DE1282410B - Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Messung und Steuerung der Abscheidung duenner, durch Vakuumverdampfung erzeugter Mischschichten - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

C23c

Deutsche Kl.: 48 b-13/00

Nummer: 1282410

Aktenzeichen: P 12 82 410.1-45 (C 32818)

Anmeldetag: 6. Mai 1964

Auslegetag: 7. November 1968

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Messung und Steuerung der Abscheidung dünner, durch Vakuumverdampfung wenigstens zweier unterschiedlicher Materialien erzeugter Mischschichten auf einem Trägerelement, wobei die unterschiedlichen Materialien in getrennten Quellen angeordnet sind und ein Teil des von jeder Quelle zu dem Trägerelement geführten Dampfstrahles zur Erreichung einer gleichzeitigen und getrennten Messung und Steuerung der Abgabe jeder Quelle in jeweils eine Ionisationskammer geleitet wird, deren Ausgangsstrom zur Steuerung der Verdampfungseinrichtung der entsprechenden Quelle dient.

Verfahren und Vorrichtungen dieser Art werden vor allem auf den Gebieten der Optik, der Elektronik bei der Herstellung von Halbleitern und Mikrosch altkreisen sowie bei der Herstellung dünner Magnetschichten verwendet.

Es ist bereits ein Verfahren zur Abscheidung einer dünnen Schicht auf der Oberfläche eines Trägerelements bekannt, bei dem der zu bedampfende Gegenstand und die die zu verdampfenden Materialien enthaltenden Quellen im Vakuum angeordnet und ein Teil des von jeder Quelle kommenden und auf das zu bedampfende Trägerelement gerichteten Dampfstrahles über eine einzige Öffnung in der Weise auf ein Kontrollplättchen gerichtet wird, daß das von jeder Quelle verdampfte Material auf einem bestimmten Bereich des Plättchens abgeschieden wird. An Hand dieser getrennten Abscheidungen der einzelnen Materialien auf dem Kontrollplättchen wird dann die Menge der von jeder Quelle verdampften Substanz bestimmt. Die Mengenbestimmung erfolgt dabei auf Grund direkter Beobachtung eines Interferenzstreifensystems. ------

Abgesehen davon, daß bei diesem bekannten Verfahren erhebliche Ungenauigkeiten in Kauf genommen werden müssen, die vor allem dadurch bedingt sind, daß im Bereich der Durchtrittsöffnung für die Dampfstrahlen insbesondere bei größerer Intensität der Strahlen Zusammenstöße von Atomen erfolgen, ist auch die benötigte Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens überaus aufwendig und kompliziert, da zur Gewinnung eines Maßes für die jeweilige Schichtdichte eine Umrechnung der bei der Beobachtung des Interferenzstreifensystems erhaltenen Größen mittels kostspieliger Einrichtungen wie eines Rechners erforderlich sind. Ein Maß der Schichtdicke wird jedoch benötigt, um eine Steuergröße für die Regelung der von den einzelnen Quellen verdampften Mengen zu erhalten.

Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen
Messung und Steuerung der Abscheidung dünner, durch Vakuumverdampfung erzeugter
Mischschichten

Anmelder:

Compagnie Generale d'Electricite, Paris

Vertreter:

Dr. W. Müller-Bore, Dipl.-Ing. H. Gralfs
und Dr. G. Manitz, Patentanwälte,
8000 München 22, Robert-Koch-Str. 1

Als Erfinder benannt:
Charles Dufour, Paris

Beanspruchte Priorität:

Frankreich vom 8. Mai 1963 (934 112)

Es ist ferner eine Ionisationsmeßvorrichtung bekannt, bei der der aus einer Quelle kommende Dampfstrahl durch eine kreisförmige Öffnung in das Innere eines Metallzylinders eintritt, wo ein kleiner Teil der Dampfatome auf einen dort aufgespannten dünnen, hocherhitzten Wolframdraht auftrifft und ionisiert wird. Der Dampfstrahl muß dabei so schmal sein, daß von ihm nur solche Teile des elektrisch geheizten Wolframdrahtes getroffen werden, die sich auf einer zur vollständigen Ionisierung des Dampfes ausreichenden Temperatur befinden. Der den Draht umgebende Metallzylinder ist dabei gegen den Draht so stark negativ aufgeladen, daß sämtliche entstehenden Ionen zu ihm hingezogen werden. Auf diese Weise ist es möglich, die Intensität des Dampfstrahles und damit die Stärke der abgeschiedenen Schichten in Form eines Ionenstromes zu messen.

Diese bekannte Vorrichtung weist jedoch erhebliche Nachteile auf. Eine sich auf die Genauigkeit des Meßergebnisses und damit auf die Genauigkeit der zu erzielenden Regelung nachteilig auswirkende Schwierigkeit ergibt sich bei der bekannten Vorrichtung dadurch, daß sich in dem evakuierten Raum die Anwesenheit von Staubteilchen nicht vermeiden läßt, die sich auf den Elektroden absetzen und bei Aufheizung des Systems schnelle Entgasungen bewirken, die in der Ionisationskammer Wechselsignale erzeugen, die nur sehr schwer ausgefiltert werden können. Des weiteren kann eine gegebenenfalls vor-

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handene Ultraviolettstrahlung an den Elektroden der bezüglich dieser Zentralkathode angeordneten und Ionisationskammer eine Auslösung von Teilchen be- miteinander nicht verbundenen Kollektoren und wirken, welche ebenfalls das Meßergebnis ver- einem zwischen der Zentralkathode und den Kollekfälschen. Ein besonders ins Gewicht fallender Nach- toren angeordneten Gitter, das aus zwei zueinander teil der bekannten Vorrichtung besteht ferner darin, 5 symmetrischen, den Kollektoren gegenüberliegenden daß ein einwandfreies Arbeiten der Vorrichtung nur Teilen besteht und positiv vorgespannt ist.
möglich ist, wenn das Ionisationspotential der ver- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der erfin-

dampften Metalle kleiner als das der Reaktions- dungsgemäßen Vorrichtung ist die gesamte Ionifläche, d. h. von Wolfram ist. Damit kann aber eine sationskammer mit einer antistatischen und antirelativ große Anzahl von technisch wichtigen Me- io magnetischen Abschirmung umgeben, die eine den tallen, wie Silicium, Bor, Platin, Antimon, Tellur, Durchgang der Strahlimpulse zwischen einem Kollek-Arsen, Gold und Zink, nicht oder nur mit großen tor und dem entsprechenden Gitter gewährleistende Schwierigkeiten und relativ großem Aufwand ver- Eintritts- und Austrittsöffnung aufweist,
arbeitet werden. Die elektronische Einrichtung zur Steuersignal-

Ferner ist es nachteilig, die Elektroden der Meß- 15 erzeugung besteht vorzugsweise aus zwei jeweils mit vorrichtung den Dämpfen von Stoffen auszusetzen, einem Kollektor der Doppelionisationskammer verdie keine metallische Leitfähigkeit besitzen. bundenen Verstärkern, einem mit den beiden VerZiel der Erfindung ist die Schaffung eines Verfah- stärkern verbundenen Differenzverstärker, einer sich rens zur kontinuierlichen Messung und Steuerung der daran anschließenden Gleichrichteranordnung und Abscheidung dünner Mischschichten auf einem so einem auf die jeweilige Quelle einwirkenden Regler. Trägerelement, dessen Arbeitsweise unabhängig von Vorteilhafterweise weist der Regler einen von

dem Ionisierungspotential und der Verdampfungs- Hand oder automatisch einstellbaren Dämpfungstemperatur der verwendeten Metalle ist, eine weit- kreis auf.

gehende Ausschaltung von Störeinflüssen gewähr- Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise an

leistet und eine außerordentlich gute Regelung der 25 Hand der Zeichnung beschrieben, deren einzige Fi-Verdampfungsmengen ermöglicht. gur eine schematische Darstellung einer erfindungs-

Ausgehend von einem Verfahren der eingangs an- gemäßen Vorrichtung mit zwei Quellen zeigt,
geführten Gattung wird diese Aufgabe gemäß der Nach der Zeichnung enthält eine Vakuumglocke 1

Erfindung dadurch gelöst, daß zunächst der vom zwei Quellen 2 und 3 der Materialien, die in Form Hauptstrahl einer Quelle abgezweigte kontinuierliche 30 dünner Schichten auf ein Trägerelement 4 aufge-Teilstrahl vor seinem Eintritt in die Ionisations- bracht werden sollen. In der Vakuumglocke sind kammer in eine Folge von zeitlich den gleichen Ab- ferner zwei Doppelionisationskammern 6 vorgestand aufweisenden und gleich langen Strahlimpulsen sehen, die einen Teil des von den Quellen 2 und 3 umgeformt wird, daß dann diese Strahlimpulse durch ausgesandten atomaren Dampfstrahles aufnehmen die Ionisationkammer geführt werden, wobei eine 35 und vor denen sich als Blenden wirkende Zahn-Kompensierung der auf Grund vorhandener Rest- scheiben 5 befinden, die von einem gemeinsamen teilchen auftretenden Störeffekte durch symme- Synchronmotor angetrieben werden, der außerhalb trische Aufteilung und Gegeneinanderschaltung eines der Glocke angebracht und in der Zeichnung nicht sich ausbildenden Restteilchenflusses erfolgt, und dargestellt ist.

daß schließlich die ein Maß für die Abscheidung dar- 40 Grundsätzlich sind die Stromkreise zur Regelung stellenden Ausgangssignale der Ionisationskammer und Überwachung der Abgabemenge jeder Quelle in über eine Rückkopplungsschleife als Eingangssignale gleicher Weise ausgebildet. Jeder Stromkreis weist einer die Messung und/oder Steuerung der Abschei- zwei getrennte Kathodenverstärker 11 und 12 auf, dung gewährleistenden Anordnung zugeführt werden. von denen jeder die Niederimpedanzsignale erhält, Vorzugsweise werden die Ausgangssignale dem 45 die von den beiden Sammelelekroden der jeweiligen Heizsystem der jeweiligen Quelle zugeführt und Doppelionisationskammer 6 kommen. Diese Signale dienen zur Regelung einer konstanten Abgabemenge werden anschließend voneinander subtrahiert und in an verdampftem Material. dem Differenzverstärker 10 vorverstärkt. Der Aus-

Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung des erfin- gang des Verstärkers 10 ist mit dem Eingang eines dungsgemäßen Verfahrens werden die Ausgangs- so zweiten Verstärkers 9 verbunden, in dem die Signale signale mit den von einem Programmgeber korn- erneut gefiltert und anschließend verstärkt werden, menden und die Abgabemenge der jeweiligen Quelle um Signale zu erhalten, die einerseits nach Gleichfestlegenden Signale zur Erreichung einer möglichst richtung einem Schreiber 8 zugeführt und anderergenauen, dem vorgegebenen Programm entsprechen- seits zur Steuerung der Heizvorrichtung 7 der jeweiden Regelung kombiniert. S5 !igen Quelle verwendet werden.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchfüh- Um zu vermeiden, daß die Meßgenauigkeit und

rung des Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, daß damit auch die Genauigkeit der Abscheidung von zur Erzeugung der Folge von zeitlich den gleichen Schichten auf einem Trägerelement durch eventuell Abstand aufweisenden und gleich langen Strahl- in der Vakuumglocke vorhandene Staubteilchen oder impulsen in dem von einer Quelle kommenden Strah- 60 durch gegebenenfalls auftretende Ultraviolettstrahlengang eine mit konstanter Geschwindigkeit ange- lung beeinträchtigt wird, sind die verwendeten Doptriebene, regelmäßig ausgebildete Zahnscheibe vor- pelionisationskammern 6 in ganz spezieller Weise gesehen ist, und daß die Ionisationskammer aus einer ausgebildet.

Doppelionisationskammer mit zwei Ausgängen be- Die Doppelionisationskammer 6 besteht aus einer

steht, die mit elektronischen Einrichtungen zur 65 Zentralkathode 13, zwei symmetrisch bezüglich dieser Steuersignalerzeugung verbunden sind. Zentralkathode angeordneten und miteinander nicht

Die Doppelionisationskammer besteht Vorzugs- verbundenen Kollektoren 14,15 und einem zwischen weise aus einer Zentralkathode, zwei symmetrisch der Zentralkathode und den Kollektoren angeord-

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neten Gitter, das aus zwei zueinander symmetrischen, lung des Signals auf den gewünschten Pegel. Dieses

den Kollektoren gegenüberliegenden Teilen besteht Signal wird dann vorzugsweise mit einer gleichgerich-

und positiv vorgespannt ist. Die Kathode besteht da- teten, stabilen Spannung verglichen. Eine regelbare

bei vorzugsweise aus einer Spirale aus reinem Wolf- Zeitkonstante ermöglicht es, den Ausgangsstrom des

ram, und die einzelnen Elemente sind auf einem 5 Steuersystems zu verändern, der nach Verstärkung

kleinen Rohrstutzen angebracht, wodurch ein den für die Aufheizung der Quellen 2, 3 unmittelbar

schneller Abbau und Wiederaufbau der gesamten verwendbaren Strom ergibt.

Anordnung ermöglicht wird. Im folgenden wird eine besondere Anwendung der

Der von der jeweiligen Quelle ausgesandte Dampf- Vorrichtung gemäß der Erfindung für die Herstellung strahl durchläuft die Ionisationskammer zwischen io von Legierungsverbindungen von großer Oberfläche einem Kollektor und dem Gitter. Der andere Kollek- für Halbleiter beschrieben, insbesondere für die Hertor nimmt nur die Restdruckschwankungen der Gase stellung von Dioden. Bekanntlich können die Halbin dem Raum auf. leiter-Dioden, wie z. B. die Silicium-Dioden, sehr

Die gesamte Ionisationskammer 6 ist mit einer verschiedene Eigenschaften haben, je nachdem, ob antistatischen und antimagnetischen Abschirmung 15 es sich beispielsweise um »Tunnek-Dioden oder umumgeben, die eine den Durchgang der Strahlimpulse gekehrt arbeitende Dioden handelt,
zwischen einem Kollektor und dem entsprechenden Die Vorrichtung wird zur Herstellung von Legie-Gitter gewährleistende Eintritts- und Austrittsöffnung rungsverbindungen zwischen Aluminium und Bor auf aufweist. Durch diese Abschirmung wird der Einfluß einer Siliciumplatte verwendet, deren Oberfläche vorvon Störsignalen weitgehend beseitigt. Die dyna- ao her dotiert worden ist.

mische Empfindlichkeit bezüglich der von den Quel- Bekanntlich hängt die Eigenschaft der erhaltenen len 2, 3 ausgesandten Dämpfe wird durch diese Ab- Verbindung allein von der Dotierung des Basisschirmung jedoch nicht beeinträchtigt. siliciums ab, vorausgesetzt, daß die Konzentration

Die Speisung der Doppelionisationskammern er- des Bors in der rekristallisierten Schicht genügend folgt mittels einer stabilisierten Energiequelle, die den as groß ist, um den Einfluß der Donatoren auszuglei-Heizstrom für die Kathode, die Beschleunigungs- chen. Im übrigen beeinflußt der Boranteil sehr stark spannung und die Kollektorspannung liefert. Die Aus- die Höhe des Schmelzpunktes des ternären Eutektrittsstellen der Kollektoren sind sorgfältig abge- tikums Si—Al—B. Der Gehalt an Bor bestimmt letztschirmt und mit Masse über Widerstände R verbun- lieh die Wahl der Legierungstemperatur, unterhalb den, an denen das Ausgangssignal erhalten wird. 30 derer das Schmelzen nicht stattfindet und oberhalb

Die Doppelionisationskammern 6 sind in der Va- derer sich die Schicht von Aluminium und Bor zu

kuumglocke 1 bezüglich der Quellen 2 und 3 und des Tröpfchen sammelt.

Trägerelements 4 derart angeordnet, daß die Dichte Dadurch, daß die Vorrichtung gemäß der Erfinder die beiden Ionisationskammern durchströmenden dung eine sehr genaue Überwachung der Stärke des Dämpfe von der gleichen Größenordnung ist. Dabei 35 von den Aluminium- und Borquellen ausgesandten wird das gewünschte Verhältnis der beiden Mate- atomaren Strahls gewährleistet, ermöglicht sie es, die rialien auf dem Trägerelement eingehalten. Die An- genaue Eigenschaft der gewünschten Verbindung zu Ordnung der Ionisationskammern ist allein von der erhalten.
Art der jeweiligen Materialien abhängig. Um eine Silicium-Umkehr-Diode zu erhalten, wird

Die elektronische Einrichtung zur Steuersignal- 40 das Aluminium und Bor in einem Verhältnis von erzeugung besteht aus zwei jeweils mit einem Kollek- ungefähr 100 :1 auf eine Siliciumplatte vom Typ »n« tor 14, 15 der Doppelionisationskammer 6 verbun- gedampft, deren Oberfläche durch Diffusion von Phosdenen Verstärkern 11,12, einem mit den beiden Ver- phor bis zu einer Konzentration von 2,5 · 10¹⁹ Atomen/ stärkern verbundenen Differenzverstärker 10, einer cms dotiert worden ist. Bei einer Tunnel-Diode besieh daran anschließenden Gleichrichteranordnung 45 trägt die Konzentration der Oberfläche »n« 4 · 10¹⁹ und einem auf die jeweilige Quelle 2, 3 einwirkenden Atome/cm³.

Regler. Dieser Regler kann einen von Hand oder Das Verfahren ist folgendes: Nachdem die Silicium-

automatisch einstellbaren Dämpfungskreis aufweisen. platte in die Vakuumplatte gebracht worden ist, er-

Die Vorrichtung arbeitet folgendermaßen: Der von folgt das Aufbringen der Aluminium- und Bor-

jeder Quelle 2, 3 ausgesandte Dampfstrahl wird zu 50 schichten.

einem Teil auf die jeweils zur Quelle gehörende Ioni- Beispielsweise besteht die Aluminiumquelle aus sationskammer 6 und zum anderen Teil auf das Trä- reinem Aluminium, das sich in einem Tiegel aus gerelement bzw. das Probestück 4 gerichtet. Der in Titanborid befindet, der durch Leitung aufgeheizt die Ionisationskammer eindringende Teilstrahl durch- wird, während die Borquelle aus Bor besteht, das in läuft die vor der Ionisationskammer angeordnete und 55 einem durch Elektronenbeschuß erhitzten Graphitaus einer Zahnscheibe bestehende Blende, die den je- tiegel angeordnet ist.

weiligen Strahl mit einer bestimmten Frequenz unter- Sobald sich einmal ein Niederschlag gebildet hat,

bricht. Mittels der an jede Ionisationskammer ange- wird die Legierung der Schichten mit dem Silicium

schlossenen elektronischen Einrichtung wird die hergestellt, indem man die Platte, ohne sie heraus-

Wechselkomponente des Ionisierungsstromes gemes- 60 zunehmen, sehr schnell in einem Strahlungsofen auf-

sen, in deren Abhängigkeit dann die Regelung der heizt, der ebenfalls in der Glocke angebracht ist. Die

Heizung der jeweiligen Quelle mittels einer Induk- äußerst schnelle Erhitzung und Abkühlung genügen,

tionsschleife vorgenommen wird. Auf diese Weise ist um die Menge an Silicium zu lösen, die erforderlich

es möglich, die Abgabemenge während der Dauer ist, um das ternäre Eutektikum und die rekristalli-

der Verdampfung nach Belieben sehr gleichmäßig 65 sierte und stark dotierte p-Schicht zu bilden,

oder veränderlich zu halten. Ein regelbarer und ge- Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann selbst-

eichter Dämpfungskreis, der am Eingang eines jeden verständlich auch auf dem Gebiet der Optik oder

Regelkreises vorgesehen ist, ermöglicht die Einstel- Elektronik zur Erzeugung dünner Schichten ange-

wendet werden, sofern es darum geht, von den physikalischen, chemischen, elektrischen oder magnetischen Eigenschaften dieser Schichten Gebrauch zu machen.

^:-

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur kontinuierlichen Messung und Steuerung der Abscheidung dünner, durch Va-

.. kuumverdampfung wenigstens zweier unterschied-

■ licher Materialien erzeugter Mischschichten auf einem Trägerelement, wobei die unterschiedlichen Materialien in getrennten Quellen angeordnet

'■- sind und ein Teil des von jeder Quelle zu dem ^; Trägerelement geführten Dampfstrahles zur Erreichung einer gleichzeitigen und getrennten Messung und Steuerung der Abgabe jeder Quelle in '- jeweils eine Ionisationskammer geleitet wird, deren Ausgangsstrom zur Steuerung der Verdampfungseinriehtung der entsprechenden Quelle ao dient, dadurch geke η η zeichnet, daß zu-

■ nächst der vom Hauptstrahl einer Quelle abgezweigte kontinuierliche Teilstrahl vor seinem Ein-

; tritt in die Ionisationskammer in eine Folge von - zeitlich den gleichen Abstand aufweisenden und gleich langen Strahlimpulsen umgeformt wird, ' daß dann diese Strahlimpulse durch die Ionisationskammer geführt werden, wobei eine Kom-• pensierung der auf Grund vorhandener Restteilchen auftretenden Störeffekte durch symmetrische Aufteilung und Gegeneinanderschaltung eines sich ausbildenden Restteilchenflusses erfolgt, und daß schließlich die ein Maß für die Abscheidung darstellenden Ausgangssignale der Ionisations-^L kammer über eine Rückkopplungsschleife als • Eingangssignale einer die Messung und/oder Steuerung der Abscheidung gewährleistenden Anordnung zugeführt werden. ;

2. Verfahren nach Anspruch 1,. dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssignale dem Heiz- system der jeweiligen Quelle, zugeführt werden und zur Regelung einer konstanten Äbgabemenge an verdampftem Material dienen.

3. Verfahren nach Anspruch, 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssignale mit den von einem Programmgeber kommenden und die Abgabemenge der jeweiligen Quelle festlegenden Signalen zur Erreichung einer möglichst genauen, dem vorgegebenen Programm entsprechenden Regelung kombiniert werden. '

4. Vorrichtung zur Ausführung, des Verfahrens ' nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Folge von zeitlich den gleichen Abstand aufweisenden und gleich langen Strahlimpulsen, in dem von einer Quelle (2, 3) kommenden Strahlengang eine mit konstanter Geschwindigkeit angetriebene, regelmäßig ausgebildete Zahnscheibe (5) vorgesehen ist und daß die Ionisationskammer aus. einer Doppelionisätionskammer (6) mit zwei Ausgängen besteht, die mit elektronischen Einrichtungen (9, 10, 11, 12) zur Steuersignalerzeugung verbunden sind,

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Doppelionisationskammer (6) aus einer Zentralkathode (13), zwei symmetrisch bezüglich dieser Zentralkathode angeordneten und miteinander nicht verbundenen Kollektoren (14, 15) und einem zwischen der Zentralkathode und den Kollektoren angeordneten Gitter besteht, das aus zwei zueinander symmetrischen, den Kollektoren gegenüberliegenden Teilen besteht und positiv vorgespannt ist.

6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Ionisationskammer (6) mit einer antistatischen und antimagnetischen Abschirmung umgeben ist, die eine den Durchgang der Strahlimpulse zwischen einem Kollektor (15) und dem entsprechenden Gitter gewährleistende Eintritts- und Austrittsöffnung aufweist.

7. Vorrichtung nach den Ansprüchen 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Einrichtung zur Steuersignalerzeugung aus zwei jeweils mit einem Kollektor (14,15) der Doppelionisationskammer (6) verbundenen Verstärkern (11, 12), einem mit den beiden Verstärkern verbundenen Differenzverstärker (10), einer sich daran anschließenden Gleichrichteranordnung und einem auf die jeweilige Quelle (2, 3) einwirkenden Regler besteht.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Regler einen von Hand oder automatisch einstellbaren Dämpfungskreis aufweist

9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Regler und dem Heizsystem der jeweiligen Materialquelle eine direkte Verbindung besteht.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1301197;
Methfessel, »Dünne Schichten«, 1953,
bis 99.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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