DE1276711B - Bistabile Speicherschaltungsanordnung - Google Patents
Bistabile SpeicherschaltungsanordnungInfo
- Publication number
- DE1276711B DE1276711B DEE30328A DEE0030328A DE1276711B DE 1276711 B DE1276711 B DE 1276711B DE E30328 A DEE30328 A DE E30328A DE E0030328 A DEE0030328 A DE E0030328A DE 1276711 B DE1276711 B DE 1276711B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tunnel
- circuit arrangement
- memory circuit
- input
- tunnel diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/313—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
- H03K3/315—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/10—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using tunnel diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
int. Cl.:
H03k
Deutsche Kl.: 21 al-36/18
Nummer: 1276 711
Aktenzeichen: P 12 76 711.2-31 (E 30328)
Anmeldetag: 21. Oktober 1965
Auslegetag: 5. September 1968
Die Erfindung betrifft eine bistabile Speicherschaltungsanordnung mit Tunneldioden.
Es sind bereits Speicherschaltungen bekannt, bei denen zur Speicherung von Information die Fähigkeit
einer Tunneldiode, einen von zwei stabilen Zuständen einzunehmen, ausgenutzt wird. Es ist nun
in vielen Fällen nicht nur die Speicherung eines Informationswertes, sondern auch des dazu inversen
Informationswertes erwünscht. Um bei den bekannten Speicherschaltungen mit Tunneldioden
auch die inverse Information speichern zu können, sind komplizierte zusätzliche Schaltkreise erforderlich.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine bistabile Speicherschaltungsanordnung zu schaffen,
bei der zur zusätzlichen Speicherung der inversen Information keine weiteren Schaltkreise mehr erforderlich
sind.
Dies wird nun durch eine bistabile Speicherschaltungsanordnung mit zwei Tunneldioden erreicht,
die dadurch gekennzeichnet ist, daß die beiden Tunneldioden parallel zwischen zwei Leitungen angeordnet
sind, die mit einer Potentialquelle in Verbindung stehen, deren Potential beide Tunneldioden
in der gleichen Weise beeinflußt, zwischen die Tunneldioden ein Signaleingangskreis zur Zuführung
eines Eingangssignals geschaltet ist, das die beiden Tunneldioden in entgegengesetzter Weise beeinflußt,
und die Anode der einen Tunneldiode mit der Kathode der anderen Tunneldiode sowie die Kathode
der einen Tunneldiode mit der Anode der anderen Tunneldiode rückgekoppelt ist, wodurch beim Übergang
der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten einen Tunneldiode vom einen stabilen
Zustand in den anderen stabilen Zustand die andere Tunneldiode im einen stabilen Zustand gehalten
wird.
Die beiden Tunneldioden speichern also komplementäre Werte der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten Information. Das von der
Potentialquelle gelieferte Potential kann ein sich periodisch änderndes Potential sein.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung können zwei oder mehrere bistabile Schaltungsanordnungen
nach der Erfindung derart miteinander verbunden werden, daß das der einen Schaltungsanordnung zugeführte
Eingangssignal vom Zustand der Tunneldioden in der anderen Schaltungsanordnung abhängt.
Kombinationen von Schaltungsanordnungen dieser Art können zur Ausführung verschiedener logischer
Funktionen verwendet werden.
Eine Ausführungsform der Speicherschaltung ge-Bistabile Speicherschaltungsanordnung
Anmelder:
Elliott Brothers (London) Limited, London
Vertreter:
Dipl.-Ing. M. Licht, Dr. R. Schmidt,
Dipl.-Wirtsch.-Ing. A. Hansmann
und Dipl.-Phys. S. Herrmann, Patentanwälte,
8000 München 2, Theresienstr. 33
Als Erfinder benannt:
Christopher Paradine, London
Christopher Paradine, London
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 23. Oktober 1964 (43 245)
maß der Erfindung wird nun an Hand des in der Zeichnung gezeigten Schaltbildes beschrieben.
Das Schaltbild zeigt eine Quelle 4, von der aus zwei hochfrequente gegenphasige Signale zu zwei
Zufuhrleitungen 8 und 9 zugeführt werden. Die Signale können als Taktsignale angesehen werden.
Die Quelle 4 erzeugt auch ein Gleichstrom-Vorspannungssignal an den beiden Zufuhrleitungen. Zwischen
die beiden Zufuhrleitungen sind zwei Widerstände 1 und 2, zwischen denen eine Tunneldiode 3 liegt, sowie
zwei Widerstandes und 6 geschaltet, zwischen
denen eine Tunneldiode 7 liegt. Die Widerstände haben alle den gleichen Wert, und die beiden
Tunneldioden bilden ein miteinander übereinstimmendes Paar.
Die beiden Tunneldioden sind durch ein Gegenkopplungsnetzwerk miteinander verbunden, das
einen Widerstand 12 enthält, der zwischen die Kathode der Tunneldiode 3 und die Anode der
Tunneldiode 7 geschaltet ist, sowie einen Widerstand 13, der zwischen die Kathode der Tunneldiode 7 und
die Anode der Tunneldiode 3 geschaltet ist. Ein Verbraucher 11 liegt zwischen den Anoden der beiden
Tunneldioden 3 und 7 und kann ein Signal zum Bestimmen des Betriebszustandes der Tunneldioden erzeugen,
wie nachstehend beschrieben ist.
Bei der Beschreibung der Betriebsweise der Speicherschaltung wird zunächst vorausgesetzt, daß
809 599/481
der Spannungsunterschied zwischen den Zufuhrleitungen 8 und 9 derart ist, daß beide Tunneldioden
sich in ihrem Niederspannungszustand befinden, der einen Durchlaßzustand darstellt. Die beiden Tunneldioden
speichern daher komplementäre Werte der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten
Informationen, d. h. die eine Diode die Information und die im entgegengesetzten Zustand befindliche
Diode die umgekehrte Information.
Wenn dann ein Potentialunterschied an den Zurohrleitungen
durch die gegenphasigen Signale von der Quelle 4 erzeugt wird, werden die Tunneldioden
aus ihrem stabilen Niederspannungsbereich in ihren unstabilen (aktiven) negativen Widerstandsbereich
versetzt, und da die Widerstände 1, 2, 5 und 6 gleiche Werte haben und die Tunneldioden 3 und 7 so miteinander
übereinstimmen, daß sie die gleichen Strom- und Spannungskennlinien haben, werden die beiden
Tunneldioden im wesentlichen gleichzeitig »aktiv«. Wenn jedoch ein schwacher, außerhalb erzeugter
Strom von dem Verbraucher 11 her angelegt wird, wird je nach der Richtung dieses Stroms entweder
die Tunneldiode 3 oder die Tunneldiode 7 vor der anderen aktiviert. Wenn also die früher aktivierte
Widerstände 1, 2, 5, 6 100 Ohm
Widerstände 12, 13 ... 10 Ohm
Tunneldioden (Germanium — STC JK 30)
Widerstände 12, 13 ... 10 Ohm
Tunneldioden (Germanium — STC JK 30)
Spitzenstrom 5 mA
Spitzenspannung 55 mV
Spannung an Leitung 8
Spannung an Leitung 9
Spannung an Leitung 9
0 bis+4 Volt
Obis — 4VoIt
Obis — 4VoIt
50MHz Sinuswellen- Gegen-. phase
Die beiden Kopplungswiderstände von den Anschlußklemmen 14 und 15 einer Schaltung zur anderen
folgenden Schaltung können jeweils einen Wert von 200 Ohm haben,
Bei den oben angegebenen Betriebsparametern hat die Schaltungsschleife, die die beiden Tunneldioden 3
und 7 und die Widerstände 12 und 13 enthält, eine Eingangsimpedanz, die einer parallelen Kapazität
von ungefähr 60 Picofarad und einer Reihen-Diode beginnt, in ihren Hochspannungszustand über- 25 induktivität von ungefähr 4 Nanohenry entspricht,
zuwechseln, der den anderen Durchlaßzustand dar- Zweckmäßigerweise sollte jede Verringerung dieses
stellt, verhindern die Rückkopplungswiderstände 12 Kapazitätswertes von einer dazu proportionalen Ver-
und 13 die Umschaltung der anderen Tunneldiode. ringerung der Induktivität begleitet sein.
Die Schaltung kann also unter diesen Bedingungen Eine derartige Speicherschaltung kann inverse oder
Die Schaltung kann also unter diesen Bedingungen Eine derartige Speicherschaltung kann inverse oder
nur einen stabilen Zustand zeigen, wobei eine der 30 komplementäre Informationen speichern und weist
Tunneldioden in ihren Hochspannungszustand ge- nicht den Nachteil der bisherigen Speicherschaltungen
schaltet ist und die andere in ihren anfänglichen mit Tunneldioden auf, daß zwar die Schaltungen
Niederspannungszustand zurückkehrt. wahre Informationen speichern können, zur Durch-
An den Verbraucher 11 wird also eine Spannung führung der inversen logischen Operation jedoch
angelegt und, wenn die Anschlußklemmen 14 und 15 35 zusätzliche Schaltungselemente erforderlich sind,
durch zwei Widerstände mit entsprechenden Stellen Durch Zusammenkopplung zweier oder mehrerer
Schaltungen nach der Erfindung in der beschriebenen Weise kann die Informationsübermittlungseinrichtung
dadurch sichergestellt werden, daß ein mehrphasiges Signal von der Quelle 4 geliefert wird, so daß die
gekoppelten Schaltungen in einer vorgegebenen Reihenfolge geschaltet werden.
Mit einer Schaltung gemäß der Erfindung kann auf Grund der gegenphasigen Signalzufuhr zu den
Tunneldioden leicht eine Leistungsverstärkung erzielt werden, so daß die zum Betrieb der Schaltung erforderliche
Leistung geringer ist als die Leistung, die der Schaltung entnommen werden kann.
Wenn keine abwechselnd Signale liefernde Quelle vorgesehen ist, kann die Schaltung auch als bistabile
Schaltung verwendet werden.
Obgleich die beschriebene Schaltung Widerstände zur Aktivierung der Tunneldioden und für die Rückkopplungsschleife
verwendet, können auch andere Komponenten verwendet werden. Insbesondere können die Tunneldioden kapazitiv oder induktiv
oder durch weitere Tunneldioden, Rückwärtsdioden oder gewöhnliche Dioden gekoppelt werden.
Die logischen Funktionen, die durch zwei Schal-Dioden in den Hochspannungszustand (Speicherungs- 60 tungen der beschriebenen Art durchgeführt werden,
zustand) geschaltet. Andererseits können sich jedoch wenn sie durch zwei Leitungen miteinander verauch
beide Dioden anfänglich in ihrem Hochspannungszustand befinden, und eine der Dioden
kann darauf in den Niederspannungszustand (Speicherungszustand) geschaltet werden. Eine Speicher- 65
schaltung der oben beschriebenen Art wurde mit Bauelementen hergestellt, die die folgenden Werte und
Betriebsparameter besaßen:
kann darauf in den Niederspannungszustand (Speicherungszustand) geschaltet werden. Eine Speicher- 65
schaltung der oben beschriebenen Art wurde mit Bauelementen hergestellt, die die folgenden Werte und
Betriebsparameter besaßen:
40
45
einer anderen ähnlichen Speicherschaltung verbunden sind, kann Information über den Zustand der
Schaltung von einer Schaltung zur anderen übermittelt werden. In diesem Fall stellt die eine Schaltung
den Verbraucher 11 der anderen Schaltung dar. Zur Übertragung logischer Information sollte die
Spannung an den Zufuhrleitungen der anderen Speicherschaltung in der Phase hinter der Spannung
an den Zufuhrleitungen 8 und 9 zurückbleiben, vorzugsweise um 120°.
Insbesondere kann eine logische Operation durch die andere Schaltung durchgeführt werden, indem
z. B. drei logische Schaltungen gemeinsam mit dieser anderen Schaltung über drei Paare von Widerständen
verbunden werden, die mit den Anschlußklemmen 14 und 15 entsprechenden Anschlußklemmen verbunden
sind, wobei die durch die andere Schaltung durchgeführte logische Operation z.B. eine Majoritätsfunktion ist.
Die oben beschriebene Betriebsweise der Schaltung wird normalerweise durchgeführt, d. h. aus dem Zustand,
in dem beide Dioden sich anfänglich in ihrem Niederspannungszustand befinden, wird eine der
bunden sind, werden im wesentlichen durch einen Strom, der in der gleichen Richtung längs der beiden
Leitungen fließt, nicht beeinflußt.
Zwei derartige Schaltungen müssen nicht durch die Anschlußklemmen 14 und 15 miteinander verbunden
sein, sondern können auch durch irgendein anderes symmetrisches Punktepaar in der Schaltung, z. B.
durch die Mittelpunkte der Widerstände 12 und 13, miteinander verbunden sein.
Die Verbindung zweier Schaltungen sollte über abgeschirmte oder nicht abgeschirmte Doppelübertragungsleitungen
erfolgen, wenn die beanspruchte Entfernung verglichen mit der Wellenlänge der wechselnden Signale von der Quelle 4 nicht
geringfügig ist.
Bei einem räumlich großen System, das mehrere miteinander verbundene Speicherschaltungen ent- ίο
hält, kann es erforderlich sein, die Schaltungen durch Leitungen gleicher Länge miteinander zu verbinden.
Claims (6)
1. Bistabile Speicherschaltungsanordnung mit zwei Tunneldioden, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Tunneldioden (3, 7) parallel zwischen zwei Leitungen (8, 9) angeordnet
sind, die mit einer Potentialquelle (4) in Ver- ao bindung stehen, deren Potential beide Tunneldioden
(3,7) in der gleichen Weise beeinflußt, zwischen die Tunneldioden ein Signaleingangskreis
(11) zur Zuführung eines Eingangssignals geschaltet ist, das die beiden Tunneldioden in as
entgegengesetzter Weise beeinflußt, und die Anode der einen Tunneldiode (3) mit der Kathode
der anderen Tunneldiode (7) sowie die Kathode der einen Tunneldiode (3) mit der Anode
der anderen Tunneldiode (75) rückgekoppelt ist, wodurch beim Übergang der durch die Polarität
des Eingangssignals festgelegten einen Tunneldiode (3 oder 7) vom einen stabilen Zustand in
den anderen stabilen Zustand die andere Tunneldiode im einen stabilen Zustand gehalten wird.
2. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Potentialquelle (4) ein eine Gleichspannungskomponente aufweisendes, sich periodisch
änderndes Potential liefert.
3. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Signaleingangskreis (11) mit einer mit der einen Elektrode der einen Tunneldiode (3) in
Verbindung stehenden Eingangs- und Ausgangsklemme (14) und mit einer mit der entsprechenden
Elektrode der anderen Tunneldiode (7) in Verbindung stehenden Eingangs- und Ausgangsklemme
(15) verbunden ist und das vom Signaleingangskreis (11) gelieferte Eingangssignal aus
einem zwischen den beiden Eingangs- und Ausgangsklemmen (14,15) fließenden Strom besteht.
4. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in
jeder Rückkopplungsverbindung ein Widerstand (12 bzw. 13) eingeschaltet ist und der Signaleingangskreis
(11) zwischen der einen Eingangsund Ausgangsklemme (14), die an einem Zwischenpunkt des einen Widerstandes (13) liegt,
und der anderen Eingangs- und Ausgangsklemme (15) liegt, die an einem Zwischenpunkt des anderen
Widerstandes (12) angeordnet ist.
5. Speicherschaltungsanordnung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Signaleingangsschaltung (11) aus mindestens einer weiteren bistabilen
Speicherschaltungsanordnung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche besteht und daher
das der Speicherschaltungsanordnung zugeführte Eingangssignal vom Zustand der Tunneldioden
der weiteren Speicherschaltungsanordnung abhängig ist.
6. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Einrichtung
zum Erzeugen eines Phasenunterschiedes zwischen dem zwischen den Leitungen (8 und 9) der
einen Speicherschaltungsanordnung liegenden Potential und dem an den entsprechenden Leitungen
der weiteren Speicherschaltungsanordnung liegenden Potential.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 599/481 8.68 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB43245/64A GB1122808A (en) | 1964-10-23 | 1964-10-23 | Tunnel diode storage circuits |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1276711B true DE1276711B (de) | 1968-09-05 |
Family
ID=10427902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEE30328A Pending DE1276711B (de) | 1964-10-23 | 1965-10-21 | Bistabile Speicherschaltungsanordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3441746A (de) |
DE (1) | DE1276711B (de) |
GB (1) | GB1122808A (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5140188A (en) * | 1991-03-19 | 1992-08-18 | Hughes Aircraft Company | High speed latching comparator using devices with negative impedance |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2920215A (en) * | 1956-10-31 | 1960-01-05 | Rca Corp | Switching circuit |
US3122649A (en) * | 1960-09-20 | 1964-02-25 | Rca Corp | Tunnel diode flip-flop with tunnel rectifier cross-coupling |
-
1964
- 1964-10-23 GB GB43245/64A patent/GB1122808A/en not_active Expired
-
1965
- 1965-10-21 DE DEE30328A patent/DE1276711B/de active Pending
- 1965-10-21 US US500134A patent/US3441746A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1122808A (en) | 1968-08-07 |
US3441746A (en) | 1969-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2611863C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Umsetzung von Signalpegeln | |
DE2514462C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines Spannungspegels | |
DE2842175C2 (de) | Verriegelungsschaltung | |
DE1100692B (de) | Bistabile Schaltung | |
DE2356386C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Gleichspannungspegelverschiebung für Transistorversärker | |
DE1055590B (de) | Transistorschaltanordnung zur wahlweisen Verbindung einer Last mit verschiedenen Potentialen | |
DE2359997C3 (de) | Binäruntersetzerstufe | |
DE2329643C3 (de) | Schaltung zur Signalpegelumsetzung | |
DE1814213C3 (de) | J-K-Master-Slave-Flipflop | |
DE2422123A1 (de) | Schaltverzoegerungsfreie bistabile schaltung | |
DE2221717B2 (de) | Teilnehmerschaltung für Fernsprechvermittlungsanlagen zur Zuführung des Rufstromes an die Teilnehmerstation und zur Feststellung des Schleifenzustandes | |
DE1276711B (de) | Bistabile Speicherschaltungsanordnung | |
DE2555260B2 (de) | Treiberschaltung zur Umsetzung der Übergänge eines nichtsymmetrischen Datencode in eine Folge abwechselnd positiver und negativer, je einen Übergang anzeigender Impulse | |
DE2261218C2 (de) | Steuerschaltung zum Ansteuern mindestens einer Windung eines Lagenmeßtransformators | |
DE2002578C3 (de) | Multistabile Schaltung | |
EP0048490B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal | |
DE2721514C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiesignal | |
DE1512374B2 (de) | Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Ausgangsspannung einer logischen Schaltung | |
DE2904229A1 (de) | Impulserzeugerschaltung | |
DE1171953B (de) | Transistorgesteuerter Lastkreis | |
DE2352381A1 (de) | Impulsgeber | |
DE1228664B (de) | Signaluebertragungsanordnung mit zwei durch Eingangssignale steuerbaren Schalttransistoren | |
DE1189586B (de) | Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshoehe von elektrischen Impulsen | |
DE1169514B (de) | Grundschaltungen zur logischen Verknuepfung und Speicherung von Informationen | |
DE2139312C3 (de) | Temperaturkompensierter ECL-Schalt-kreis |