DE1271789C2 - Elektronisch abstimmbarer schwingkreis in lambda/2-technik fuer transistorierte tuner - Google Patents

Description

laiorschaUurig ist Biese unerwünschten Schwingungen treten vorzugsweise bei tiefen Frequenzen leicht auf, da die Kapazitätsdiode am einen Ende des Λ/2-Innenieiters relativ stark dämpft, so daß erwünschte Schwingungen auf der ganzen λ/2-Leitung sich schwerer erregen. Sobald unerwünschte Schwingungen auf dem der Kapazitätsdiode abgewandten Innenleiterende erregt sind, ist eine Durchstimmung nicht mehr möglich.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen A/2-Tuner zu entwickeln, bei dem jeder λ/2-Kreis mit nur einer vorgegebenen Kapazitätsdiode durchstimmbar sein soll und bei dem die Nachteile bekannter //2-Tuner vermieden werden.

Bei einem elektronisch abstimmbaren /./2-Schwi".gkreis tür transistorisierte Tuner mit einem Innenleiter, an dessen einem Ende das Abstimmelement angeschlossen ist und an dessen anderem Ende das Eingangssignal eingespeist wird, wobei der Innenleiter in Längsrichtung eine Querschnittsänderung aufweist, wird gemäß der Erfindung vorgeschlagen, daß der Innenleiter (1, 2; la, la; Ib, 2b) in zwei Teile von verschiedenem, jedoch jeweils konstantem Wellenwiderstand unterteilt ist, daß das eine Teil (1, la, Ib) niederohmig ausgebildet ist und sich vom Signaleingang bis zum Spannungsknoten bei der höchsten Empfangsfrequenz erstreckt und ciaß das andere Teil (2, la, 2b) bis zum Abstimmelement (C_A) hochohmig ausgebildet ist.

Der besondere Vorteil, den Ji/2-Innenleiter in zwei Teile unterschiedlichen Wellenwiderstandes zu unterteilen, ist zweifach:

Dadurch, daß dem hochohmigen Teilstück die Abstimmkapazität zugeordne: is . genügt ein kleinerer Variationsbereich, so daß relativ billige Kapazitätsdioden verwendet werden können, wie sie etwa bei dem oben beschriebenen λ/4-Tuner eingesetzt werden. Zum anderen kann die Knotenpunktkapazität entfallen oder so stark verkleinert werden, daß unerwünschte Schwingungen theoretisch nur bei sehr hohen Frequenzen auftreten können, die weit oberhalb der höchsten Nutzfrequenz und im allgemeinen auch oberhalb der Grenzfrequenz eines beispielsweise als Mischer eingesetzten Transistors liegen.

Es ist vorteilhaft, den Innenleiter in der an sich bekannten Strip-line-Technik durch Ausdrucken, Ätzen od. dgl. auf einer doppeltkaschierten Trägerplatte hoher relativer Dielektrizitätskonstante aufzubringen. Ein weiterer Vorteil ergibt sich, wenn das niederohmige Teigstück des Innenleiters in Stripline-Technik aufgeführt wird, während das hochohmige Teilstück durch eine konzentrierte Induktivität von wenigen Windungen gebildet wird. Dann nämlich können der hochfrequenzmäßige Massepunkt der Kapazitätsdiode und der Masseanschluß der am jenseitigen Innenleiterhochpunkt liegenden Festkapazität sehr nahe zusammengeführt werden, so daß sich die Resonanzströme vorwiegend auf oder in der kaschierten Trägerplatte schließen. Dadurch wird eine frequenzunabhängige Neutralisation des Verstärkerelementes, beispielsweise in der Vorstufe, erreicht, so daß die Impedanz eines Ausgangskreises die Eingangsimpedanz des Verstärkerelementes praktisch nicht beeinflußt. Außerdem wird der ganze Aufbau einer solchen λ/2-Anordnung, insbesondere eines λ/2-Tuners, besonders kompakt und klein.

Die Erfindung wird nachfolgend an Hand der F i e. 1 und 2 näher beschrieben. Dabei zeigt

F i g. 1 das Prinzip des erfindungsgemäßen //2-Schwingkreises, und

F i g. 2 zeigt die Oszillatorstufe eines UHF-Tuners in A/i^Technik.

Am Ende E₁ eines niederohmigen Tsilstückes 1 eines .l/2-Inoenbitars ist eine nach Masse geschaltete Festkapazität C₇ angesehioss-m, während eine Abstimmkapazität C_A am entgegengesetzten Ende E„ an ein hochohmiges Tailstück 2 des ;./2-Innen!eitöfs

ίο angeschlossen ist. Im Spannuagskuoten bei der höchsten Empfangsf requenz 8 des Innenleiien I, 2 kann eine gestrichelt gezeichnete Knotenpunktkapazitiit C_K angeschlossen sein, die jedoch sehr viel kleiner als die Festkapazität C₇- ^;st.

¹S In Fig. 2 wird bei einer Oszillatormlschstufe ein Empfangssignal je beispielsweise von einem ersten nicht dargestellten BandfiUerkreis an einen zweiten Bandfilterkreis über eine Koppelkapazität 3 zugeführt. Der zweite Bandfilterkreis wird durch ein niederohmiges Teilstück la und ein hochohmiges Teilstück 2a des Innenleiters, das hier als konzentrierte Induktivität ausgebildet ist, durch eine Kapazitätsdiode 4a (Abstimmkapazität C_A) und durch die Festkapazität C_Ta gebildet. In die Festkapazität C_Tu

^a5 ist die Eingangskapazität eines Mischtransistors 5 und die Belagkapazität des Innenleiters miieingestimmt. Die Kopplung von dem Fandfilterkreis 1 a, 2 a, 4 a, C_Ta auf den Mischtransistor 5 erfolgt über eine Koppelkapazität 6. Im Kollektorkreis des Misch-

transistors 5 liegt ein über eine weitere Koppelkapazität 7 an den Kollektor des Mischtransistors 5 angeschlossener Oszillatorkreis Ib, 2b, 4 b, Cf_b, der analog dem zweiten Bandfilterkreis la, 2a, 4a, C_Ta aufgebaut ist. In den Knotenpunkten 8a, 8b können Knotenpunktkapazitäten C_K angeschlossen sein, wie

es für den Knotenpunkt 8 b gestrichelt angedeutet ist.

Es ist aus weiter oben schon erwähnten Gründen

vorteilhaft, die Massepunkte der Festkapazitäten C_Tu bzw. C_Tb, der Kapazithtsdiov"en 4a bzw. Ab und eventuell Knotenpunktkapazitäten möglichst nahe zusammenzuführen. Eine, kleine Rückkoppelkapazität 9 führt die Schwingungen des Oszillatorkreises Ib, 2b, Ab, C_Tb auf den Eingang des in Basisschaltung betriebenen Mischtransistors 5 zurück. Am Kollektor wird eine Zwischenfrequenz gewonnen, für die ein erster ZF-Kreis durch Kapazitäten 7,10 und Induktivitäten 11,12 gebildet wird. Eine Abstimmspannung U₀ wird den .Kapazitätsdioden 4 a, 4 b über

Widerstände 13 zugeführt.
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Claims (2)

Patentansprüche:

1. Elektronisch abstimmbarer /^-Schwingkreis für transistorisierte Tuner mit einem Innenleiter, an dessen einem Ende das Abstimmelement angeschlossen iat und an dessen anderem Ende das Eingangssignal eingespeist wird, wobei der Innenleiter in Längsrichtung eine Querschnittsänderung aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Innenleiter (1, 2; la, 2a; Ib, 2b) in zwei Teile von verschiedenem, jedoch jeweils konstantem Wellenwiderstand unterteilt ist, daß das eine Teil (1, la, Ib) niederohmig ausgebildet ist und sich vom Signaleingang bis zum Spannungsknoten bei der höchsten Empfangsfrequenz erstreckt und daß das andere Teil (2, 2a. 2 b) bis zum Abstimmelement (C_A) hochohmig ausgebildet ist.

2. Schwingkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens das niederahmige Teilstück (1, la, 1£>) des Innenleiters durch Aussparungen auf einer Seite einer doppelseitig kaschierten Trägerplatte gebildet wird, deren Dielektrizitätskonstante größer als Eins ist.

3, Schwingkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, diü das hochohrnige Teilstück (2, la, Ib) als konzentrierte Induktivität {la, %h) ausgebildet ist.

in Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1 OSI 922; deutsche Auslegeschrift Nr. 1 183 559.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen