DE1222475B - Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes durch tiegelfreies Zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes durch tiegelfreies Zonenschmelzen

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DE1222475B
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DES65000A
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English (en)
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Dr Rer Nat Wolfgang Keller
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/30Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)

Description

  • Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes durch tiegelfreies Zonenschmelzen Es ist bereits ein Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes aus Halbleitergrundstoff vorgeschlagen worden, bei dem eine mittels induktiver Erhitzung durch eine Hochfrequenzspule erzeugte Schmelzzone zwischen den beiden gehalterten Enden des Stabes in Richtung der Stabachse entlang geführt und der Schmelzzonenquerschnitt durch Abstandsänderung eines Stabendes beeinflußt wird. Bei diesem Verfahren wird der von einer Hochfrequenzstromquelle in eine die Schmelzzone des Halbleiterstabes umgebende Spule eingespeiste Strom, der sich bei sich ändernder Dicke des Stabes ebenfalls ändert, zur Steuerung einer Einrichtung verwendet, die den Abstand der Halterungen des Halbleiterstabes zu ändern in der Lage ist. Diese Einrichtung nähert die beiden Halterungen einander bzw. entfernt sie voneinander, bis der Strom in der Hochfrequenzspule wieder den gewünschten Wert hat.
  • Bei einem Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes durch tiegelfreies Zonenschmelzen, bei dem eine von einem Hochfrequenzgenerator gespeiste, den an seinen Enden gehalterten, lotrecht stehenden Halbleiterstab ringförmig umgebende Induktionsspule eine Schmelzzone erzeugt und der Abstand der Stabhalterungen voneinander vergrößert wird und bei dem der in die Spule eingespeiste Strom zur Steuerung einer Einrichtung verwendet wird, die den Abstand der Halterungen des Halbleiterstabes zu ändern in der Lage ist, kann aber der Meßwert für die Steuerung genauer und gegebenenfalls auch schneller erfaßt werden, wenn erfindungsgemäß mit Hilfe eines Meßschwingkreises, der aus einer den dünneren Stabteil in unmittelbarer Nähe der Schmelzzone ringförmig umgebenden zweiten Spule und einer dazu parallelgeschalteten Kapazität besteht, eine von dem Durchmesser des dünneren Stabteiles abhängige Meßspannung erzeugt und durch Vergleich mit einem Sollwert zur Konstanthaltung des Durchmessers des dünneren Stabteiles verwendet wird. Dies ist insbesondere bei einem Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes wichtig, da ein Meßwert, der an der Schmelzzone gewonnen wird, sowohl die induktive Ankopplung der Schmelzzone als auch der benachbarten Stabenden integriert, wobei der Teil dieses integralen Wertes, auf den es ankommt, gerade den geringsten Einfluß ausübt. Wenn aber der Meßwert direkt an dem dünneren Stabteil gewonnen wird, so zeigt er nicht die Ungenauigkeiten bzw. die Schwerfälligkeit der Regelung, wie das bei dem obengeschilderten Verfahren der Fall ist. Die Verkleinerung des Querschnittes kann dabei im Maßstab von etwa einer Zehnerpotenz oder mehr erfolgen. Für verschiedene Zwecke werden Halbleiterstäbe sehr geringen Querschnittes benötigt, z. B. ein dünner Faden, der als Träger beim Niederschlagen von HalbIeitermateriaI durch chemische Zersetzung aus einer gasförmigen Verbindung dient, doch fällt Halbleitermaterial gewöhnlich in größeren Stärken an. Darüber hinaus soll durch einen selbsttätigen Ablauf des Verfahrens für eine Vergleichmäßigung des Stabes gesorgt werden.
  • An Hand der Zeichnungen soll das Verfahren näher erläutert werden. In F i g.1 ist der Bereich des Halbleiterstabes dargestellt, in dem die Verkleinerung des Querschnittes vorgenommen wird; F i g. 2, 3, 4 und 5 zeigen Ausführungsbeispiele von Anordnungen, mit deren Hilfe das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden kann.
  • F i g.1 zeigt den dicken Teil 2 und den dünneren Teil 3 des Halbleiterstabes sowie die Schmelzzone 4. Die letztere wird durch eine von einem Hochfrequenzgenerator eingespeiste Induktionsspule 5, zweckmäßigerweise eine Flachspule, erzeugt> Um den dünneren Stabteil 3 ist in unmittelbarer Nähe der Schmelzzone 4 eine Zylinderspule 6 gelegt, die zusammen mit einer Kapazität den Meßkreis bildet.
  • In F i g. 2 wurden die gleichen Bezeichnungen für gleiche oder gleichwertige Teile gewählt. Neu hinzukommen die Halterung 7 für den dicken Stabteil 2, die Halterung 8 für den dünneren Stabteil 3, eine Kapazität 9, die zur Kompensation des Blindstromes der Heizspule 5 dient und mit letzterer zusammen den sogenannten Heizkreis bildet, eine Kapazität 10, die mit der Meßspule 6 den Meßkreis bildet, ein Verstärker und Gleichrichter 11, eine Meßbrücke 12, ein Sollwertgeber 13, der Hochfrequenzgenerator 14, der den Heizkreis 5,9 einspeist, eine Einrichtung 15, die zur Bewegung der unteren Stabhalterung 7 in Richtung der Stabachse dient, und eine Einrichtung 16, die zur Bewegung der .oberen Stabhalterung 8 in Richtung der Stabachse dient. Der Halbleiterstab sowie die Teile des Meß- und Heizkreises; gegebenenfalls auch andere Teile des Gerätes, können innerhalb eines Rezipienten angeordnet und dieser mit den übrigen Teilen auf einem gemeinsamen Traggestell transportabel zusammengebaut sein.
  • Mit Hilfe der Einrichtung 15 wird die untere Stabhalterung mit einer bestimmten Geschwindigkeit nach oben bewegt. Der dünnere Stabteil3 wird mit Hilfe der Einrichtung 16 mit einer dem verringerten Querschnitt- entsprechenden größeren Geschwindigkeit ebenfalls nach oben bewegt, während die Heizspule 5 und die in festem Abstand zu ihr angeordnete Meßspule 6 ruhen. Der Hochfrequenzgenerätor 14 erzeugt einen Heizstrom konstanter Frequenz. über eine Meßbrücke wird der Anodenstrom des Hochfrequenzgenerators (Heizstrom) mit einem Sollwert verglichen und. bei Abweichung eine entsprechende Veränderung der Geschwindigkeit der Halterung 7 vorgenommen,- d. h.,. die aufgenommene Leistung des Heizkreises wird durch Veränderung der Nachschubgeschwindigkeit des dickeren Stabteils 2 konstant gehalten. Durch schnellere oder weniger schnelle Zufuhr' des dickeren Stabteils 2 zur Heizspule 5 läßt sich die Ankopplung der Schmelzzone 4 an die Heizspule 5 und damit auch der Anodenstrom verändern. Die Leitung 17 zeigt die Verbindung zwischen dem Hochfrequenzgenerator 14 und der Einrichtung 15 an.
  • Die Meßspule 6 ist an den Hochfrequenzgenerator 14 über die Heizspule 5 angekoppelt. Zweckmäßigerweise arbeitet der Generator auf einer Flanke der Resonanzkurve des Heizkreises. Auch der Meßkreis wird auf einer Flanke angesteuert, und zwar mit der Generatorfrequenz oder einer Harmonischen. Änderungen des Durchmessers des dünneren Stabteils 3 machen sich infolge veränderter Ankopplung des Stabes über Induktivitätsänderungen der Spule 6 als Spannungsänderungen am Meßkreis 6,10 bemerkbar. Diese werden über den Verstärker und Gleichrichter 11 auf die Meßbrücke 12 gegeben und dort mit einem Sollwert verglichen. Der Sollwertgeber 13 kann z. B. aus einer mit Anzapfungen versehenen Batterie bestehen. Die Leitung 18 überträgt von der Meßbrücke 12 Befehle zur Einrichtung 16, welche durch diese Befehle in der Weise beeinflußt wird, daß eine Änderung. 'der Geschwindigkeit der Bewegung der Stabhalterung 8 zu einer Rückführung der Stabdicke auf den Sollwert führt. Dies kann beispielsweise so geschehen, daß ein durch die Meßbrücke 12 beeinflußtes gepoltes Relais eine variable Zusatzspannung in der einen oder anderen Richtung auf den Motor schaltet, der in der Einrichtung 16 die Bewegung der Stabhalterung 8 bewirkt, so daß bei zu großem Durchmesser des dünneren Stabteils 3 eine Vergrößerung der Geschwindigkeit der Stabhalterung eintritt bzw. bei zu kleinem Durchmesser eine Verminderung.
  • Selbstverständlich kann der Meßkreis 6,10 auch direkt an den Hochfreduenzgenerator 14 arigekoppelt werden, wodurch sich gegebenenfalls .gewisse Vorteile gegenüber der Ankbpplung über die Heizspule 5 ergeben. _. Im Beispiel der F i g. 3 ist ein zusätzlicher Meßgenerator 19 vorgesehen, der zur Einspeisung des Meßkreises 6,10 dient. Dieser Meßgenerator 19 arbeitet zweckmäßigerweise mit einer von der Frequenz des Heizgenerators 14 oder deren Harmonischen abweichenden Frequenz. Vorteilhaft wird zwischen dem Meßkreis 6,10 und dem Verstärker und Gleichrichter 11 ein Saugkreis oder Bandpaß 20 angeordnet, der die Heizfrequenz ausfiltert. Im übrigen findet die Regelung genauso wie im Beispiel- der F i g. 2 statt.
  • Der Aufbau gemäß F i g. 4 entspricht im wesentlichen dem der F i g. 3. Auch die Funktionen der einzelnen Teile der Anordnung bleiben in der Hauptsache die gleichen. Der Unterschied besteht in dem Wegfall der Leitung 18 und damit der Beeinflussung der Bewegung der Halterung 8 mit Hilfe der Meßbrücke 12. Statt dessen führt eine Leitung 21 von der Meßbrücke 12 zum Heizgenerator 14, mit deren Hilfe die Frequenz des Heizgenerators beeinflußt wird. Diese Frequenzänderung führt jedoch zu einer Anodenstromänderung, die durch eine Änderung der Bewegungsgeschwindigkeit der unteren Stabhalterung 7 in der oben beschriebenen Weise rückgängig gemacht wird. Die Relativgeschwindigkeit zwischen den Halterungen 8 und 7 wird also durch Frequenzänderung des Generators 14 verändert. Der Durchmesser des dünneren Stabteils muß dieser Geschwindigkeitsänderung folgen.
  • Die Einwirkung der Einrichtung 12 auf die Frequenz des Generators 14 kann beispielsweise so erfolgen, daß ein gepoltes Relais, das durch den Unterschied zwischen Soll- und Istwert in der Meßbrücke 12 betätigt wird, einen Hilfsmotor, der die Frequenz z. B. durch Veränderung der Kapazität des Generatorschwingkreises verstellt, innerhalb des Generators 14 in der einen oder anderen Richtung jeweils für die Dauer der Abweichung des Istwertes einschaltet. Durch entsprechende Polung läßt sich erreichen, daß die Abweichung des Durchmessers des dünneren Stabteils im richtigen Sinne korrigiert und dieser damit auf den gewünschten Wert zurückgeführt wird.
  • Auch in F i g. 5 sind für gleiche Teile :gleiche Bezeichnungen gewählt, nur die Leitung 17 der F i g. 4 ist weggefallen, d. h., der dickere Stabteil 2 und der dünnere Stabteil 3 bewegen sich mit konstanten Geschwindigkeiten nach oben. Das Geschwindigkeitsverhältnis zwischen beiden bestimmt bei gegebenem Durchmesser des dickeren Stabteils den mittleren Durchmesser des dünneren Stabteils 3. Bei ungeeigneter Leistungszufuhr über die Heizspule 5 kann es jedoch zu einem perlschnurartigen Wachstum des dünneren Stabteils 3 kommen. Durch eine Beeinflussung der Leistung in Abhängigkeit vom Durchmesser des dünneren Stabteils 3 über die Leitung 21 kann dieses Perlschnurwachstum vermieden werden. Die Leistungsregelung des Hochfrequenzgenerators 14 kann z. B. durch Einwirkung der Einrichtung 12 auf die Frequenz des Generators wie im Beispiel der F i g. 4 erfolgen.
  • Es kann auch eine Regelung in der Weise durchgeführt werden, daß bei konstanter Frequenz des Generators 14 und konstanter Bewegungsgeschwindigkeit der oberen Stabhalterung 8 eine Änderung der Geschwindigkeit der Bewegung der unteren Stabhalterung 7 und damit auch eine Leistungsänderung der Schmelzzone 4 'vorgenommen wird. In diesem Fall wäre das Gerät gemäß F i g. 5 so zu ändern, daß die Kommandoleitung von der Meßbrücke 12 zu der Einrichtung 15 geführt wird.
  • Kurz zusammengefaßt wird in den Ausführungsbeispielen der F i g. 2 und 3 die Regelung so vorgenommen: Bei konstanter Frequenz des Hochfrequenzgenerators 14 wird die untere Stabhalterung 7 und damit der dicke Stabteil 2 mit bestimmter Geschwindigkeit durch die Einrichtung 15 vorgeschoben. Bei Abweichungen des Anodenstromes wird eine Veränderung dieser Geschwindigkeit im Sinne einer Rückführung des Anodenstromes durchgeführt. Mit Hilfe eines Meßkreises, der aus einer um den dünneren Stabteil in unmittelbarer Nähe der Schmelzzone gelegten Spule und einer Kapazität besteht, wird eine Meßspannung abgenommen. Diese wird gleichgerichtet und mit einem Sollwert verglichen, worauf durch Regelung der Geschwindigkeit der Bewegung der oberen Stabhalterung 8 und damit des dünneren Stabteils 3 eine Rückführung des Durchmessers des dünneren Stabteils 3 auf den gewünschten Sollwert durchgeführt wird.
  • Im Beispiel der F i g. 4 wird dagegen die Geschwindigkeit der Bewegung des dünneren Stabteils konstant gehalten und statt dessen über eine Frequenzregelung des Heizgenerators 14 eine Regelung der Geschwindigkeit der unteren Stabhalterung vorgenommen und auf diese Weise die Rückführung des Durchmessers des dünneren Stabteils 3 auf den Sollwert durchgeführt.
  • Im Beispiel der F i g. 5 wird statt dessen die Bewegungsgeschwindigkeit beider Stabhalterungen konstant gehalten und eine reine Leistungsregelung mit Hilfe einer Frequenzregelung des Hochfrequenzgenerators 14 vorgenommen.

Claims (9)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Verkleinerung des Querschnittes eines Halbleiterstabes durch tiegelfreies Zonenschmelzen, bei dem eine von einem Hochfrequenzgenerator gespeiste, den an seinen Enden gehalterten, lotrecht stehenden Halbleiterstab ringförmig umgebende Induktionsspule eine Schmelzzone erzeugt und der Abstand der Stabhalterungen voneinander vergrößert wird, und bei dem der in die Spule eingespeiste Strom zur Steuerung einer Einrichtung verwendet wird, die den Abstand der Halterungen des Halbleiter-Stabes zu ändern in der Lage ist, dadurch gekennzeichnet, daß mit Hilfe eines Meßschwingkreises, der aus einer den dünneren Stabteil in unmittelbarer Nähe der Schmelzzone ringförmig umgebenden zweiten Spule und einer dazu parallelgeschalteten Kapazität besteht, eine von dem Durchmesser des dünneren Stabteils abhängige Meßspannung erzeugt und durch Vergleich mit einem Sollwert zur Konstanthaltung des Durchmessers des dünneren Stabteils verwendet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser des dünneren Stabteils durch Regelung der Bewegungsgeschwindigkeit der an dem dünneren Stabteil angreifenden Halterung auf den gewünschten Wert zurückgeführt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßschwingkreis durch den Hochfrequenzgenerator erregt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßschwingkreis galvanisch an den Hochfrequenzgenerator der Heizspule angekoppelt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßschwingkreis induktiv an die Heizspule angekoppelt wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßschwingkreis durch einen eigenen Hochfrequenzgenerator erregt wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die an dem dünneren Stabteil angreifende Stabhalterung mit konstanter Geschwindigkeit bewegt und der Durchmesser des dünneren Stabteils durch Regelung der Frequenz des Hochfrequenzgenerators der Heizspule auf den gewünschten Wert zurückgeführt wird. B.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizstrom durch Änderung der Bewegungsgeschwindigkeit der an dem dickeren Stabteil angreifenden Stabhalterung auf einen gewünschten Wert zurückgeführt wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die an dem dickeren Stabteil angreifende Stabhalterung mit konstanter Geschwindigkeit bewegt wird. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr.1153 908.
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