DE1464633B2 - Doppelbasisdiode - Google Patents

Doppelbasisdiode

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DE1464633B2
DE1464633B2 DE19631464633 DE1464633A DE1464633B2 DE 1464633 B2 DE1464633 B2 DE 1464633B2 DE 19631464633 DE19631464633 DE 19631464633 DE 1464633 A DE1464633 A DE 1464633A DE 1464633 B2 DE1464633 B2 DE 1464633B2
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base electrode
junction
semiconductor body
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Tage Peter Liverpool. N.Y. Sylvan (V.StA.)
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General Electric Co
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Description

Die Erfindung geht aus von einer aus der USA.-Patentschrift 29 93 126 bekannten Doppelbasisdiode, bei der die eine Basiselektrode einen kleinflächigeren Kontakt mit dem Halbleiterkörper eines Leitungstyps als die andere Basiselektrode aufweist, deren Halbleiterkörper einen Emitter-pn-Übergang aufweist, der von den beiden Basiselektroden ungleich weit entfernt ist, und bei der der Teil des Halbleiterkörpers zwischen dem Emitter-pn-Übergang und der kleinflächigeren Basiselektrode einen größeren Widerstand für einen Strom zwischen den beiden Basiselektroden ohne Be-
ao rücksichtigung der Injektion von Minoritätsladungsträgern von dem Emitter-pn-Übergang in diesen Teil des Halbleiterkörpers aufweist, als der Teil des Halbleiterkörpers zwischen dem Emitter-pn-Übergang und der großflächigeren Basiselektrode.
Doppelbasisdioden werden in der englischen Sprache häufig als »Unijunction«-Transistoren bezeichnet.
Die eine Basiselektrode ist bei den bekannten Doppelbasisdioden an dem einen Ende des Halbleiterkörpers angebracht und sie bildet mit diesem einen Ohm'schen Kontakt. Die andere Basiselektrode ist am anderen Ende des Halbleiterkörpers angebracht und bildet mit diesem ebenfalls einen Ohm'schen Kontakt. Der Emitter-pn-Übergang ist zwischen den beiden Enden des Halbleiterkörpers vorgesehen. Beim Betrieb einer derartigen Doppelbasisdiode wird eine Gleichspannung zwischen den beiden Basiselektroden angelegt, die ein Potential innerhalb des Halbleiterkörpers in der Nachbarschaft des Emitter-pn-Übergangs hervorruft. Es wird ferner eine Spannung zwischen der als Basiselektrode 1 bezeichneten einen Basiselektrode und der Emitterelektrode in einer Richtung angelegt, daß sie den Emitter-pn-Übergang bezüglich des Halbleiterkörpers in Durchlaßrichtung vorzuspannen sucht. Wenn sich die letztere Spannung unterhalb eines bestimmten Wertes befindet, der als Spitzenpunktspannung bezeichnet sei, dann ist der Emitter-pn-Übergang in Sperrichtung vorgespannt und nicht leitend. Wenn die Spitzenpunktspannung erreicht und überschritten wird, ist der Emitter-pn-Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt und leitend, so daß eine Injektion von Minoritätsladungsträgern in den Halbleiterkörper hinein stattfindet und die Leitfähigkeit des Bereiches zwischen dem Emitter-pn-Übergang und der Basiselektrode I gesenkt wird, bis dieser Bereich mit Leitungsträgern gesättigt ist.
Die bekannte Charakteristik der Spannung gegen den Strom zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode I verläuft etwa in der folgenden Weise. Für Spannungen an der Emitterelektrode, die geringer
als die Spannung sind, bei der der Emitter-pn-Übergang in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, steigt der Strom mit der Spannung an, ist aber ganz gering. Wenn die Spannung vergrößert wird, wird die Spitzenpunktspannung erreicht und der Strom nimmt schnell zu.
Mit der Stromzunahme fällt die Spannung sehr schnell auf einen Kleinstwert ab, der als Talpunktspannung bezeichnet sei, und nimmt anschließend etwas mit steigendem Strom zu. Natürlich steigt der jetzt zwi-
sehen den beiden Basiselektroden fließende Strom wegen der Spannungsabnahme in dem Halbleiterkörper an. Das Verhältnis des Unterschiedes zwischen der Spitzenpunkt- und der Talpunktspannung zur Spannung, die zwischen den Basiselektroden der Doppelbasisdiode angelegt ist, wird als »Auslaufverhältnis« und mit dem Symbol η bezeichnet.
Doppelbasisdioden finden in Schaltungen, z. B. Sägezahn-Oszillatoren, Zählern, Schaltern, Auslösegeräten und bei steuerbaren Siliciumgleichrichtern einen weiten Anwendungsbereich. Hierbei gehören zu den wichtigen Kenngrößen der Doppelbasisdioden das Auslaufverhältnis, die Zeit, die zum Schalten der Doppelbasisdioden vom nichtleitenden Zustand in den leitenden Zustand benötigt wird, die Zeit, die die Doppelbasisdiode zur Rückkehr in ihren anfänglichen nichtleitenden Zustand nach dem Abschalten der Spannung an der Emitter-Elektrode benötigt, und die Emitter-Sättigungsspannung. Von geringerer Bedeutung sind die Kenngrößen Emittersperrstrom, Spitzenpunktstrom und der Talpunktstrom.
Aus der USA.-Patentschrift 29 93 126 ist bereits eine Doppelbasisdiode der eingangs erwähnten Art bekannt, bei der der Teil des Halbleiterkörpers zwischen dem Emitter-pn-Übergang und der kleinflächigeren Basiselektrode einen größeren Widerstand im Vergleich zu dem Widerstand zwischen dem Emitterpn-Übergang und der großflächigeren Basiselektrode dadurch aufweist, daß der Emitter-pn-Übergang weiter von der kleinflächigeren Basiselektrode angeordnet ist, als von der großflächigeren Basiselektrode. Ferner vermindert sich bei dieser Doppelbasisdiode der Querschnitt des Halbleiterkörpers von dem Emitter-pn-Übergang zu der kleinflächigeren Basiselektrode hin. Außerdem ist bei dieser Doppelbasisdiode der Emitterpn-Übergang relativ großflächig ausgeführt. Mit einer solchen Ausführung der Doppelbasisdiode läßt sich zwar schon die Schaltzeit verkürzen und auch der Unterschied der in dem leitenden Zustand und den in dem nichtleitenden Zustand anliegenden Spannung *° gegenüber dem bei Doppelbasisdioden, die eine solche spezielle Ausbildung der Elektroden nicht aufweisen, erhöhen. Jedoch reichen die mit diesen bekannten Doppelbasisdioden maximal erreichbaren Werte der Kenngrößen für viele Anwendungen nicht aus. +5
Es sind natürlich auch schon, wie beispielsweise nach der USA.-Patentschrift 27 50 542 Feldeffekttransistoren, also unipolare Halbleiterbauelemente bekannt, bei denen der Strom zwischen zwei Basiselektroden auch über einen Emitter-pn-Übergang, an den eine veränderliche Spannung angelegt wird, gesteuert wird. Das aus der USA.-Patentschrift 27 50 542 bekannte unipolare Halbleiterbauelement zeigt zwar eine Basiselektrode mit einem kleinflächigen Kontakt und eine Basiselektrode mit einem großflächigen Kontakt und einen der kleinflächigen Basiselektrode gegenüber liegenden Emitter-pn-Übergang, jedoch lassen sich auch mit diesem unipolaren Halbleiterbauelement nicht die für alle vorkommenden Anwendungen benötigten Aus- und Einschaltzeiten erreichen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Doppelbasisdiode der eingangs erwähnten Art zu schaffen, die bei geringer Emitter-Sättigungsspannung und bei einem großen Auslaufverhältnis in sehr kurzer Zeit vom nichtleitenden in den leitenden Zustand und wieder zurück geschaltet werden kann.
Diese Aufgabe wird bei einer Doppelbasisdiode der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß die Kon
6o taktfläche der kleinflächigeren Basiselektrode im Vergleich zu den Flächenabmessungen des Halbleiterkörpers und zu der Kontaktfläche der großflächigeren Basiselektrode klein ist, daß der Abstand des Emitterpn-Übergangs von der kleinflächigeren Basiselektrode kleiner ist, als von der großflächigeren Basiselektrode und daß die Fläche des Emitter-pn-Übergangs die gleiche Größenordnung hat, wie die Kontaktfläche der kleinflächigeren Basiselektrode.
Durch die spezielle Wahl der Dimensionen der Elektroden zueinander sowie durch die besondere Anordnung des Emitter-pn-Übergangs ganz in der Nähe der kleinflächigeren Basiselektrode ergeben sich sehr kurze Ein- und Ausschaltzeiten bei mindestens gleichbleibendem Auslaufverhältnis. Ferner lassen sich kleine Emitter-Sättigungsspannungen erreichen, was insbesondere für Schaltzwecke wesentlich ist. Außerdem sind die Spitzenpunktströme gering, was für empfindliche Zeitverzögerungsschaltungen und Spannungsanzeigeschaltungen bedeutungsvoll ist. Mit der Doppelbasisdiode nach der Erfindung lassen sich Einschaltzeiten von 0,05 μβεΰ erreichen, während die Einschaltzeit der Doppelbasisdiode nach der USA.-Patentschrift 29 93 126 etwa 1 μβεο beträgt.
Es sei noch bemerkt, daß der Ort des Emitter-pn-Übergangs normalerweise einen Kompromiß zwischen geringer Schaltzeit, großem Auslaufverhältnis und geringer Emitter-Sättigungsspannung darstellt. Für ein hohes Auslaufverhältnis sollte die Emitterelektrode so nah wie möglich an der Basiselektrode II liegen, während es für die beiden anderen Größen gerade umgekehrt ist. Sorgt man nun dafür, daß der Potentialgradient in unmittelbarer Nähe der Basiselektrode I sehr viel größer ist als im restlichen Teil des Halbleiterkörpers, dann können auch noch bei sehr geringen Abständen gute Auslaufverhältnisse erzielt werden, die in dem üblicherweise anzustrebenden Bereich zwischen 0,5 und 0,8 liegen. Dabei ergibt sich noch der Vorteil, daß durch die große Nähe zwischen Emitterelektrode und Basiselektrode I minimale Schaltzeiten und minimale Emitter-Sättigungsspannungen möglich sind und daß auch der Spitzenpunktstrom sehr klein ist.
Ausführungsformen der Doppelbasisdiode nach der Erfindung sowie ihre Betriebsweise werden nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform einer Doppelbasisdiode nach der Erfindung;
Fi g. 2 einen Schnitt durch die Ausführungsform der Doppelbasisdiode der Fig. 1;
Fig. 3 eine Kennlinie der Emitterspannung in Abhängigkeit vom Emitterstrom bei der Doppelbasisdiode nach Fig. 1;
Fi g. 4 einen Schnitt durch eine weitere Ausführungsform der Doppelbasisdiode nach der Erfindung;
Fig. 5 eine Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Doppelbasisdiode nach der Erfindung und
Fig. 6 einen Schnitt durch die Doppelbasisdiode nach Fig. 5.
In den Fig. 1 und 2 ist eine Doppelbasisdiode mit einem Hauptteil 1 und einer Kappe 2 zu sehen. Der Hauptteil 1 enthält eine isolierende Unterlage 3 zweckmäßigerweise aus Glas, in die Anschlüsse 4 bis 6 eingebettet sind. Die Anschlüsse 4 und 5 laufen durch Öffnungen in einer Platte 7 eines leitenden Körpers 8 hindurch, der die Glasunterlage 3 umgibt. Der Anschluß 6 ist an dem leitenden Körper 8 angeschweißt. Die Platte 7 ist mit Gold plattiert. Eine Halbleiter-
scheibe 10 mit η-Leitfähigkeit und einem spezifischen Widerstand von 120 Qcm ist mit einem Lötmittel aus 99 Gewichtsprozent Gold und 1 Gewichtsprozent Antimon an der Platte 7 angelötet. Die Platte 7 stellt einen ohmschen Kontakt zu der Halbleiterscheibe 10 her. Ein kleinflächiger, nicht injizierender Kontakt ist an der Oberseite der Halbleiterscheibe 10 mit Hilfe eines Drahtes 11 aus 99 Gewichtsprozent Gold und 1 Gewichtsprozent Antimon durch Anschmelzen hergestellt. Das andere Ende des Drahtes 11 ist am Anschluß 4 angeschweißt. Außerdem wird an der Halbleiterscheibe 10 mit Hilfe eines Aluminiumdrahtes 12 ein injizierender Kontakt angebracht, der in die Oberfläche der Halbleiterscheibe 10 eingeschmolzen wird. Das andere Ende des Aluminiumdrahtes 12 ist mit dem Anschluß 5 verschweißt. Nach Fertigstellung der Doppelbasisdiode ist natürlich die Kappe 2 so befestigt, daß sich der Flanschteil des Hauptteils 1 mit dem der Kappe 2 deckt und sie beide miteinander verschweißt werden können.
Bei der dargestellten Ausführungsform beträgt der Durchmesser des Aluminiumdrahtes 12 zweckmäßigerweise 0,076 mm und der Aluminiumdraht 12 wird dadurch an der Halbleiterscheibe 10 angeschmolzen, daß durch den Aluminiumdraht 12 und die Halbleiterscheibe 10 ein Stromimpuls z. B. von 0,5 A 1 see lang hindurchgeleitet wird. Der Durchmesser des Gold-Antimon-Drahtes 11 beträgt zweckmäßigerweise 0,051 mm; der Gold-Antimon-Draht 11 wird an der oberen Oberfläche der Halbleiterscheibe 10 in ähnlicher Weise befestigt, in dem durch ihn und die Halbleiterscheibe 10 ein Stromimpuls z. B. von 1 A 1 see lang hindurchgeleitet wird. Die Abmessungen der Halbleiterscheibe 10 können auch geändert werden, ohne daß sich die ergebende Charakteristik der Doppelbasisdiode bedeutsam ändert, so lange die Forderung erfüllt ist, daß der Kontakt der kleinflächigeren Basiselektrode 11 klein bezüglich den anderen Abmessungen der Halbleiterscheibe 10 einschließlich des Kontaktes der anderen Basiselektrode 7 ist. Die Größe des Emitter-pn-Übergangs der Emitterelektrode ist mit der des Kontakts der kleinflächigeren Basiselektrode vergleichbar.
Bei einem kleinflächigen Basiskontakt tritt der Hauptteil des Spannungsabfalls zwischen den beiden Basiselektroden in der Nachbarschaft des Kontaktes der kleinflächigen Basiselektrode auf, was auf den Ausbreitungswiderstand zurückzuführen ist. Folglich kann für ein vorgegebenes Auslaufverhältnis der Emitterpn-Übergang dichter an die kleinflächige Basiselektrode herangesetzt werden, was dazu führt, daß die Anschaltzeit und andere Kenngrößen der Doppelbasisdiode beträchtlich herabgesetzt werden, wie aus der Tabelle hervorgeht, in der die Kenngrößen der Doppelbasisdiode nach der Fig. 1 im Vergleich zu denen der üblichen Doppelbasisdioden mit stabförmigen Halbleiterkörpern angegeben sind.
Tabelle
Typische Werte Meßwerte für einer Doppel- eine Doppelbasisdiode mit basisdiode
den üblichen nach Fig. 1 Abmessungen des
stabförmigen
Halbleiterkörpers
Auslaufverhältnis 0,6 0,6
Widerstand zwischen den
beiden Basiselektroden 6,2 kü 7 kQ
Typische Werte Meßwerte für einer Doppel- eine Doppelbasisdiode mit basisdiode den üblichen nach Fig. 1 Abmessungen des stabförmigen Halbleiterkörpers
Emitter-Sättigungsspannung 3,5 V Modulierter Strom an der
großflächigeren Basiselektrode mit dem
Basiskontakt Il 12 mA
Talpunktstrom bei 20 V
Spannung zwischen den
beiden Basiselektroden 20 mA Spitzenpunktstrom 2 μΑ
Anschaltzeit 4
1,5 V
12 mA
2 mA 0,2 μΑ 0,05
Die beschriebene Doppelbasisdiode ist aus Materia-Hen hergestellt, die nicht kostspielig sind. Sie kann in einer kleinen Zahl von Arbeitsgängen zusammengesetzt werden und erfordert keine besonderen kritischen Arbeitsschritte. Nachdem die Größe der Halbleiterscheibe, die Größe der Drähte und das gewünschte Auslaufverhältnis festgelegt sind, ist der Ort des Drahtes, der den Basiskontakt I, d. h. den Basiskontakt der kleinflächigen Basiselektrode bildet, in Bezug auf den Draht als äußerst kritisch zu betrachten, durch den der Emitterkontakt ausgebildet ist. Diese Stelle kann mit einem sehr guten menschlichen Auge festgelegt werden. Das Auslaufverhältnis kann etwas dadurch abgeändert werden, daß die Impulsgaben wiederholt werden, um den Berührungsbereich des kleinflächigen Basiskontaktes je nach Wunsch etwas zu verändern.
In Fig. 3 ist die Emitter-Kennlinie einer Doppelbasisdiode nach den Fig. 1 und 2 aufgetragen. Diese Doppelbasisdiode weist die verschiedenen Kenngrößen der Tabelle auf. Die Emitter-Kennlinie zeigt die Ände-
4'· rung der Spannung, die zwischen der Emitterelektrode 12 und der kleinflächigen Basiselektrode 11 angelegt ist, als Funktion des zwischen der Emitterelektrode 12 und der kleinflächigen Basiselektrode 11 fließenden Stroms, wobei die Spannung zwischen den beiden Basiselektroden 7 und 11 konstant, nämlich auf 20 V gehalten wird. In der Fig. 3 sind die verschiedenen, zuvor beschriebenen Größen besonders bezeichnet. Die Spitzenpunktspannung und der Spitzenpunktstrom sind durch einen Punkt 15 bezeichnet. Der TaI-punktstrom und die Talpunktspannung sind durch einen Punkt 16 angegeben, bei dem die Doppelbasisdiode vollständig leitend wird. Die Emitter-Sättigungsspannung und der Emitter-Sättigungsstrom liegen an einem Punkt 17 jenseits des Talpunktes 16 und sind bei dieser Doppelbasisdiode gewöhnlich die Diodenspannung zwischen Emitterelektrode und Basiselektrode 11. Die Anschaltzeit sei diejenige Zeitspanne, die die Spannung benötigt, um von der Spitzenpunktspannung bis auf einen Punkt im Sättigungsbereich abzunehmen. Die Abschaltzeit ist diejenige Zeitspanne, die die Doppelbasisdiode benötigt, bis ihr nicht leitender Zustand vollständig, wieder hergestellt wird, nachdem der Strom hindurchgeflossen und die Emitterspannung weggenommen ist. Die Anschaltzeit ist
hauptsächlich eine Funktion des Abstands zwischen der Emitterelektrode 12 und der Basiselektrode 11. Für ein vorgegebenes Auslaufverhältnis kann der Abstand im Vergleich zu den üblichen Doppelbasisdioden mit
7 8
stabförmigem Halbleiterkörper beträchtlich vermindert Nach den Fig. 5 und 6, die eine weitere Ausfüh-
werden, so daß die Anschaltzeit abnimmt, ohne daß rungsform der Doppelbasisdiode nach der Erfindung
die anderen Kenngrößen der Doppelbasisdiode merk- zeigen, ist in dem Halbleiterkörper in Form einer
lieh beeinflußt werden. Halbleiterscheibe 20 von der einen Stirnseite aus eine
Die Abschaltzeit ist eine Funktion der Lebensdauer 5 Bohrung 21 eingeätzt, damit ein geringer Abstand von
der Ladungsträger in der Halbleiterscheibe. Je kürzer der einen zu der anderen Oberfläche der Halbleiter-
diese Lebensdauer ist, desto schneller erholt sich die scheibe erhalten wird. Ein kleinflächiger Kontakt einer
Doppelbasisdiode. Wenn jedoch bei einem Herstel- Basiselektrode ist mit Hilfe eines Drahtes 22 an der
lungsverfahren z. B. die Halbleiterscheibe aus Silizium tiefsten Stelle der Bohrung 21 hergestellt,
mit Gold dotiert und die Lebensdauer der Halbleiter- io Ein Emitter-pn-Übergang ist mit Hilfe eines weiteren
scheibe stark verringert wird, würde die Emitter- Drahtes 23 an der Oberfläche gegenüber dem klein-
Sättigungsspannung groß sein. Im Hinblick auf die flächigen Kontakt gebildet, damit der Abstand zwi-
Tatsache, daß die Emitter-Sättigungsspannung bei der sehen dem Kontakt der kleinflächigen Basiselektrode
Doppelbasisdiode nach der Erfindung beträchtlich und dem Emitter-pn-Übergang zur Erzielung einer
verringert ist, würde eine Vergrößerung der letzteren 15 kürzeren Anschlatzeit möglichst gering wird. Der
Kenngröße über den herabgesetzten Wert hinaus noch Kontakt der zweiten Basiselektrode 24 kann an einem
eine Doppelbasisdiode erbringen, deren Emitter-Sät- beliebigen Teil der Halbleiterscheibe, der weit von
tigungsspannung beträchtlich geringer als die der üb- dem Kontakt der ersten Basiselektrode 22 entfernt ist,
liehen Doppelbasisdioden mit stabförmigem Halb- angebracht sein; bei der Doppelbasisdiode nach den
leiterkörper ist. Bei der Doppelbasisdiode nach der 2° F,ig. 5 und 6 befindet er sich an der zur Basiselektrode
Erfindung liegt die Abschaltzeit in der Größenordnung 22 entgegengesetzten Oberfläche der Halbleiterscheibe
von einigen Mikrosekunden. 20, obgleich er auch an dem Ende der Halbleiterscheibe
Wenn auch die Doppelbasisdiode nach einer Aus- 20 hergestellt sein kann. Die Halbleiterscheibe 20 ist führungsform durch ein Legierverfahren angefertigt so bemessen, daß die Wirkungen des Ausbreitungsist, so können auch andere Verfahren, z. B. Diffusions- 25 Widerstands in der Nachbarschaft des Kontaktes der verfahren, zum Herstellen ihres Aufbaus angewendet kleinflächigen Basiselektrode 22 gewährleistet sind, werden. Wenn auch der Emitter-pn-Übergang mit Die Doppelbasisdiode nach den Fig. 5 und 6 weist tupfenförmiger Fläche dargestellt ist, können auch eine sehr geringe Anschaltzeit im Hinblick auf die Nähe andere geometrische Formen und Abmessungen be- des Emitter-pn-Übergangs 23, 20 zum Kontakt der nutzt werden. Er kann z. B. als Ring vorliegen, der die 30 kleinflächigen Basiselektrode 22 und sehr geringe kleinflächige Basiselektrode umgibt. Kriechströme zwischen den verschiedenen Elektroden
Der Emitter-pn-Übergang braucht nicht in derselben auf, was auf die langen Oberflächenwege zwischen den Oberfläche der Halbleiterscheibe zu liegen wie die verschiedenen Elektroden zurückzuführen ist.
kleinflächige Basiselektrode. Er kann auch an anderen Weitere Verbesserungen der elektrischen Eigenschaf-Stellen der Halbleiterscheibe angebracht sein, voraus- 35 ten der Doppelbasisdiode nach Fig. 6 können mit gesetzt, daß die angegebenen Verhältnisse für den Hilfe einer Halbleiterschicht aus einem Material mit klein- und den großflächigen ohmschen Kontakt der einem geringeren spezifischen Widerstand auf der obe-Basiselektroden und die Abmessungen des Emitter- ren Oberfläche der Halbleiterscheibe 20 erzielt werden, pn-Übergangs erfüllt sind. Nach der Fig. 4 liegt der wenn ihre Dicke etwas geringer als der Abstand zwi-Kontakt der Emitterelektrode 12 an der einen Seite 4° sehen dem Basisdraht 22 und dem Emitterdraht 23 ist. der Halbleiterscheibe 10. Der Emitter-pn-Übergang 12, Diese Halbleiterschicht hat den gleichen Leitfähig-10 ist in der Nachbarschaft des Kontaktes der klein- keitstyp wie die sie tragende Halbleiterscheibe und flächigen Basiselektrode 11 angebracht, damit ein kann durch übliche Verfahren, z. B. durch ein Diffukleiner Abstand der Basiselektrode 11 vom Emitter- sionsverfahren oder durch Epitaxie ausgebildet werden. pn-Übergang 12, 10 und dadurch das gewünschte 45 Bei einer solchen Konstruktion werden höhere Aus-Auslaufverhältnis erhalten wird. laufverhältnisse erhalten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Doppelbasisdiode, bei der die eine Basiselektrode einen kleinflächigeren Kontakt mit dem Halbleiterkörper eines Leitungstyps als die andere Basiselektrode aufweist, deren Halbleiterkörper einen Emitter-pn-Übergang aufweist, der von den beiden Basiselektroden ungleich weit entfernt ist und bei der der Teil des Halbleiterkörpers zwischen dem Emitter-pn-Übergang und der kleinflächigeren Basiselektrode einen größeren Widerstand für einen Strom zwischen den beiden Basiselektroden ohne Berücksichtigung der Injektion von Minoritätsladungsträgern von dem Emitter-pn-Übergang in diesen Teil des Halbleiterkörpers aufweist, als der Teil des Halbleiterkörpers zwischen dem Emitterpn-Übergang und der großflächigeren Basiselektrode, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche der kleinflächigeren Basiselektrode (11) im Vergleich zu den Flächenabmessungen des Halbleiterkörpers (10) und zu der Kontaktfläche der großflächigeren Basiselektrode (7) klein ist, daß der Abstand des Emitter-pn-Übergangs (12,10) von der kleinflächigeren Basiselektrode (11) kleiner ist als von der großflächigeren Basiselektrode (7) und daß die Fläche des Emitter-pn-Übergangs die gleiche Größenordnung wie die Kontaktfläche der kleinflächigeren Basiselektrode (11) aufweist.
2. Doppelbasisdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die großflächigere Basiselektrode (7) an einer ersten ebenen Oberfläche eines scheibenförmigen Hablleiterkörpers (10) angebracht ist und daß die kleinflächigere Basiselektrode (11) an einer zweiten ebenen, der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche des scheibenförmigen Halbleiterkörpers (10) angebracht ist (Fig. 1 und 2).
3. Doppelbasisdiode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-pn-Übergang (12, 10) an der ersten ebenen Oberfläche des scheibenförmigen Halbleiterkörpers (10) angebracht ist.
4. Doppelbasisdiode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der scheibenförmige Halbleiterkörper (20) in seiner einen ebenen Oberfläche eine Vertiefung (21) aufweist, daß die kleinflächigere Basiselektrode (22) am Grunde der Vertiefung angebracht ist, daß der Emitter-pn-Übergang (23, 20) an der gegenüberliegenden ebenen Oberfläche der Halbleiterscheibe (20) gegenüber dem Kontakt der kleinflächigeren Basiselektrode (22) angeordnet ist und daß die großflächigere Basiselektrode (24) an einem Teil der Halbleiterscheibe (20) angebracht ist, der von dem Kontakt der kleinflächigeren Basiselektrode (22) weit entfernt ist.
5. Doppelbasisdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als kleinflächige Basiselektrode ein Draht (11) von kleinflächigem Querschnitt an der einen der beiden ebenen Oberflächen eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers (10) angeschmolzen ist, daß als großflächige Basiselektrode (7) ein Plättchen an der anderen der beiden ebenen Oberflächen angeschmolzen ist und daß der Emitter-pn-Übergang (12, 10) an einer Seitenfläche des scheibenförmigen Halbleiterkörpers (10) angebracht ist.
6. Doppelbasisdiode nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-pn-Übergang durch einen Draht (12) gebildet ist, der an einer der Oberflächen des scheibenförmigen Halbleiterkörpers (10) angeschmolzen ist.
DE19631464633 1962-03-23 1963-03-22 Doppelbasisdiode Pending DE1464633B2 (de)

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