DE1234817B - Mikroverbindung fuer auf eine mikroelektronische Schaltkarte aufzubringende Mikroschaltungs-elemente und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Mikroverbindung fuer auf eine mikroelektronische Schaltkarte aufzubringende Mikroschaltungs-elemente und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1234817B
DE1234817B DEJ27129A DEJ0027129A DE1234817B DE 1234817 B DE1234817 B DE 1234817B DE J27129 A DEJ27129 A DE J27129A DE J0027129 A DEJ0027129 A DE J0027129A DE 1234817 B DE1234817 B DE 1234817B
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Wappingers Falls
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Description

  • Mikroverbindung für auf eine mikroelektronische Schaltkarte aufzubringende Mikroschaltungselemente und Verfahren zu ihrer Herstellung Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikroverbindung für Mikroschaltungselemente mit einem einen lötbaren überzug aufweisenden Leitermuster, das auf einer mikroelektronischen Schaltkarte aufgebracht ist.
  • Mikroelektronische Schaltungen sind Zusammenstellungen mikrominiaturisierter Schaltungselemente, d. h. aktive und passive Elemente, die auf einer Unterlage befestigt sind, auf der ein bestimmtes Leitermuster für die leitende Verbindung der Elemente untereinander sorgt, um damit eine gewünschte logische Funktion zu erzielen. Kombinationen dieser mikroelektronischen Schaltungen werden in geeigneter Weise miteinander verbunden, um in datenverarbeitenden Systemen Daten zu verarbeiten.
  • Diese mikroelektronischen Schaltungen haben eine Größe von etwa 12,5 X 12,5 mm, und sie müssen für eine rentable Fertigung einfach fabrizierbar sein. Die einzelnen Schaltungselemente einer mikroelektronischen Schaltung sind etwa 0,6 X 0,6 mm groß. Diese Elemente müssen durch mikroskopisch kleine Anschlüsse für einen guten mechanischen und elektrischen Zusammenhalt zwischen den Elementen und den Anschlüssen sorgen und dafür, daß die Verbindung zwischen den Anschlüssen und der Unterlage hohen thermischen Anforderungen und Vibrationsspannungen gewachsen ist.
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung, die oben erläuterten, an eine mikroelektronische Schaltung gestellten Forderungen zu erfüllen, wobei bei dem Verbindungsprozeß ein zwangläufiges Abstandhalten der Mikroschaltungselemente von dem auf der Schaltkarte aufgebrachten Leitermuster erfolgen soll. Dies erreicht die Erfindung dadurch, daß zwischen dem Leitermuster und dem mit demselben zu verbindenden Schaltungselement mehrere aus einem schwer schmelzbaren Material mit benetzbarer Oberfläche bestehende Anschlußelemente angeordnet sind, wobei zwischen jeweils einem derselben und dem Schaltungselement eine Lötschicht sich befindet, die mit dem lötbaren überzug des Leitermusters um die Anschlußelemente herum innig verbunden ist. Die erfindungsgemäße Mikroverbindung gestattet ein sehr einfaches Herstellungsverfahren, bei dem sich eine genaue Temperaturkontrolle erübrigt.
  • Einzelheiten der Erfindung sind nachstehend an Hand eines in den Figuren veranschaulichten, bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben. Es zeigt F i g.1 eine Draufsicht auf eine mikroelektronische Schaltung mit verschiedenen Schaltungselementen, F i g. 2 eine Seitenansicht eines Schaltungselementes, das für die Aufnahme eines Anschlußelementes vorbereitet ist, F i g. 3 eine Seitenansicht eines Schaltungselementes mit einem Anschlußelement und Fig.4 eineSeitenansicht eines in einemikroelektronische Schaltung eingefügten Schaltungselementes. Eine mikroelektronische Schaltung 10, wie sie in F i g. 1 gezeigt ist, besteht aus einer Unterlage 12 mit einem darauf befindlichen Leitermuster und einer Vielzahl von Anschlußmitteln 16, die über die Oberfläche der Grundplatte hinausragen. Das Leitermuster 14 hat eine Leiterbreite von 0,2 bis 0,5 mm, und es gehören zu ihr Finger 18 (s. F i g. 4) in der Größenordnung von 0,08 mm mit Abständen dazwischen zur Aufnahme kleinster Schaltungselemente 20 und 22, die aktiver oder passiver Natur sein können. über die Einzelheiten der Herstellung einer mikroelektronischen Schaltung 10 wurden bereits Vorschläge gemacht, die aber hier nicht wiedergegeben werden, da dieselben nicht zum Wesen der Erfindung gehören.
  • Passive oder aktive Schaltungselemente können durch einen Lötprozeß an den Fingern 18 befestigt werden, wodurch eine gute elektrische und mechanische Verbindung zwischen dem Schaltungselement 20 und dem Leitermuster 14 gewährleistet ist. Aktive Schaltungselemente, die mit dem Leitermuster verbindbar sind, sind bekannt. Passive Elemente können einerseits, wie bereits vorgeschlagen wurde, von der Form eines dünnen Filmes sein, oder andererseits auch eine Dünnfilm-Gestalt wie die aktiven Schaltungselemente haben. Die Herstellung passiver Dünnfilm-Elemente ist bekannt.
  • Gemäß F i g. 2 ist ein flaches Schaltungselement 20, das von der Größenordnung 0,6 X 0,6 mm und passiver oder aktiver Natur sein kann, geeignet, metallische Puffer 24 an ausgesuchten elektrischen Stellen zu tragen. Die Puffer 24 sind geeignet, mit einem Anschlußelement verbunden zu werden, wie weiter unten beschrieben ist. Um einen guten elektrischen und mechanischen Schluß zwischen dem Schaltungselement und einem Anschlußelement sicherzustellen, können die Puffer aus mehreren Metallagen, insbesondere aufgedampften, bestehen. Die äußere Schicht 26 des Puffers 24 besteht aus lötbarem Material, aus einer Legierung von 95% Blei und 5% Zinn für die Aufnahme des Anschlußgliedes. Eine innere Metallschicht 28 ist geeignet, eine gute mechanische und elektrische Verbindung zwischen der Oberfläche des Elementes 20, das keramikartig sein kann, und der Oberfläche des lötbaren Metalls herzustellen. In bestimmten Fällen mag es erforderlich sein, eine dritte Metallschicht vorzusehen, um eine gute Lötverbindung zu der inneren Schicht herzustellen. Wenn die leitenden Puffer 24 einmal angebracht sind, kann auch das Anschlußelement angefügt werden.
  • Gemäß F i g. 3 ist je ein Anschlußelement 30 mit dem Puffer 24 verbunden. Der Anschluß mit dem Element 20 bildet durch eine herkömmliche technische Wärmebehandlung eine ohmsche Verbindung. Das Anschlußelement ist aus benetzbarem Material, beispielsweise Kupfer, Nickel od. ä., das eine leitende Verbindung mit den Puffern 24 sicherstellt. Das Anschlußelement kann aus leitendem keramischem Stoff, z. B. aus einem hoch dotierten Halbleiter, dessen Funktion der des Kupfers, Nickels od. ä. entspricht, bestehen. Der Anschluß kann aber auch ein Isolator sein, der mit einer Schicht von benetzbarem Metall überzogen ist. Das ausgesuchte Anschlußmaterial soll jedoch wegen des Löt- und Verbindungsprozesses in jedem Fall temperaturunempfindlich sein. Diese Forderung ist von großer Wichtigkeit, wie noch später dargelegt ist, bei der Verbindung des Schaltungselementes mit einer mikroelektronischen Schaltung. Das Anschlußelement kann irgendeine geometrische Form aufweisen, beispielsweise eine Kugel, ein schiefes Prisma od. ä. Alle geometrischen Anschlußformen, gestreckt oder kugelig, genügen ihren Anforderungen, wie man feststellen konnte, jedoch ist ein Vollkugelanschluß in der Größenordnung von 0,12 bis 0,15 mm Durchmesser vorzuziehen, da derselbe eine Punktverbindung mit den mikroelektronischen Leitern 14 sichert, die etwa 0,2 bis 0,3 mm breit sind.
  • Gemäß F i g. 4 ist ein flaches Schaltungselement, dessen Anschlüsse in einer Ebene liegen, mit der mikroelektronischen Schaltung verbunden. Das Leitermuster 14 der mikroelektronischen Schaltung enthält einen Leiter 32, z. B. aus Silber oder einer Gold-Platin-Legierung, der mit einer Lötschicht 34 bedeckt ist. Die Lötschicht 34 ermöglicht eine Lötverbindung zwischen dem Schaltungselement 20 und dem Leiter 32.
  • Das Dünnfilm-Schaltungselement 20 wird auf die Finger 18 aufgesetzt, so daß die Anschlußelemente 30 die lotbedeckte Leiterschablone 14 berühren. Vor dem Erhitzungsprozeß werden die Schaltungselemente auf ihren Plätzen gehalten. Wenn die Schaltung mit den dazugehörigen Komponenten in den Ofen eingebracht ist, schmilzt das Lot und steigt an den Seiten des Anschlußelementes 30 wegen seiner benetzenden Natur auf, so wie es vom üblichen Löten her bekannt ist. Wenn die Schicht 34 aus 90% Blei und 10% Zinn besteht und das Anschlußelement 30 aus einem Ellipsoid von 0,12 bis 0,15 mm Größe und aus sauerstofffreiem hochleitfähigem Kupfer besteht, ist die Lötverbindung bei einer Temperatur in der Größenordnung von 320° C nach einer Zeit von 5 Minuten hergestellt. Während des Erhitzens schmilzt der Puffer 24 nicht, da das Lot eine Legierung aus 95 % Blei und 5 % Zinn verkörpert, die einen höheren Schmelzpunkt besitzt als das aus 90% Blei und 10% Zinn bestehende Material des Überzuges des Leitermusters 14. Das aus 95 % Blei und 5 % Zinn bestehende Lot beginnt bei 320° C zu schmelzen und Laborerfahrung zeigt, daß die 5 Minuten dauernde Erhitzungsperiode nicht lang genug ist für das Schmelzen des Materials des Puffers 24. Obwohl in diesem Ausführungsbeispiel derartig unterschiedlich zusammengesetzte Lote verwendet sind, existieren natürlich auch andere Materialkombinationen, mit denen das gleiche Ergebnis erzielbar ist.
  • Die Schaltung wird am Ende der Erhitzungsperiode aus dem Ofen genommen und mit Luft oder anderen Medien gekühlt, um die Verbindung rund um das Anschlußelement zu festigen. Das aus einer Kugel bestehende Anschlußelement hat einen Schmelzpunkt von etwa 1090° C und ist während des Erhitzungs- und Kühlungsprozesses physikalisch nicht verändert worden. Da die Form des Anschlußelementes durch den Erhitzungsprozeß im wesentlichen unverändert bleibt, ist ein Abstand zwischen dem Schaltungselement 20 und dem Leitermuster 14 erreicht. Dies ist von besonderer Bedeutung, wenn das Schaltungselement ein aktives Element ist, da ein Verbindungspunkt oder anderer Teil der Schaltung kurzgeschlossen ist, wenn dieser Teil mit dem Leitermuster 14 durch ein infolge Schmelzens erfolgendes Zusammenbrechen des Anschlußelementes in Berührung gelangt. Infolge der Temperaturunempfindlichkeit der Anschlußelemente 30 ist eine Fabrikation mit geringer oder keiner Kontrolle des Erhitzungsprozesses möglich. Die fertige Verbindung zwischen dem Schaltungselement 20 und der Schaltung 10 ist in elektrischer und mechanischer Hinsicht gut. Der Widerstand solcher Verbindungen liegt etwa bei 10 Miniohm, das gerade für mikroelektronische Schaltungen, bei denen mit niedrigen Spannungen, etwa um 3 V, gearbeitet wird, wünschenswert ist. Als mechanische Festigkeit dieser Verbindungen wurden 300 g ermittelt (für drei Kugeln einer Einrichtung unter Spannung), und man fand heraus, daß sie bis zu 180 g zuverlässig tragen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und alle beschriebenen Arbeitsgänge sind sehr geeignet für eine Massenproduktionstechnik.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Mikroverbindung für Mikroschaltungselemente mit einem einen lötbaren Überzug aufweisenden Leitermuster, das auf einer mikroelektronischen Schaltkarte aufgebracht ist, d a -durch gekennzeichnet, daß zwischen dem Leitermuster (14) und dem mit demselben zu verbindenden Schaltungselement (20) mehrere aus einem schwer schmelzbaren Material mit benetzbarer Oberfläche bestehende Anschlußelemente (30) angeordnet sind, wobei sich zwischen jeweils einem derselben und dem Schaltungselement (20) ein metallischer Puffer (24) befindet, der mit dem lösbaren Überzug (34) des Leitermusters (14) um die Anschlußelemente (30) herum innig verbunden ist.
  2. 2. Mikroverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen jedem Anschlußelement (30) und dem Schaltungselement (20) befindliche Puffer (24) aus mindestens zwei Teilen (26, 28) besteht, von denen der dem Anschlußelement (30) zugewandte (26) aus einer Lötzinnlegierung und der dem Schaltungselement (20) zugewandte (28) aus einem der Festigung der Verbindung dienenden Metall besteht.
  3. 3. Mikroverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschlußelement (30) eine Kugel aus einem hochleitfähigen Kupfer darstellt.
  4. 4. Mikroverbindung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Anschlußelement (30) zugewandte Schicht (26) des Puffers (24) aus einer gegenüber dem lötbaren Überzug des Leitermusters (14) schwerer schmelzbaren Lötzinnlegierung besteht.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung der Mikroverbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einem einen lötbaren Überzug aus 90% Blei und 10% Zinn aufweisenden Leitermuster, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Schaltungselement (20) an den für die Verbindung mit dem Leitermuster (14) vorgesehenen Stellen je ein Puffer (24), dessen der Kugel (30) zugewandte Schicht (26) aus einer Legierung aus 95 % Blei und 5 % Zinn besteht, aufgebracht, vorzugsweise aufgedampft wird, daß auf jeden Puffer (24) je eine bei über 1000° C schmelzbare Kugel aufgelegt und durch Wärmebehandlung mit dem Puffer (24) verbunden wird, und daß hernach die so behandelten Schaltungselemente (20) auf die vorbestimmten Stellen des Leitermusters aufgelegt werden, worauf in einem Ofen bei einer Temperatur von etwa 320° C ein etwa 5 Minuten dauerndes Erhitzen folgt, an das sich ein Abkühlen in einem Kühlmedium anschließt.
DEJ27129A 1963-12-27 1964-12-16 Mikroverbindung fuer auf eine mikroelektronische Schaltkarte aufzubringende Mikroschaltungs-elemente und Verfahren zu ihrer Herstellung Withdrawn DE1234817B (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1765783B1 (de) * 1967-07-17 1972-03-09 Rca Corp Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von fuer den einbau in gedruckte schaltungen geeigneten halterungen
EP0117111A2 (de) * 1983-02-17 1984-08-29 Fujitsu Limited Halbleiteranordnungszusammenbau

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