DE1231355B - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung mit einem legierten pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung mit einem legierten pn-UEbergang

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DE1231355B
DE1231355B DES86813A DES0086813A DE1231355B DE 1231355 B DE1231355 B DE 1231355B DE S86813 A DES86813 A DE S86813A DE S0086813 A DES0086813 A DE S0086813A DE 1231355 B DE1231355 B DE 1231355B
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semiconductor
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conductivity type
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DES86813A
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Dipl-Phys Joachim Dathe
Dipl-Phys Leo Grasser
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Siemens Corp
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GB924121A (en) * 1959-11-13 1963-04-24 Siemens Schucertwerke Ag A monocrystalline semi-conductor device

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