DE1298832B - Verfahren zum Aufbringen von Oberflaechenschichten auf einen Traeger, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere durch Vakuumaufdampfen - Google Patents
Verfahren zum Aufbringen von Oberflaechenschichten auf einen Traeger, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere durch VakuumaufdampfenInfo
- Publication number
- DE1298832B DE1298832B DEN25560A DEN0025560A DE1298832B DE 1298832 B DE1298832 B DE 1298832B DE N25560 A DEN25560 A DE N25560A DE N0025560 A DEN0025560 A DE N0025560A DE 1298832 B DE1298832 B DE 1298832B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- layers
- gap
- carrier
- edge area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H10W20/069—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H10P95/00—
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL63298353A NL140655B (nl) | 1963-09-25 | 1963-09-25 | Werkwijze voor het naast elkaar aanbrengen van oppervlaktelagen op een drager, bij voorkeur voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1298832B true DE1298832B (de) | 1969-07-03 |
Family
ID=19755085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN25560A Withdrawn DE1298832B (de) | 1963-09-25 | 1964-09-23 | Verfahren zum Aufbringen von Oberflaechenschichten auf einen Traeger, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere durch Vakuumaufdampfen |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3343254A (enExample) |
| JP (1) | JPS417175B1 (enExample) |
| AT (1) | AT250440B (enExample) |
| BE (1) | BE653469A (enExample) |
| CH (1) | CH454565A (enExample) |
| DE (1) | DE1298832B (enExample) |
| DK (1) | DK113658B (enExample) |
| ES (1) | ES304286A1 (enExample) |
| FR (1) | FR1408613A (enExample) |
| GB (1) | GB1078866A (enExample) |
| NL (2) | NL140655B (enExample) |
| SE (1) | SE317448B (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1209914A (en) * | 1967-03-29 | 1970-10-21 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to semi-conductor devices |
| US4017890A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-12 | International Business Machines Corporation | Intermetallic compound layer in thin films for improved electromigration resistance |
| JPS5636166A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2911539A (en) * | 1957-12-18 | 1959-11-03 | Bell Telephone Labor Inc | Photocell array |
| US3215570A (en) * | 1963-03-15 | 1965-11-02 | Texas Instruments Inc | Method for manufacture of semiconductor devices |
-
0
- NL NL298353D patent/NL298353A/xx unknown
-
1963
- 1963-09-25 NL NL63298353A patent/NL140655B/xx unknown
-
1964
- 1964-02-20 US US346172A patent/US3343254A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-09-21 DK DK463764AA patent/DK113658B/da unknown
- 1964-09-22 AT AT810364A patent/AT250440B/de active
- 1964-09-22 CH CH1229264A patent/CH454565A/de unknown
- 1964-09-22 SE SE11390/64A patent/SE317448B/xx unknown
- 1964-09-22 GB GB38575/64A patent/GB1078866A/en not_active Expired
- 1964-09-23 ES ES0304286A patent/ES304286A1/es not_active Expired
- 1964-09-23 DE DEN25560A patent/DE1298832B/de not_active Withdrawn
- 1964-09-23 BE BE653469A patent/BE653469A/xx unknown
- 1964-09-23 FR FR988986A patent/FR1408613A/fr not_active Expired
- 1964-09-25 JP JP5495964A patent/JPS417175B1/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| None * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL140655B (nl) | 1973-12-17 |
| DK113658B (da) | 1969-04-14 |
| BE653469A (enExample) | 1965-03-23 |
| ES304286A1 (es) | 1965-03-16 |
| US3343254A (en) | 1967-09-26 |
| AT250440B (de) | 1966-11-10 |
| CH454565A (de) | 1968-04-15 |
| JPS417175B1 (enExample) | 1966-04-20 |
| FR1408613A (fr) | 1965-08-13 |
| GB1078866A (en) | 1967-08-09 |
| SE317448B (enExample) | 1969-11-17 |
| NL298353A (enExample) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1965546C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2646308C3 (de) | Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten | |
| DE2060333B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem feldeffekttransistor mit isolierter gateelektrode | |
| DE1464363B1 (de) | Unipolartransistor | |
| DE1789084B2 (de) | Duennschicht-verknuepfungsglied und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE3117950A1 (de) | Planare duennfilmtransistoren, transistoranordnungen und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2919114A1 (de) | Photovoltaische zellen in feldanordnung und verfahren zur herstellung derselben | |
| DE1954967A1 (de) | Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE1965799C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1214786B (de) | Elektrischer Kondenstator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2160462C2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2324780B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements | |
| DE1302005B (enExample) | ||
| DE2422120B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2238278B2 (de) | Sperrschicht-Feldeffekttransistor | |
| DE1521414C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage | |
| DE1464525C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit Feldeffekt | |
| DE2033419A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von komplemen taren gitterisoherten Feldeffekttransis toren | |
| DE1639262A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode | |
| DE1298832B (de) | Verfahren zum Aufbringen von Oberflaechenschichten auf einen Traeger, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere durch Vakuumaufdampfen | |
| DE1564066B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zu Kontaktschichten an der Oberfläche des Halbleiterkörpers von Halbleiteranordnungen | |
| DE1639349B2 (de) | Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines solchen Feldeffekt-Transistors in einer integrierten Schaltung | |
| DE3617229C2 (de) | Strahlungsdetektor | |
| DE1564406C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und danach hergestellte Halbleiteranordnung | |
| DE1816748B2 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |