DE1292255B - Halbleiterbauelement mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps - Google Patents

Halbleiterbauelement mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps

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DE1292255B DEM51083A DEM0051083A DE1292255B DE 1292255 B DE1292255 B DE 1292255B DE M51083 A DEM51083 A DE M51083A DE M0051083 A DEM0051083 A DE M0051083A DE 1292255 B DE1292255 B DE 1292255B
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1400724A (fr) * 1963-06-04 1965-05-28 Gen Electric Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs de commutation et à leur procédé de fabrication
DE1274245B (de) * 1965-06-15 1968-08-01 Siemens Ag Halbleiter-Gleichrichterdiode fuer Starkstrom
US3414779A (en) * 1965-12-08 1968-12-03 Northern Electric Co Integrated parametric amplifier consisting of a material with both semiconductive and piezoelectric properties
US3538401A (en) * 1968-04-11 1970-11-03 Westinghouse Electric Corp Drift field thyristor
DE7317598U (de) * 1972-06-09 1974-04-04 Bbc Ag Halbleiterbauelement
US3953254A (en) * 1972-11-07 1976-04-27 Thomson-Csf Method of producing temperature compensated reference diodes utilizing selective epitaxial growth
US3855611A (en) * 1973-04-11 1974-12-17 Rca Corp Thyristor devices
CH580339A5 (https=) * 1974-12-23 1976-09-30 Bbc Brown Boveri & Cie
JPS5230389A (en) * 1975-09-03 1977-03-08 Hitachi Ltd Thyristor
US4750025A (en) * 1981-12-04 1988-06-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Depletion stop transistor
US5602404A (en) * 1995-01-18 1997-02-11 National Semiconductor Corporation Low voltage triggering silicon controlled rectifier structures for ESD protection
WO2012041836A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-05 Abb Technology Ag Bipolar non-punch-through power semiconductor device
US9935206B2 (en) * 2013-05-10 2018-04-03 Ixys Corporation Packaged overvoltage protection circuit for triggering thyristors
US8878236B1 (en) * 2013-05-10 2014-11-04 Ixys Corporation High voltage breakover diode having comparable forward breakover and reverse breakdown voltages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1021891B (de) * 1955-11-22 1958-01-02 Western Electric Co Halbleiterdiode fuer Schaltstromkreise
FR1191993A (fr) * 1957-02-26 1959-10-22 Siemens Ag Procédé pour la fabrication d'un transistor p-n-p-n et transistor conforme à celui obtenu
DE1079212B (de) * 1958-06-30 1960-04-07 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit teilweise negativer Stromspannungscharakteristik, insbesondere Schaltdiode
FR1244613A (fr) * 1958-12-15 1960-10-28 Ibm Dispositif semi-conducteur à résistance négative

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2997604A (en) * 1959-01-14 1961-08-22 Shockley William Semiconductive device and method of operating same
US3152928A (en) * 1961-05-18 1964-10-13 Clevite Corp Semiconductor device and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1021891B (de) * 1955-11-22 1958-01-02 Western Electric Co Halbleiterdiode fuer Schaltstromkreise
FR1191993A (fr) * 1957-02-26 1959-10-22 Siemens Ag Procédé pour la fabrication d'un transistor p-n-p-n et transistor conforme à celui obtenu
DE1079212B (de) * 1958-06-30 1960-04-07 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit teilweise negativer Stromspannungscharakteristik, insbesondere Schaltdiode
FR1244613A (fr) * 1958-12-15 1960-10-28 Ibm Dispositif semi-conducteur à résistance négative

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Publication number Publication date
GB996299A (en) 1965-06-23
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