DE1231811B - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1231811
Aktenzeichen: B 66685 VIII c/21 g
Anmeldetag: 6. April 1962
Auslegetag: 5. Januar 1967
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem auf dem Boden eines becherförmigen, mit
Gießharz ausgegossenen Gehäuses befestigten scheibenförmigen Halbleiterkörper, auf dessen vom Boden
des Gehäuses abgewandter Seite mittels einer einen pn-Ubergang in dem Halbleiterkörper erzeugenden
Zwischenschicht aus Dotierungsmetall eine Elektrodenplatte befestigt ist, deren Durchmesser
kleiner ist als der des Halbleiterkörpers.
Halbleiteranordnungen müssen nach außen stets so verschlossen werden, daß die Gefahr einer Änderung
der elektrischen Eigenschaften des Halbleiterkörpers durch von außen in die Halbleiteranordnung
eindringende Verschmutzung oder Feuchtigkeit ausgeschlossen ist.
Es sind deshalb Halbleiteranordnungen bekanntgeworden, bei welchen der Halbleiterkörper samt der
aufgesetzten Elektrodenplatte und einer der Elektrodenplatte gegenüberliegenden drahtförmigen Zu-
oder Ableitungselektrode in einem Glaskörper eingebettet ist, der diese Teile allseitig umschließt. Solche
Glaskörper lassen sich zwar verhältnismäßig leicht bei Halbleiteranordnungen mit kleinen Abmessungen
herstellen, bei denen der Halbleiterkörper samt seinen Elektroden für die Glasflußmasse von
allen Seiten frei zugänglich ist. Wenn jedoch der Halbleiterkörper zum Zweck der Kühlung in ein
becherförmiges Gehäuse eingebettet ist, macht es Schwierigkeiten, eine ausreichend sichere Abdichtung
zwischen dem Glaskörper und der Innenwand des becherförmigen Gehäuses zu erzielen. Verschlüsse
aus Glas sind daher bei derartigen Halbleiteranordnungen verhältnismäßig teuer in der Herstellung
gegenüber den ebenfalls bekannten Gießharzverschlüssen.
Bei den Gießharzverschlüssen besteht aber die Gefahr, daß sich beim Betrieb mit häufigen Temperaturwechseln,
die vor allem bei Siliziumhalbleitern mit zulässigen Betriebstemperaturen von mehr
als 120° C auftreten, Haarrisse bilden, die von außen schwer erkennbar sind, jedoch zu einer raschen Zerstörung
der Halbleiteranordnungen führen können.
Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, bei einer Halbleiteranordnung der eingangs genannten
Art einen kombinierten Gießharz-Glas-Verschluß zu entwickeln, der sich billig herstellen läßt und auch
dann einen gasdichten Abschluß der gefährdeten Stellen des Halbleiterkörpers bildet, wenn zwischen
dem becherförmigen Gehäuse und der Gießharzmasse Risse entstehen.
Eine besonders einfache und wirkungsvolle Lösung dieser Aufgabe ergibt sich, wenn gemäß der Er-Halbleiteranordnung
Anmelder:
Robert Bosch G. m. b. H.,
Stuttgart 1, Breitscheidstr. 4
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Gotthold Zielasek, Stuttgart-Botnang; Dipl.-Phys. Eberhard Sautter, Heimerdingen --
findung zur gasdichten Abdeckung der Randzone des pn-Übergangs außer der Gießharzmasse eine Glasschicht
vorgesehen ist, die sich über die Mantelfläche der Elektrodenplatte und über die freie Ringzone an
der Stirnseite des Halbleiterkörpers erstreckt. Eine besonders gute Wirkung wird erzielt, wenn in weiterer
Ausgestaltung der Erfindung der Schmelzpunkt der Glasschicht nicht höher als 400 ° C ist.
In der Zeichnung ist als Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Halbleiteranordnung im Schnitt dargestellt.
Die Halbleiteranordnung besteht aus einem becherförmigen Gehäuse 10 aus Kupfer, an dessen Innenboden
mittels einer Silberschicht 11 eine auf der Unterseite verkupferte Elektrodenplatte 12 aus Molybdän
festgelötet ist. Diese Elektrodenplatte 12 dient als Träger für einen Halbleiterkörper 14 aus Silizium,
der mit der Elektrodenplatte 12 durch ein Ag-Cu-Sn-Lotl3 verlötet ist. Auf der Oberseite des
Halbleiterkörpers 14 ist eine zweite, im Durchmesser kleinere Elektrodenplatte 16 aus Molybdän mit Hilfe
einer Zwischenschicht 15 aus Aluminiumfolie befestigt. Die Aluminiumfolie dient als Kontakt- und
gleichzeitig als Dotierungsmetall für den Halbleiterkörper 14. An die verkupferte Oberseite der Elektrodenplatte
16 ist mittels einer Zinnschicht 18 eine Zuleitungselektrode 19 aus Kupfer angelötet. Der
zwischen den beschriebenen Teilen der Halbleiteranordnung und der Wand des Gehäuses 10 verbleibende
Hohlraum ist mit einer nach dem Erhärten einen Verschlußstopfen ergebenden Gießharzmasse
20 ausgegossen. Da die Gießharzmasse jedoch aus den eingangs erwähnten Gründen zur Rißbildung
neigt, ist erfindungsgemäß eine Glasschicht 17 vorgesehen, die sich über die Mantelfläche der Elektrodenplatte
16 und über die von der Elektrodenplatte 16 nicht bedeckte Ringzone an der Stirnseite
609 750/319
des Halbleiterkörpers 14 erstreckt. Diese Glasschicht schützt die Halbleiteroberfläche und die Randzone
des pn-Ubergangsbereiches vor atmosphärischen Einflüssen, wenn der Verschlußstopf en 20 rissig werden
sollte.
Claims (2)
1. Halbleiteranordnung mit einem auf dem Boden eines becherförmigen, mit Gießharz ausgegossenen
Gehäuses befestigten scheibenförmigen Halbleiterkörper, auf dessen von dem Boden
des Gehäuses abgewandter Seite mittels einer einen pn-übergang in dem Halbleiterkörper
erzeugenden Zwischenschicht aus Dotierungsmetall eine Elektrodenplatte befestigt ist, deren
Durchmesser kleiner ist als der des Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß
zur gasdichten Abdeckung der Randzone des pn-Überganges außer der Gießharzmasse (20)
eine Glasschicht (17) vorgesehen ist, die sich über die Mantelfläche der Elektrodenplatte (16) und
über die freie Ringzone an der Stirnseite des Halbleiterkörpers (14) erstreckt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzpunkt der
Glasschicht (17) nicht höher als 400° C ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1 267 686;
USA.-Patentschriften Nr. 2 827 597, 2 998 558.
Französische Patentschrift Nr. 1 267 686;
USA.-Patentschriften Nr. 2 827 597, 2 998 558.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 750/319 12.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1962B0066685 DE1231811B (de) | 1962-04-06 | 1962-04-06 | Halbleiteranordnung |
GB1204163A GB1028715A (en) | 1962-04-06 | 1963-03-27 | Improvements in semi-conductors |
FR929658A FR1352429A (fr) | 1962-04-06 | 1963-03-28 | Dispositif à semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1962B0066685 DE1231811B (de) | 1962-04-06 | 1962-04-06 | Halbleiteranordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1231811B true DE1231811B (de) | 1967-01-05 |
Family
ID=6975232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1962B0066685 Pending DE1231811B (de) | 1962-04-06 | 1962-04-06 | Halbleiteranordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1231811B (de) |
GB (1) | GB1028715A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3243689A1 (de) * | 1981-11-30 | 1983-06-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
DE3505086A1 (de) * | 1985-02-14 | 1986-08-28 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul mit einem kunststoffgehaeuse |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2827597A (en) * | 1953-10-02 | 1958-03-18 | Int Rectifier Corp | Rectifying mounting |
FR1267686A (fr) * | 1959-09-22 | 1961-07-21 | Unitrode Transistor Products | Dispositif semi-conducteur |
US2998558A (en) * | 1959-10-19 | 1961-08-29 | Pacific Semiconductors Inc | Semiconductor device and method of manufacturing same |
-
1962
- 1962-04-06 DE DE1962B0066685 patent/DE1231811B/de active Pending
-
1963
- 1963-03-27 GB GB1204163A patent/GB1028715A/en not_active Expired
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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FR1267686A (fr) * | 1959-09-22 | 1961-07-21 | Unitrode Transistor Products | Dispositif semi-conducteur |
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DE3505086A1 (de) * | 1985-02-14 | 1986-08-28 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul mit einem kunststoffgehaeuse |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1028715A (en) | 1966-05-04 |
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