, weisen sie das Bestreben auf, daß sie leicht Die Verdampfung und Wärmenachbehandlung einer

diffundieren und die gesamte Menge Bleimonoxyd- Bleimonoxydschicht wurde auf gleiche Weise durchkristallpartikeln zur p-Art machen. Folglich ist die 40 geführt wie in Ausführungsform 1. Ein Film 4 aus Verwendung von Silber allein nicht bevorzugt. Ergeb- Tellur wurde durch Erhitzen von 0,3 mg Tellur auf nisse haben gezeigt, daß beim unmittelbaren Auf- einem Molybdänschiffchen aufgedampft, während die dampfen von Silber auf die Bleimonoxydschicht ein Unterlage bei einer Temperatur von rund 180⁰C zufriedenstellend schnelles Ansprechvermögen erzielt gehalten wurde. Anschließend wurde ein dünner wird, jedoch ist die Empfindlichkeit bemerkenswert 45 Silberfilm auf den bei 120⁰C gehaltenen Tellurfilm 4 niedrig, und der Dunkelstrom nimmt innerhalb einer aufgedampft.

kurzen Betriebszeit schnell zu. Dies ist einer der Die auf diese Weise erhaltene lichtelektrische

Gründe dafür, warum der Chalcogenfilm 4 notwen- Speicherelektrode zeigte eine höhere Empfindlichkeit digerweise zwischen die Bleimonoxydschicht 3 und gegenüber Rotlicht. !' ',::;--' v;"^;?:· V'."' den Silberfilm 5 eingebracht wird. 50 .' ■_ "'·'■' . . -

Es hat sich herausgestellt, daß bei Aufrechterhaltung : Ausfuhrungsform 4 · , _;. ,. .

der Bleimonoxydschicht während des Aufdampfens Die Aufdampf ung und Wärmenachbehandlung

des Silbers bei einer Temperatur zwischen lOO und einer Bleimonoxydschicht wurde auf gleiche Weise 160°C, vorzugsweise bei rund 120°C, der erzielte durchgeführt wie in der Ausführungsform 1? Die dünne Film 5 aus feinen Silberpartikeln gebildet wird 55 Filme 4 und 5 wurden durch Verdampfen eines Ge- und ein hoher elektrischer Widerstand zwischen den misches aus 0,3 mg Selen und 1,2 mg Silbersulfid auf ,Partikeln vorliegt, und folglich besteht keine Gefahr, einem Platinschiffchen erzielt, während die Unterlage daß das für die Fernsehkameraröhren notwendige Bild- bei einer Temperatur von etwa 120⁰C gehalten wurde, auflösungsvermögen beinträchtigt wird. Gegenüber Durch allmähliches Erhitzen des Gemisches wurde

den schädlichen Gasen, die durch die Silberpartikel- 60 ein Selenfilm auf die Bleimonoxydschüht aufgedampft, Zwischenraums dringen könnten, dient der Film aus das Silbersulfid gab beim Zersetzen Schwefel ab, und Chalcogen und/oder Chalcogeniden 4 als zusätzlicher das zsrsetzte Silber wurde auf den Film 4, der aus Schutzfilm. Falls die Bleimonoxydschicht während der Selen und Schwefel bestand, aufgedampft.
Silberaufdampfung unterhalb 100⁰C gehalten wird, Die erhaltene lichtelektrische Speicherelektrode

sind die gebildeten Silberpartikeln so winzig, daß der 65 zeigte zufriedenstellende Empfindlichkeit, Ansprech-Silberfilm zu dicht wird, und daraus ergibt sich ein geschwindigkeit und Auflösevermögen,
niedriges Bildauflösungsvermögen auf Grund eines Zur Bildung des Films 4 können auch Gemische aus

verminderten seitlichen Widerstands. Wenn anderer- z. B. Selen/Tellur oder Schwefel/Sebn/Teüur ver-

wendet und hierbei lichtelektrische Speicherelektroden mit zufriedenstellenden Eigenschaften hergestellt werden.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Verfahren zum Herstellen einer lichtelektrischen Speicherelektrode für eine Fernsehaufnahmeröhre, bei dem auf eine mit einer leitenden durchsichtigen

   Grundschicht versehene Glasplatte eine Bleioxydschicht und darüber eine Chalcogenschicht aufgedampft wird,dadurch gekennzeichnet, daß auf die auf 100 bis 16O⁰C erwärmte, mit der Bleioxydschicht versehene Glasplatte eine Chalcogenschicht und hierauf eine Silberschicht durch thermische Zersetzung eines Silberchalcogenids niedergeschlagen wird.

   Hierzu 1 Blatt Zeichnungen