DE1240567B - Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais ueber eine vorbestimmte Zeit - Google Patents

Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais ueber eine vorbestimmte Zeit

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DE1240567B
DE1240567B DE1964G0041026 DEG0041026A DE1240567B DE 1240567 B DE1240567 B DE 1240567B DE 1964G0041026 DE1964G0041026 DE 1964G0041026 DE G0041026 A DEG0041026 A DE G0041026A DE 1240567 B DE1240567 B DE 1240567B
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Alfred Knappe
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28Modifications for introducing a time delay before switching

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des CD Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit. Schaltungsanordnungen dieser Art sind an sich bekannt; sie arbeiten für ge. wöhnlich mit einem Kondensator, der über einen Vorwiderstand und einen elektronischen Schalter - eine Glühkathodenröhre oder einen Transistor entladen wird.
  • Transistorschaltungen haben gegenüber Röhrenschaltungen den Nachteil der Niederohmigkeit. Mit Kondensatoren gleicher Kapazität lassen sich daher in Röhrenschaltungen wesentlich höhere Verzögerungszeiten erreichen als in Transistorschaltungen. Zu berücksichtigen ist ferner, daß in Transistorschaltungen der Vorwiderstand nicht zu klein gewählt werden darf, da sonst bei Beginn der Entladung des Kondensators der zulässige Basisstrom überschritten wird. Wird andererseits der Widerstand zu groß gewählt, so reicht bei absinkender Kondensatorspannung der Basisstrom unter Umständen nicht mehr aus, um den Transistor sauber durchzusteuern.
  • Diese Mängel der Transistorschaltung werden nach der Erfindung dadurch beseitigt, daß der Vorwiderstand durch einen Transistor ersetzt wird, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes nach Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) eingestellt ist.
  • Die Hochohmigkeit des den Arbeitspunkt des Transistors festlegenden Widerstandes bewirkt, daß der Transistor sich bei voller Spannung, wie sie zu Beginn der Entladung des Kondensators gegeben ist, wie ein hochohmiger Widerstand verhält, daß der Innenwiderstand des Transistors aber mit absinkender Spannung niederohmig wird. Der über die Basis-Emitter-Strecke des nachfolgenden Transistors fließende Strom bleibt daher über einen größeren, lediglich von der Lademenge des Kondensators abhängenden Zeitraum praktisch konstant, um dann ruckartig abzufallen. Die gespeicherte Energie des Kondensators wird also bedeutend besser als bisher ausgenutzt, so daß sich mit kleineren Kondensatoren größere Verzögerungszeiten erzielen lassen.
  • Durch die Hochohmigkeit des Widerstandes erhält der Transistor allerdings eine gewisse Temperaturabhängigkeit. Diese läßt sich aber unschwer in an sich bekannter Weise durch ein temperaturabhängiges Glied ausgleichen.
  • Die Erfindung und deren Einzelheiten werden im folgenden an Hand der Zeichnung für ein Ausführungsbeispiel näher erläutert, das die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung in Verbindung mit einem Schmitt-Trigger zeigt.
  • Das Relais R mit der parallelgeschalteten Diode D, dessen Schaltzustand über eine vorbestimmte Zeit beeinflußt werden soll, liegt im Kollektorkreis, eines monostabilen Multivibrators mit den Transistoren T, und T4. Diese Transistoren werden von einem Transistor T, in der Weise angesteuert, daß T., leitend und T4 gesperrt ist, solange kein Strom über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T2 fließt, umgekehrt T, gesperrt und T4 leitend wird, wenn dieser Strom einen bestimmten Wert überschreitet.
  • Der Erfindung, entsprechend ist dem Transistor i-, T2 an Stelle des sonst üblichen Widerstandes ein Transistor T, vorgeschaltet, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines Widerstandes R, und eines Potentiometers P, nach Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkun- der nachfolaenden Verstärkerstufe(n) einzustellen ist. Diese Widerstandskombination ist mit 330 kQ für den Widerstand und 500 kQ für das Potentiometer relativ hochohmig gewählt; zur Kompensation der Temperaturabhängigkeit des Transistors ist deshalb ein temperaturabhängiges Glied, bestehend aus dem NTC-WiderstandR", dem ParallelwiderstandR, und dem Vorwiderstand RP vorgesehen. Der Transistor T, verhält sich daher bei voller angelegter Spannung wie ein hochohmiger Widerstand, mit absinkender Spannung wie ein niederohiniger.
  • Wenn daher der Kondensator C., der über das Potentiometer P2 von der durch eine Zenerdiode Z mit parallelgeschaltetem Kondensator C, stabilisierten Spannungsquelle auf eine wählbare Spannung aufgeladen werden kann, an die Klemme A gelegt wird, so wird der über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T2 fließende Strom über eine längere Zeit konstant bleiben, um dann ruckartig abzufallen. Gesteuert von den Transistoren T, und T4 des monostabilen Multivibrators wird also das Relais R, das vorher abgefaHen war, für eine bestimmte Zeitspanne ansprechen.

Claims (2)

  1. Patentanspräche: 1. Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit, bei der ein Kondensator über einen Vorwiderstand und die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors entladen wird, d a d u r c h g c - kennzeichnet, daß der Widerstand durch einen Transistor (T1) ersetzt ist, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes (Rl> Pl) nach Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais (R) und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) (T.) eingestellt ist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Hochohmigkeit des den Arbeitspunkt des Transistors festlegenden Widerstandes bedingte Temperaturabhängigkeit des Transistors in an sich bekannter Weise durch ein temperaturabhängiges Glied (R23 R33 R4) ausgeglichen ist.
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