DE1280417B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher SperrfaehigkeitInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
Nummer:
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Auslegetag:
Aktenzeichen:
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Auslegetag:
HOIl
P 12 80 417.0-33 (L 42188)
8. Juni 1962
17. Oktober 1968
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid
auf der Selenschicht einer Selengleichrichterplatte.
Durch Aufbringen von Thalliumsulfidschichten zwischen der Selenschicht und der Deckelelektrode
können Selengleichrichter mit guten elektrischen Eigenschaften, insbesondere mit optimalem Sperrvermögen,
in bekannter Weise hergestellt werden. Üblicherweise erfolgt das Aufbringen der Thalliumsulfidschicht
durch Aufdampfen von Thalliumsulfid (Tl2S) im Hochvakuum oder durch Aufsprühen einer
Suspension von Thalliumsulfid.
Besonders nachteilig wirkt sich bei diesen Verfahren aus, daß der Aufdampfungsprozeß im
Vakuum aufwendig, teuer und schwierig zu steuern ist. Außerdem ist die leichte Oxydierbarkeit des
Thalliumsulfids bei höheren Temperaturen störend. Ferner ist beim Aufsprühen von Thalliumsuspensionen
auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte keine gleichmäßige Schichtdicke gewährleistet. Um
genügend feine Teilchen und eine ausreichende Beständigkeit der Suspensionen zu erreichen, müssen
Hilfsmittel zugesetzt werden, die sich oft nachteilig auf die elektrischen Eigenschaften der Gleichrichter
auswirken.
Ein weiteres bekanntes Verfahren besteht darin, die Platten in eine wäßrige Lösung von Thalliumhydroxid
zu tauchen. Dabei ist jedoch eine nachfolgende intensive Reinigung in destilliertem Wasser
unerläßlich. Überdies entsteht durch Reaktion des Thalliums mit dem Selen Thalliumselenid, weshalb
dieses Verfahren im wesentlichen auf die Bildung von Zwischenschichten aus Thalliumselenid
beschränkt und für die Herstellung von Zwischenschichten aus Thalliumsulfid weniger geeignet
ist.
Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit
durch Aufbringen von Thalliumsulfidschichten, das die Nachteile der bekannten Verfahren
vermeidet und in einfacher Weise die Aufbringung einer gleichmäßigen Schicht aus reinem
Thalliumsulfid auf der Selenschicht einer Gleichrichterplatte ermöglicht.
Diese Aufgabe wird in überraschend einfacher Weise bei einem Verfahren zur Herstellung einer
gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht einer Selengleichrichterplatte dadurch
gelöst, daß eine thalliumhaltige Lösung auf die Selenschicht aufgebracht und die so aufgebrachte
Thalliumverbindung durch Behandeln mit unter BiI-
Verfahren zur Herstellung von
Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit
Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
6000 Frankfurt, Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Wolfgang Nestler, 8000 München;
Rigobert Schimmer,
Horst Siebke, 4785 Belecke;
Dr. phil. nat. Josef Muschaweck, 8501 Burgtann
ao dung von Schwefelwasserstoff zerfallenden Substanzen
zu Thalliumsulfid umgesetzt wird.
Mit diesem Verfahren nach der Erfindung wird die Herstellung von Gleichrichtern ermöglicht, die
gute elektrische Eigenschaften aufweisen.
Als thalliumhaltige Lösung hat sich besonders eine alkoholische Thalliumäthylatlösung bewährt, als
unter Bildung von Schwefelwasserstoff zerfallende Substanz eine alkoholische Lösung von Thioacetamid.
Wenn das Thalliumäthylat mit dem Thioacetamid reagiert, bildet sich Thalliumsulfid, das von keinem
Nebenprodukt verunreinigt wird, weil daneben nur noch flüchtiges Ammoniumacetat gebildet wird.
Es empfiehlt sich daher, Thalliumäthylat und Thioacetamid in annähernd stöchiometrischen Mengen
miteinander reagieren zu lassen.
Beide Lösungen werden entweder gleichzeitig auf die Selenschicht aufgebracht oder auch nacheinander,
wobei sich das Thalliumäthylat in gleicher Weise bildet und wodurch eine größere Flexibilität
der Fabrikationsmethoden gegeben ist. Gegenüber der Verwendung von gasförmigem Schwefelwasserstoff
bietet das Verfahren nach der Erfindung den Vorteil, daß auf die Anwendung eines Stoffes hoher
Giftigkeit verzichtet werden kann, der besonders bei einer Massenfertigung nur schwierig zu handhaben
ist. Thioacetamid und Thalliumäthylat stellen dagegen einfacher und bequemer zu handhabende
Stoffe dar, die keine zusätzlichen Schutzeinrichtungen erforderlich machen.
An Hand eines Beispiels soll das Verfahren nach der Erfindung näher beschrieben werden. Auf die
Selenschicht der Gleichrichterplatte werden eine
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Lösung von etwa 0,5 g Thioacetamid je Liter eines Gemisches aus einem Teil Methanol mit vier Teilen
Butanol und eine Lösung von etwa 2 g Thalliumäthylat je Liter eines Gemisches aus einem Teil
Methanol und vier Teilen Butanol in gleicher Menge aufgebracht, was entweder gleichzeitig oder nacheinander
geschehen kann. Das Aufbringen erfolgt vorzugsweise durch Aufsprühen.
Nach diesem Vorgang werden die Gleichrichterplatten während einer Dauer von 5 Minuten auf
80 bis 100° C erwärmt. Danach erfolgt in üblicher Weise das Aufbringen der Gegenelektrode und die
Schlußtemperung. Dieses Verfahren ist nicht nur einfach und schnell, sondern auch kontinuierlich
durchführbar, ohne die in den bisher bekannten Verfahren auftretenden Nachteile aufzuweisen. Die
Gleichrichter, die nach diesem Verfahren erhalten werden, zeigen sehr gute elektrische Eigenschaften,
die den Anforderungen der Technik vollauf genügen. Sie zeichnen sich besonders durch höbe Sperrfähigkeit
aus. Darüber hinaus ermöglicht das Verfahren nach der Erfindung, die Dotierstoffe in vorteilhafter
und bequemer Weise zu dosieren.
Claims (7)
1. -Verfahren-zur Herstellung einer gleichmäßigen
Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht einer Selengleichrichterplatte, dadurch
gekennzeichnet, daß eine thalliumhaltige Lösung auf die Selenschicht aufgebracht
und die so aufgebrachte Thalliumverbindung durch Behändem mit unter Bildung von
Schwefelwasserstoff zerfallenden Substanzen zu Thalliumsulfid umgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine alkoholische Thioacetamidlösung
zusammen mit einer alkoholischen Thalliumäthylatlösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht und außer flüchtigem
Ammoniumacetat auf der Selenschicht der Gleichrichterplatte Thalliumsulfid gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Thalliumäthylatlösung
auf die Selenschicht "der Gleichrichterplatte und daran anschließend eine Thioacetamidlösung in
annähernd stöchiometrischen Mengen aufgebracht und außer flüchtigem Ammoniumacetat auf der
Selenschicht der Gleichrichterplatte Thalliumsulfid gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Thioacetamidlösung
aus einer Lösung von 0,5 g Thioacetamid pro Liter eines Gemisches aus einem Teil Methanol
und vier Teilen Butanol verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Thalliumäthylatlösung
aus einer Lösung von 2 g Thalliumäthylat pro Liter eines Gemisches aus einem Teil Methanol
und vier Teilen Butanol verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltige
Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgesprüht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß nach Aufbringen der Thioacetamidlösung
und der Thalliumäthylatlösung und damit nach der Bildung von Thalliumsulfid die Gleichrichterplatte einer Temperung bei 80
bis 100° C wenigstens über 5 Minuten unterzogen wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 565 323;
USA.-Patentschrift Nr. 2479 301.
Britische Patentschrift Nr. 565 323;
USA.-Patentschrift Nr. 2479 301.
809 627/1139 10.68 © Bundesdruckerei Berlin
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Citations (2)
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- 1963-04-02 CH CH417263A patent/CH429948A/de unknown
- 1963-04-11 GB GB1455163A patent/GB1038194A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB1038194A (en) | 1966-08-10 |
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