DE137800C - - Google Patents

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DE137800C
DE137800C DENDAT137800D DE137800DA DE137800C DE 137800 C DE137800 C DE 137800C DE NDAT137800 D DENDAT137800 D DE NDAT137800D DE 137800D A DE137800D A DE 137800DA DE 137800 C DE137800 C DE 137800C
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01—Manufacture or treatment
    • H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207507B (de) * 1956-03-23 1965-12-23 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors
US5266300A (en) * 1989-08-02 1993-11-30 Texaco Inc. Method of making porous alumina

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1207507B (de) * 1956-03-23 1965-12-23 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften, aus Germanium oder Silizium bestehenden Legierungstransistors
US5266300A (en) * 1989-08-02 1993-11-30 Texaco Inc. Method of making porous alumina

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