DE1489916C - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
ι 2
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteran- in erster Linie zum Schutz gegen atmosphärische Einordnung
mit einem Halbleiterkörper, der mindestens flüsse.
einen pn-Ubergang und einen diesen schützenden Weiterhin sind Gießharzumhüllungen für Gleich-
Oxidüberzug aufweist, und mit einer Schutzkapsel, richterplatten bekannt, wobei zwischen der Gießharz-
die mindestens den den pn-Übergang enthaltenden 5 hülle und der^Gleichrichterplatte eine Isolationsschicht
Teil des Halbleiterkörpers umgibt, wobei zwischen vorgesehen ist. Diese Gießharzumhüllungen sollen aus
dem Halbleiterkörper bzw. der Oxidschicht und der einem Werkstoff bestehen, der mit der Isolations-
Schutzkapsel ein elektrisch isolierender Trennstoff vor- schicht keine physikalische oder chemische Bindung
gesehen ist, der gegenüber den Materialien der genann- eingeht. Hierdurch soll verhindert werden, daß bei län-
ten angrenzenden Teile chemisch inert ist und eine io gerer Betriebsdauer, insbesondere bei thermischen
chemische Reaktion zwischen dem Halbleiterkörper Wechselbeanspruchungen, Spannungsrisse in der Gieß-
und der Schutzkapsel verhindert. harz-Isolationsschicht auftreten.
Eine derartige Halbleiteranordnung ist beispiels- Bei all diesen Halbleiteranordnungen tritt trotz des
weise ein Transistor, bei dem der Halbleiterkörper auf elektrisch isolierenden Trennstoffs immer wieder die
einer metallischen Unterlage befestigt ist, die teilweise 15 Schwierigkeit auf, daß die in der Nähe des Halbleiteroder ganz eine elektrische Verbindung oder auch eine körpers liegende Epoxydharze, die vorzugsweise zum
äußere Zuleitung zu einer der für den Betrieb wichtigen Einkapseln der Halbleiteranordnung verwendet wer-Zonen
des Transistors, beispielsweise zur Emitter-, den, chemisch mit diesem reagieren, wenn die Tem-Basis-
oder Kollektorzone darstellt. Mit den anderen peraturen des pn-Uberzugs in dem Halbleiterkörper
für den Betrieb wichtigen Zonen des Halbleiterkörpers 20 100° C überschreiten. Dadurch werden einige der eleksind
elektrische Leiter, beispielsweise Drähte, verbun- irischen Parameter ungünstig beeinflußt. Das geht beiden.
Sie sind ihrerseits an äußeren Zuleitungen zu der spielsweise aus dem Abnehmen des .D-C-Beta-Wertes
Halbleiteranordnung befestigt oder ersetzen diese. Bei ( = Vorwärtsgleichstromverstärkung großer Signale
solchen Transistoren ist der Halbleiterkörper und min- bei Emitterschaltung) oder des Wertes hFE ( = statidestens
ein Teil der zu diesen führenden elektrischen 25 sches Übertragungsverhältnis IcIIb des Vorwärts-Anschlüsse
in ein elektrisch isolierendes Material, bei- Stroms bei Emitterschaltung) hervor. Die Verkleinespielsweise
Epoxidharz, eingekapselt oder eingebettet, rung solcher Größen, beispielsweise des D-C-Betawobei
die äußeren Teile der Zuleitungen nach außen . . Wertes, ist in vielen Schaltungen mit Transistoren sehr
ragen. Diese äußeren Zuleitungen können zusätzlich 'unerwünscht.
durch ein Kopfstück aus Isoliermaterial, beispielsweise 30 Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde,
Phenolharz, geführt sein, welches als Stütz-, Abstands- die Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art
und Ausrichtungsglied für die Zuleitungen dient, und so fortzubilden, daß sie auch bei höheren Betriebsbis
zu dem sich das Gehäuse ausdehnen und so einen temperaturen von etwa "150° C ihre Eigenschaften mögmit
dem Kopfstück einheitlich verbundenen Bauteil bil- liehst wenig gegenüber denjenigen bei Normaltemperaden
kann. 35 tür ändert.
Bekannte Halbleiteranordnungen besitzen neben Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Trenn-
dem schützenden Oxidüberzug gegen Feuchtigkeit und stoff aus Bornitrid oder aus einer Mischung vonFeld-
anderen Verunreinigungen auch eine Schutzkapsel, die spat, durch Luft aufgeschwämmten Ton oder Bentonit
weiteren Schutz gegen mechanische Erschütterungen, besteht.
thermische Störungen, chemische-Zersetzungen oder 40 Bei Verwendung derartiger Trennstoffe ergeben sich
ähnliche Einflüsse gewährt und die Halbleiteranord- auch bei hohen Temperaturen geringe Sperrströme, und
nung unempfindlicher macht, wodurch eine anschlie- die Gleichstromverstärkung bleibt bis zu hohen Tem-
ßende Behandlung, das ' Verpacken, das Verkaufen peraturen im wesentlichen konstant,
oder der Gebrauch vereinfacht werden. Es ergeben sich also Halbleiteranordnungen, die bei
Es ist außerdem schon eine Halbleiteranordnung der 45 gleichbleibender Größe der genannten elektrischen
eingangs erwähnten Art bekannt, bei denen als Trenn- Parameter mit wesentlich höheren Leistungen betrieben
stoff zwischen der Schutzkapsel und der Oxidschicht werden können bzw. die bei Betrieb im üblichen Stromeine
in viskosem Zustand aufgebrachte Lackschicht bereich unempfindlich gegen Überlastungen sind. Folgverwendet
wird, wodurch eine unerwünschte direkte Hch ist der Anwendungsbereich dieser Halbleiteran-Berührung
des Materials der Schutzkapsel mit der 5? .Ordnungen stark erweitert. . .
Halbleiterscheibe und somit auch eine chemische Reak- Ausführungsformen der Erfindung werden nach-
tion zwischen diesen Materialien verhindert wird. Die stehend beschrieben und an Hand der Zeichnungen
Schutzkapsel besteht dabei aus einem verfestigten syn- näher erläutert.
thetischen Harz oder einem Kunststoff, wie z. B. Me- ' Fi g. 1 zeigt den Halbleiterkörper eines Transistors,
thylmethacrylat, und,, gegebenenfalls einer äußeren 55 auf den die Erfindung insbesondere angewendet wer-
Form. Hierdurch soll bereits die Aufgabe gelöst wer- den kann;
den, Halbleitereinrichtungen, wie Transistoren od. dgl., F i g. 2 zeigt die Teiiansicht eines Transistors unter
mit verbesserten, stabilisierten Oberflächeneigenschaf- Verwendung des Hälbleiterkörpers nach der F i g. 1
ten zu schaffen, so daß sie über lange Zeiten gelagert während einer Zwischenstufe des Herstellungsverfah-
und betrieben werden können, auch wenn sie höheren 60 rens;
Temperaturen oder .Feuchtigkeitsgraden ausgesetzt F i g. 3 ist eine perspektivische Ansicht des Bauele-
sind. "". ' " mentes nach der Fig. 2, nachdem erfindungsgemäß
Es sind ferner auch schon Halbleiteranordnungen be- die Herstellung beendet ist;
kannt, bei denen die pn-Uberzüge.zum Schutz gegen F i g. 4 zeigt einen Schnitt durch das Bauelement
atmosphärische Einflüsse mit einer Schicht aus Iso- 65 nach der F i g. 3;
lierlack abgedeckt sind, die einen Füllstoff aus einem F i g. 5 ist die Draufsicht auf ein Bauelement, das
fein verteilten, faserigen oder blätterförmigen elektri- ;.dem in der Fi g. 2 gezeigten ähnlich ist, nach einem
sehen Isoliermaterial enthält. Der Füllstoff dient dabei ! weiteren Herstellutigsschritt gemäß der Erfindung;
F i g. 6 ist der F i g. 5 ähnlich und zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel.
Der Transistor nach der F i g. 1 enthält ein elektrisch aktives Element. Dieses besteht aus einem Halbleiterkörper
2 aus z. B. Silizium in der Form einer z. B. 0,1 bis 0,2 mm dicken und 0,65 bis 2,6 mm2
großen Platte. Der Halbleiterkörper hat eine Anzahl von elektrisch aktiven Zonen, z. B. eine Kollektorzone 4,
eine Basiszone 6 und eine Emitterzone 8. Der Halbleiterkörper kann durch Eindiffundieren derart mit
Zusätzen oder Verunreinigungen versehen sein, daß die Basiszone 6 vom entgegengesetzten Leitungstyp wie die
Emitterzone 8 und die Kollektorzone 4 ist. Dadurch entstehen zwei pn-Übergänge 10 und 12 innerhalb des
Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper kann z. B. eine Kollektorzone 4 aus η-leitendem Silizium, eine
durch Diffusion von z. B. Bor in den Halbleiterkörper
entstandene p-leitende Basiszone 6 und eine durch Diffusion von z. B. Phosphor in die Basiszone entstandene
Emitterzone 8 enthalten. Zur Bildung nichtgleichrichtender Kontakte 16, 18 sind die Basis- und die
Emitterzone mit leitenden Schichten aus z. B. Aluminium versehen, die das Anbringen von Zuleitungen erleichtern.
Zwischen den Emitter- und Basiskontakten 16,18 und an den Stellen, wo die pn-Übergänge 10,12
an die Oberfläche des Halbleiterkörpers treten, ist der Halbleiterkörper mit einer Schutzschicht 19 aus Isoliermaterial
bedeckt, welches bei Verwendung eines Siliziumelements zweckmäßigerweise aus einem Oxid
des Siliziums besteht.
Der Halbleiterkörper ist auf einem Stützglied 20 mit bandförmigem Querschnitt aus Kovar oder Stahl befestigt, das z. B. eine Breite von 1,3 mm und eine Dicke
von 0,12 bis 0,26 mm hat. Die den Emitter- und Basiskontakten 16, 18 gegenüberliegende große Seite des
Halbleiterkörpers ist so mit dem Stützglied 20 verbunden, daß dieses in dauernd leitendem Kontakt mit ihr
ist, in dem durch Verlöten oder Verschweißen für einen
nichtgleichrichtenden, elektrisch leitenden Übergang gesorgt ist. Zum leichteren Anbringen des Halbleiterkörpers
auf dem Stützglied wird eine Zwischenschicht 24 aus Metall, wie z. B. Gold oder mit den gleichen
Verunreinigungen wie die Kollektorzone dotiertes Gold, verwendet, um zwischen dem Stützglied 20 und
dem Halbleiterkörper 2 eine Lötschicht auszubilden.
An den Emitterkontakt 18 des Halbleiterkörpers ist durch ein an sich bekanntes Verfahren, z. B. thermische
Kompression, in nichtgleichrichtender Weise das eine Ende eines Stückes Golddraht oder eines anderen geeigneten
Metalldrahts angebracht, welcher einen Durchmesser von etwa 0,025 mm hat und die Zuleitung
26 zum Emitter bildet. In ähnlicher Weise ist der Basiskontakt 16 mit einer Basiszuleitung 28 versehen.
Das Stützglied 20 ist mechanisch und in elektrisch
leitender Verbindung durch die Schweißstelle 22 an. einer mittleren Stützstrebe 34 des Kopfstücks 30 an-,
gebracht, welches aus einer Scheibe 31 aus einem elektrisch isolierenden Material, wie z. B. Phenolharz, besteht,
durch die die Stützstrebe 34 hindurchgeht. In ähnlicher Weise gehen zwei Seitenstreben 32 und 36
durch die Scheibe 31 hindurch. An diesen Streben sind die Basiszuleitung 28 bzw. die Emitterzuleitung 28
durch die Schweißstellen 39 bzw. 38 befestigt. Das Kopfstück 30 kann als dauernde oder zeitweilige Stütze
zur Aufrechterhaltung des Abstands und der relativen Lage der äußeren Zuleitungen zueinander dienen, welche
durch die drei Streben 32, 34 und 36 gegeben sind.
Schließlich werden nach der Herstellung des eigentlichen Halbleiterbauelements der Halbleiterkörper 2
und die ihm benachbarten Zuleitungen in ein isolierendes Gehäuse 50 aus z. B. Epoxidharz, eingekapselt oder
eingebettet, wie gleich noch näher beschriebsn wird.
Vor der Einkapselung werden jedoch gemäß dsr Erfindung der Halbleiterkörper und die benachbarten Teile
der elektrischen Anschlüsse nach der F i g. 4 mit einer Masse 44 bedeckt, die als Trennstoff dient, damit das
isolierende, das Bauelement umhüllende Gehäuse 59 nicht mit dem Halbleiterkörper 2 in Berührung kommt.
Der Trennstoff muß elektrisch isolieren und darf weder mit dem umhüllenden Gehäuse noch mit anderen
angrenzenden Stoffen chemisch reagieren. Weiterhin darf der Trennstoff nicht ionisierbar sein, muß einen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten haben, der sich zur Vermeidung von Bruchstellen auf Grund thermisch
bedingter Größenänderungen dem Halbleiterkörper, dem umhüllenden Gehäuse und anderen benachbarten
Stoffen anpaßt, und darf nicht unter 2000C
schmelzen. Außerdem darf er mit anderen Materialien, die wie die Schutzschicht 19 direkt am Halbleiterkörper
angebracht sind, nicht zusammensintern oder diese irgendwie anders schädlich beeinflussen. Als
Trennstoff 44 erfüllen verschiedene mineralische, nichtmetallische
Stoffe die obigen Erfordernisse, wie z. B. Oxide, Nitride, Karbonate und Silikate, die alle für
diesen Zweck geeignet sind. Es hat sich jedoch gezeigt, daß Stoffe mit überwiegend flacher oder plättchenförmig
ausgebildeter Kristallstruktur im Gegensatz zu denen mit kugelförmigen, eckigen oder fadenförmigen
Kristallen wirkungsvoller die gasförmigen oder flüssigen Verunreinigungen abhalten, die bsi relativ
hohen Temperaturen von etwa 15O0C von dem
Gehäusematerial losgelöst werden.
Der hier bevorzugte Trennstoff ist Bornitrid. Diese Bevorzugung beruht auf elektrischen Messungen an
fertigen Transistoren. Dabei wurden Spsrrströms, wi
z. B. Icbo (Kollektor-Gleichstrom bei umgekehrt vorgespannter
Kollektorübergangszone und offenen· Emitterkreis) und Ϊεβο (Emitter-Gleichstrom bsi um
gekehrt vorgespannter Emitterübergangszorte uiit'
offenem Kollektorkreis) sowie die Änderung de.' D-C-Beta-Wertes mit der Temperatur gemessen. Eir
weiterer hier bevorzugter Trennstoff ist folgendermaßen
zusammengesetzt:
Feldspat, Na2K2O
Al2O3- 4SiO2
69 Gewichtsprozent
durch Luft aufgeschwemmter Ton '
Al2O3 — 2 SiO2 ... 29 Gewichtsprozent
Bentonit
: ...-..- Al2O3 — 2 SiO2 ... 2 Gewichtsprozent,
Der Tfennstoff 44 kann auf verschiedene Weise ~ängebracht
werden, z. B. durch Aufstreichen, Aufsprühen, Eintauchen, Aufspritzen oder durch Elektrophorese.
Vorzugsweise wird der Trennstoff 44 dadurch aufgebracht, daß man die Halbleiteranordnung
in ein mit breiartigem, fein zerteiltem Trennstoff gefülltes Gefäß eintaucht. Der Brei wird vorzugsweise aus
98 Gewichtsanteilen fein zerteiltem Bornitridpulver, 2 Gewichtsanteilen einer entfiockenden Substanz, wie
z. B. feinzerteiltes Betonit mit einer Teilchengröße von 40 bis 50 μΐη oder einer Teilchengröße, die kleia genug
ist, um durch ein Sieb mit einer lichten Maschenweite von etwa 0,045 mm zu gehen, und 100 Gewichtsanteilen ionenfreiem Wasser zusammengesetzt. Dsr
Halbleiterkörper 2 und die benachbarten Teile der
Anschlüsse 26, 28 werden in ein solches breiiges Bad gegeben, wobei sich die Anordnung, wie in der Fig. 6
dargestellt, mit dem Trennstoff 44 bedeckt. Nachdem er in breiiger Form aufgetragen ist, wird der Trennstoff 44
erhärtet, indem er unter Luft für etwa 1 Stunde bei etwa 150° C in einem Konvektionsofen getrocknet
wird.
Wenn der Trennstoff trocken ist, folgt der letzte Herstillungsschritt, nämlich das Einkapseln des Bauelements
in die Schutzkapsel 50. Vorzugsweise wird für diese eine formbare Epoxidharz-Verbindung mit
hoher Wasserundurchlässigkeit verwendet. Der thermische Ausdehnungskoeffizient der Schutzkapsel 50
sollte sich ebenfalls dem der eingeschlossenen Stoffe und auch dem des Stoffs des Kopfstücks 30, wenn dieses
fest eingebaut bleibt, möglichst gut anpassen. Als Stoff für die Schutzkapsel 50 ist ein durch Säureanhydride
härtendes Harz geeignet. Wenn dieses Harz mit einem Polycarbonsäureanhydridhärter und einem
Verdünnungsmittel geringer Viskosität gemischt wird, dann kann es gegossen oder geformt werden, wie es in
der F i g. 3 gezeigt ist. Weiterhin kann es dann über mehrere Stunden auf einer Temperatur von 100° C gehalten
und dadurch gehärtet werden. Die Härtezeit wird verringert, wenn man einen von den bekannten
Harzkatalysatoren, wie z. B. Benzyldimsthylamin, verwendet. Als Material für die Schutzkapsel lassen
sich auch z. B. Glas oder ein strahlenundurchlässiges Material, wie Blei, verwenden.
Ein Transistor gemäß der Erfindung hat viele Vorteile. Da der Trennstoff 44 selbst nicht notwendigerweise
mechanisch so stabil oder unempfindlich ist, um seinen Platz einzuhalten, wird er durch die Schutzkapsel
50 auf seinem Platz festgeklemmt. Dadurch bildet sich eine dauerhafte Zwischenschicht aus, die fortwährend
einen Kontakt oder ein chemisches Zusammenwirken zwischen dem Gehäuse und dem Halbleiterkörper
verhindert. Weiterhin ist der Trennstoff für gasförmige oder flüssige Verunreinigungen sowie
andere schädliche Stoffe, die während des Betriebs des Transistors bei hohen Temperaturen in den Übergangszonen
auftreten können, nahezu vollständig undurchlässig. Daher beschränkt der Trennstoff in wirksamer
Weise chemische Reaktionen zwischen der Kapsel oder anderen Stoffen und dem Halbleiterkörper auf
ein Minimum, wodurch selbst bei Temperaturen im Bereich zwischen 100 und 150° C oder mehr diese Umstände
nicht mehr dazu beitragen, den Halbleiterkörper elektrisch oder chemisch zu verschlechtern. Der
Trennstoff sorgt daher dafür, daß bei der Wahl des Materials für die Schutzkapsel dessen chemische Reaktionsfähigkeit
nicht mehr so wichtig ist, d. h., er läßt einen weiteren Bereich von chemischen Eigenschaften
des Kapselmaterials zu, so daß dessen mechanische und thermische Eigenschaften, wie z. B. die Wärmeleitfähigkeit
und die Wärmsausdshnung in bezug auf die
Anpassung, sowie ein großar Widerstand gsgenüber
Erschütterungen oder Vibrationen optimal eingestellt werden können. Die Kosten des Trennstoffs sind relativ
unbedeutend, und er ist leicht aufzutragen; doch werden durch seine Gegenwart nicht nur die Grenzen
momentaner, elektrischer Belastbarkeit heraufgesetzt,
ίο sondern auch die Charakteristiken des Halbleiterbauelements
bei langen Betriebszeiten konstant gehalten. Das kommt insbesondere durch den Wegfall der auf
thermisch-chemischem Wege erzeugten elektrischen Nachteile, die insbesondere beim Betrieb mit hoher
Leistungsdichte auf Grund hoher Temperaturen in der Übergangszone auftreten. Daher wird eins Halbleiteranordnung
mit längerer Lebensdauer und größsrer Betriebssicherheit erhalten.
Claims (5)
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper, der mindestens einen pn-Übergang und
einen diesen schützenden Oxidüberzug aufweist, und mit einer Schutzkapsel, die mindestens den den
pn-Übergang enthaltenden Teil des Halbleiterkörpsrs umgibt, wobei zwischen dem Halbleiterkörper
bzw. der Oxidschicht und der Schutzkapsel ein elektrisch isolierender Trennstoff vorgesehen
ist, der gegenüber den Materialien der genannten angrenzenden Teile chemisch inert ist und eine
chemische Reaktion zwischen dem Halbleiterkörper und der Schutzkapsel verhindert, dadurch
gekennzeichnet, daß der Trennstoff(44) aus Bornitrid oder aus einer Mischung von FeIdspat,
durch Luft aufgeschwemmten Ton und Bentonit besteht.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch!, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der
Schutzkapsel (50) ein Epoxidharz enthält.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der
Schutzkapsel (50) Glas enthält.
4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material der Schutzkapsel (50) Blei enthält.
5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehre-· ren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Material der Schutzkapsel (50) ein durch Säureanhydride gehärtetes Epoxidharz enthält
und das dsr Trennstoff (44) im wesentlichen aus übereinandergeschichteten plättchenförmigen
Teilchen aus Bornitrid besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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