DE1230918B

DE1230918B - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1230918B
Application number: DET26150A
Authority: DE
Inventors: Dr Rer Nat Hans-Juerg Schuetze; Dr-Ing Klaus Hennings
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1964-05-08
Filing date: 1964-05-08
Publication date: 1966-12-22

Description

Halbleiteranordnung Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, die sich durch sehr kurze Schaltzeiten auszeichnen soll. Beispielsweise bei einer Diode mit einer Metall-Halbleiter-Sperrschicht, die üblicherweise Schottky-Diode genannt wird, liegen die Schaltseiten in der Größenordnung von 10-11 Sekunden. Soll eine Halbleiteranordnung mit kurzen Schaltzeiten hergestellt oder eine solche Anordnung bei entsprechend hohen Frequenzen betrieben werden, so ist hierzu ein kapazitäts- und induktivitätsarmes Gehäuse Voraussetzung.
Zur Lösung der der Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe wird von einer bekannten Halbleiteranordnung ausgegangen, bei der ein flacher Halbleiterkörper und ein plattenförmiger Deckel einen Hohlraum umschließen, der an eine mindestens eine Elektrodenzuleitung tragende Seite des Halbleiterkörpers angrenzt.
Gemäß der Erfindung ist die Elektrodenzuleitung teilweise durch eine isolierende Schicht von dem Halbleiterkörper elektrisch getrennt und als den Hohlraum ringförmig umgebende Lötfläche für den plattenförmigen Deckel ausgebildet.
Da die Halbleiterelektroden sehr empfindlich gegen mechanische Behandlungen sind, wird auf diesem Wege die Kontaktierung nach außerhalb auf die Isolierschicht verlegt.
Es ist zwar bereits eine in einem zylindrischen Gehäuse eingeschlossene Halbleiteranordnung bekannt, bei der die an dem Halbleiterkörper angebrachten Elektroden über Metallisierungen eines diesen Halbleiterkörper tragenden stabförmigen Isolierteiles nach außen geführt sind. Diese bekannte Anordnung besitzt jedoch noch den Nachteil, daß die Elektrodenzuleitungen zu große Induktivitäten darstellen, um die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe zu lösen.
Zur Durchführung der Erfindung empfiehlt es sich, die Elektrodenzuführung in mehreren Schichten aufzudampfen, wodurch sich in bekannter Weise eine größere Haftfestigkeit der Metallschicht auf der Isolierschicht erreichen läßt; beispielsweise wird an eineSchichtenfolgeChromnickel/Goldgedacht. Indiesein Fall kann das Gold gleichzeitig auch das Elektrodenmaterial einer Metall-Halbleiterschicht sein.
Die ringförmige Elektrodenzuführung dient als Lötfläche für den abschließenden Gehäuseteil, der als Platte, vorzugsweise aus einem Isolierstoff, ausgebildet ist. Die Oberfläche des Halbleitersystems ist auf diese Weise gegen atmosphärische Einflüsse ge- schützt. Durch Verwendung des Isolierstoffes wird das Gehäuse kapazitätsarm. Die Abschlußplatte ist vorzugsweise auf der dem Halbleitersystem abgewandten Seite vollständig und auf der dem Halbleitersystem zugewandten Seite nur teilweise metallisiert. Dadurch wird die Halbleiteranordnung induktivitätsarm.
Für die Abschlußplatte werden vor allem Materialien ausgewählt mit einem Ausdehnungskoeffizienten, der zu den Eigenschaften des verwendeten Halbleitermaterials paßt. Bei Verwendung von Silizium eignen sich gut dazu Borsilikat- und Aluminiumsilikatgläser sowie Aluminiumoxyd.
An Hand der Zeichnung soll ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert werden. Als Beispiel wurde die Anordnung einer Schottky-Diode gewählt.
Bei der Anordnung nach F i g. 1 ist die hochohmige Halbleiterschicht 1 auf eine niederohmige Halbleiterschicht 2, beispielsweise epitaktisch, aufgewachsen. Die Schicht ist über eine Legierungs- und Lötschicht 3 mit der Metallplatte 4 ohmisch kontaktiert. Die Isolierschicht 5 deckt die Oberfläche der hochohmigen Schicht 1 in der Weise ab, daß sie in einem Fenster einen Teil der hochohmigen Halbleiteroberfläche freiläßt, in der die Metallschicht 6 nach bekannten Verfahren aufgebracht wird. Zur gefahrlosen Kontaktierung des Halbleitersystems verläuft die Metallschicht in einer Elektrodenzuführung 7 weiter auf die Isolierschicht 5 bis etwa zur Berandung des Halbleitersystems und erweitert sich zu einem Ring 8. Dies geschieht beispielsweise durch Aufdampfen über Masken. Mittels eines Lotes 11 kann nun die mit der Metallschicht 10 größenteils umgebene Isolierplatte 9 auf die aufgedampfte Ringelektrodenzuführung aufgelötet werden.
F i g. 2 zeigt eine Draufsicht auf die noch nicht verschlossene Halbleitersystemoberfläche. Die durch die Isolierschicht 5 abgedeckte passivierte Halbleiteroberfläche hat in der Mitte ein kreisförmiges Fenster, in der die Metallschicht 6 aufgebracht ist. Ein Metallstreifen 7 verbindet die Elektrode mit ihrer ringfönnigen Zuführung 8 auf der Isolierschicht 5. Selbstverständlich können auch mehrere streifenförmige Anschlüsse angebracht werden.

Claims

Patentansprüche: 1. Halbleiteranordnung, bei der ein flacher Halbleiterkörper und ein plattenförmiger Deckel einen Hohlraum umschließen, der an eine mindestens eine Elektrodenzuleitung tragende Seite des Halbleiterkörpers angrenzt, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t > daß die Elektrodenzuleitung teilweise durch eine isolierende Schicht von dem Halbleiterkörper elektrisch getrennt und als den Hohlraum ringförmig *umgebende Lötfläche für den plattenförmigen Deckel ausgebildet ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenzuleitung mehrschichtig ist. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der plattenförmige Deckel aus Isoliermaterial besteht. 4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Isoliermaterial bestehende plattenförmige Deckel auf der dem Halbleiterkörper abgewandten Seite vollständig und auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite nur teilweise metallisiert ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1100 819; USA.-Patentschrift Nr. 3 059 158.