DE1229587B - Anordnung zur thermoplastischen und loeschbaren Registrierung - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

Gilb

Deutsche Kl.: 21 al-37/56

Nummer: 1229 587

Aktenzeichen: J 21196IX c/21 al

Anmeldetag: 24. Januar 1962

Auslegetag: 1. Dezember 1966

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur thermoplatischen und löschbaren Registrierung unter Verwendung optischer Mittel.

Die thermoplastische Registrierung an sich ist bereits bekanntgeworden (vgl. W. E. Glenn, »Thermoplastic Recording« Journal of Applied Physics, Bd. 10, Heft 12, Dezember 1959, S. 1870 bis 1873). Bei der bekannten Anordnung zur thermoplastischen Registrierung ist auf einem schwerschmelzenden Film eine transparente leitende Schicht und auf dieser wiederum eine dünne, leichtschmelzende thermoplastische Schicht aufgebracht. Im Gebrauch wird dann auf der freien Oberfläche der thermoplastischen Schicht mittels eines Elektronenstrahles ein Ladungsmuster erzeugt, das der zu speichernden Information entspricht. Wird nun die thermoplastische Schicht erwärmt, dann können aus dem Ladungsmuster herrührende elektrostatische Kräfte im Sinne einer Deformation der thermoplastischen Schicht wirken. Die entsprechend dem Ladungsmuster gebildete Deformation wird dann durch Abkühlung fixiert. Will man das Deformationsmuster wieder löschen, so ist eine Erwärmung der thermoplastischen Schicht notwendig, bis eine Zunahme der Leitfähigkeit entsteht und Oberflächenspannungen die Deformation wieder ausglätten, so daß die Schicht für eine neue Registrierung betriebsbereit ist.
. Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Anordnung zur thermoplastischen und löschbaren Registrierung, in welcher der thermoplastischen Schicht des Aufzeichnungsträgers ein Cberflächenladungsmuster nach Maßgabe der zu registrierenden Information aufgeprägt werden kann, so daß die dann erwärmte Schicht unter dem Einfluß der elektrostatischen Kräfte an den Ladungsmusterstellen entsprechende Deformationen zeigt, welche sich durch anschließende Kühlung einfrieren lassen.

Die Erfindung besteht aber hierfür darin, daß die thermoplastische Schicht transparent ist und daß dieser Schicht eine photoleitende dielektrische Schicht zugeordnet ist, welche im Gebrauch quer zur Oberfläche der thermoplastischen Schicht und durch die thermoplastische Schicht hindurch belichtet werden kann.

Die Erfindung ist gegenüber dem Bekannten vielseitiger und gestattet in besonders einfacher und wirkungsvoller Weise eine Modulation des Ladungsmusters auf optischem Wege.

Aus Gründen der einfacheren Darstellung ist nachstehend im Ausführungsbeispiel die Registrierung digitaler Angaben gezeigt. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt, sie erfaßt vielmehr auch die

ίο

Anordnung zur thermoplastischen und
löschbaren Registrierung

Anmelder:

International Business Machines Corporation,

Armonk,N.Y.(V.St.A.)

Vertreter:

Dr.-Ing. R. Schiering, Patentanwalt,

Böblingen, Westerwaldweg 4

Als Erfinder benannt:

Alex Wallace Drexfoos jun.,

Porchester, N. Y.;

Robert Vito Mazza, Poughkeepsie, N. Y.;

William Antony Radke,

White Plains, N. Y.;

Alan Andrew Staley,

Ossining, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 24. Januar 1961 (84 570)

Bildregistrierung mit Aufzeichnung von graphischen oder bildlichen Angaben. Bei der Registrierung digitaler Angaben ist es wünschenswert, daß das System sowohl vielseitig ist, als auch eine große Speicherkapazität aufweist. Die Erfindung kommt diesen beiden Forderungen nach, indem die Verfahrensgeschwindigkeiten in Verbindung mit der hohen Speicherkapazität im ersten Fall beim Magnetspeicher, im zweiten Fall bei fotographischen Verfahren vereinigt werden.

Die Registrierung der erwähnten Angaben wird durch Modulation eines Ladungsmusters auf einer Speichervorrichtung nach der Erfindung mit einem Lichtstrahl und durch Umwandlung dieses modulierten Ladungsmusters in ein Furchenmuster auf der Oberfläche eines deformierbaren Materials, welches eine Einheit der genannten Speichervorrichtung bildet, erreicht.

Bei der Anordnung nach der Erfindung sind zwei dünne Schichten in besonderen Fällen dauernd miteinander verbunden und in anderen Fällen wieder nur zeitweise miteinander verbunden. Diese beiden Schich-

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3 4

ten bestehen aus dielektrischem Material und bilden Erdpotential, annimmt. Dieser Fall soll als System A

zusammen ein Schichtelement. Die erste Schicht bezeichnet werden. Das Schichtelement wird gebildet

besteht aus transparentem dielektrischem Material und dann mit üblichen Mitteln, z. B. mit einer Corona-

von im wesentlichen gleichförmiger Dicke. Die zweite entladung, auf der Oberfläche 12 der Schicht 10 ein

Schicht ist eine dünne fotoleitende Schicht, die auch 5 im wesentlichen gleichförmiges Ladungsmuster erzeugt,

die Wirkung eines Dielektrikums hat. Die in diesem Fall angegebenen positiven Ionen haben

Durch besondere Mittel, z. B. durch eine Corona- lediglich Bedeutung für die Zwecke der Darstellung,

entladung, wird im Dunkeln ein gleichförmiges ebenso könnten auch negative Ionen verwendet werden.

Ladungsmuster entweder auf der Außenfläche der Die Ladung wird im Dunkeln aufgebracht, wenn

thermoplastischen Schicht oder auf der Innenfläche io der Widerstand der Schicht 11 einen relativ hohen

der fotoleitenden Schicht hergestellt, und der modu- Wert hat. Zieht man in Betracht, daß die aufgebrachte

lierte Lichtstrahl moduliert dieses Ladungsmuster. Um Ladung ausreicht, um einen Spannungsabfall F₀ am

eine Differenz elektrostatischer Kräfte zwischen den Schichtelement zu erzeugen,-dann ergibt sich folgende

Dunkelflächen und den Lichtflächen der thermo- Gesetzmäßigkeit:

plastischen Schicht hervorzurufen, wird ein Aufla- 15

dungsarbeitsspiel gebildet. Das Schichtelement wird y_Tp — _j_ y ^Tp m

dann bis zum Schmelzpunkt des thermoplastischen Ctp + Cpc *
Materials erwärmt, so daß sich ein Furchenmuster

bildet. Dieses Furchenmuster ist durch eingedrückte q

Flächenzentren gekennzeichnet, welche jenen Flächen 20 Vpe— + F₀ ——. (2)

mit hoher elektrostatischer Feldstärke entsprechen. Die Ctp + Cpc

entstehenden Erhebungen entsprechen jenen Flächen,

in denen geringere elektrostatische Kräfte vorliegen. In den vorstehenden Formeln ist Vtp die Spannung

In einigen Fällen ist die Bindung der beiden Schich- an der Schicht 10. Die Spannung über der foto-

ten nur zeitweilig. Die thermoplastische Schicht wird 25 leitenden Schicht 11 hat den Wert Vpe· Die Kapazität

erwärmt, um das Furchenmuster zu erzeugen. Die der Schicht 10 ist Ctp, und die Kapazität der Schicht 11

fotoleitende Schicht wird zu einer Löschstation geführt, ist Cpc.

wo ihr restliches Ladungsmuster entladen wird. Durch Zieht man jetzt in Betracht, daß ein Lichtstrahl aus

die Kühlung wird das Furchenmuster in der thermo- irgendeiner üblichen Lichtquelle auf eine diskrete

plastischen Schicht fest. Das Ablesen des Furchen- 30 Angabenfläche 13 des Schichtelementes gerichtet wird, musters kann mit einem optischen System, z. B. nach dann durchdringt dieser Lichtstrahl die transparente

dem bekannten Schlierenverfahren, erreicht werden. Schicht 10 und erniedrigt den Widerstand der fotor

Die Löschung der thermoplastischen Schicht erfolgt leitenden Schicht 11 bis auf etwa Null. Die anderen,

durch Wiedererwärmung bis über den Schmelzpunkt durch diesen Lichtstrahl nicht belichteten Flächen

des thermoplastischen Materials, wobei eine Aus- 35 bleiben unbeeinflußt. \

glättung der Oberfläche der thermoplastischen Schicht . In den Fig. 2 A und 2 B sind die Ersatzschaltbilder

und eine Entladung der restlichen Ladungsträger angegeben. In diesen Ersatzschaltbildern sind Konden-

zustande kommt. satoren eingetragen, welche den Kapazitäten Cpc und

Die Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeich- Ctp entsprechen.

nungen für eine bespielsweise Ausführungsform im 40 Was die dunklen Flächen betrifft, so zeigt die F i g.

einzelnen näher beschrieben: 2 A keine Änderung im Ladungsmuster. Daher gelten

Fig. 1 enthält eine schematische Darstellung einer für die genannten Flächen die Formeln (1) und (2). Speichervorrichtung gemäß der Erfindung; sie zeigt Für die Lichtfläche 13 gibt es jedoch einen Übergang auch die Lichtquelle zur Modulation des im wesent- der Ladung, welcher dem Abfluß infolge eines Kurzlichen gleichförmigen Ladungsmusters, das auf der 45 schlußkreises im fotoleitenden Teil der Fläche 13 der genannten Speichervorrichtung entsteht; Ladung zuzuschreiben ist. Daher wird jetzt Vpe = 0,

Fig. 2 A und 2B sind schematische Darstellungen während für die Fläche 13 die Formel (1) nocht gilt,

des Ersatzschaltbildes; dieses Ersatzschaltbild soll zur Beim Schließen des Schalters 15 in Fig. 2A

Erklärung der Erfindung dienen; entsteht eine Ladespannung Vr. Die Ladungsver-

Fig. 3 enthält eine schematische Darstellung der 50 teilung wird durch die folgenden Formeln bestimmt: Speichervorrichtung nach Fig. 1, welche das in die

thermoplastische Schicht eingedrückte Furchenmuster q_tp — y_Tp. q_{tp t} (3)
aus einer augenblicklichen Registrierung zeigt;

F i g. 4 zeigt eine andere Ausführungsform der q_pc — y_pc. c_PC . (4)

Erfindung im Zusammenhang mit F i g. 1; 55

F i g. 5 ist eine schematische Darstellung der . . . ,

Erfindung in Trommelausführung. _r/*F. die Lichtquelle 13 wird bei Anwendung von

Das Schichtelement nach Fig. 1 setzt sich zu- F* die in Fig. 2B dargestellte Situation folgende:

sammen aus einer thermoplastischen dielektrischen _ /■« -

Schicht 10 von im wesentlichen gleichförmiger Dicke, 60 Q^TP ~ ^Vtp ' ^Ctp » C⁵J

welche eine Ladung halten kann. Diese Schicht besteht _ /λ "

vorzugsweise aus einer thermoplastischen dielektri- Q^pc ~ ° · '⁶^ ■ sehen Material, welches durch Wärme deformierbar

ist. Sie ist an eine fotoleitende dielektrische Schicht 11 Bei geschlossenem Schalter 15 ergeben sich folgende

gebunden, die einen relativ hohen Dunkelwiderstand 65 Formeln:

und einen relativ niedrigen Hellwiderstand aufweist. O' = O A- a (T)

Es kann angenommen werden, daß das Unterteil ^p

der Schicht 11 etwa konstantes Potential, z. B. Qp₀ — Qpc + q. (8)

5 6

Der Wert q in den obigen Formeln stellt die über- ergibt sich für die Dunkelflächen: tragene Ladung dar. Es ergibt sich folgende Endspannungsgleichung:

Vtp + Vk + Vr = 0, (9) 2 = -— V₀-Ctp = --V₀-C₀P, (14)

wobei ^{5 2 2}

V_TP = Vtp Λ ^- (10) 1

Ctp ' Q^p= V_TP-Ctp--V₀-CtP, (15)

VSp= Vp₀ + -?—· (H) "

^PC Qtp =-Vo-C_TP--V₀- Ctp , (16)

Durch Einsetzen in Formel (9) erhält man: 2 2

Vtp + -^- + Vpe + -^- + Vr = 0 (12) Qtp =0, (17)

Ctp Cpc

4 = - (Vtp + Vpe + Vr) . (13) und in ähnlicher Weise:

Ctp + Cpc

Qpc = 0, (18)

Unter der Annahme, daß jetzt Ctp — Cpc und ι/·/ _ η

^ γρ — "»

V₀ und Fr = 0 Volt wird, y,

deshalb V_Tp = Fpo = γ V₀ und Fr = 0 Volt wird, y, _{= Q}

Für die Lichtfläche 13 gelten folgende Gleichungen:

, _ 1 _ . „ Im allgemeinen ist es wünschenswert, eine so niedrig

ς>_ΓΡ _ — — K₀ · Ctp , (22; _{wie m}ögliche Viskosität für die Deformation zu haben.

Nachdem die Eindrücke gebildet sind, wird das -i 35 Schichtelement abgekühlt, und die Furchenmuster

Qk = V₀- Cpc, (23) werden fest, wie in F i g. 3 dargestellt. In Fi g. 3

4 sind mit 16 die Angabenflächen bezeichnet, welche

in der vorstehend beschriebenen Weise belichtet V_TP = — V₀ , (24) worden sind.

4 40 Das Auslöschen der Angaben kann durch Wieder

erwärmen des Schichtenelementes bis über den

γι ₌ Ά. γ (25) Schmelzpunkt des thermoplastischen Materials er-

4 reicht werden. Bei diesem Punkt ergibt sich ein

niedriger Widerstand, so daß das Ladungsmuster

Hieraus ist zu ersehen, daß die Spannung über der 45 abfließen kann. Dabei wird die Oberflächenglätte des thermoplastischen Schicht bei der Lichtfläche 13 thermoplastischen Materials wiederhergestellt, größer ist als jener Spannungsabfall, der an irgendeiner Wie aus vorstehendem zu ersehen war, haben die

Dunkelfläche der thermoplastischen Schicht entsteht. Lichtflächen bei Vr = O Volt eine höhere elektro-Da die Feldstärken, welche in der Schicht entstehen, statische Kraft als die Dunkelbereiche. Durch Beproportional den Spannungen und den Materialdicken 50 _{fa k { d d ß ferf γ =} _ 1 . _γ

bei vorausgesetzter Gleichförmigkeit sind, gibt es e & & » ₂ °

größere Feldstärken über der Lichtfläche 13 als an und bei Ctp = Cpc folgendes gilt: den übrigen Dunkelflächen des thermoplastischen
Materials.

Das Schichtelement wird dann bei Dunkelheit bis 55 V_TP (Dunkelfläche) = —-V₀, (26)

zum Schmelzpunkt des thermoplastischen Materials 4

erwärmt. Die durch die vorhergegangene Behandlung
hergestellten elektrostatischen Kräfte drücken jene

Flächen zusammen, in denen die höheren elektro- γ^₀ (Dunkelfläche) = -V₀, (27)

statischen Feldstärken vorhanden sind. In dem jetzt 60 4

in Betracht kommenden Fall sind diese Eindrückungen

in Verbindung mit den Lichtflächen und im Falle des

Beispiels in Verbindung mit der Lichtfläche 13. Das j/^_p (Lichtfläche) = 0, (28)

Ausmaß der Eindrückungen ist durch den Betrag der

elektrostatischen Kräfte und durch die Flächen- 65

spannungsrückführungskraft des thermoplastischen ₁

Materials bestimmt. Die Viskosität der thermo- j/_f'_c (Lichtfläche) = -V₀. (29)^

plastischen Schicht ist für die Deformation wichtig. 2

In diesem Fall sind die eingedrückten Flächen 16 in Fig. 13 die Dunkelflächen, und die Flächen 17 sind die Lichtflächen.

Wo Vr = + y V₀ Volt und Ctp = C_Pc ist, gilt für die Dunkelflächen:

(30)

- — ν

4 °'

Für die Lichtflächen gilt:

VL, = -V₀,

(31)

(32)

'FC = "· (33)

Unter diesen Verhältnissen bilden die Lichtflächen die Eindrückungen.

Gemäß dem System B wird die fotoleitende Schicht auf eine Spannung von +V₀ im Dunkeln geladen und dann mit der thermoplastischen Schicht verbunden. Ein solches Speicherelement ist in F i g. 4 gezeigt. Für diesen Fall gilt:

V_Tp = 0, (34)

Vp₀ =+V₀. (35)

Unter der Annahme, daß zuerst Vr — +V₀ ist, wird Dunkelbereich:

VL,	= 0,	(36)
Vk	= V0;	(37)
;rgibt	sich:
^p =	-!*■	(38)
Vk =		(39)

. Die Eindrückungen entsprechen in diesem Beispiel den Lichtflächen.

Wenn im SystemB die Beziehung Vr = -V₀ gilt, dann ergibt sich für die Dunkelflächen:

VL,	= -V0,	(40)
Vk	= o,	(41)
chen	ergibt sich:
VL,	1	(42)
Vk	- 1V	(43)

Die Eindrückungen in diesem Beispiel entsprechen den Dunkelflächen.

Ähnlich verhält sich das System B; wenn Vr = 0, dann sind die Lichtflächen eingedrückt.

Im Fall des Systems C gibt es eine gleichzeitige Anwendung des Lichtstrahls für die Registrierung und für das Ladungsverfahren. Dies ist dort nützlich, wo die fotoleitende Schicht mit hoher Geschwindigkeit von einem Dunkelwiderstand auf einen Hellwiderstand schaltet und in jenen Fällen, wo die Dunkelabnahme der fotoleitenden Schicht zu schnell verläuft, um das Prinzip Ä und B zu verwenden. Mit entsprechenden :

Resultaten bei verschiedenen Werten von Vr kann entweder ein Schichtelement nach dem System A oder nach dem System B verwendet werden.

Das thermoplastische Material, das gemäß der Erfindung verwendet werden kann, sollte einen

ίο spezifischen Widerstand aufweisen, der im wesentlichen konstant mit der Temperatur verläuft, oder er sollte wenigstens mit der Temperatur zunehmen, vorzugsweise bis zu einem Punkt, wo die Temperatur den Schmelzpunkt üerschreitet.

Bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt, welche man die Löschtemperatur nennen könnte, d. h.' bei einer Temperatur, wo die Eindrückungen eliminiert werden, sollte der spezifische Widerstand abnehmen, um bei der Entladung des Schichtelementes nach dem.; Löschen unterstützend zu wirken. Diese Schicht sollte dünn sein, z. B. in der Größenordnung von Millizoll, sie sollte fernerhin eine im wesentlichen gleichförmige Dicke aufweisen. Die Viskosität sollte mit der Temperatur abnehmen wie auch die Oberflächenspannung.

Natürlich sollte sie in der Lage sein, die Ladung zu halten und Eindrückungen am Schmelzpunkt infolge elektrostatischer Kräfte erzeugen. Die Bildung der elektrostatischen Kräfte ist bereits oben beschrieben. Als Material kann für diese Schicht Polystyrol bzw. Polystyrene oder Polyäthylen verwendet werden.

Als fotoleitendes Material kann an sich bekanntes

fotoleitfähiges Material, z. B. ein Selen-Fotoisolator mit relativ hohem Dunkelwiderstand, verwendet werden. Hochdunkelwiderstände sind bevorzugt. Es können aber auch Materialien mit etwas niederem Dunkelwiderstand verwendet werden, wenn der Abfall des Ladungsmusters und die Dauer der gespeicherten Angaben nicht zu kritisch sind.

Die Abfühlung der gespeicherten Angaben in dem Schichtelement ist nicht Teil dieser Erfindung. Es kann indessen ein optisches System, wie es z. B. unter der Bezeichnung Schlierenmethode bekanntgeworden ist, Verwendung finden. Während die Speicherung digitaler Angaben in dem Schichtelement nach der Erfindung durch eine modulierte Lichtquelle erreicht wird, kann zusätzlich auch eine Bildform durch Entwicklung des Schichtelementes mit Lichtstrahlen nach Maßgabe des genannten Bildes gespeichert weiden. •In einem praktischen Beispiel sind die thermoplastische Schicht und die fotoleitende Schicht beide sehr dünn und zwar in der Größenordnung von Bruchteilen von Millizoll. Die Materialien sind vorzugsweise · so gewählt, daß Ctp = Cpt\ dies ist aber keine abso-. lute Hauptbedingung.

Als Grundlage werden die Materialien des Schicht- elementes und deren Abmessungen durch Experimentieren gewählt, so daß die Unterschiede in den elektro-^: statischen Kräften unter den oben beschriebenen Bedingungen zwischen den Lichtflächen und den Dunkelflächen herauskommen. Die Vergrößerung der Kraftgradienten wird wirksam erreicht durch Auswahl der Materialien bei Ctp = Cpc. Dünne der Schichten wird verlangt, da diese Kräfte umgekehrt mit der Schichtdicke variieren.

Bei der Ausführungsform der Erfindung nach-Fig. 5 trägt eine Trommel auf ihrem Umfang eine fotoleitende Schicht 21. Die Wirkungsweise dieser Trommel entspricht dem System B. Die Bildquelle,

ζ. B. eine Kathodenstrahlröhre 22, speichert ein Bild auf der Schicht 21 der drehenden Trommel. Eine Vorratsrolle 23 mit thermoplastischem Material ist außerdem noch vorgesehen. Sie transportiert eine Schicht aus thermoplastischem Material 28 zur BiI-dung des Schichtelementes 24 mit der belichteten Schicht 21.

Die Aufladestation 25 übt die Ladefunktion aus. Die Führungsrollen 26 und 27 halten die Schichten zusammen, so daß ein drehbares bzw. ein sich drehendes Schichtelement 24 entsteht. Nach der Aufladung wird die Schicht 28 von der Trommel abgehoben und zur Heizstation mit der Heizquelle 29 geführt. Dabei werden die Furchenmuster auf der thermoplastischen Schicht 28 erzeugt. Die Schicht 28 wird dann gekühlt, um das eingedrückte Muster zu fixieren. Die Aufnahmerolle 30 nimmt dann die so behandelte Schicht 28 mit den eingetragenen Bildmustern auf.

Die fotoleitende Schicht wandert zur Löschstation. Diese enthält eine Lichtquelle 31, mit der die Ursprungliehe Ladung auf der Schicht 21 beseitigt wird. Die genannte Schicht passiert dann die Ladestation 32, wo ein gleichförmiges Lademuster auf 21 hergestellt wird.

Bei dieser Trommelausführung der Erfindung ist es vorteilhaft, die thermoplastische Schicht auf eine Unterlage aus einem Polyesterfilm aus Äthylenglykol und Terephthalsäure oder anderem transparentem dielektrischem Material mit hohem Schmelzpunkt zu bringen. Dies vermehrt die Stabilität für die thermoplastische Schicht, wenn diese außer Kontakt mit der fotoleitenden Schicht gebracht wird.

Die Erwärmung durch den Heizapparat 29 kann wirksam durch dielektrische Beheizung der Unterlage aus Polyesterfilm aus Äthylenglykol und Terephthalsäure vervollkommnet werden. Dabei findet ein Übergang dieser Erwärmung von der Unterlage auf die Schicht 28 statt. Obwohl es möglich ist, die Schicht 28 zu beheizen, haben solche Kunststoffe gewöhnlich einen niedrigen Verlustfaktor, der von einer unwirtschaftlichen Beheizung herrührt. Diese Bemerkung betrifft, beiläufig erwähnt, auch den Fall nach System C. Auf jeden Fall sollte das Material, z. B. Polyesterfilm aus Äthylenglykol und Terephthalsäure, so ausgewählt werden, daß ein genügend niedriger spezifischer Widerstand für den Ladungsmusterabfluß vorhanden ist, wenn der Widerstand der Schicht 28 durch Beheizung bis zur Löschtemperatur erniedrigt wird.

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Anordnung zur thermoplastischen und löschbaren Registrierung, in welcher der thermoplastischen Schicht des Aufzeichnungsträgers ein Oberflächenladungsmuster nach Maßgabe der zu registrierenden Information aufgeprägt werden kann, so daß die dann erwärmte Schicht unter dem Einfluß der elektrostatischen Kräfte an den Ladungsmusterstellen entsprechende Deformationen zeigt, welche sich durch anschließende Kühlung einfrieren lassen, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische dielektrische Schicht (10) transparent ist und daß dieser Schicht (10) eine photoleitende dielektrische Schicht (11) zugeordnet ist, welche im Gebrauch quer zur Oberfläche (12) der therniDplastischen. Schicht (10) und durch die thermoplastische Schicht (10) hindurch belichtet werden kann.

2. Anordnung nach dem Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Ladung mit einer Coronaentladung unter Lichtabschluß auf die thermoplastische Schicht (10) aufgebracht ist.

3. Anordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Modulation der aufgebrachten Ladung mittels Lichtstrahlen vorgesehen ist.

4. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden in Kontakt befindlichen Schichten (10, 11, 21, 28) nach dem Durchgang durch eine Aufladestation für die Aufbringung der elektrischen Ladung trennbar eingerichtet sind, und die thermoplastische Schicht nach dem Ladeverfahren durch eine Wärmezone (29) und anschließend durch eine Kühlzone geführt wird.

5. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht (21) vor einer Vereinigung mit der thermoplastischen Schicht (20) eine elektrostatische Aufladung erhält und anschließend nach Maßgabe zu registrierender Angaben belichtet wird.

6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht (21) nach der Trennung von der thermoplastischen Schicht (28) eine Löschstation (31) zur Beseitigung ihrer Oberflächenladungen passiert.

7. Anordnung nach den Ansprüchen 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische Schicht (28) nach der Schichtentrennung eine heizbare Unterlage aufweist, die aus einem durchsichtigen Polyesterfilm aus Äthylenglykol und Terephthalsäure oder aus einem anderen dielektrischen Material mit hohem Schmelzpunkt besteht.

8. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitende Schicht (21) auf einer drehbaren Trommel (20) aufgebracht ist.

9. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein nach der Schlierenmethode betriebenes Gerät für die Abfühlung bzw. für die Ablesung der thermoplastisch registrierten Angaben vorgesehen ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Journal of Aplied Physics, Vol.30, Nr. 12 (Dezember 1959), S. 1870 bis 1873.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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