DE1287407B - Verfahren zum selektiven AEtzen von Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zum selektiven AEtzen von Halbleitermaterial

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3607448A (en) * 1968-10-21 1971-09-21 Hughes Aircraft Co Chemical milling of silicon carbide
DE2929589A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters
EP0031646B1 (en) * 1979-12-11 1984-10-24 Crosfield Electronics Limited Correction of gravure printing members
US5399515A (en) * 1993-07-12 1995-03-21 Motorola, Inc. Method of fabricating a silicon carbide vertical MOSFET and device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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