DE1218621B - Siliziumgleichrichterelement mit einem kreisscheibenfoermigen Siliziumplaettchen - Google Patents
Siliziumgleichrichterelement mit einem kreisscheibenfoermigen SiliziumplaettchenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (3)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4425389B4 (de) * | 1994-07-19 | 2007-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichteranordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer elektrisch und thermisch leitenden Verbindung und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| US3319136A (en) * | 1964-09-08 | 1967-05-09 | Dunlee Corp | Rectifier |
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| JP2841940B2 (ja) * | 1990-12-19 | 1998-12-24 | 富士電機株式会社 | 半導体素子 |
Citations (1)
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- 1961-09-15 GB GB33258/61A patent/GB965289A/en not_active Expired
- 1961-09-15 DE DET20772A patent/DE1218621B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2863105A (en) * | 1955-11-10 | 1958-12-02 | Hoffman Electronics Corp | Rectifying device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4425389B4 (de) * | 1994-07-19 | 2007-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichteranordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer elektrisch und thermisch leitenden Verbindung und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
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|---|---|
| NL269308A (enExample) | |
| GB965289A (en) | 1964-07-29 |
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