DE1283206B - Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen - Google Patents
Verfahren zum Reinigen von chlorierten SilanenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. σ.:
COIb
Deutsche Kl.: 12 i-33/04
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
P 12 83 206.3-41 (T 22855)
11. Oktober 1962
21. November 1968
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen mittels Adsorbentien. Die Erfindung
betrifft im einzelnen ein Verfahren zum Entfernen oder praktisch vollständigem Entfernen von
Phosphortrichlorid und/oder Phosphorpentachlorid, das in derartigen Verbindungen vorliegen kann.
Während der Herstellung elementaren Siliciums ausreichender Reinheit für die Gewinnung von Halbleitern
ist es wichtig, daß Elemente der Gruppen III und V des Periodischen Systems weitestgehend entfernt
werden. Ein Verfahren zur Herstellung elementaren Siliciums besteht darin, daß eine flüchtige, flüssige
Siliciumverbindung destilliert und sodann die so erhaltene gasförmige Verbindung mit Wasserstoff in
einem Ofen reduziert wird. Obgleich dieses Verfahren zum Entfernen einiger Verunreinigungen aus der gasförmigen
Siliciumverbindung wirksam ist, ist dasselbe jedoch insbesondere bezüglich der Entfernung von Bor-
und Phosphorverbindungen nicht vollständig zufriedenstellend.
In der deutschen Auslegeschrift 1 073 460 ist ein Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten
Silanen beschrieben, wobei das Silan oder das chlorierte Silan gasförmig über ein Adsorbens geleitet
wird, das für Bildung von nicht flüchtigen Additionsverbindungen des in dem Silan oder dem chlorierten
Silan enthaltenen chlorierten Borans oder/und der in dem Silan oder dem chlorierten Silan enthaltenen
chlorierten Borane mit solchen organischen oder anorganischen, festen oder flüssigen Stoffen beladen ist,
deren Molekül ein Stickstoff-, Phosphor-, Sauerstoff-, Chlor- oder Fluoratom mit einsamem Elektronenpaar
enthalten.
Bei diesem vorbeschriebenen Verfahren sollen nicht, noch können Phosphorchloride aus Silan oder chlorierten
Silanen entfernt werden. Außerdem werden bei der Arbeitsweise gemäß der deutschen Auslegeschrift
1 073 460 zwangläufig in die zu reinigenden Silane oder chlorierten Silane Phosphorverbindungen als
Verunreinigungen eingebracht.
Es ist bekanntgeworden, daß Phosphortrichlorid und Phosphorpentachlorid aus Siliciumtetrachlorid mittels
Adsorption an aktiviertem Aluminiumoxyd entfernt werden können. Es wurde nun jedoch gefunden, daß
dieses Verfahren dann nicht wirksam ist, wenn es bei Siliciumtrichlorsilan Anwendung findet, und zwar auf
Grund der verschiedenen physikalischen Eigenschaften des Siliciumtetrachlorids und des Trichlorsilans. Die
erstere Verbindung weist eine symmetrische und die letztere Verbindung eine unsymmetrische Molekülstruktur
auf. Erfindungsgemäß wird ein verbessertes Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanab-
Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen
Anmelder:
Texas Instruments Ltd.,
Bedford (Großbritannien)
Vertreter:
Dipl.-Ing. Helmut Marsch, Patentanwalt,
4000 Düsseldorf
Als Erfinder benannt:
John Arthur Baldrey,
John Charles Alexander Weaver,
Bedford (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 11. Oktober 1961 (36553)
kömmlingen in Vorschlag gebracht, durch das Phosphortrichlorid und/oder Phosphorpentachlorid entfernt
oder praktisch vollständig entfernt werden, die in diesen Abkömmlingen vorliegen können.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen mittels Adsorbentien, dadurch
gekennzeichnet, daß man das chlorierte Silan flüssig oder gasförmig über ein Aluminiumoxydadsorbens
mit einem Überzug von 0,1 bis 25 Gewichtsprozent Platintetrachlorid leitet.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Aluminiumoxydadsorbens
verwendet wird, das mit etwa 10 Gewichtsprozent bezüglich des Aluminiumoxyds mit Platintetrachlorid
überzogen ist.
Eine spezielle Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Trichlorsilan oder Siliciumtetrachlorid gereinigt wird.
Eine spezielle Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Trichlorsilan oder Siliciumtetrachlorid gereinigt wird.
Eine andere weitere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägergas zum Hindurchdrücken
eines flüssigen halogensubstituierten Silanabkömmlings durch eine Adsorptionskolonne
verwendet wird, die das Aluminiumoxydadsorbens enthält.
809 638/1678
3 4
Eine andere weitere Ausgestaltung der Erfindung ist ersten Umsetzungsminute festgestellt worden. Der
dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminiumoxyd- Gehalt an Platintetrachlorid der Adsorbentien ist
adsorbens in einen flüssigen halogensubstituierten innerhalb des angegebenen Bereiches nicht kritisch
Silanabkömmling eingeführt wird. und wird normalerweise durch praktische Überlegun-Eine
weitere Ausführungsform der Erfindung ist 5 gen bestimmt. Für das Reinigen kleiner Mengen an
dadurch gekennzeichnet, daß man ein Aluminium- Silanabkömmlingen ist gewöhnlich ein relativ geringer
oxydadsorbens einsetzt, das durch Aufbringen von Gehalt an Platintetrachlorid geeignet. Für das Reinigen
Platinchlorwasserstoffsäure auf Aluminiumoxyd und großer Mengen an Silanabkömmlingen ist es gewöhnanschließend
länger als lstündiges Erhitzen des Ge- lieh zweckmäßiger, einen höheren Gehalt an Platinmisches
auf Temperaturen von 320 bis 37O0C erhalten io tetrachlorid für das Adsorbens anzuwenden, jedoch
worden ist. kann auch eine größere Menge Adsorptionsmittel mit Eine spezielle Ausgestaltung der letztgenannten Aus- einer geringeren Menge an Platintetrachlorid angeführungsform
der Erfindung ist dadurch gekenn- wandt werden. Die Teilchengröße der Adsorbentien ist
zeichnet, daß man ein Aluminiumoxydadsorbens ein- nicht kritisch, und die Hauptüberlegung besteht darin,
setzt, welches durch gemeinsames Aufschlämmen des 15 daß eine wirksame Berührung zwischen den Adsorben-Aluminiumoxyds
und der Chlorplatinwasserstoffsäure, tien und den zu reinigenden chlorierten Silanen erzielt
anschließendes zur Trockne Einengen und anschließen- wird.
des Erhitzen erhalten worden ist. Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise
Eine speziellere Ausgestaltung der Erfindung ist da- unter Bezugnahme auf eine Reihe von Ausführungsdurch
gekennzeichnet, daß man ein Aluminiumoxyd- 20 beispielen erläutert: Das in diesen Beispielen angeadsorbens
einsetzt, das bei seiner Herstellung 1,5 Stun- wandte Adsorbens wird in der folgenden Weise herden
bei 370° C erhitzt worden ist. gestellt. Es wird Aluminiumoxyd mit 10 Gewichts-Der
angegebene Mengenbereich an Platintetra- prozent Platintetrachlorid überzogen, indem 80 g
chlorid hat sich als wirksam erwiesen, um ein mit einer Aluminiumoxyd mit einer Lösung von 10 g Chloreinfachen Schicht Platintetrachlorid überzogenes Alu- 25 platinsäure aufgeschlämmt und sodann die Aufminiumoxyd
auszubilden. Das Adsorbens wird her- schlämmung bis zur Trocknung eingeengt wird. Diese
gestellt, indem die benötigte Menge an Chlorplatin- getrocknete Aufschlämmung wird sodann 1,5 Stunden
säure (das Umwandlungsverhältnis von Chlorplatin- lang bei einer Temperatur von 370°C gebacken,
säure zu Platintetrachlorid beläuft sich auf etwa 0,8)
auf Aluminiumoxyd aufgebracht und sodann das 30 Beispiel 1 Platintetrachlorid mittels Erhitzen auf eine Temperatur
von 320 bis 3700C länger als 1 Stunde umgewandelt Es wird eine Lösung von 10 ml Trichlorsilan herwird.
Temperaturen unter dem unteren Grenzwert gestellt, die eine geringe Menge radioaktiv markiertes
dieses Temperaturbereiches haben nicht zu einer wirk- Phosphortrichlorid enthält. Die Radioaktivität dieser
samen Umwandlung der Chlorplatinsäure geführt, 35 Lösung wird gemessen und hierbei 3910 Ausschläge
und über dem oberen Grenzwert liegende Tempera- pro Minute festgestellt. In diese Lösung wird 1 g der
türen haben dazu geführt, daß die Umwandlung in adsorbierenden Substanz, bestehend aus Aluminium-Chloride
tieferer Ordnung als das Tetrachlorid ein- oxyd, das mit 10% Platintetrachlorid überzogen ist,
treten kann. aus einem Ansatz eingeführt, der in der oben be-Es wurde gefunden, daß das bei dem erfindungs- 4° schriebenen Weise hergestellt wurde. Nach lminütigem
gemäßen Verfahren in Anwendung kommende Adsor- Inberührungbringen des Adsorbens mit der Trichlorbens
wirksam ist, um pro Molekül Adsorbens fast silanlösung fällt die Radioaktivität auf 180 Ausschläge
4 Moleküle Phosphortrichlorid zu entfernen. Somit pro Minute ab, und nach 10 Minuten ist der Wert auf
besitzt das Adsorbens eine relativ große Adsorptions- 5,7 Ausschläge pro Minute abgefallen. Die verbleifähigkeit,
und es können hohe Umsetzungsgeschwin- 45 bende Radioaktivität der Lösung nach der Behandlung
digkeiten erzielt werden. stellt ein Maß für die Wirksamkeit des Behandlungs-Das
erfindungsgemäße Verfahren kann zum Reini- Verfahrens dar. Diese Zahlenwerte entsprechen einer
gen von chlorierten Silanen und insbesondere des Tri- Adsorption des Phosphortrichlorids von 95,4% wähchlorsilans
oder Siliciumtetrachlorids angewandt wer- rend der ersten Minute und 99,8 % nach 10 Minuten,
den. Das chlorierte Silan wird zunächst destilliert, wo- 50 Für Vergleichszwecke wird eine weitere Lösung aus
durch nichtflüchtige Verunreinigungen und einige 10 ml Trichlorsilan hergestellt, die eine geringe Menge
flüchtige Verunreinigungen entfernt und ebenfalls das radioaktives Phosphortrichlorid enthält. Die Radiovorliegende
Pentachlorid in Phosphortrichlorid und aktivität der Lösung wird hier zu 4160 Ausschlägen
Chlor reduziert wird. Die destillierte Flüssigkeit wird pro Minute festgestellt. In diese Lösung wird 1 g
sodann erfindungsgemäß weiterbehandelt, wodurch 55 aktiviertes Aluminiumoxyd eingeführt. Nach lminütiman
einen praktisch gereinigten flüssigen Silanab- ger Berührung belief sich die Radioaktivität immer
kömmling erhält. Diese gereinigte Flüssigkeit kann noch auf 4160 Ausschläge pro Minute, und nach
verflüchtigt und die erhaltene gasförmige Verbindung 17,5 Stunden war der Radioaktivitätswert auf 3370 Ausunter
Ausbilden praktisch reinen, elementaren Siliciums schlage pro Minute abgefallen. Dieser letztere Zahlenreduziert werden. 60 wert entspricht einer Adsorption von nur 19 % Phos-Erfindungsgemäß
macht man sich die Tatsache zu- phortrichlorid nach 17,5 Stunden Inberührungbringen.
nutze, daß Phosphortrichlorid eine koordinative Verbindung mit Platintetrachlorid der Art Pt(PCl3)SCl4
ausbildet. Es wurde gefunden, daß das Adsorbens eine Beispiel 2
relativ große Adsorptionsfähigkeit entsprechend 65
χ = 3,8 aufweist und daß es weiterhin möglich ist, Es wird eine Lösung von 10 ml Siliciumtetrachlorid
schnelle Umsetzungsgeschwindigkeiten zu erzielen. So hergestellt, die eine geringe Menge radioaktiv markierist
z.B. eine 95%ige Adsorption während der tes Phosphortrichlorid enthält. Die Radioaktivität der
Lösung wird mit 2285 Ausschlägen pro Minute festgestellt.
In diese Lösung wird 1 g Adsorbens, bestehend aus Aluminiumoxyd, das mit 10 7o Platintetrachlorid überzogen
worden ist, eingeführt, das aus einem Ansatz stammte, der in der oben beschriebenen Weise hergestellt
wurde.
Nach lOminütigem Inberührungbringen des Adsorbens mit dem Siliciumtetrachlorid wird die Radioaktivität
zu 32 Ausschlägen pro Minute entsprechend einer Adsorption von 98,6 7o des Phosphortrichlorids
festgestellt.
Die Beispiele 1 und 2 sind in der folgenden Tabelle zusammengefaßt.
Lösungs mittel |
Adsorbens | Berührungszeit | Gewicht des Adsorbens |
Volumen der Lösung |
Radioa Ausschläge vor |
ktivität pro Minute nach |
PCl3 adsorbiert |
SiHCl3 SiHCl3 SiCl4 |
10 7o PtCl4 auf Al2O3 aktiviert Al2O3 10 7o PtCl4 auf Al2O3 |
1 Minute 10 Minuten 15,5 Minuten 17,5 Stunden 10 Minuten |
ig ig ig ig ig |
10 ml 10 ml 10 ml 10 ml 10 ml |
3910 3910 4160 4160 2285 |
180 5,7 4160 3370 32 |
95,4 70 99,8 70 07o 19 7o 98,6 7o |
Es werden 300 ml destilliertes Trichlorsilan in einen Kolben gebracht und mit 2,5 μg Phosphor/ml unter
Anwenden von radioaktiv markiertem Phosphortrichlorid versetzt.
Sodann wird ein Stickstoffstrom in den Kolben eingeführt, um die Lösung durch eine Adsorptionskolonne zu drücken, die 10 g Aluminiumoxyd überzogen
mit 10 7o Platintetrachlorid enthält. Das Adsorbens entstammt einem Ansatz, der in der oben
beschriebenen Weise hergestellt wurde. Nach dem Durchtritt durch die Adsorptionskolonne wird die
Flüssigkeit mittels einer Meßvorrichtung auf ihre Radioaktivität untersucht und sodann in einen
anderen Kolben übergeführt.
Anfänglich konnte keine Radioaktivität in dem eluierten Produkt festgestellt werden, jedoch nahm
während des Verfahrens die Radioaktivität auf einen abschließenden Wert von 60 Ausschlägen pro Minute
entsprechend einerdurchschnittlichenPhosphorkonzentration von 4 · 10~4 [xg/ml in dem behandelten Lösungsmittel
zu. Somit lag in dem Auffangkolben ein praktisch gereinigtes Trichlorsilan vor.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen kann insbesondere für die Herstellung
elementaren Siliciums angewandt werden, das für die Herstellung von Halbleitern geeignet ist. Der
halogensubstituierte Silanabkömmling wird zunächst destilliert, wobei durch die Destillation nicht flüchtige
Verunreinigungen entfernt werden, wobei ebenfalls das Phosphorpentachlorid in Phosphortrichlorid und
Chlor reduziert wird. Der destillierte flüssige halogensubstituierte Silanabkömmling wird sodann erfindungsgemäß
weiterbehandelt, indem derselbe durch eine Adsorptionskolonne geleitet wird, die Aluminiumoxyd
enthält, das mit Platintetrachlorid in einer Menge von 0,1 bis 25 Gewichtsprozent bezüglich des Aluminiumoxyds
überzogen ist. Die Menge der adsorbierenden Substanz wird in Übereinstimmung mit den
vorstehenden Angaben bestimmt. Nach dem Durchtritt durch die Adsorptionskolonne erhält man
praktisch gereinigtes chloriertes Silan.
In einer beanspruchten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens arbeitet man so, daß ein
Trägergas zum Hindurchdrücken eines flüssigen halogensubstituierten Silanabkömmlings durch eine
Adsorptionskolonne verwendet wird, die das AIuminiumoxydadsorbens enthält.
In einer anderen beanspruchten Ausführungsform
In einer anderen beanspruchten Ausführungsform
as des Verfahrens gemäß der Erfindung wird das AIuminiumoxydadsorbens
in einen flüssigen halogensubstituierten Silanabkömmling eingeführt.
Der gereinigte halogensubstituierte Silanabkömmling wird sodann mit Wasserstoff in bekannter Weise
in einem Ofen reduziert, wodurch man praktisch reines elementares Silicium erhält. Dieses Verfahren zum
Reinigen von halogensubstituierten Silanabkömmlingen mittels Adsorbentien und Weiterverwendung
des gereinigten chlorierten Silans zum Herstellen von Silicium hat sich insbesondere als zweckmäßig bei der
Anwendung von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid als Ausgangsverbindung erwiesen.
Claims (7)
1. Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen mittels Adsorbentien, dadurch gekennzeichnet,
daß man das chlorierte Silan flüssig oder gasförmig über ein Aluminiumoxydadsorbens
mit einem Überzug von 0,1 bis 25 Gewichtsprozent Platintetrachlorid leitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Aluminiumoxydadsorbens verwendet
wird, das mit etwa 10 Gewichtsprozent bezüglich des Aluminiumoxyds mit Platintetrachlorid
überzogen ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Trichlorsilan oder Siliciumtetrachlorid
gereinigt wird.
4. Verfahren nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Trägergas zum Hindurchdrücken eines flüssigen halogensubstituierten Silanabkömmlings durch eine
Adsorptionskolonne verwendet wird, die das Aluminiumoxydadsorbens enthält.
5. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminiumoxydadsorbens
in einen flüssigen halogensubstituierten Silanabkömmling eingeführt wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
man ein Aluminiumoxydadsorbens einsetzt, das
7 8
durch Aufbringen von Platinchlorwasserstoffsäure engen und anschließendes Erhitzen erhalten worden
auf Aluminiumoxyd und anschließend länger als ist.
1 stündiges Erhitzen des Gemisches auf Tempera- 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch
türen von 320 bis 370° C erhalten worden ist. gekennzeichnet, daß man ein Aluminiumoxyd-
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn- 5 adsorbens einsetzt, das bei seiner Herstellung
zeichnet, daß man ein Aluminiumoxydadsorbens 1,5 Stunden bei 3700C erhitzt worden ist.
einsetzt, welches durch gemeinsames Aufschläm-
men des Aluminiumoxyds und der Chlorplatin- In Betracht gezogene Druckschriften:
wasserstoffsäure, anschließendes zur Trockne Ein- Deutsche Auslegeschrift Nr. 1073 460.
809 638/167« 11.68 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB36553/61A GB1015604A (en) | 1961-10-11 | 1961-10-11 | A treatment process for silicon compounds |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1283206B true DE1283206B (de) | 1968-11-21 |
Family
ID=10389197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DET22855A Pending DE1283206B (de) | 1961-10-11 | 1962-10-11 | Verfahren zum Reinigen von chlorierten Silanen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3323870A (de) |
DE (1) | DE1283206B (de) |
GB (1) | GB1015604A (de) |
Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
IT1196983B (it) * | 1986-07-23 | 1988-11-25 | Enichem Agricoltura Spa | Procedimento per la produzione di tetrafluoruro di silicio |
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DE1073460B (de) * | 1958-01-11 | 1960-01-21 | LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE554836A (de) * | 1956-02-11 | |||
US2970040A (en) * | 1958-03-07 | 1961-01-31 | Merck & Co Inc | Purification of silicon halides |
US3069239A (en) * | 1958-10-28 | 1962-12-18 | Westinghouse Electric Corp | Purification of halogenated silicon compounds |
NL130371C (de) * | 1958-12-16 | 1900-01-01 |
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1961
- 1961-10-11 GB GB36553/61A patent/GB1015604A/en not_active Expired
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1962
- 1962-10-11 US US229976A patent/US3323870A/en not_active Expired - Lifetime
- 1962-10-11 DE DET22855A patent/DE1283206B/de active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1073460B (de) * | 1958-01-11 | 1960-01-21 | LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Verfahren zum Reinigen von Silan oder chlorierten Silanen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1015604A (en) | 1966-01-05 |
US3323870A (en) | 1967-06-06 |
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