DE1462188A1 - Verstaerker - Google Patents

Verstaerker

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Publication number
DE1462188A1
DE1462188A1 DE19651462188 DE1462188A DE1462188A1 DE 1462188 A1 DE1462188 A1 DE 1462188A1 DE 19651462188 DE19651462188 DE 19651462188 DE 1462188 A DE1462188 A DE 1462188A DE 1462188 A1 DE1462188 A1 DE 1462188A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ohms
transistor
stage
gsn
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651462188
Other languages
English (en)
Inventor
Epstein Philip Lionel
Kuei-Sang Wang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
QUINDAR ELECTRONICS Inc
Original Assignee
QUINDAR ELECTRONICS Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by QUINDAR ELECTRONICS Inc filed Critical QUINDAR ELECTRONICS Inc
Publication of DE1462188A1 publication Critical patent/DE1462188A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G7/00Volume compression or expansion in amplifiers
    • H03G7/06Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Verstärker.
    Die Erfindung besieht sich auf die Verstärkung
    elektrontaaher Signale und insbesondere auf einen Ver-
    stärker, der durch eire trotz weiter derungen der
    HShe des Signsleingaffl konstant* e des
    gecefohnet ist. =in solcher Verstärker
    ist brt.spielaweise
    bar für Kompensation bei ver-
    schieäenen Spr»bvoltaaira veried«4r Sprecher, eel-
    ahe dis gleiche llikrophaa ver, rar antaratisahe
    Veratä:icu@d@a@esrlmg beim ämm* erpts*, aillkU@@liah
    festgelegt* A:usi«nale voa in Abstron-
    einiMer in Xidkadmsehaltuß(i-'l g itwtm Veratt'--
    kem rar te" timt.
    D!! turf 1 beetsht 4 1 -iti a m er
    in Äae' so"teinse ittssahll«4Ileh mit leststofnc»-
    rers 'eratWO- um fE1it'eiies,e bei W1I-
    chem das Eingangssignal an die quelle, und der Abfluß eins sogenannten Feldwirkungs-Transistors und ein Rückkopplungssignal von den folgenden Verstärkungsstufen an das Tor des Feldwirkungs-Transistors angelegt werden. Die Stabilität der heststoffkomponenten und die Einfachheit ihrer Beziehung zueinander stellen die Basis für eine StromkreisausfUhrung mit bisher nicht dagewesener Duurohführbarkeit und Wirksamkeit dar.
  • Weitere Zwecke und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung hervor, in welcher die Erfindung an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert ist.
  • Fig. 1 ist ein vereinfachtes Diagramm einen Stromkreises gemäß der Erfindung.
  • Fig. 2 ist ein im einzelnen dargestelltes Diagramm des Stromkreises gemäß PIK. 1.
    Qeffl fig. 1 wird ein »duliertes Signal von einer
    quelle 10 an eine Folge 12 von VerstRrkeratufen zwecks
    Ubertragung zu einest Ausgang 14 angelegt. Das Eingangs-
    sigrial, das Ausgangssignal und ein Mokkopplungsrrfanal
    bei 20 sind in bezug auf einen FeldwIrkungs-Tranuistor
    22 mit 16, 18 bsw. 20 beseiohnet. Wie dargestellt" weist
    der Peldwirkungo-Transistor 22 in üblicher Weise elne
    länglich* Halbleiterstange 24 aus einer S-TFp-Zuatrten-
    sotsux@ auf" die von eines Nalbleiterring 26, aus einer
    NTFp-Zt@sismwnattaung umgebeu ist" welcher mit sxaeicent-
    sprechenden Verunreinigungen versehen ist und mit der Stange 24 eine Verbindung bzw. Junction bildet. Die Zusammensetzung 24 und die Zusammensetzung 26 sind gewöhnlich Silizium oder Germanium mit einer Legierung von deren Verbindungen an ihrer Zwischenfläche 2$. Das Anlegen einer kleinen Spannung an die Längliche Stange 24 zwiw sehen einer sogenannten Quelle 25 und einem sogenannten Abfluß 27 erzeugt einen verhältnismäßig großen Stromfluß zufolge des geringen Eigenleitungiderstande des Materials 24. Der Ring 2b erzeugt Faumladungsbereiche bzK. eine Feldwirkung in der länglichen Stange 24, die einen großen Einfluß auf die Leitfähigkeit den Bereiche zwiaden der Quelle 25 und dem Abfluß 27 hat. Bei geringen Höhen der Abflußzufuhrspannunng hängt der widerstand von der Breite des Stromfluixeges ab, der durch die
    Raumladungsbereiahe zugelassen ist, dem sogenannten
    Nichtabklemmbereich (non-pinahoff region). Das an den
    Ring 26 angelegte Rtickkopplut@ssignal dient somit zur
    Regelung des Widerstand& der Vorrichtung und damit des
    Ausgangs den versUrkers.
    Wie aus Fig. 2 ersichtlich, wird ein Eingangswech-
    selstrom an gingangsansohlüsse 30" 32 angelegt, von wo
    er an den Primärteil einen Transformators 3# angelegt
    wird. Der Sekundärteil den Transformators 34 ist zxi.-
    schen H+ und eine Quelle 36 des Feldwirkungs-Transistors
    38 geschaltet. Ein Belastungewiderstaad 40 ist zu den
    Sekundärteil des Transformators 34 im NebenschluB geschaltet, um eine im wesentlichen konstante Eingangsimpedanz zu schaffen. Der Abfluß 42 des Feldwirkungs-Transistors 38 wird über einen Kondensator 44 an die in Kaskadensehaltung angeordnete Verstärkerfolge angelegt, die eine erste Stufe 46, eine zweite Stufe 48 und eine dritte Stufe 50 aufweist.
  • Das über den Kondensator 44 angelegte Signal wird Über widerstände 52, 54 und 56 aufgebaut und an die Basis eines Transistors 47 der ersten Stufe 46 angelegt. Eine Diode 58 ist fÜr Temperaturkompensation der Vorspannung für den Transistor 47 der ersten Stufe 46 vorgesehen. Die Potentiale des Kollektors und den Emitters des Transistors 47 der ersten Stute 46 sind durch Widerstände 60 und 62 bestimmt, wobei ein UberbrUekunger:? i -kondensator 64 zu dem Wid-erstand"im Nebensohluß liegt. Das Signal an dem Kollektor des Transistors 47 der er- sten Stufe 46 wird an die Basis eines Transistors 49 der zweiten Stufe 48 angelegt. Die Potentiale des Kol- lektors und des Emittera des Transistors 49 der zweiten Stufe 48 sind durch WidersUrxie 66, 68 und 70 bestimm, wobei ein ttbsrbrUckungskondensator 72 zu dem Widerstsnä
    'TQ in Web«ehlu8 Liest. Ein ViderdtaM 74 ist für Strh-
    biltsatioa der V«ngtAW*g zrisehen den Ultter das
    #Transzrtors 49 der zweiten Stufe 48 und oinsr Steile
    dor #er"biMung der Widerstände 54 und 56 geschaltet.
    Der Ausgang des Kollektors des Transistors 49 der zweiten Stufe 48 ist über einen Kondensator 76 mit der Ba- sis eines Transistors 51 der dritten Stufe 50 gekoppelt, wobei das Signal über zwei Widerstände 78 und 80 aufgebaut wird. Das Ausgangssignal den Transistors 51 der dritten Stufe 50 Wird über den Primärteil einen Transformators 84 aufgebaut. Ein Sekundärteil des Transfor- mators 84 ist vorgesehen, um ein Signal an Ausgangsanschlüssen 86 und 88 aufzubauen, zu denen ein widerstand 90 im Nebenschluß liegt, um eine konstante Ausgangsimpedanz zu schaffen. Die Energiezufuhrapannung, die an den Verstärker angelegt wird, wird durch einen Widerstand 85 und einen Kondensator 55 gefiltert. Eine Diode 87 verhindert eine Beschädigung der Einheit PUr den `Fall, daß eine Umkehrepannung unbeabsiahtigteraeise angelegt Wird. Die Rückkopplung wird aber einen SekundKrteil des Transformators 84 aufgebaut, der drei Abgreifstellen hat, von denen die mittlere über die Komponenten 85 und 87 ivit einen Ansehluß B.- und die äußeren über zwei tlleiohrichterdioden 92 und 94 mit der Basis eines Verstärkungs- und Isoliertrdnsistora 96 verbunden sind. Die Verstärkungeschwelle des Transistors 96 ist durch WidersUnde 100 und 104 bestimmt, die von den Anschlüssen B- und B+ vorgespannt sind. Ein Filterkondensator 106 ist parallel au einem Widerstand. 98, und der Kollektor des Transisotrs 96 ist über einen Widerstand 108 an das Tor des Feldwirkungs-Transistors 38 geschaltet.
  • Bevorzugte Werte für gewisse Komponenten gemäß dem
    schematischen Diagramm der Fig. 2 sind"folgende:
    Komponenten Bezugszeichen Wert
    Bezeichnung
    R1 40 1 Ohm
    R2 108 100 K Ohm
    R3 98 100 K Ohm
    R4 100
    3.3 K Ohm
    R5 1o4
    360 Ohm
    R6 52 10 K Ohm
    R7 54 1 K Ohm
    R8 56 Zoo Ohm
    R9 62 1,8 K Ohm
    R10 7$ 795 K Ohm
    R11 60 10 K Ohm
    R12 66
    3.9 K Ohm
    R13 68 100 K Ohm
    R14 70 4,7 K Ohm
    R15 78 6,8 K Ohm
    R17 82
    300 Ohm
    R18 80 1000 Ohm
    R19 85 150 Ohm
    R21 90 620 Ohm
    e+ +12 Volt
    B- -12 Volt
    C1 106 10 miero F
    C2 44 40 micro F
    C3 64 250 micro F
    C4 72 250 miero F
    C5 76 40 Miaro F
    Im Betrieb wird ein Wechselstromeingangssignal an den Anschlüssen 32 und 30, an den Transformator 34 und an die Quelle 25 des Feldwirkungs-Transistors 38 angelegt, dessen AbfluH 42 an die dreistufige Verstärkerkaskade 46, 48.,'50 ungelegt wird. Der erhaltene Ausgang erscheint an den Anschlüssen 86 und 88. Die Rückkopp- lung erfolgt über die gleichrichtende Anordnung 92, 94 und die Transistorverstärkerstufe 96, durch welche ein Rückkopplungssignal an den Ring bzX. das Tor des Feldwirkungs-Transistors 38 angelegt wird. Die Ausführung ist derart getroffen, daß die Schwellhöhe des Feldwirkungs-Transistorn 38 bequem eingestellt Werden kann. Dieser Stromkreis hält seinen Hörausgang innerhalb plus
    oder minus 2 db der Nennhöhe von #-1 dbm bei Eingangs-
    energieäniderungen von 50 dbm bii =18 dbm. Die Art den
    Xaug»daiöneverfshräns ist derart, das etwas verzerrung
    des Signale -auftritt, insbesondere bei maximalen Ein- .
    gangeh5hen. Jedoch ist die gesauste hamonische Verzer-
    rung geringer als 5 selbst bei maximaler Kompression.
    Der Stromkreis hat eine Einigangsnöhentöleranz von 2,5
    bis litvolt, ahne Eingsma-'r `# #' #00 big " .
    `. etj -..: b ,.P i tibdirü ng
    yals`Fcs'.P , .#@ 1'' j',lx r . :<,
    i3Iseiwerd,
    der innerhalb + oder -0,1 db Uber einen Frequenzbereich
    von 150 bis 10 OOC Hz innerhalb einer besonderen Singanga-
    ht$henäxderung von -,35 db konstant ist, eine VerstIrkung
    von 50 db max und eine Energieanforderung von 10 Milli-
    ampere bei 12 Volt geregelter Gleichspannung.
    Die Erfindung schafft somit einen außerordentlich
    einfachen, jedoch besonders wirksamen Kompresaurveratär-
    ker, der lediglich Feststoffkomponenten verwendet.

Claims (1)

1 gsn@rstgrier adt einer gin49m49rorri.4s- tung zur mrx«!im* m*i@eai e net durch einem »ldmirlTr*W'storl der eirm i.1r1@ eiAbfluD (A) Und ein Tor wtstt . xobel d» ian diel 11e uM den AWMO maue einen versta' mit igstem ei Eistor, der i AnschlOmm Und eMaaia iulek,# gorap&nmn,gsn rar die beiden dnrohlund die s, . wobei der dbflus mit der is den Maistors "s aUfg gekoppelt ist md einer der Irriden Ansohld*- durch einsigsst t, durch eine Wftk-- . kopplMagVorriohtz= Anlegen den Ausgangsar iM das '. lt.`eiL'! `h i't d®dU'ßh eM »t» dien 03.@f@sltg einen rearntw%« mit eiTx%»intor, der SIN4 Am algsnrt im eirar» ein hat, und 1'ortpitt@ ' die beiden AaseIa@.ir urad die na$" Fiat.
DE19651462188 1965-11-20 1965-11-20 Verstaerker Pending DE1462188A1 (de)

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DEQ0000870 1965-11-20

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DE1462188A1 true DE1462188A1 (de) 1969-04-30

Family

ID=7394564

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DE19651462188 Pending DE1462188A1 (de) 1965-11-20 1965-11-20 Verstaerker

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543090A1 (de) * 1975-09-26 1977-03-31 Siemens Ag Verstaerker mit steuerbarer verstaerkung, der mindestens einen transistor in emitterschaltung enthaelt

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543090A1 (de) * 1975-09-26 1977-03-31 Siemens Ag Verstaerker mit steuerbarer verstaerkung, der mindestens einen transistor in emitterschaltung enthaelt

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