DE1284518B - Flaechentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Flaechentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1284518B DE1961N0019481 DEN0019481A DE1284518B DE 1284518 B DE1284518 B DE 1284518B DE 1961N0019481 DE1961N0019481 DE 1961N0019481 DE N0019481 A DEN0019481 A DE N0019481A DE 1284518 B DE1284518 B DE 1284518B
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

Die Erfindung betrifft einen Flächentransistor, insbesondere Schalttransistor, mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, der aus Schichten von Materialien verschiedener Eigenschaften besteht und bei dem auf einer der beiden Hauptoberflächen ein Kollektorkontakt angebracht ist.
Es war bereits bekannt, Transistoren aus Schichten verschiedener Materialien herzustellen, z. B. einen npn-Transistor aus n-Silicium, p-Germanium und η-Germanium (deutsche Patentschrift 814487).
Beim Schalten von Strömen mittels bekannter Transistoren in einer häufig angewandten Schaltungsanordnung können unterhalb einer bestimmten Grenze kürzere Schaltzeiten nicht erreicht werden, weil der Übergang von einem Schaltzustand in den anderen durch Übergangserscheinungen verzögert wird. Im eingeschalteten, d. h. stromdurchlässigen, Zustand wird der Übergang zwischen Basis und Kollektor in der Vorwärtsrichtung vom Strom durchflossen, was eine große Injektion von Ladungsträgern in das halbleitende Kollektormaterial zur Folge hat. Bevor dann der umgekehrte, stromlose Zustand auftreten kann, müssen diese Ladungsträger entfernt werden.
Bei Kristalldioden, welche eine derartige Wirkung aufweisen können, ist es bekannt, dies durch Anwendung halbleitenden Materials zu unterdrücken, das mindestens eine die Lebensdauer der Ladungsträger kürzende, aktive Verunreinigung enthält; bei Germanium wird zu diesem Zweck insbesondere Eisen, Nickel, Kupfer und Gold verwendet. Eine ähnliche Anwendung dieser Maßnahme bei Transistoren ist jedoch nicht ohne weiteres möglich, da der Verstärkungsfaktor eines Transistors im allgemeinen bei Herabsetzung der Lebensdauer der Ladungsträger im halbleitenden Material abnimmt.
Bei Anwendung dieser Maßnahme ergibt sich weiter der Nachteil, daß der Kollektor-Ableitungsstrom zunimmt.
Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, daß es möglich ist, den scheibenförmigen Halbleiterkörper eines Flächentransistors aus zwei Halbleiterschichten aufzubauen, die aus Materialien mit verschiedenen Eigenschaften bestehen, wobei in einer dieser Halbleiterschichten eine kurze Lebensdauer der Ladungsträger bewirkt wird, ohne daß der Kollektor-Ableitungsstrom unzulässige Werte anzunehmen braucht.
Die Ausbildung des Transistors gemäß der Erfindung besteht darin, daß auf einer zur Kollektorzone gehörenden Halbleiterplatte des einen Leitfähigkeitstyps sich eine aufgewachsene Halbleiterschicht desselben Leitfähigkeitstyps mit einer größeren Lebensdauer der Ladungsträger befindet, in der die Basiszone und der Kollektor-Basis-pn-Übergang liegen.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung besteht die aufgewachsene Halbleiterschicht aus einem Material mit einem kleineren Bandabstand als das der Halbleiterplatte. Vorzugsweise liegt der Kollektor-Basis-pn-Übergang in der aufgewachsenen Halbleiterschicht in einem Abstand von der Grenzfläche zwischen der Halbleiterplatte und der aufgewachsenen Halbleiterschicht, der maximal gleich der Diffusionslänge der Ladungsträger ist. Die Erfüllung dieser Bedingungen bedeutet, daß ein niedrigerer Kollektor-Ableitungsstrom erzielt wird, infolge des Unterschiedes im Bandabstand. Vorzugsweise ist der Abstand zwischen dem Übergang und der Grenzfläche kleiner als die Dicke der Basiszone. Der niedrige Kollektor-Ableitungsstrom gibt die Möglichkeit, die Lebensdauer der Ladungsträger stärker zu kürzen.
Die hochohmigere aufgewachsene Halbleiterschicht macht eine hohe Basis-Kollektor-Durchschlagspannung möglich, wobei der Kollektor-Reihenwiderstand dadurch niedrig bleibt, daß die Halbleiterplatte niederohmig ist.
Die Halbleiterschicht kann z.B. aus Germanium
ίο mit einem Bandabstand von 0,72 eV bestehen und die Halbleiterplatte z. B. aus Silicium mit einem Bandabstand von 1,12 eV oder aus einer halbleitenden Verbindung, wie z.B. Galliumarsenid (GaAs 1,35 eV), Galliumphosphid (GaP 2,25 eV), Indiumphosphid (InP 1,25 eV) oder Aluminiumantimonid (AlSb 1,52 eV).
Ein besonders zweckmäßiges Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach der Erfindung besteht darin, daß auf die Halbleiterplatte die Halbleiter-
ao schicht aufwachsen lassen wird, deren spezifischer Widerstand groß gegen den der Halbleiterplatte ist und daß in der aufgewachsenen Halbleiterschicht durch Diffusion eines Dotierungsmaterials entgegengesetzten Leitungstyps die Basiszone erzeugt wird.
as Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert.
Die Figuren zeigen schematische Schnitte durch eine Halbleiterplatte, die nach der Erfindung zu einem Transistor verarbeitet wird, in verschiedenen Herstellungsstufen und im vergrößerten Maßstabe, wobei insbesondere die dünnen Schichten und Zonen übertrieben dick dargestellt sind.
Ausgegangen wird von einer Siliciumplatte 1 mit p-Leitfähigkeit in einer Stärke von 50 μπα mit einem spezifischen Widerstand von 0,001 Ohm · cm und mit einer Lebensdauer der Ladungsträger von 1 · 10~9 s; dieses Material bildet einen Teil der Kollektorzone. Auf an sich bekannte, hier nicht wesentliche Weise wird auf dieser Platte eine Germaniumschicht 2 mit einer Stärke von 3 μπι aufgedampft; diese Schicht, die durch Dotierung mit Indium auch p-Leitfähigkeit aufweist, hat einen spezifischen Widerstand von 2 Ohm · cm. Die Lebensdauer der Ladungsträger beträgt hier 10~7 s.
Darauf wird die Platte an der Oberfläche durch eine Diffusionsbehandlung in Antimondampf während 4 Stunden bei 600° C bis zu einer Tiefe von 2μΐη in n-Typ-Material umgewandelt. Die dabei an der unteren Seite der Platte entstandene Diffusionsschicht wird durch Ätzen wieder entfernt. Es wird so eine Platte mit einem Aufbau nach F i g. 2 erhalten.
Aus dieser Platte werden schließlich Scheiben 4 mit einer Größe von 2 · 2 mm geschnitten, die zum Aufbau der Transistoren verwendet werden. Dazu werden auf jeder Scheibe durch Aufdampfen ein Emitterkontakt 5 mit einer Größe von 150 · 25 μΐη aus Aluminium und ein Basiskontakt 6 gleicher Größe aus Gold angebracht (Fig. 3). Die Kontakte 5 und 6 liegen parallel zueinander und nebeneinander in einem gegenseitigen Abstand von 15 μπι.
Durch Maskierung und Ätzung wird darauf das halbleitende Material, das die Kontakte 5 und 6 umgibt, bis zu einer Tiefe von 8 μπι weggenommen, wodurch ein Transistor des bekannten »Mesa«-Typs erhalten wird, der schließlich mittels Zinn auf einem aus Nickel bestehenden Kollektorkontakt 7 befestigt wird (s, Fig.4).
So wird eine erste Teilzone des Kollektors durch die Halbleiterplatte und eine zweite Teilzone des Kollektors durch die Schicht 2 gebildet. Der Kollektor-Basis-Übergang liegt zwischen der Teilzone 2 und der Basiszone 3 in einem Abstand von 1 μπα von dem Material der ersten Teilzone 1. Dieser Abstand ist hinreichend gering, um eine Erniedrigung des Kollektor-Ableitungsstromes zu erzielen unter Berücksichtigung der Tatsache, daß die Diffusionslänge der Elektronen in dem aufgedampften Germanium etwa μΐη beträgt.
Die Emitterzone ist in der Zeichnung nicht angedeutet; die Basiszone wird durch die diffundierte Zone 3 und die Kollektorzone durch die Teilzonen 1 und 2 gebildet. Die hochohmige dünne Teilzone 2 der Kollektorzone macht eine hohe Basis-Kollektor-Durchschlagspannung möglich, während dennoch der Kollektor-Reihenwiderstand niedrig bleibt dadurch, daß die Teilzone 1 der Kollektorzone niederohmig ist. ao

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Flächentransistor, insbesondere Schalttransistor, mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, der aus Schichten von Materialien verschiedener Eigenschaften besteht und bei dem auf einer der beiden Hauptoberflächen ein Kollektorkontakt angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer zur Kollektorzone (1,2) gehörenden Halbleiterplatte (1) des einen Leitfähigkeitstyps sich eine aufgewachsene Halbleiterschicht (2) desselben Leitfähigkeitstyps mit einer größeren Lebensdauer der Ladungsträger befindet, in der die Basiszone (3) und der KoI-lektor-Basis-pn-Übergang liegen.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus einem Material mit einem kleineren Bandabstand als das der Halbleiterplatte (1) besteht.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor-Basis-pn-Übergang in der aufgewachsenen Halbleiterschicht (2) in einem Abstand von der Grenzfläche zwischen der Halbleiterplatte (1) und der aufgewachsenen Halbleiterschicht (2) liegt, der maximal gleich der Diffusionslänge der Ladungsträger ist.
4. Transistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand kleiner als die Dicke der Basiszone (3) ist.
5. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) aus Silicium und die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus Germanium bestehen.
6. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) aus Galliumarsenid (GaAs) und die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus Germanium bestehen.
7. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) aus Galliumphosphid (GaP) und die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus Germanium bestehen.
8. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) aus Indiumphosphid (InP) und die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus Germanium bestehen.
9. Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) aus Aluminiumantimonid (AlSb) und die aufgewachsene Halbleiterschicht (2) aus Germanium bestehen.
10. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Halbleiterplatte (1) die Halbleiterschicht (2) aufwachsen lassen wird, deren spezifischer Widerstand groß gegen den spezifischen Widerstand der Halbleiterplatte (1) ist, und daß in der aufgewachsenen Halbleiterschicht (2) durch Diffusion eines Dotierungsmaterials entgegengesetzten Leitungstyps die Basiszone (3) erzeugt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht (2) aufgedampft wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE1961N0019481 1960-01-29 1961-01-25 Flaechentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1284518B (de)

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