DE1276711B - Bistabile Speicherschaltungsanordnung - Google Patents

Bistabile Speicherschaltungsanordnung

Info

Publication number
DE1276711B
DE1276711B DEE30328A DEE0030328A DE1276711B DE 1276711 B DE1276711 B DE 1276711B DE E30328 A DEE30328 A DE E30328A DE E0030328 A DEE0030328 A DE E0030328A DE 1276711 B DE1276711 B DE 1276711B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tunnel
circuit arrangement
memory circuit
input
tunnel diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEE30328A
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher Paradine
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Allard Way Holdings Ltd
Original Assignee
Elliott Brothers London Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elliott Brothers London Ltd filed Critical Elliott Brothers London Ltd
Publication of DE1276711B publication Critical patent/DE1276711B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H03K3/315Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic the devices being tunnel diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/10Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using tunnel diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
int. Cl.:
H03k
Deutsche Kl.: 21 al-36/18
Nummer: 1276 711
Aktenzeichen: P 12 76 711.2-31 (E 30328)
Anmeldetag: 21. Oktober 1965
Auslegetag: 5. September 1968
Die Erfindung betrifft eine bistabile Speicherschaltungsanordnung mit Tunneldioden.
Es sind bereits Speicherschaltungen bekannt, bei denen zur Speicherung von Information die Fähigkeit einer Tunneldiode, einen von zwei stabilen Zuständen einzunehmen, ausgenutzt wird. Es ist nun in vielen Fällen nicht nur die Speicherung eines Informationswertes, sondern auch des dazu inversen Informationswertes erwünscht. Um bei den bekannten Speicherschaltungen mit Tunneldioden auch die inverse Information speichern zu können, sind komplizierte zusätzliche Schaltkreise erforderlich.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine bistabile Speicherschaltungsanordnung zu schaffen, bei der zur zusätzlichen Speicherung der inversen Information keine weiteren Schaltkreise mehr erforderlich sind.
Dies wird nun durch eine bistabile Speicherschaltungsanordnung mit zwei Tunneldioden erreicht, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die beiden Tunneldioden parallel zwischen zwei Leitungen angeordnet sind, die mit einer Potentialquelle in Verbindung stehen, deren Potential beide Tunneldioden in der gleichen Weise beeinflußt, zwischen die Tunneldioden ein Signaleingangskreis zur Zuführung eines Eingangssignals geschaltet ist, das die beiden Tunneldioden in entgegengesetzter Weise beeinflußt, und die Anode der einen Tunneldiode mit der Kathode der anderen Tunneldiode sowie die Kathode der einen Tunneldiode mit der Anode der anderen Tunneldiode rückgekoppelt ist, wodurch beim Übergang der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten einen Tunneldiode vom einen stabilen Zustand in den anderen stabilen Zustand die andere Tunneldiode im einen stabilen Zustand gehalten wird.
Die beiden Tunneldioden speichern also komplementäre Werte der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten Information. Das von der Potentialquelle gelieferte Potential kann ein sich periodisch änderndes Potential sein.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung können zwei oder mehrere bistabile Schaltungsanordnungen nach der Erfindung derart miteinander verbunden werden, daß das der einen Schaltungsanordnung zugeführte Eingangssignal vom Zustand der Tunneldioden in der anderen Schaltungsanordnung abhängt. Kombinationen von Schaltungsanordnungen dieser Art können zur Ausführung verschiedener logischer Funktionen verwendet werden.
Eine Ausführungsform der Speicherschaltung ge-Bistabile Speicherschaltungsanordnung
Anmelder:
Elliott Brothers (London) Limited, London
Vertreter:
Dipl.-Ing. M. Licht, Dr. R. Schmidt,
Dipl.-Wirtsch.-Ing. A. Hansmann
und Dipl.-Phys. S. Herrmann, Patentanwälte,
8000 München 2, Theresienstr. 33
Als Erfinder benannt:
Christopher Paradine, London
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 23. Oktober 1964 (43 245)
maß der Erfindung wird nun an Hand des in der Zeichnung gezeigten Schaltbildes beschrieben.
Das Schaltbild zeigt eine Quelle 4, von der aus zwei hochfrequente gegenphasige Signale zu zwei Zufuhrleitungen 8 und 9 zugeführt werden. Die Signale können als Taktsignale angesehen werden. Die Quelle 4 erzeugt auch ein Gleichstrom-Vorspannungssignal an den beiden Zufuhrleitungen. Zwischen die beiden Zufuhrleitungen sind zwei Widerstände 1 und 2, zwischen denen eine Tunneldiode 3 liegt, sowie zwei Widerstandes und 6 geschaltet, zwischen denen eine Tunneldiode 7 liegt. Die Widerstände haben alle den gleichen Wert, und die beiden Tunneldioden bilden ein miteinander übereinstimmendes Paar.
Die beiden Tunneldioden sind durch ein Gegenkopplungsnetzwerk miteinander verbunden, das einen Widerstand 12 enthält, der zwischen die Kathode der Tunneldiode 3 und die Anode der Tunneldiode 7 geschaltet ist, sowie einen Widerstand 13, der zwischen die Kathode der Tunneldiode 7 und die Anode der Tunneldiode 3 geschaltet ist. Ein Verbraucher 11 liegt zwischen den Anoden der beiden Tunneldioden 3 und 7 und kann ein Signal zum Bestimmen des Betriebszustandes der Tunneldioden erzeugen, wie nachstehend beschrieben ist.
Bei der Beschreibung der Betriebsweise der Speicherschaltung wird zunächst vorausgesetzt, daß
809 599/481
der Spannungsunterschied zwischen den Zufuhrleitungen 8 und 9 derart ist, daß beide Tunneldioden sich in ihrem Niederspannungszustand befinden, der einen Durchlaßzustand darstellt. Die beiden Tunneldioden speichern daher komplementäre Werte der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten Informationen, d. h. die eine Diode die Information und die im entgegengesetzten Zustand befindliche Diode die umgekehrte Information.
Wenn dann ein Potentialunterschied an den Zurohrleitungen durch die gegenphasigen Signale von der Quelle 4 erzeugt wird, werden die Tunneldioden aus ihrem stabilen Niederspannungsbereich in ihren unstabilen (aktiven) negativen Widerstandsbereich versetzt, und da die Widerstände 1, 2, 5 und 6 gleiche Werte haben und die Tunneldioden 3 und 7 so miteinander übereinstimmen, daß sie die gleichen Strom- und Spannungskennlinien haben, werden die beiden Tunneldioden im wesentlichen gleichzeitig »aktiv«. Wenn jedoch ein schwacher, außerhalb erzeugter Strom von dem Verbraucher 11 her angelegt wird, wird je nach der Richtung dieses Stroms entweder die Tunneldiode 3 oder die Tunneldiode 7 vor der anderen aktiviert. Wenn also die früher aktivierte Widerstände 1, 2, 5, 6 100 Ohm
Widerstände 12, 13 ... 10 Ohm
Tunneldioden (Germanium — STC JK 30)
Spitzenstrom 5 mA
Spitzenspannung 55 mV
Spannung an Leitung 8
Spannung an Leitung 9
0 bis+4 Volt
Obis — 4VoIt
50MHz Sinuswellen- Gegen-. phase
Die beiden Kopplungswiderstände von den Anschlußklemmen 14 und 15 einer Schaltung zur anderen folgenden Schaltung können jeweils einen Wert von 200 Ohm haben,
Bei den oben angegebenen Betriebsparametern hat die Schaltungsschleife, die die beiden Tunneldioden 3 und 7 und die Widerstände 12 und 13 enthält, eine Eingangsimpedanz, die einer parallelen Kapazität von ungefähr 60 Picofarad und einer Reihen-Diode beginnt, in ihren Hochspannungszustand über- 25 induktivität von ungefähr 4 Nanohenry entspricht, zuwechseln, der den anderen Durchlaßzustand dar- Zweckmäßigerweise sollte jede Verringerung dieses stellt, verhindern die Rückkopplungswiderstände 12 Kapazitätswertes von einer dazu proportionalen Ver- und 13 die Umschaltung der anderen Tunneldiode. ringerung der Induktivität begleitet sein.
Die Schaltung kann also unter diesen Bedingungen Eine derartige Speicherschaltung kann inverse oder
nur einen stabilen Zustand zeigen, wobei eine der 30 komplementäre Informationen speichern und weist Tunneldioden in ihren Hochspannungszustand ge- nicht den Nachteil der bisherigen Speicherschaltungen schaltet ist und die andere in ihren anfänglichen mit Tunneldioden auf, daß zwar die Schaltungen Niederspannungszustand zurückkehrt. wahre Informationen speichern können, zur Durch-
An den Verbraucher 11 wird also eine Spannung führung der inversen logischen Operation jedoch angelegt und, wenn die Anschlußklemmen 14 und 15 35 zusätzliche Schaltungselemente erforderlich sind, durch zwei Widerstände mit entsprechenden Stellen Durch Zusammenkopplung zweier oder mehrerer
Schaltungen nach der Erfindung in der beschriebenen Weise kann die Informationsübermittlungseinrichtung dadurch sichergestellt werden, daß ein mehrphasiges Signal von der Quelle 4 geliefert wird, so daß die gekoppelten Schaltungen in einer vorgegebenen Reihenfolge geschaltet werden.
Mit einer Schaltung gemäß der Erfindung kann auf Grund der gegenphasigen Signalzufuhr zu den Tunneldioden leicht eine Leistungsverstärkung erzielt werden, so daß die zum Betrieb der Schaltung erforderliche Leistung geringer ist als die Leistung, die der Schaltung entnommen werden kann.
Wenn keine abwechselnd Signale liefernde Quelle vorgesehen ist, kann die Schaltung auch als bistabile Schaltung verwendet werden.
Obgleich die beschriebene Schaltung Widerstände zur Aktivierung der Tunneldioden und für die Rückkopplungsschleife verwendet, können auch andere Komponenten verwendet werden. Insbesondere können die Tunneldioden kapazitiv oder induktiv oder durch weitere Tunneldioden, Rückwärtsdioden oder gewöhnliche Dioden gekoppelt werden.
Die logischen Funktionen, die durch zwei Schal-Dioden in den Hochspannungszustand (Speicherungs- 60 tungen der beschriebenen Art durchgeführt werden, zustand) geschaltet. Andererseits können sich jedoch wenn sie durch zwei Leitungen miteinander verauch beide Dioden anfänglich in ihrem Hochspannungszustand befinden, und eine der Dioden
kann darauf in den Niederspannungszustand (Speicherungszustand) geschaltet werden. Eine Speicher- 65
schaltung der oben beschriebenen Art wurde mit Bauelementen hergestellt, die die folgenden Werte und
Betriebsparameter besaßen:
40
45
einer anderen ähnlichen Speicherschaltung verbunden sind, kann Information über den Zustand der Schaltung von einer Schaltung zur anderen übermittelt werden. In diesem Fall stellt die eine Schaltung den Verbraucher 11 der anderen Schaltung dar. Zur Übertragung logischer Information sollte die Spannung an den Zufuhrleitungen der anderen Speicherschaltung in der Phase hinter der Spannung an den Zufuhrleitungen 8 und 9 zurückbleiben, vorzugsweise um 120°.
Insbesondere kann eine logische Operation durch die andere Schaltung durchgeführt werden, indem z. B. drei logische Schaltungen gemeinsam mit dieser anderen Schaltung über drei Paare von Widerständen verbunden werden, die mit den Anschlußklemmen 14 und 15 entsprechenden Anschlußklemmen verbunden sind, wobei die durch die andere Schaltung durchgeführte logische Operation z.B. eine Majoritätsfunktion ist.
Die oben beschriebene Betriebsweise der Schaltung wird normalerweise durchgeführt, d. h. aus dem Zustand, in dem beide Dioden sich anfänglich in ihrem Niederspannungszustand befinden, wird eine der bunden sind, werden im wesentlichen durch einen Strom, der in der gleichen Richtung längs der beiden Leitungen fließt, nicht beeinflußt.
Zwei derartige Schaltungen müssen nicht durch die Anschlußklemmen 14 und 15 miteinander verbunden sein, sondern können auch durch irgendein anderes symmetrisches Punktepaar in der Schaltung, z. B.
durch die Mittelpunkte der Widerstände 12 und 13, miteinander verbunden sein.
Die Verbindung zweier Schaltungen sollte über abgeschirmte oder nicht abgeschirmte Doppelübertragungsleitungen erfolgen, wenn die beanspruchte Entfernung verglichen mit der Wellenlänge der wechselnden Signale von der Quelle 4 nicht geringfügig ist.
Bei einem räumlich großen System, das mehrere miteinander verbundene Speicherschaltungen ent- ίο hält, kann es erforderlich sein, die Schaltungen durch Leitungen gleicher Länge miteinander zu verbinden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Bistabile Speicherschaltungsanordnung mit zwei Tunneldioden, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Tunneldioden (3, 7) parallel zwischen zwei Leitungen (8, 9) angeordnet sind, die mit einer Potentialquelle (4) in Ver- ao bindung stehen, deren Potential beide Tunneldioden (3,7) in der gleichen Weise beeinflußt, zwischen die Tunneldioden ein Signaleingangskreis (11) zur Zuführung eines Eingangssignals geschaltet ist, das die beiden Tunneldioden in as entgegengesetzter Weise beeinflußt, und die Anode der einen Tunneldiode (3) mit der Kathode der anderen Tunneldiode (7) sowie die Kathode der einen Tunneldiode (3) mit der Anode der anderen Tunneldiode (75) rückgekoppelt ist, wodurch beim Übergang der durch die Polarität des Eingangssignals festgelegten einen Tunneldiode (3 oder 7) vom einen stabilen Zustand in den anderen stabilen Zustand die andere Tunneldiode im einen stabilen Zustand gehalten wird.
2. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Potentialquelle (4) ein eine Gleichspannungskomponente aufweisendes, sich periodisch änderndes Potential liefert.
3. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Signaleingangskreis (11) mit einer mit der einen Elektrode der einen Tunneldiode (3) in Verbindung stehenden Eingangs- und Ausgangsklemme (14) und mit einer mit der entsprechenden Elektrode der anderen Tunneldiode (7) in Verbindung stehenden Eingangs- und Ausgangsklemme (15) verbunden ist und das vom Signaleingangskreis (11) gelieferte Eingangssignal aus einem zwischen den beiden Eingangs- und Ausgangsklemmen (14,15) fließenden Strom besteht.
4. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in jeder Rückkopplungsverbindung ein Widerstand (12 bzw. 13) eingeschaltet ist und der Signaleingangskreis (11) zwischen der einen Eingangsund Ausgangsklemme (14), die an einem Zwischenpunkt des einen Widerstandes (13) liegt, und der anderen Eingangs- und Ausgangsklemme (15) liegt, die an einem Zwischenpunkt des anderen Widerstandes (12) angeordnet ist.
5. Speicherschaltungsanordnung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Signaleingangsschaltung (11) aus mindestens einer weiteren bistabilen Speicherschaltungsanordnung nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche besteht und daher das der Speicherschaltungsanordnung zugeführte Eingangssignal vom Zustand der Tunneldioden der weiteren Speicherschaltungsanordnung abhängig ist.
6. Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Erzeugen eines Phasenunterschiedes zwischen dem zwischen den Leitungen (8 und 9) der einen Speicherschaltungsanordnung liegenden Potential und dem an den entsprechenden Leitungen der weiteren Speicherschaltungsanordnung liegenden Potential.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 599/481 8.68 © Bundesdruckerei Berlin
DEE30328A 1964-10-23 1965-10-21 Bistabile Speicherschaltungsanordnung Pending DE1276711B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB43245/64A GB1122808A (en) 1964-10-23 1964-10-23 Tunnel diode storage circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1276711B true DE1276711B (de) 1968-09-05

Family

ID=10427902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEE30328A Pending DE1276711B (de) 1964-10-23 1965-10-21 Bistabile Speicherschaltungsanordnung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3441746A (de)
DE (1) DE1276711B (de)
GB (1) GB1122808A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5140188A (en) * 1991-03-19 1992-08-18 Hughes Aircraft Company High speed latching comparator using devices with negative impedance

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2920215A (en) * 1956-10-31 1960-01-05 Rca Corp Switching circuit
US3122649A (en) * 1960-09-20 1964-02-25 Rca Corp Tunnel diode flip-flop with tunnel rectifier cross-coupling

Also Published As

Publication number Publication date
GB1122808A (en) 1968-08-07
US3441746A (en) 1969-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2611863C2 (de) Schaltungsanordnung zur Umsetzung von Signalpegeln
DE2514462C3 (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung eines Spannungspegels
DE2842175C2 (de) Verriegelungsschaltung
DE1100692B (de) Bistabile Schaltung
DE2356386C3 (de) Schaltungsanordnung zur Gleichspannungspegelverschiebung für Transistorversärker
DE1055590B (de) Transistorschaltanordnung zur wahlweisen Verbindung einer Last mit verschiedenen Potentialen
DE2359997C3 (de) Binäruntersetzerstufe
DE2329643C3 (de) Schaltung zur Signalpegelumsetzung
DE1814213C3 (de) J-K-Master-Slave-Flipflop
DE2422123A1 (de) Schaltverzoegerungsfreie bistabile schaltung
DE2221717B2 (de) Teilnehmerschaltung für Fernsprechvermittlungsanlagen zur Zuführung des Rufstromes an die Teilnehmerstation und zur Feststellung des Schleifenzustandes
DE1276711B (de) Bistabile Speicherschaltungsanordnung
DE2555260B2 (de) Treiberschaltung zur Umsetzung der Übergänge eines nichtsymmetrischen Datencode in eine Folge abwechselnd positiver und negativer, je einen Übergang anzeigender Impulse
DE2261218C2 (de) Steuerschaltung zum Ansteuern mindestens einer Windung eines Lagenmeßtransformators
DE2002578C3 (de) Multistabile Schaltung
EP0048490B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal
DE2721514C2 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiesignal
DE1512374B2 (de) Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Ausgangsspannung einer logischen Schaltung
DE2904229A1 (de) Impulserzeugerschaltung
DE1171953B (de) Transistorgesteuerter Lastkreis
DE2352381A1 (de) Impulsgeber
DE1228664B (de) Signaluebertragungsanordnung mit zwei durch Eingangssignale steuerbaren Schalttransistoren
DE1189586B (de) Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshoehe von elektrischen Impulsen
DE1169514B (de) Grundschaltungen zur logischen Verknuepfung und Speicherung von Informationen
DE2139312C3 (de) Temperaturkompensierter ECL-Schalt-kreis