DE1280319B - Magnetkernmatrix - Google Patents

Magnetkernmatrix

Info

Publication number
DE1280319B
DE1280319B DE1963J0024759 DEJ0024759A DE1280319B DE 1280319 B DE1280319 B DE 1280319B DE 1963J0024759 DE1963J0024759 DE 1963J0024759 DE J0024759 A DEJ0024759 A DE J0024759A DE 1280319 B DE1280319 B DE 1280319B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cores
address
magnetic
line
magnetic cores
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1963J0024759
Other languages
English (en)
Inventor
Jean Beurel
Henri Nussbaumer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1280319B publication Critical patent/DE1280319B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/19Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using non-linear reactive devices in resonant circuits
    • G11C11/20Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using non-linear reactive devices in resonant circuits using parametrons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
GlIc
Deutsche Kl.: 21 al - 37/60
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
P 12 80 319.9-53 (J 24759)
20. November 1963
17. Oktober 1968
Die Erfindung betrifft eine Magnetkernmatrix mit jeweils zwei Magnetkernen zur Speicherung eines Bits, bei der zur Bitdarstellung jeweils eine entgegengesetzte Magnetisierung beider Magnetkerne mit Hilfe von über entsprechende Schreibleitungen zugeführten Gleichstromimpulsen erfolgt, bei der zur Adressierung mit diesen koinzidente Adressenimpulse über mindestens eine gleichsinnig mit den Kernen gekoppelte Adressenleitung und bei der zum Auslesen über eine Adressenleitung Wechselstromsignale zugeführt werden, die in einer gegensinnig mit den Kernen gekoppelten Leseleitung Wechselausgangssignale unterschiedlicher, vom Magnetisierungszustand der beiden Kerne abhängiger Phasenlage hervorrufen.
Die Erfindung betrifft weiterhin eine Magnetkernmatrix mit jeweils zwei Magnetkernen zur Speicherung eines Bits, bei der zur Bitdarstellung jeweils ein verschiedener Magnetisierungszustand beider Magnetkerne mit Hilfe von über entsprechende Schreibleitungen zuführbaren Gleichstromimpulsen herbeigeführt wird, bei der zur Adressierung mit diesen koinzidente Adressenimpulse über mindestens eine gleichsinnig mit den Kernen gekoppelte Adressenleitung und bei der zum Auslesen über eine Adressenleitung Wechselstromsignale zugeführt werden, die in einer gegensinnig mit den Kernen gekoppelten Leseleitung Wechselausgangssignale unterschiedlicher, vom Magnetisierungszustand der beiden Kerne abhängiger Phasenlage hervorrufen.
Es handelt sich also um eine Magnetkernmatrix, bei der Binärwerte in Amplitudendarstellung jeweils eingeschrieben und in Phasendarstellung ausgelesen werden.
Es ist bereits eine Speicheranordnung bekannt, die als Magnetkernmatrix so ausgebildet ist, daß zur Bitdarstellung je zwei Magnetkerne verwendet werden. Das Abfragen der Speicherzustände zweier so zugeordneter Magnetkerne geschieht dabei mit Hilfe eines Kurzzeitimpulsgenerators, der über eine Adressenleitung jeweils einen Adressenimpuls sowohl auf das Magnetkernpaar als auch auf eine Torschaltung am Ausgang des Leseverstärkers überträgt. Die Adressenleitung kann dabei das Magnetkernpaar gegenläufig durchlaufen. Die Schreib- und Lesewicklungen durchlaufen die Magnetkerne gleichläufig. Der Generator sendet kurzzeitige Abfrageimpulse aus, die andererseits die Torschaltung steuern, so daß nur die erwünschten Signale vom Ausgang des Leseverstärkers übertragen werden.
Diese Abfrageimpulse brauchen nun nicht notwendigerweise rechteckförmig zu sein, sondern können auch eine Sinusform besitzen. Der Kurzzeitimpuls-Magnetkernmatrix
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. R. Busch, Patentanwalt,
7030 Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Jean Beurel,
Henri Nussbaumer, Le Plan-du-Bois, La Gaude (Frankreich)
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 28. November 1962 (7137) - -
generator wird durch einen Sinuswellenoszillator und die Torschaltung durch einen phasenempfindlichen Gleichrichter ersetzt. Hierbei wird der Sinuswellengenerator mit einer Frequenz betrieben, die der Frequenz des zu ersetzenden Kurzzeitgenerators entspricht. Dadurch entsteht bei Abfrage an der Ausgangsklemme an Stelle des mit dem Kurzzeitimpulsgenerators erzeugten Impulses ein periodisches Wechselstromsignal, das entsprechend seiner Phasenlage das jeweilige Bit darstellt. Die Wechselstromabfrage der bekannten Anordnung stellt offensichtlich ein Äquivalent zur Impulsabfrage dar.
Derartige Anordnungen sind nicht vorteilhaft, wenn sie in Verbindung mit aus parametrischen Vorrichtungen bestehenden logischen Schaltungen betrieben werden. Die Adressensignale können nämlich nicht direkt aus parametrischen Anordnungen entnommen werden, und die beim Lesen gewonnenen Ausgangssignale eignen sich nicht zur direkten Ansteuerung von parametrischen Auswertekreisen.
Bei einer datenverarbeitenden Maschine, die einen aus einem oder mehreren Magnetkernmatrizen bestehenden Kernspeicher und aus parametrischen Vorrichtungen gebildete logische Schaltungen besitzt, wäre es demnach vorteilhaft, die von den logischen Schaltungen übertragenen Signale direkt für die Auswahl der Zeilen und/oder Spalten einer oder meh-
809 627/1299
3 4
rerer Matrizen zu verwenden und wenn die Lese- F i g. 6 ein Ausführungsbeispiel für die erfindungs-
signale, deren Phasenlage jeweils dem ausgelesenen gemäßen Anordnungen.
Wert eines binären Speicherelementes entspricht, die Der Matrixspeicher gemäß Fig. 1 dient zur Speigleiche Frequenz besitzen, wie die Adreßsignale zur cherung von Worten, die aus mehreren Bits bestehen, Auswahl der Speicherelemente, so daß jeweils beson- 5 wobei die Bits eines Wortes gleichzeitig gelesen werdere Wechselspannungsquellen für den Betrieb der den können. Jedem Wort ist dabei eine Spalte zugeparametrischen Vorrichtungen des Speichers und der ordnet. In jeder Spalte sind jeweils zwei Magnetkerne logischen Schaltungen als auch besondere Vorrich- zur Speicherung eines Bits vorgesehen. In dem getungen für einen Phasenwechsel der Adreßsignale zeigten Beispiel sind beispielsweise die Magnetvermieden werden. io kerne B 0 und B1 dem ersten Bit des ersten Wortes Erfindungsgemäß wird die Aufgabe in einer ersten zugeordnet. Hat dieses Bit den Wert 0, dann ist der Anordnung dadurch gelöst, daß jeweils ein einziger Magnetkern SO bis zur Sättigung magnetisiert, und Adressenimpuls sowohl zum Schreiben als auch zum der Magnetkern S1 ist entmagnetisiert. Wenn da-Lesen eine Schwingungsfolge umfaßt, deren zurPara- gegen der Wert 1 gespeichert ist, dann ist der Mametronansteuerung ausgebildete Schwingungsampli- 15 gnetkernSl bis zur Sättigung magnetisiert und der tuden gegen Ende des Adreßimpulses stetig abklin- Magnetkern B 0 ist entmagnetisiert. Auf einer Zeile gen, daß der Adressenimpuls zum Lesen einen dem sind demnach die Magnetkerne angeordnet, die jeweils Wechselstromsignal überlagerten Gleichstromanteil den gleichen Wert des gleichen Bits in den verschieaufweist und diese Gleich- und Wechselstromsignale denen Worten entsprechen.
so dimensioniert sind, daß ihre Resultierende in der ao Der besseren Übersichtlichkeit halber wurde die Lage ist, einen Magnetkern umzumagnetisieren. Sie Zeichnung so vereinfacht, daß die Speichervorrichwird in einer zweiten Anordnung dadurch gelöst, daß tung nur zwei Worte mit jeweils zwei Bits speichern die verschiedenen Magnetisierungszustände beider kann. Aber es dürfte selbstverständlich sein, daß in Magnetkerne darin bestehen, daß sich ein Kern im entsprechender Erweiterung die Speicheranordnung Zustand magnetischer Sättigung, der andere Kern im 25 zur Speicherung für mehrere Worte mit jeweils meh-Zustand der Entmagnetisierung befindet, daß dem- reren Bits vorgesehen werden kann,
nach zur Bitdarstellung nur einem der beiden Magnet- Durch jeden Magnetkern verläuft eine allen Ker-
kerne ein Gleichstromimpuls zugeführt wird, daß nen einer Spalte gemeinsame Spaltenleitung und jeweils ein einziger Adressenimpuls sowohl zum außerdem sind zwei Zeilenleitungen durch jeden Schreiben als auch zum Lesen eine Schwingungsfolge 30 Magnetkern hindurchgezogen, eine Schreibleitung 2 umfaßt, deren zur Parametronansteuerung ausgebil- bzw. eine Schreibleitung 3, je nach der Zeile, und dete Schwingungsamplituden gegen Ende des Adreß- eine Leseleitung 4, die jeweils zwei Zeilen gemeinimpulses stetig abklingen. sam ist, deren Magnetkerne zur Speicherung eines
Bei der ersten erfindungsgemäßen Anordnung sind Bits einander zugeordnet sind. Diese Leseleitung die beiden Magnetkerne im Speicherzustand je in 35 durchläuft die beiden Zeilen jeweils in entgegenentgegengesetzter Magnetisierungsrichtung gesättigt. gesetzter Richtung.
Das Adreßsignal zum Lesen besteht hierbei aus einer Die beiden Schreibleitungen 2 und 3 werden durch
Schwingung mit einer Gleichspannungskomponente. eine hier nicht dargestellte Impulsquelle gespeist, die Auf Grund dieser Gleichspannungskomponente bleibt mit der Eingangsleitung 5 verbunden ist und ihrerbeim Auslesen einer der Magnetkerne im Sättigungs- 40 seits über einen Impulsverteiler mit den Leitungen 2 zustand, während der andere bei jeder Schwingungs- oder 3 verbunden werden kann. Dieser Impulsverperiode eine Teilhystereseschleife durchläuft, bis er teiler 6 überträgt die Schreibimpulse auf die Schreibschließlich in den Sättigungszustand gelangt, der sei- leitung 2, wenn der dargestellte Wert 1 ist und auf nem ursprünglichen Sättigungszustand entgegen- die Schreibleitung 3, wenn der dargestellte Wert 0 ist. gesetzt gerichtet ist. 45 Die Kurven Cl und C5 gemäß Fig. 2 stellen die
Bei der zweiten erfindungsgemäßen Anordnung ist Stromverläufe auf den Leitungen 1 und 5 dar, wie einer der beiden Magnetkerne im Speicherzustand sie während einer Schreiboperation und einer angesättigt und der andere entmagnetisiert. Das Lese- schließenden Leseoperation auftreten,
signal besteht hier aus einer Schwingung abnehmen- Zum Schreiben oder Lesen eines Wortes werden
der Amplitude, wobei der gesättigte Magnetkern ent- 50 auf die entsprechende Spaltenleitung Schwingungsmagnetisiert wird. folgen jeweils sinusförmiger Schwingungen übertra-
Die Erfindung wird nun mit Hilfe der nachstehend gen, die jeweils durch langsames Abklingen der aufgeführten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt Amplituden beendet werden.
F i g. 1 eine erste erfindungsgemäße Anordnung, Um eine Schreiboperation in den durch die Ma-
Fig. 2 eine graphische Darstellung, die die Form 55 gnetkerneSO und Bl dargestellten Speicherelemender Lese- und Schreibsignale für die Anordnung nach ten durchzuführen, wird eine Schwingungsfolge auf Fig. 1 zeigt, die Speicherleitung 1 übertragen und gleichzeitig ein
Fig. 3 eine zweite erfindungsgemäße Anordnung Gleichspannungsimpuls auf die Eingangsleitung 5. mit gegenüber der ersten Anordnung unterschied- Soll der zu speichernde Wert 0 sein, dann wird dieser licher Betriebsweise, 60 Impuls auf die Schreibleitung 3 übertragen. Da der
Fig. 4 eine graphische Darstellung der Lese-und Magnetkern Bl nur durch den durch die Sinus-Schreibsignale für die Anordnung nach Fig. 3, schwingungen auf der Spaltenleitung 1 verursachten
F i g. 5 ein Diagramm mit den Hystereseschleifen Fluß beeinflußt wird, wird er entmagnetisiert, wenn der beiden einander zugeordneten Magnetkerne mit er vorher im magnetisierten Zustand war. Im Gegendem Verlauf des Magnetisierungsstromes und der da- 65 satz hierzu wird der Magnetkern S 0, der durch die von abhängigen Magnetisierungskurven ernes Magnet- Sinusschwingungen und durch den Gleichspannungskerns in der Anordnung und Betriebsweise nach impuls erregt wird, in den Sättigungszustand ge-Fig. 3, Fig. 4, bracht, indem mehrere Teilhystereseschleifen durch-
5 6
laufen werden. Die Gleichstrommagnetisierung ist in Gleichspannungsimpuls auf die Schreibleitung. Die
ihrem Wert dabei so gewählt, daß diese Änderung Polarität dieses Gleichspannungsimpulses hängt von
des Magnetisierungszustandes herbeigeführt werden dem einzuschreibenden Wert ab. Da die Schreiblei-
kann; sie reicht aber nicht aus, um irgendeinen Kern tung die beiden Speicherkerne des ausgewählten
der anderen Spalten in den Sättigungszustand zu 5 Speicherelementes im entgegengesetzten Richtungs-
bringen. sinn durchläuft, wird wie schon beschrieben, einer
Das Einschreiben des Wertes 1 geschieht in analo- der Speicherkerne in der positiven Richtung gesättigt
ger Weise, wobei aber der Gleichspannungsimpuls und der andere in der negativen. Die Vorgänge spie-
auf die Schreibleitung 2 an Stelle der Schreibleitung 3 len sich dabei in ähnlicher Weise ab, wie es oben
übertragen wird. io unter F i g. 1 beschrieben worden ist, es erfolgt jedoch
Um die verschiedenen Bits des ersten Wortes zu eine Magnetisierung beider Kerne in zueinander entlesen, wird in ähnlicher Weise wie beim Schreibvor- gegengesetzten Richtungen, indem jeder mehrere gang eine Schwingungsfolge auf die Spaltenleitung 1 Teilhystereseschleifen durchläuft. Zum Auslesen eines übertragen. Die vorher gesättigten Magnetkerne wer- Binärwertes wird in eine entsprechende Spaltenleiden während der Zeitfolge des Abklingens dieser 15 tung eine Folge sinusförmiger Schwingungen, die Schwingung entmagnetisiert. Während der gesamten einem Gleichspannungsimpuls überlagert sind, überDauer des Anliegens dieser Schwingungsfolge ver- tragen. Dieser Impuls kann z. B. positive Polarität Ursachen die Stromschwingungen in den gesättigten haben, so daß Kerne in positiver Richtung ins Sät-Kernen Flußschwingungen mit einer Amplitude, die tigungsgebiet magnetisiert werden können. Die Kerne, größer ist als in den nicht magnetisierten Kernen. 20 die bereits in positiver Richtung gesättigt sind, ändern Dieser Wechselfluß induziert in den Leseleitungen, praktisch ihren Zustand nicht, während aber die wie z. B. 4, Spannungen entgegengesetzter Richtung, anderen Kerne eine Folge von Teilhystereseschleifen so daß in diesen Leseleitungen jeweils ein sinusför- durchlaufen, bis sie schließlich in den positiven Sättimiger Strom entsteht, dessen Phasenlage dem binären gungszustand gelangen.
Wert des in dem ausgelesenen Magnetkernpaar ge- 25 In F i g. 5 ist ein solcher Vorgang dargestellt. Einer
speicherten Bits entspricht. der Magnetkerne, z. B. B 0, ist in positiver Richtung
Die entstehenden Schwingungen auf den Leselei- gesättigt. Dieser Zustand wird durch den Punkt A tungen dienen zum Festlegen der Phasenlage von auf der Hystereseschleife dargestellt. Der andere daran angeschlossenen parametrischen Vorrichtun- Kern Bl ist ursprünglich in negativer Richtung gegen. In der Zeichnung sind diese parametrischen 30 sättigt. Dieser Zustand wird durch den Punkt B dar-Vorrichtungen durch die Rechtecke 7 und T darge- gestellt. Der Gesamtstrom in der Spaltenleitung wird stellt. durch den Stromverlauf C1 dargestellt. Aus der Ab-
In der Anordnung nach Fig. 3 sind die Schreib- bildung ergibt sich, daß sich der Zustand des Kerns BQ
leitungen zweier einander zugeordneter Magnetkern- im wesentlichen nicht ändert, da Änderungen ledig-
zeilen so miteinander verbunden, daß die Magnet- 35 Hch zwischen den Punkten C und D stattfinden kön-
kerne in der zweiten Zeile im gegenüber der ersten nen. Demgegenüber durchläuft der Zustand des
Zeile umgekehrten Sinne durchlaufen werden. Es Kerns B1 nacheinander mehrere Teilhystereseschlei-
wird also immer nur eine Schreibleitung, die beiden fen F, G, H, I, J, K, bis er in den Zustand positiver
Zeilen gemeinsam ist, angesteuert, so daß also die Sättigung gelangt.
Leitungen 2 und 3 in F i g. 1 durch eine einzige Lei- 4° Die Änderung des Magnetisierungszustandes des
tung 8 ersetzt sind. Bei einer Ansteuerung durch Kerns Bl induziert in der Leitung 4 eine Schwin-
einen Impuls bestimmter Richtung ergibt sich dann, gung, die wie im oben beschriebenen Ausführungs-
daß ein Magnetkern in einer Zeile in einer bestimm- beispiel dazu dient, die Phasenlage einer parametri-
ten Richtung magnetisiert wird, z. B. in der positi- sehen Vorrichtung 7 festzulegen. Wenn an Stelle des
ven, während der andere in der entgegengesetzten 45 Kerns B1 der Kern B 0 ummagnetisiert worden wäre,
Richtung, z. B. in der negativen, magnetisiert wird. dann hätte sich in der gleichen Leitung eine Schwin-
Ein Übergang in den der jeweiligen Magnetisierungs- gungsfolge entgegengesetzter Phasenlage ergeben,
richtung entsprechenden Sättigungszustand ist jedoch Bei den bisher beschriebenen Ausführungsbeispie-
nur möglich, wenn gleichzeitig auch an der entspre- len ist die Auswahl einer Gruppe von Magnetkern-
chenden Spaltenleitung 1 ein Wechselsignal anliegt. 50 paaren zum Lesen mit Hilfe eines einzigen Signals
Die in diesem Fall erreichten Sättigungszustände durchgeführt worden. Die Anordnung der Erfindung
werden jeweils durch die Punkte A und B der in der ist aber in gleicher Weise auch anwendbar bei Matri-
Fig. 5 gezeigten Hysteresiskurve dargestellt. Wenn zen, bei denen eine Auswahl nach zwei Parametern
z. B. das binäre Speicherelement, dem die Speicher- stattfinden soll; d. h., bei Matrizen, in welchen die
kerne B 0 und B1 zugeordnet sind, den Wert 0 ge- 55 Auswahl durch die Kombination zweier Signale, die
speichert hat, dann ist der Kern B 0 in der positiven auf verschiedenen Leitungen zugeführt werden,
Richtung gesättigt und der Kern Bl in der negativen. durchgeführt wird. In diesem Falle werden beide
Wenn der Wert 1 gespeichert werden soll, dann muß Auswahlsignale durch je eine Schwingungsfolge dar-
der Kern Bl in der positiven Richtung und der gestellt, deren Amplitude gleich oder etwas größer
Kern B 0 in der negativen Richtung gesättigt werden. 60 als die Hälfte der notwendigen Amplitude ist, um
Die Kurvenverläufe Cl und C8 in der Fig. 4 stel- den magnetischen Zustand eines Magnetkerns zu
len die zeitlichen Änderungen der Ströme auf den ändern. Weiterhin ist es erforderlich, daß die beiden
Leitungen 1 bzw. 8 während einer Schreiboperation Schwingungszüge die gleiche Phasenlage haben,
dar, die von einer Leseoperation gefolgt wird, und Ein Ausführungsbeispiel ist in F i g. 6 dargestellt,
zwar für einen Speicher, der in F i g. 3 dargestellt ist. 65 wo in der gezeigten Matrix zu einem Zeitpunkt nur
Zum Einspeichern einer Information wird eine ein Magnetkernpaar ausgewählt wird, wie es für
Schwingungsfolge sinusförmiger Schwingungen auf serienweises Lesen erforderlich ist. Die Art der Spei-
die ausgewählte Spaltenleitung übertragen und ein cherung der binären Werte ist identisch mit der, wie
sie für eine Anordnung nach der Fig. 3 verwendet worden ist. Zur Auswahl eines Magnetkernpaares werden die Folgen sinusförmiger Schwingungen über eine Spaltenleitung, z. B. 11, und über ein Paar von Zeilenleitungen, wie 12 und 13, übertragen. Eine Schreibleitung 14 und eine Leseleitung 15 durchlaufen die Magnetkerne der Matrix, aber für jedes Magnetkernpaar wird ein Kern in einer bestimmten Richtung und der andere in der entgegengesetzten Richtung durchlaufen. Es ist nicht unbedingt erforderlich, daß zwei getrennte Leitungen zum Schreiben und Lesen verwendet werden; es genügt vielmehr eine gemeinsame Leitung, wenn dann nur geeignete Schaltvorrichtungen am Eingang und Ausgang vorgesehen werden.
Beim Schreiben müssen außer dem Gleichspannungsimpuls auf der Schreibleitung, dessen Polarität vom einzuschreibenden Wert abhängig ist, außerdem die beiden Auswahlsignale für die Spalte und Zeile zugeführt werden. Das Auslesen einer Information, so die in einem Magnetkernspeicherpaar enthalten ist, wird durchgeführt, indem über eine Auswahlleitung, z. B. dem Zeilenleitungspaar, eine Folge sinusförmiger Schwingungen und über die andere Auswahlleitung, z. B. der Spaltenleitung, eine analoge Schwin- as gung, die aber einem Gleichspannungsimpuls überlagert ist, übertragen wird. Auf der Leseleitung entsteht dann ein Signal in Form einer Schwingung, deren Phase den Wert des aus dem Speicherelement gelesenen Bits darstellt. Diese Schwingungsfolge wird dann auf die parametrische Vorrichtung 16 übertragen.
Es können noch weitere Matrizen, die ähnlich aufgebaut sind, hinzugefügt werden, bei denen jede eine Leseleitung und eine Schreibleitung aufweist, wo aber die Auswahlleitungen gemeinsam sind, so daß die Werte mehrerer Speicherelemente gleichzeitig gelesen oder geschrieben werden können.
Die erfindungsgemäße Anordnung kann auch so modifiziert werden, daß eine Auswahl nach mehr als zwei Parametern durchgeführt werden kann, wobei z. B. die Anwendung zweier Schwingungsfolgen entgegengesetzter Phasenlage ausgenutzt wird, um Inhibitionsschaltungen darzustellen.

Claims (5)

45 Patentansprüche:
1. Magnetkernmatrix mit jeweils zwei Magnetkernen zur Speicherung eines Bits, bei der zur Bitdarstellung jeweils eine entgegengesetzte Magnetisierung beider Magnetkerne mit Hilfe von über entsprechende Schreibleitungen zugeführten Gleichstromimpulsen erfolgt, bei der zur Adressierung mit diesen koinzidente Adressenimpulse über mindestens eine gleichsinnig mit den Kernen gekoppelte Adressenleitung und bei der zum Auslesen über eine Adressenleitung Wechselstromsignale zugeführt werden, die in einer gegensinnig mit den Kernen gekoppelten Leseleitung Wechselausgangssignale unterschiedlicher, vom Magnetisierungszustand der beiden Kerne abhängiger Phasenlage hervorrufen, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein einziger Adressenimpuls sowohl zum Schreiben als auch zum Lesen eine Schwingungsfolge umfaßt, deren zur Parametronansteuerung ausgebildete Schwingungsamplituden gegen Ende des Adreßimpulses stetig abklingen, daß der Adressenimpuls zum Lesen einen dem Wechselstromsignal überlagerten Gleichstromanteil aufweist und diese Gleich- und Wechselstromsignale so dimensioniert sind, daß ihre Resultierende in der Lage ist, einen Magnetkern umzumagnetisieren.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine gemeinsame Schreibleitung für beide einander zugeordnete Magnetkerne in der Weise vorgesehen ist, daß beide Magnetkerne jeweils im entgegengesetzten Sinne durchlaufen werden, so daß bei der Speicherung eines Bits je nach dem Bitwert beide Kerne in einander entgegengesetzter Richtung bis zur Sättigung magnetisiert werden.
3. Magnetkernmatrix mit jeweils zwei Magnetkernen zur Speicherung eines Bits, bei der zur Bitdargestellung jeweils ein verschiedener Magnetisierungszustand beider Magnetkerne mit Hilfe von über entsprechende Schreibleitungen zuführbaren Gleichstromimpulsen herbeigeführt wird, bei der zur Adressierung mit diesen koinzidente Adressenimpulse über mindestens eine gleichsinnig mit den Kernen gekoppelte Adressenleitung und bei der zum Auslesen über eine Adressenleitung Wechselstromsignale zugeführt werden, die in einer gegensinnig mit den Kernen gekoppelten Leseleitung Wechselausgangssignale unterschiedlicher, vom Magnetisierungszustand der beiden Kerne abhängiger Phasenlage hervorrufen, dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen Magnetisierungszustände beider Magnetkerne darin bestehen, daß sich ein Kern im Zustand magnetischer Sättigung, der andere Kern im Zustand der Entmagnetisierung befindet, daß demnach zur Bitdarstellung nur einem der beiden Magnetkerne ein Gleichstromimpuls zugeführt wird, daß jeweils ein einziger Adressenimpuls sowohl zum Schreiben als auch zum Lesen eine Schwingungsfolge umfaßt, deren zur Parametronansteuerung ausgebildete Schwingungsamplituden gegen Ende des Adressenimpulses stetig" abklingen.
4. Anordnung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß aufeinanderfolgende Magnetkernpaare von einer Adreßleitung durchlaufen werden, so daß jeweils eine Spalte adressiert wird.
5. Anordnung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu den Spaltenadreßleitungen Zeilenadreßleitungen vorgesehen sind, die paarweise zur gleichzeitigen Magnetisierung der beiden einander zugeordneten Magnetkerne bei Adressierung parallel geschaltet sind.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1127 397.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 627/1299 10.68 © Bundesdruckerei Berlin
DE1963J0024759 1962-11-28 1963-11-20 Magnetkernmatrix Pending DE1280319B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR6007137 1962-11-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1280319B true DE1280319B (de) 1968-10-17

Family

ID=8970409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1963J0024759 Pending DE1280319B (de) 1962-11-28 1963-11-20 Magnetkernmatrix

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE640546A (de)
CH (1) CH423883A (de)
DE (1) DE1280319B (de)
FR (1) FR1351480A (de)
GB (1) GB1038299A (de)
NL (1) NL300814A (de)
SE (1) SE312581B (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1127397B (de) * 1958-05-27 1962-04-12 Nat Res Dev Magnetische Speichervorrichtung mit wenigstens zwei Magnetkreisen

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1127397B (de) * 1958-05-27 1962-04-12 Nat Res Dev Magnetische Speichervorrichtung mit wenigstens zwei Magnetkreisen

Also Published As

Publication number Publication date
BE640546A (de) 1964-03-16
CH423883A (de) 1966-11-15
GB1038299A (en) 1966-08-10
FR1351480A (fr) 1964-05-06
SE312581B (de) 1969-07-21
NL300814A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1034891B (de) Elektrischer Impuls-Schaltkreis
DE1239731B (de) Magnetisches Speicherelement
DE1058284B (de) Magnetkernmatrix-Speicheranordnung mit mindestens einer Schaltkernmatrix
DE1036922B (de) Magnetische Speichereinrichtung
DE1071387B (de) Wählschaltung für eine Magnetkernmstrix
DE1186509B (de) Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
DE1234054B (de) Byte-Umsetzer
DE1098256B (de) Informationsspeicher
DE1280319B (de) Magnetkernmatrix
DE1279743B (de) Zerstoerungsfrei ablesbare Speichervorrichtung und Verfahren zu ihrer Ansteuerung
DE1424458B2 (de) Mehrstufige Einstelleinrichtung für Magnettrommel-Speicher mit mehreren in Gruppen geteilten Aufzeichnungsfeldern
DE1181276B (de) Datengeber aus matrixfoermig angeordneten Ferrit-Ringkernen
DE1070680B (de) Verfahren und Einrichtung zum Aufzeich nen und mchtloschenden Ablesen einer binaren Information auf magnetischen Pmgkernen
DE1186244B (de) Vergleichsschaltung
DE1268676B (de) Magnetkernspeicher
DE1018461B (de) Verfahren zur Beseitigung der Stoerspannungen im Lesesignal von Magnetkernspeichern
DE1127398B (de) Magnetkernschalter
DE1187270B (de) Verfahren zum Einschreiben und nichtloeschenden Ablesen von Binaerinformation in Magnetringkernen
DE1099234B (de) Schalteinrichtung fuer Magnetkernspeicher
DE1499715C (de) Magnetischer Dünnschichtspeicher
DE1282086B (de) Verfahren zum Betrieb eines Ferritplatten-Magnetspeichers
DE1073542B (de) Schaltungsanordnung zur wahlw eisen Verteilung von Stromimpulsen auf mehrere Leitungen
DE1946653C3 (de) Verknüpfungsschaltung mit Magnetkernen
DE1103648B (de) Anordnung zur Steuerung eines Magnetkern-Matrizenspeichers
DE1097183B (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung des Stroms in einem Lastkreis in Abhaengigkeit von zwei binaeren Veraenderlichen nach der Funktion íÀAusschliessliches OderíÂ