DE1198324B - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Info

Publication number
DE1198324B
DE1198324B DES87138A DES0087138A DE1198324B DE 1198324 B DE1198324 B DE 1198324B DE S87138 A DES87138 A DE S87138A DE S0087138 A DES0087138 A DE S0087138A DE 1198324 B DE1198324 B DE 1198324B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
melting
heating circuit
zone
frequency generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES87138A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rer Nat Wolfgang Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES87138A priority Critical patent/DE1198324B/de
Priority to CH500964A priority patent/CH408873A/de
Priority to GB36406/64A priority patent/GB1047070A/en
Priority to US394834A priority patent/US3271551A/en
Publication of DE1198324B publication Critical patent/DE1198324B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/30Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
BOIj
Deutsche Kl.: 12c-2
1198 324
S87138IVC/12C
6. September 1963
12. August 1965
Es ist bekannt beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial in einem an seinen Enden gehaltenen stabförmigen Körper durch Heizwirkung eine Schmelzzone zu erzeugen, welche durch eine Relativbewegung zwischen dem stabförmigen Körper und der Heizeinrichtung durch den Körper hindurchgeführt wird. Es ist auch bereits bekannt, als Heizeinrichtung eine den stabförmigen Körper umschließende Induktionsspule zu verwenden, welche mit einem parallelgeschalteten Kondensator einen Heizkreis bildet, der an einen Ausgangskreis eines Hochfrequenzgenerators angekoppelt ist. Der Hochfrequenzgenerator kann eine Frequenz von beispielsweise 3 bis 5 MHz haben.
Es ist auch bereits bekannt, beim tiegelfreien Zonenschmelzen mit induktiver Beheizung der Schmelzzone den in den Heizkreis eingespeisten Strom als Maß für die Ankopplung und damit für die Dicke des behandelten stabförmigen Körpers zu verwenden und auf diese Weise eine Regelung der Dicke des behandelten Körpers vorzunehmen. Vorzugsweise wird der Abstand der beiden Stabhalterungen voneinander in Abhängigkeit von Änderungen des in. den Heizkreis eingespeisten Stromes gesteuert. Die Zuordnung ist eine solche, daß bei einer Verschlechterung der Ankopplung der Schmelzzone an die Induktionsheizspule die Stabhalterungen einander genähert werden, so daß die Schmelzzone, welche sich zwischen den beiden festen Stabteilen befindet, gestaucht und verdickt wird, wodurch die Ankopplung wieder verbessert wird. Hiermit kann eine selbsttätige Regelung des Stabdurchmessers aufgebaut werden, indem beispielsweise der in den Heizkreis eingespeiste Strom mit einem Sollwert verglichen wird und bei Abweichungen von diesem Sollwert die Stabhalterungen in Abhängigkeit von diesen Abweichungen bewegt werden.
Läßt man den Hochfrequenzgenerator auf einer derartigen Frequenz arbeiten, daß der Arbeitspunkt bei flüssiger Schmelzzone auf der induktiven Flanke der Resonanzkurve des Heizkreises liegt, d. h. auf dem mit zunehmender Induktivität steigenden Ast der Strom- bzw. Spanungskurve des Heizkreises (s. beispielsweise deutsche Patentschrift 962006), so treten Schwierigkeiten bei größeren Stabdicken, z. B. bei Siliciumstäben von über 20 mm Durchmesser, auf, indem gelegentlich der Regelungsmechanismus außer Tritt fallen kann. Bei diesen größeren Stabdurchmessern kann es vorkommen, daß die Regelung über den Resonanzpunkt der Resonanzkurve hinwegführt, wodurch die Regeleinrichtung in der Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr. rer. nat. Wolfgang Keller, Pretzfeld
verkehrten Richtung regelt und damit zu einem Zusammenbruch der Regelung führt.
Diese Schwierigkeiten werden bei einem Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an semen Enden gehaltenen stabförmigen Körpers, in dem mit Hilfe einer ihn. umschließenden Induktionsheizspule eine Schmelzzone erzeugt wird, die durch den Körper hindurchgeführt wird, wobei ein aus der Induktionsheizspule und einer parallelgeschalteten Kapazität gebildeter Heizkreis an den Ausgangskreis eines Hochfrequenzgenerators angekoppelt ist und wobei der Abstand der Stabhalterungen voneinander in Abhängigkeit von Änderungen des in den Heizkreis eingespeisten Stromes geregelt wird, vermieden, wenn erfindungsgemäß der Hochfrequenzgenerator bei flüssiger Schmelzzone stets auf der kapazitiven Flanke der Resonanzkurve des Heizkreises arbeitet.
An Hand von Ausführungsbeispielen, aus welchen weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung hervorgehen, soll das Verfahren näher beschrieben werden. In
F i g. 1 ist eine Vorrichtung dargestellt, mit deren Hilfe das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden kann;
F i g. 2 zeigt die Resonanzkurve des Heizkreises, während
Fig. 3 die Schmelzzone in einem stabförmigen Körper beim tiegelfreien Zonenschmelzen zeigt.
In F i g. 1 wird ein stabförmiger Körper 2 zwischen zwei Halterungen 3 und 4 gehalten. Eine Heizspule 5 umschließt den Stab und erzeugt eine Schmelzzone 6 durch induktive Beheizung. Der Heizspule 5 ist eine Kapazität? parallel geschaltet, welche mit einer Induktionsheizspule einen Heizkreis bildet. Dieser ist an die Ausgangsklemmen 8 eines Hochfrequenzgenerators 9 angeschlossen, welcher beispielsweise von einer Gleichstromquelle 10 gespeist wird. Für Rege-
509 630/258
lungszwecke ist der Anodenstrom des Hochfrequenzgenerators 9 hinausgeführt, welcher dem in den Heizkreis eingespeisten Strom etwa proportional ist. Dieser Anodenstrom 1A durchfließt einen einstellbaren Widerstand 11. Der Spannungsabfall an dem Widerstand U kann mit Hilfe eines Meßgerätes 12a gemessen werden. Während der Spannungsabfall an dem Widerstand 11 den Istwert der Regeleinrichtung darstellt, bildet eine Spannungsquelle 12 den Sollwert der Einrichtung. Eirf Relais 13 dient zur Betätigung eines Umschalters 14, mit dessen Hilfe ein Motor 15 an eine Gleichstromquelle 16 angeschaltet werden kann. Durch Umschalten des Umschalters 14 wird die Drehriehtang des Motors 15 umgekehrt. Der Motor 15 treibt beispielsweise über ein Untersetzungsgetriebe ein Zahnrad 18 an, welches auf eine Zahnstange 17 einwirkt, die mit der Halterung 3 verbunden ist. Die Halterung 4 wird in Richtung der Stabachse festgehalten. Sie kann in bekannter Weise um ihre eigene Achse in Drehung versetzt werden.
Arbeitet der Hochfrequenzgenerator 9 auf der induktiven Flanke des Heizkreises 5,7, z. B. im Punkt I der Resonanzkurve gemäß Fig. 2, so findet bei einer Abweichung des Stabdurchmessers von seinem Sollwert folgende Regelung statt: Infolge der Abweichung vom Sollwert ändert sich die Ankopplung der Schmelzzone 6 an die Heizspule 5, wodurch der in den Heizkreis eingespeiste Strom und damit der Anodenstrom des Hochfrequenzgenerators verändert wird. Damit ändert sich der Spannungsabfall in dem Widerstand 11, wodurch das Relais 13 bei richtiger Polung in der gewünschten Richtung anzieht und damit für eine Bewegung des Motors 15, des Zahnrades 16, der Zahnstange 17 und der Halterung 3 in der gewünschten Richtung sorgt. Hierdurch wird die Abweichung von dem Sollwert wieder ausgeglichen, und das aus der Schmelzzone auskristallisierende Halbleitermaterial zeigt eine verringerte Abweichung vom Sollwert bzw- überhaupt keine Abweichung mehr.
Es hat sich nun herausgestellt, daß insbesondere bei der Verwendung einer sogenannten Flachspule, wie sie z.B. in Fig.3 dargestellt ist, das Aufschmelzen des behandelten Körpers nicht kontinuierlich, sondern stoßweise erfolgt. Es sei beispielsweise angenommen, daß die Flachspale Sa in Fig. 3 nach oben wandert, wodurch in etwa die in Fig.3 dargestellte räumliche Zuordnung zwischen den festen Stabteilen Za und 2b, der Schmelzzone 6a und der Heizspule 5 α besteht. Das behandelte Material schmilzt also an der Oberseite der Schmelzzone 6 a und kristallisiert an der Unterseite wieder aus. Hierbei kommt es vor, daß eine langsam ins Glühen gekommene »Insel« des Stabteiles Za plötzlich in den flüssigen Zustand kommt und hierbei nach unten in den Bauch der Schmelzzone 6 a läuft. Hierdurch wird schlagartig die Ankopplung der Heizspule 5a an die Schmelzzone 6 a schlechter, da sich auch die Heizspule im oberen Bereich der Schmelzzone und damit am Hals derselben befindet. Dieser Hals wird durch das plötzliche Aufschmelzen eines Teiles des festen Halbleitermaterials plötzlich eingeschnürt und verschlechtert hierdurch die Ankopplung.
Das führt über eine VeiscMechierung des Gegenfeldes der Schmelzzone zu dem Feld der Heizspule zu einem sofortigen Stromanstieg in der Heizspule, und diese sorgt momentan für eine weitere Ver-
schlechterung der Ankopplung, da die magnetischen Kräfte der Heizspule zu einem weiteren Wegdrückendes flüssigen Materials im Bereich des Halses der Schmelzzone sorgen. Hiermit verschlechtert sich die Ankopplung weiter, es findet eine weitere Vergröße-
rung des in den Heizkreis gespeisten Stromes statt, wobei es, wie zuvor angegeben, vorkommen kann, daß der Arbeitspunkt über den Resonanzpunkt der Resonanzkurve hinübergeht. Hierdurch fällt die Regelung außer Tritt, wodurch für gewöhnlich die
Schmelzzone fest wird und das Zonenschmelzen unterbrochen wird.
Wird nua erfktdungsgemäß eine derartige Abstimmung des Hochfrequenzgenerators und des Heizkreises vorgenommen, daß der Hochfrequenzgenera-
ao tor auf der kapazitiven Flanke der Resonanzkurve des Heizkreises arbeitet, also beispielsweise im Punktell, so kann- dieses gefährliche Aufschaukelet der Regeleinrichtung nicht mehr vorkommen. Selbstverständlich muß in diesem Fall die Regelautomatik umgepolt werden.
In Fig. 2 ist die Spannung On am Heizkreis bzw. der Anodenstrom J4 des Hochfrequenzgenerators über der Generatorfrequenz aufgetragen, und zwar beides im linearen Maßstab.
Vorteilhaft wird die Regelautomatik so ausgebildet, daß eine Regelung sowohl auf der induktiven als auch auf der kapazitiven Flanke, d.h. in den Arbeitspunkten; I und II möglich ist. In diesem Fall kann der Durchlauf der Schmelzzone durch den Halbleiterstab nach oben erfolgen, wobei auf der kapazitiven Flanke gearbeitet wird, während beim Äbwärtsfahren einer Glühzone durch den Halbleiterstab auf der induktiven Flanke gearbeitet wird. Durch die Anwendung von das Feld der Induktionsheizspule verändernden .Zusatzeinrichtungen wie Stützspulen bzw. Kurzschlußringen tritt eine Störung der normalen Form der Schmelzzone ein. Das erfindungsgemäße Verfahren wird deshalb vorteilhaft ohne derartige Mittel, nur mit Anwendung einer Flachspule, wie in Fig. 3 dargestellt, durchgeführt.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehaltenen stabformigen Körpers, in dem mit Hilfe einer ihn umschließenden Induktionsheizspule eine Schmelzzone erzeugt wird, die durch den Körper hindurchgeführt wird, wobei ein aus der Induktionsheizspule und einer parallelgeschalteten Kapazität gebildeter
    Heizkreis an den Ausgangskreis eines Hochfrequenzgenerators angekoppelt ist und wobei der Abstand der Stabhalterungen voneinander in Abhängigkeit von Änderungen des in den Heizkreis eingespeisten Stromes geregelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochfrequenzgenerator bei flüssiger Schmelzzone stets auf der kapazitiven Flanke der Resonanzkurve des Heizkreises arbeitet.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    509 630/258 8.65 © Bundesdruckerei Berlin
DES87138A 1963-09-06 1963-09-06 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen Pending DE1198324B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES87138A DE1198324B (de) 1963-09-06 1963-09-06 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
CH500964A CH408873A (de) 1963-09-06 1964-04-17 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabförmigen Körpers
GB36406/64A GB1047070A (en) 1963-09-06 1964-09-04 A process for zone-by-zone melting a rod of material
US394834A US3271551A (en) 1963-09-06 1964-09-08 Method for crucible free zone melting

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES87138A DE1198324B (de) 1963-09-06 1963-09-06 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1198324B true DE1198324B (de) 1965-08-12

Family

ID=7513523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES87138A Pending DE1198324B (de) 1963-09-06 1963-09-06 Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3271551A (de)
CH (1) CH408873A (de)
DE (1) DE1198324B (de)
GB (1) GB1047070A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2628048A1 (de) * 1976-06-23 1977-12-29 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleiterkristallstabes

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3515836A (en) * 1968-06-24 1970-06-02 Business Assets Corp Elevator means for a heat scanner device
DE2434136A1 (de) * 1974-07-16 1976-01-29 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen von halbleitermaterialstaeben

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE962006C (de) * 1954-07-01 1957-04-18 Siemens Ag Verfahren zum induktiven Schmelzen, insbesondere Zonenziehen, von Halbleitern mittels einer Hochfrequenzspule
DE1153908B (de) * 1958-04-22 1963-09-05 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen mit Abstandsaenderung der Stabenden

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2628048A1 (de) * 1976-06-23 1977-12-29 Siemens Ag Verfahren zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleiterkristallstabes

Also Published As

Publication number Publication date
US3271551A (en) 1966-09-06
GB1047070A (en) 1966-11-02
CH408873A (de) 1966-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2759083A1 (de) Profilstahlbearbeitungsanlage
DE1565192A1 (de) Steueranordnung fuer Lichtbogenschweissvorrichtungen
DE3512189C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung von Lichtbogenöfen
EP0033962B1 (de) Verfahren zur Herstellung von längsnahtgeschweissten, gerundeten Zargen
DE3546130A1 (de) Verfahren zur steuerung der bearbeitung in einer elektroerosionsmaschine mit einer drahtelektrode
DE3133246C2 (de) Elektrische Steuerungsvorrichtung für die anschlaglose Wegbegrenzung an Werkzeugmaschinen, insbesondere an Honmaschinen
EP0072901A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum gleichmässigen induktiven Erwärmen länglicher Werkstücke
DE1198324B (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1215109B (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial
EP0132575B1 (de) Einrichtung zum Lichtbogenschweissen, insbesondere UP-Lichtbogenschweissen, mit einer oder mehreren abschmelzenden Elektroden
EP1060276A1 (de) Vorrichtung zum härten zylindrischer lagerstellen einer welle
DE1224273B (de) Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2220519C3 (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben
DE2050766C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2327085C3 (de) Vorrichtung zum Dotieren beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1212051B (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen von Staeben aus Silicium
DE808865C (de) Hochfrequenzofen mit einem C-Klasse Elektronenroehrenoszillator
DE2000044A1 (de) Vorrichtung zur elektrolytischen Abscheidung von Metallen
DE2016448A1 (de) Verfahren zur Regelung des Elektrolysestroms bei elektrolytischen Prozessen
DE1259854B (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes aus Halbleitermaterial
DE1477466B2 (de) Zufuehreinrichtung zum zufuehren eines stangenartigen werkstueckes in eine drehmaschine
DE1014682B (de) Selbsttaetige Lichtbogenschweissmaschine mit nicht abschmelzender Elektrode und mit Regelung der Vorschubgeschwindigkeit des Zusatzdrahtes, der Stromstaerke und der Schweissgeschwindigkeit in Abhaengigkeit voneinander
DE3213734A1 (de) Schweissgeraet mit fuehrungsvorrichtung fuer schweissbrenner
DE3225731C2 (de) Einrichtung zur Einstellung der Lichtbogenlänge beim Metall-Lichtbogenschweißen mit einer nicht abschmelzenden Elektrode
DE1565192C3 (de) Lichtbogenschweißgerät mit Lichtbogenlängenregelung