DE1211800B - Verfahren zum Raffinieren von fluessigem Aluminium durch fraktionierte Kristallisation - Google Patents
Verfahren zum Raffinieren von fluessigem Aluminium durch fraktionierte KristallisationInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche KL: 40 a-21/06
Nummer:
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Auslegetag:
1211 800
A39444VI a/40 a
9. Februar 1962
3. März 1966
A39444VI a/40 a
9. Februar 1962
3. März 1966
Die Erfindung betrifft die Anwendung der Grundsätze der fraktionierten Kristallisation zur Erzeugung
von Fraktionen aus flüssigem Aluminium, die eine höhere Reinheit als die ursprüngliche Schmelze aufweisen.
Wenn auch die Anwendbarkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht darauf beschränkt
ist, ist das Verfahren der Erfindung besonders brauchbar zur wirtschaftlichen Erzeugung von im
wesentlichen aus Aluminium bestehenden Fraktionen mit einer Reinheit von etwa 99,99 Gewichtsprozent
oder besser aus Hüttenaluminium, das gewöhnlich durch Schmelzflußelektrolyse hergestellt wird und
eine Reinheit von mehr als 99 Gewichtsprozent besitzt.
Die Grundprinzipien der fraktionierten Kristallisation sind seit langem bekannt und sind auch als
Maßnahme zum Raffinieren von unreinem Aluminium vorgeschlagen worden. Diese Grundsätze
sind jedoch bisher noch nicht erfolgreich zur Erzeugung von Fraktionen mit einer verhältnismäßig hohen
Reinheit aus Aluminium mit geringerer Reinheit verwendet worden.
Die vorliegende Erfindung betrifft besonders das Raffinieren von Hüttenaluminium und von Aluminium,
dessen Reinheit der von Hüttenaluminium entspricht. Schmelzelektrolytisch hergestelltes Hüttenaluminium
enthält gewöhnlich 99,4 bis 99,8% Aluminium, obwohl auch Aluminium mit einer geringeren
oder größeren Reinheit erhalten wird. Die Erzeugung von Aluminium mit einer Reinheit von
99,99% oder darüber erfolgte bisher vorwiegend nach einem Verfahren, bei dem das Hüttenaluminium
einem elektrolytischen Reinigungsverfahren unterworfen wurde.
Die Zeichnungen dienen zur Erläuterung der Verfahrensgrundsätze und -stufen. In den Zeichnungen
zeigt
F i g. 1 eine Seitenansicht eines Metallbehälters schematisch, in dem das fraktionierte Kristallisationsverfahren
durchgeführt wird,
F i g. 2 eine Abänderung des in F i g. 1 gezeigten Behälters,
F i g. 3 eine Kurve, die die Beziehungen zwischen der Zeitdauer der Druckanwendungsstufe und der
Auswirkung dieser Zeitdauer auf die Menge der Aluminiumendfraktion mit einer Reinheit von 99,99%
zeigt,
F i g. 4 eine Ausführungsform der in F i g. 1 gezeigten Vorrichtung, zu der weiteres Zubehör gehört,
F i g. 5 eine Seitenansicht einer Ausführungsform "von bestimmten in Fig.4 gezeigten Zubehörteilen
und
Verfahren zum Raffinieren von flüssigem
Aluminium durch fraktionierte Kristallisation
Aluminium durch fraktionierte Kristallisation
Anmelder:
Aluminum Company of America, Pittsburgh,
Pa. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. H. Ruschke, Patentanwalt,
Berlin 33, Auguste-Viktoria-Str. 65
Als Erfinder benannt:
Noel Jarrett,
Bernard McClelland Starner,
Stanley Carlton Jacobs,
Lester Leroy Knapp, New Kensington, Pa.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 10. Februar 1961
(88 334)
V. St. v. Amerika vom 10. Februar 1961
(88 334)
F i g. 6 eine Ausführungsform der in den F i g. 1 und 4 gezeigten Vorrichtungen zusammen mit einer
dazugehörigen Erhitzungsvorrichtung.
Das Verfahren der Erfindung ist auf die Raffination von Aluminium, und zwar auf die Entfernung
der sogenannten »eutektischen Verunreinigungen« gerichtet, womit metallische Verunreinigungen bezeichnet
werden sollen, die, wenn sie in ausreichender Menge im Aluminium vorliegen, unter den
üblichen Erstarrangsbedingungen in dem erstarrten Metall ein charakteristisches Gefüge bilden, das Aluminimum
enthält und das einen niedrigeren Schmelzpunkt als reines Aluminium besitzt. Solche metallischen
Bestandteile sind z. B. die Elemente Eisen und Silicium, die in Hüttenaluminium in geringen Mengen
zugegen sind. In Aluminium liegen gewöhnlich metallische Verunreinigungen, wie Eisen, Silicium,
Gallium, Titan und oft auch andere Metalle vor. Von diesen sind Eisen, Silicium und Gallium typische
Vertreter der sogenannten eutektischen Verunreinigungen. Andererseits ist Titan ein typischer Vertreter
für solche Verunreinigungen, die hier nicht als
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eutektische Verunreinigungen bezeichnet werden, weil sie sich beim Abkühlen gewöhnlich als Verbindungen
oder Komplexe mit Aluminium bei Temperaturen oberhalb des Schmelzpunktes von reinem Aluminium
verfestigen. Solche Verunreinigungen werden hier als »pertektische Verunreinigungen« bezeichnet.
Dieser Ausdruck darf nicht mit »peritektisch« verwechselt werden, durch den eine isotherme
reversible Umsetzung in binären Legierungssystemen bezeichnet wird, bei der eine feste und eine flüssige
Phase des Abkühlens unter Bildung einer zweiten festen Phase miteinander reagieren. Innerhalb eines
weiten Bereichs der Alununiumreiriheit schließen sich die Ausdrücke »eutektische Verunreinigungen«
und »pertektische Verunreinigungen« nicht gegenseitig aus, weil z. B. Eisen je nach der vorhandenen
Menge zu der einen oder zu der anderen Gruppe gehören kann. Bei einem gegebenen Aluminiumkörper
ist jedoch eine Verunreinigung entweder eine eutektische oder eine pertektische Verunreinigung,
wobei der eine Bestandteil von dem Verfahren der Erfindung betroffen oder nicht betroffen wird. Diese
Beziehungen sind bekannt; die hier verwendeten Ausdrücke sollen einen vorliegenden physikalischen Zustand,
und nicht bestimmte Elemente bezeichnen, obwohl für praktische Zwecke die Eisen-, Silicium- und
Galliumverunreinigungen in Hüttenaluminium stets eutektische Verunreinigungen sind und Titan eine
pertektische Verunreinigung ist.
Die Verfahrensgrundsätze der Erfindung beruhen auf der bekannten Tatsache, daß beim Abkühlen von
geschmolzenem Aluminium, das eutektische Verunreinigungen enthält, die zuerst erstarrenden Kristalle
aluminiumreich sind, d. h. einen höheren Aluminiumgehalt als die Schmelze haben, aus der sie
kommen. Durch teilweises Erstarren der Schmelze ist daher die Erzeugung einer festen Fraktion möglich,
die — wenn sie in annehmbarer Weise von der Mutterlauge abgetrennt werden kann — aus Aluminium
mit einer höheren Reinheit als die ursprüngliche Schmelze besteht.
Das Fehlen eines erfolgreichen Verfahrens zur fraktionierten Kristallisation ist auf drei Gründe zurückzuführen,
und zwar erstens wird durch das Einschließen oder Anhaften von Mutterlauge an den
Kristalloberflächen eine saubere Abtrennung der fraktioniert kristallisierten Festbestandteile von der
restlichen Schmelze erschwert; zweitens ist die Abtrennung von kristallisierten Fraktionen mit einer
höheren durchschnittlichen Einheit von Fraktionen mit einer geringeren durchschnittlichen Reinheit sehr
schwierig, was entweder auf eine Einschließung der unreineren Mutterlauge oder auf eine ungünstige
Neigung der Soliduskurve zurückzuführen ist; und drittens werden die endgültigen Erzeugungskosten
einer Fraktion mit der gewünschten hohen Reinheit notwendigerweise von den entsprechenden Mengen
und von dem entsprechenden wirtschaftlichen Wert aller Fraktionen bestimmt, die gegebenenfalls erhalten
werden.
Da durch das Verfahren der Erfindung die sogenannten pertektischen Verunreinigungen nicht entfernt
werden, müssen diese, falls sie entfernt oder verringert werden sollen, einer getrennten Behandlung
unterworfen werden. Für diesen Zweck eignet sich ein Verfahren, bei dem das geschmolzene Aluminium
auf eine Temperatur unmittelbar oberhalb des Schmelzpunktes von reinem Aluminium oder auf
eine Temperatur unmittelbar oberhalb der Temperatur abgekühlt wird, bei der eine Erstarrung von
praktisch reinen Aluminiumkristallen oder -teilchen erfolgt. Bei dieser Behandlung wird ein großer Teil
der pertektischen Verunreinigungen, die gewöhnlich als Komplex oder Verbindung vorliegen, in fester
Form erhalten, worauf die festen Bestandteile durch Absitzenlassen, Filtrieren oder in anderer Weise abgetrennt
werden können. Wenn das zu reinigende
ίο Aluminium von solchen pertektischen Verunreinigungen
frei oder praktisch frei ist, oder wenn solche pertektischen Verunreinigungen in dem erhaltenen
gereinigten Metall nicht stören, so ist eine solche Behandlung selbstverständlich nicht erforderlich. Wenn
die Menge der pertektischen Verunreinigungen herabgesetzt werden soll, werden diese vorzugsweise entfernt,
bevor das unreine geschmolzene Aluminium dem Verfahren der Erfindung unterworfen wird. Bei
der Entfernung dieser Verunreinigungen wird vorzugsweise auch Bor dem geschmolzenen Metall zugesetzt,
bevor irgendeine Verfestigung der Verunreinigungen als Komplex oder Verbindung stattgefunden
hat. Das Bor bildet mit den Verunreinigungen eine dichte Abscheidung, die offenbar durch
eine chemische Umsetzung entsteht, wobei sich die Abscheidung in der geschmolzenen Aluminiummasse
verhältnismäßig schnell absetzt. Ein Verfahren dieser Art ist zu Beginn von Beispiel 1 beschrieben. Solche
Verfahren zum Entfernen von pertektischen Verunreinigungen bilden jedoch keinen Teil der Erfindung.
Zur Entfernung der pertektischen Verunreinigungen kann daher jedes bekannte Verfahren verwendet
werden.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Raffinieren von flüssigem Aluminium, insbesondere
von Hüttenalumimum, mit einer Reinheit von mindestens 99%, das eutektische Verunreinigungen enthält,
durch fraktionierte Kristallisation, wobei das zu raffinierende Aluminium in einen oben offenen
Schmelzbehälter gebracht und das flüssige Metall zur Herbeiführung der fraktionierten Kristallisation abgekühlt
wird, und das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Wärme fast vollständig durch die Grenzfläche
zwischen geschmolzenem Metall und Luft mit einer solchen Geschwindigkeit abgeführt wird, daß
sich aluminiumreiche Kristalle in der Schmelze aus unreinem Aluminium an, unter und in einer Zone
bilden können, die zur Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft im wesentlichen parallel
verläuft, und daß diese aluminiumreichen Kristalle in der schmelzflüssigen Metallmasse absitzen
gelassen werden, daß die Kristallisation fortgesetzt wird, bis ein bestimmter Anteil der ursprünglich
schmelzflüssigen Masse auskristallisiert ist, daß zwischenzeitlich auf den oberen Teil der Kristallmasse
unter Bildung eines kompakten Kristallkörpers Druck ausgeübt wird in dem Maße, in dem die Kristalle sich
vermehren, daß anschließend die Mutterlauge über dem Kristallkörper abgetrennt wird und daß der
Kristallkörper an der Oberfläche des Körpers nochmals aufgeschmolzen wird und der Rest des Körpers
fortschreitend geschmolzen wird.
Bei der Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens befindet sich das zu raffinierende Aluminium
im flüssigen Zustand in einem Behälter, wobei die flüssige Masse eine freie Grenzfläche bzw. Oberfläche
aufweist, von der an die Luft oder ein anderes Gas, falls dieses bevorzugt wird, Wärme abgegeben wird.
L Δ I I OUU
Der Einfachheit halber werden hier Luft oder andere Gase allgemein als »Luft« bezeichnet. An dieser
freien Oberfläche liegt eine direkte Grenzfläche zwisehen geschmolzenem Metall und Luft vor, wenn
mcht—„w.ie.dies hf. g^hTfn^m Alummnim oft
zweckmäßig ist - die Oberflache des geschmolzenen
Aluminiums mit einem Flußmittel oder mit einem
anderen, einem bekannten Zweck dienenden Korper,
z. B. zwecks Erzielung einer Schutzwirkung, bedeckt wird, wobei jedoch die Wärmeübertragung zwischen
der geschmolzenen Oberfläche und Luft nicht wesentlieh beeinträchtigt werden darf. Durch den hier verwendeten
Ausdruck »Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft« wird auch die Gegenwart
von solchen neutralen Körpern mit umfaßt. Die Wärmebedingungen an den begrenzten Außenflächen
der geschmolzenen Masse werden z. B. durch Isolieren oder durch Erhitzen derart geregelt, daß an diesen
Außenflächen und besonders an den Außenflächen, die die abgeschiedene Masse der Kristalle
oder Teilchen, die beim fraktionierten Kristallisieren erhalten werden, umgrenzen, nur ein geringer oder
gar kein Wärmefluß nach außen erfolgt. Der Wärmeverlust des in einem Behälter enthaltenen zu raffinierenden
Aluminiums erfolgt daher im wesentlichen nur an der Grenzfläche zwischen geschmolzenem
Metall und Luft. Ein Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die Abführung der Erstarrungswärme,
durch die die fraktionierte Kristallisation des zu raffinierenden Aluminiums eingeleitet und aufrechterhalten
wird, in einer Zone erfolgt, die sich bei und unmittelbar unter der nicht umfaßten Außenfläche
des geschmolzenen Metalls und parallel dazu befindet, und daß diese so lange erfolgt, bis eine vorherbestimmte
Menge der ursprünglichen geschmolzenen Beschickung kristallisiert ist. Ein weiteres Merkmal
der Erfindung besteht darin, daß die in dieser Zone erfolgende Kristallisation nicht in einer massiven,
sondern in einer gesonderten bzw. einzelteiligen Form erfolgt, so daß die Bildung von Anhäufungen,
Gruppen oder Büscheln von Kristallen möglichst weitgehend vermieden wird. Die zweckmäßigen einzelnen
und teilchenförmigen Kristalle können größer werden und werden tatsächlich oft auch größer,
wenn sie durch die Schwerkraft aus der Kristallisationszone in einen tieferen Abschnitt der Schmelze
absinken, in dem sich die Kristalle gegebenenfalls anhäufen. »Massives« Erstarren der Schmelze soll
eine Erstarrung bezeichnen, bei der ein fester, einheitlicher Körper gebildet wird. Beim massiven Erstarren
in der Abscheidungszone wird Aluminium mit geringerer Reinheit abgeschieden.
Bei der praktischen Durchführung im technischen Maßstab, bei der mehrere tausend Kilogramm
Schmelze vorliegen, ist die Vermeidung einer gewissen massiven Erstarrung an den Seitenwänden
ohne besondere Vorsichtsmaßregeln — durch die ein massives Erstarren praktisch vermieden wird —
etwas schwierig. Wenn solche besonderen Vorsichtsmaßregeln wirtschaftlich nicht zu rechtfertigen sind,
dann hat sich gezeigt, daß sogar 10 °/o der Gesamtschmelze derart erstarren können, wenn bestimmte
bevorzugte Bedingungen eingehalten werden, und zwar, daß
a) dieses massive Erstarren an den Seitenwänden nicht wesentlich in der Zone erfolgt, in der möglicherweise
die Kristalle abgeschieden werden,
b) die erstarrte Schmelze derart angeordnet ist, daß sie bei der unten beschriebenen Verdichtungsstufe nicht in diese Zone gebracht wird und
c) die erstarrte Schmelze vor dem Wiedererschmelzen
entfernt oder daß das Wiedererschmelzen
solchen Bedingung6n durchgeführt wird,
denen dn w|serftliches Schmelzen des
massiy erstarrten Materials vermieden wird.
Es ist gefunden worden, daß jede Erstarrung des umfaßten geschmolzenen Aluminiums an den begrenzenden
Außenflächen, das durch eine Wärmeabgabe an den Außenflächen nach außen bewirkt worden ist, zu einer massiven Erstarrung neigt.
Die oben in Verbindung mit der Wärmeübertragung an den begrenzenden Außenflächen erwähnten
Bedingungen werden in F i g. 1 erläutert, in der eine Schmelze aus unreinem Aluminium 10 gezeigt ist,
die von einem Gefäß 11 umgeben ist und die eine freie Grenzfläche 12 gegenüber der Luft aufweist. In
dieser Figur ist die fortschreitende Kristallisation nach dem Verfahren der Erfindung gezeigt, die in der
mit 13 bezeichneten Kristallisationszone erfolgt, wobei die gebildeten Kristalle, die eine größere Dichte
als die Mutterlauge haben, durch die Schwerkraft in die tieferen Gebiete der Masse absinken und dabei in
eine Abscheidungszone 14, d. h. in die unteren Gebiete der Schmelze, gelangen. Bei der Ausführung
der Erfindung wird die Kristallisation, wie oben angegeben, vorwiegend in der Kristallisationszone 13
eingeleitet, in der im wesentlichen einzelne getrennte Kristalle oder Teilchen gebildet werden. Bei der praktischen
Ausführung ist es jedoch ohne besondere Vorkehrungen schwierig, eine massive Erstarrung an diesen
umgrenzten Außenflächen, die der Kristallisationszone benachbart sind, zu vermeiden, so daß eine
massive Erstarrung der bei 15 gezeigten Art oft erfolgt, wenn besondere Vorkehrungen wirtschaftlich
nicht zweckmäßig sind. Wenn die massive Erstarrung die in F i g. 1 gezeigte Form und Anordnung
besitzt, kann sie die Weiterführung des Verfahrens behindern. Wenn daher eine solche massive Erstarrung
an den begrenzenden Außenflächen durch Abkühlung erfolgt, kann diese Erstarrung an eine andere
Stelle verlegt werden, indem z.B. den Behälterwänden, wie in F i g. 2 dargestellt, eine Neigung verliehen
wird, so daß der massiv erstarrte Anteil 15 von der Außenseite der Abscheidungszone 13 entfernt wird.
Bei der eben beschriebenen Kristallisationsstufe wird, wenn diese allein durchgeführt wird, in der Abscheidungszone
eine Fraktion mit einer verhältnismäßig hohen Reinheit, d. h. mit einer sehr geringen Menge
von anhaftender oder eingeschlossener Mutterlauge erhalten, wobei nach dem Kristallisieren bis zum gewünschten
Ausmaß diese Fraktion von der Mutterlauge oder nach anderen später beschriebenen Verfahren
abgetrennt, erneut geschmolzen und dann zu der gewünschten Form gegossen werden kann.
In der Kristallisationsstufe wird durch die dabei auftretende Erstärrungserscheinung die Kristallisationszone
auf einer praktisch konstanten Temperatur gehalten, indem die Erstarrungswärme an der Grenzfläche
zwischen geschmolzenem Metall und Luft abgegeben wird. Demzufolge kann die Geschwindigkeit,
mit der die Kristallisation in dieser Zone erfolgt, durch Regeln der Geschwindigkeit, mit der die entstehende
Wärme von dieser Grenzfläche während der Kristallisation abgeführt wird, verlangsamt oder be-
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schleunigt werden. Dieses Ziel kann durch Regeln reren tausend Kilogramm nach dem Verfahren der
der Temperatur und/oder der Bewegung der Luft an Erfindung unter Bedingungen behandelt werden, bei
der Grenzfläche erzielt werden. Ein zu schnelles Ab- denen eine Regelung der Wärmeübertragungsführen
der Wärme an der Grenzfläche führt zu geschwindigkeit an der Grenzfläche zwischen geeinem
unerwünschten massiven Erstarren quer zur 5 schmolzenem Metall und Luft nicht vorgenommen
Kristallisationszone, wodurch die Bildung von prak- wird und die normale Geschwindigkeit der Wärmetisch einzelnen Kristallen mit zweckmäßiger Rein- Übertragung angenommen wird, wobei die anderen
heit verhindert wird. Das Ausmaß des Kühlens an Verfahrensbedingungen derart geregelt werden, daß
der Grenzfläche und die Größe dieser Grenzfläche ein massives Erstarren in einem wesentlichen Ausaus
geschmolzenem Metall und Luft werden nur so io maß vermieden wird, dann ist die Behandlungszeit
lange von wirtschaftlichen Erwägungen und von ziemlich lang, weil die Kristallisation mit geringer
anderen Betriebsbedingungen bestimmt, als die BiI- Geschwindigkeit erfolgt. Wenn unter diesen Bedindung
von im wesentlichen einzelnen Kristallen, die gungen die Wärmeübertragungsgeschwindigkeit an
sich von einem massiven Erstarren unterscheiden, in der Grenzfläche, z. B. durch schnelles Verändern
der Kristallisations- oder Abscheidungszone sicher- 15 und Verdrängen der Luft an der Grenzfläche, erhöht
gestellt ist. Es kann gewöhnlich festgestellt werden, wird, kann die Behandlungszeit um etwa die Hälfte
daß bei einer Wärmeübertragung an der Grenzfläche verkürzt werden, was jedoch auf Kosten der erzielzwischen
geschmolzenem Metall und Luft, die nicht baren Menge der Fraktion mit hoher Reinheit geht,
größer als die ist, die zu einer Abscheidung von etwa Durch diese Maßnahme kann die Abscheidungs-4,87
kg Kristallen je Stunde je dm2 der Grenzfläche 20 geschwindigkeit auf etwa 6,13 kg Kristalle je Stunde
führt, die gewünschte Kristallisationsart erzielt wird. je dm2 der Grenzfläche erhöht werden. Wenn ande-Bei
der Raffination von Hüttenaluminium oder von rerseits bestimmte Vorkehrungen zur praktischen
Aluminium von ähnlicher Reinheit ist gewöhnlich Ausschaltung eines sonst angemessenen massiven
gefunden worden, daß bei einer Abkühlungs- Erstarrens getroffen werden, erfolgt diese Erhöhung
geschwindigkeit von mindestens 1,47 kg Kristallen je 25 der Wärmeübertragungsgeschwindigkeit und die
Stunde je dm2 Grenzfläche die Bildung von im we- dementsprechende Verkürzung der Behandlungszeit
sentlichen einzelnen Kristallen in der Kristallisations- ohne eine tatsächliche Verringerung der erhaltenen
zone günstig ist. Menge der Fraktion mit hoher Reinheit. Wenn eine Es ist gefunden worden, daß in der beschriebenen solche Beschleunigung zweckmäßig ist, kann sie z. B.
Kristallisationsstufe eine bestimmte Beziehung zwi- 30 durch Ausströmenlassen von verdichteter Luft oder
sehen der Geschwindigkeit der Wärmeübertragung von einem anderen geeigneten fließfähigen Mittel
an der Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall durch eine Anzahl von kleinen Düsen auf die
und Luft, der Menge der schließlich erhaltenen Frak- Grenzfläche mit solcher Geschwindigkeit erreicht
tion mit der gewünschten hohen Reinheit und dem werden, daß mehrere Male in der Minute ein Wech-Ausmaß
eines unter bestimmten Bedingungen an- 35 sei der Luft an der Grenzfläche erfolgt. Die Regelung
nehmbaren massiven Erstarrens an den umgrenzten der Temperaturbedingungen, die zu einer Vermei-Außenflächen
der Kristallisationszone und an der dung eines massiven Erstarrens erforderlich ist, ist
Verbindungsstelle dieser Zone mit irgendwelchen ziemlich schwierig, wobei jedoch gefunden worden
Verdichtungs- oder Stampfvorrichtungen, die unten ist, daß diese Regelung am besten dadurch erfolgt,
näher beschrieben werden, besteht. Wenn die Ge- 40 daß an den begrenzenden Wandungen, die die Krischwindigkeit
der Wärmeübertragung an der Grenz- stallisationszone umgeben, eine Wärmequelle angefläche
zwischen geschmolzenem Metall und Luft bracht wird, die zwar Wärme liefert, aber nicht so
unter diesen Bedingungen erhöht wird, erfolgt eine stark ist, daß sie die Kristallisationszone übermäßig
geringe, jedoch feststellbare und fortschreitende an- durchdringt. Eine Verhinderung eines massiven Ersteigende
Verringerung der schließlich gewonnenen 45 starrens an der Verbindungsstelle der Kristallisations-Menge
der Fraktion mit der gewünschten hohen zone mit Verdichtungs- oder Stampfteilen, die geReinheit. Überraschenderweise ist gefunden worden, gebenenfalls verwendet werden können, ist durch
daß diese Verringerung der Menge der Fraktion mit eine sorgfältige Aufrechterhaltung einer Wärmezufuhr
hoher Reinheit bei einer ansteigenden Geschwindig- zu diesen Teilen erreicht worden,
keit der Wärmeübertragung tatsächlich aufgehoben 50 Die zweite Stufe des Verfahrens besteht im wesentwerden kann, wenn besondere Vorkehrungen zur liehen aus einer Verdichtung der abgeschiedenen praktischen Vermeidung eines massiven Erstarrens Kristalle zu einer verhältnismäßig festen Masse in getroffen werden. Jedoch kann die Geschwindigkeit dem unteren Abschnitt der Schmelze beim Fortder Wärmeübertragung an der Grenzfläche ohne Be- schreiten der Abscheidung. Der hier verwendete einträchtigung der Menge der erhaltenen Fraktion 55 Ausdruck »Verdichten« soll die Anwendung von mit hoher Reinheit stark erhöht werden, wenn ein Druck auf die Kristalle bezeichnen, die aus der massives Erstarren praktisch verhindert, d. h. auf Kristallisationszone nach unten sinken und die Abeine Menge von etwa 2 Gewichtsprozent und vor- scheidungszone oder tiefere Abschnitte der Schmelze zugsweise auf 1 Gewichtsprozent oder darunter der erreichen und dort zur Ruhe kommen. Der hier ver-Gesamtschmelze verringert wird. Die Geschwindig- 60 wendete Ausdruck »Verdichten« soll besonders die keit der Wärmeübertragung kann gegenüber der Ge- in Abständen erfolgende Anwendung eines Druckes schwindigkeit, die an der Grenzfläche normalerweise auf die Kristallmasse in der Abscheidungszone wäherhalten wird, wenn man das Verfahren ohne Ver- rend des fraktionierten Kristallisationsverfahrens und änderung der Wärmeübertragungsgeschwindigkeit auch die Anwendung eines Druckes bezeichnen, der ablaufen läßt, mindestens verdreifacht werden, bevor 65 nur auf einen Anteil der oberen »Oberfläche« dieser eine tatsächliche Verringerung der erhaltenen Menge Masse zu irgendeiner Zeit ausgeübt wird. In jedem der Fraktion mit hoher Reinheit festgestellt wird. Fall soll erfindungsgemäß der verdichtende Druck Wenn z. B. Schmelzen mit einem Gewicht von meh- bei der fortschreitenden Kristallisation auf eine
keit der Wärmeübertragung tatsächlich aufgehoben 50 Die zweite Stufe des Verfahrens besteht im wesentwerden kann, wenn besondere Vorkehrungen zur liehen aus einer Verdichtung der abgeschiedenen praktischen Vermeidung eines massiven Erstarrens Kristalle zu einer verhältnismäßig festen Masse in getroffen werden. Jedoch kann die Geschwindigkeit dem unteren Abschnitt der Schmelze beim Fortder Wärmeübertragung an der Grenzfläche ohne Be- schreiten der Abscheidung. Der hier verwendete einträchtigung der Menge der erhaltenen Fraktion 55 Ausdruck »Verdichten« soll die Anwendung von mit hoher Reinheit stark erhöht werden, wenn ein Druck auf die Kristalle bezeichnen, die aus der massives Erstarren praktisch verhindert, d. h. auf Kristallisationszone nach unten sinken und die Abeine Menge von etwa 2 Gewichtsprozent und vor- scheidungszone oder tiefere Abschnitte der Schmelze zugsweise auf 1 Gewichtsprozent oder darunter der erreichen und dort zur Ruhe kommen. Der hier ver-Gesamtschmelze verringert wird. Die Geschwindig- 60 wendete Ausdruck »Verdichten« soll besonders die keit der Wärmeübertragung kann gegenüber der Ge- in Abständen erfolgende Anwendung eines Druckes schwindigkeit, die an der Grenzfläche normalerweise auf die Kristallmasse in der Abscheidungszone wäherhalten wird, wenn man das Verfahren ohne Ver- rend des fraktionierten Kristallisationsverfahrens und änderung der Wärmeübertragungsgeschwindigkeit auch die Anwendung eines Druckes bezeichnen, der ablaufen läßt, mindestens verdreifacht werden, bevor 65 nur auf einen Anteil der oberen »Oberfläche« dieser eine tatsächliche Verringerung der erhaltenen Menge Masse zu irgendeiner Zeit ausgeübt wird. In jedem der Fraktion mit hoher Reinheit festgestellt wird. Fall soll erfindungsgemäß der verdichtende Druck Wenn z. B. Schmelzen mit einem Gewicht von meh- bei der fortschreitenden Kristallisation auf eine
9 10
solche Fläche ausgeübt werden, die nicht größer als gewünschte senkrechte Bewegungsiähigkeit erhalten
etwa die Hälfte der oberen Flächenausdehnung dieser wird, wobei die Vorrichtung derart eingerichtet wer-Kristallmasse
oder konzentrierten Aufschlämmung den kann, daß die Stampi'vorrichtungen zwischen
ist. Wenn der verdichtende Druck in solcher Weise den einzelnen Hüben automatisch seitlich versetzt
ausgeübt wird, daß praktisch die gesamte obere 5 werden, so daß die gesamte obere Oberfläche der
Fläche der Kristalinissse mindestens einmal in etwa Kristallmasse in dem gewünschten Zeitabstand ver-10
Minuten dem verdichtenden Druck ausgesetzt dichtet wird. Die Stampfvorrichtungen 16 haben, wie
wird, dann wird die erzielbare Menge der Fraktion gezeigt, im Verhältnis zur Tiefe der Schmelze eine
mit hoher Reinheit verdoppelt oder verdreifacht. solche Länge, daß nur ein Anteil davon bei jeder
Wenn die obere Fläche der Kristallmasse einmal in io Stufe der senkrechten, sich wiederholenden Beweis bis 3 Minuten der Druckverdichtung unterworfen gung in die Schmelze eintaucht. Wenn die Stampfwird,
wird die erzielbare Menge der Fraktion mit vorrichtung stets in der Schmelze verbleiben soll,
hoher Reinheit weiter erhöht. Eine weitere Verringe- kann diese eine andere Form, die in F i g. 5 gezeigt
rung der Zeitabstände über 3 Minuten hinaus, in ist, haben, wobei die Tiefe des Stampfkörpers derart
welchen die Gesamtfläche einer Verdichtung ausge- 15 verringert ist, daß er während der gesamten sich
setzt wird, bringt nur eine geringe Verbesserung. wiederholenden Bewegung vollständig in der
Eine Verdichtung der Gesamtfläche mit einer Ge- Schmelze bleibt. Die Tiefe der Schmelze ist verschwindigkeit
von weniger als einmal in etwa 10 Mi- schieden, weil, wie später ausgeführt werden wird,
nuten bringt eine gewisse Verbesserung, jedoch nicht bei den Verfahren der Erfindung eine Verfestigung
die bevorzugten Ergebnisse. Der Anstieg der ge- 20 bis zu etwa 80 Gewichtsprozent der Gesamtwonnenen
Menge der Fraktion mit hoher Reinheit in schmelze oder in einigen Fällen sogar noch darüber
Beziehung zu dem Zeitabstand, indem eine Verdich- möglich ist.
tung auf der gesamten Fläche der Kristallmasse er- Bei der Ausführung des Verfahrens ist gefunden
folgt, ist in F i g. 3 dargestellt, in der Beziehungen worden, daß eine tatsächliche Bewegung der
zwischen dem Zeitabstand, der längs der Abszisse 25 Schmelze oder ein Vermischen mi; den bereits abansteigt,
und der Menge der Aluminiumendfraktion geschiedenen Kristallen vorzugsweise möglichst gemit
einer Reinheit von 99,990O. die längs der Or- ring gehalten werden sollte. Aus diesem Grund wird
dinate ansteigt, wiedergegeben werden. Diese Kurve eine senkrechte oder praktisch senkrechte Bewegung
ist für die bestehenden Verhältnisse zwischen Zeit- der Verdichtungs- oder Stampfvorrichtung in bezug
abstand und Fraktionsmenge bezeichnend, obwohl 30 auf die Erstarrungszone bevorzugt,
sich die absoluten Werte je nach der gewünschten Die dritte und letzte Stufe des Verfahrens der Menge der Fraktion mit hoher Reinheit, die z. B. fraktionierten Kristallisation kann als ein Abtrennen 1.5, 20 oder 30 Gewichtsprozent der ursprünglichen oder Wiederaufschmelzen bezeichnet werden. Diese Schmelze ausmachen kann, und je nach der Reinheit Abtrennungs- oder Wiederaufschmelzstufen sind für der Fraktion verändern. 35 die Entfernung und Gewinnung der kristallisierten
sich die absoluten Werte je nach der gewünschten Die dritte und letzte Stufe des Verfahrens der Menge der Fraktion mit hoher Reinheit, die z. B. fraktionierten Kristallisation kann als ein Abtrennen 1.5, 20 oder 30 Gewichtsprozent der ursprünglichen oder Wiederaufschmelzen bezeichnet werden. Diese Schmelze ausmachen kann, und je nach der Reinheit Abtrennungs- oder Wiederaufschmelzstufen sind für der Fraktion verändern. 35 die Entfernung und Gewinnung der kristallisierten
Der Verdichtungsdruck wird vorzugsweise derart Fraktion brauchbar, die sich in den unteren Gebieten
auf einen Abschnitt der Fläche ausgeübt, daß eine einer unreinen Aluminiumschmelze abgeschieden hat
übermäßige Verdrängung des benachbarten, bereits und die verdichtet oder nicht verdichtet worden ist
verdichteten Materials nicht erfolgt. Der verwendete und die nach dem Verfahren der Erfindung oder
absolute Druck ist selbstverständlich eine Funktion 40 nach einem anderen Verfahren kristallisiert worden
der Fläche und der Form der druckausübenden Ober- ist. Die beschriebenen Grundsätze der Gewinnung
fläche. Gute Ergebnisse werden gewöhnlich mit und des Wiederaufschmelzens sind jedoch dann be-
Drücken von etwa 1 kg/cm2 bei Verwendung einer sonders vorteilhaft, wenn sie zusammen mit der
flachen Druckfläche erhalten, die natürlich bei Ver- Kristallisationsstufe und der Verdichtungsstufe der
wendung etwas abgerundet oder konisch gemacht 45 Erfindung bei der Erzeugung von sehr wertvollen
wird, weil das Metall örtlich erstarrt oder an der Fraktionen aus Hüttenaluminium oder aus Alumi-
Fläche anklebt. Bei der Ausführung der Verdich- nium mit einem ähnlichen Gehalt an Verunreinigun-
tungsstufe sollte die verwendete druckausübende gen in einer wesentlichen Ausbeute verwendet
Vorrichtung vor und, falls erforderlich, während der werden.
Verwendung erhitzt werden, damit ein massives Er- 5c Das in den F i g. 1 und 4 gezeigte Gefäß 11 ist
starren an der druckausiibenden Vorrichtung auf stets mit einer Abstichöffnung i8 versehen, deren
einen geringsten Wert verringert wird. Da ferner die öffnung in oder etwas unterhalb der Höhe des Bodens
druckausübende Vorrichtung mit der Schmelze in oder am untersten Punkt des Gefäßes 11 angeordnet
Berührung kommt, sollte diese Vorrichtung aus ist. Ein Stopfen 24 kann zum Verschließen'der Ab-
einem nicht verunreinigenden Material, wie aus Gra- 55 stichöffnung verwendet werden. Zu dieser Abstich-
phit, bestehen. öffnung gehört ein Brenner oder eine andere Er-
Die beschriebene Verdichtungsstufe wird an Hand hitzungsvorrichtimg 19. durch die die Abstichöffnung
von Fig. 4 näher erläutert, in der die in Fig. 1 während des Verfahrens, auf eine Temperatur oberschematisch
dargestellte Vorrichtung gezeigt ist. die halb der gehalten werden kann, die in dem Gefäß 11
durch zwei druckausübende Vorrichtungen ergänzt 60 herrscht. Dies äst eine zweckmäßige Vorkehrung,
ist, die aus an den Stäben 17 befestigten Graphit- weil die Aufschlämmung aus Kristallen und Mutterblöcken
16 bestehen. Da diese druckausübenden lauge in dem Gefäß eine Temperatur aufweist, die
Vorrichtungen mit etwa gleichem Ergebnis sowohl verhältnismäßig nahe am Erstarrungspunkt eines
von Hand als auch automatisch betätigt werden großen Teils der Mutterlauge liegt, so daß die
können, sind in der Zeichnung keine Bewegungs- 65 Mutterlauge zäh ist und zu einer langsamen
vorrichtungen gezeigt. Bei der praktischen Ausfüh- Bewegung und zu einem Erstarren neigt, wenn
rung können die Stampfvorrichtungen 16 an her- nicht an dieser Stelle von außen Wärme zugeführt
kömmlichen Luftzylindern befestigt sein, so daß die wird.
Wenn die Kristallisation bis zu dem gewünschten Punkt fortgeschritten ist, wird die Abstichöffnung 18
sofort geöffnet, wobei der Teil der Mutterlauge entfernt wird, der durch die Abstichöffnung fließt. Da
diese Mutterlauge nunmehr einen großen Teil der in der ursprünglichen Schmelze enthaltenen eutektischen
Verunreinigungen enthält, ist es zweckmäßig, wenn die oberhalb der Abscheidungszone liegende
Schmelze direkt zu der Abstichöffnung fließt, ohne daß diese mit den Kristallen in eine weitere unerwünschte
Berührung kommt, von denen der größte Teil in den unteren Gebieten des Gefäßes, d. h. in
der Abscheidungszone, vorliegt. Dieses Ziel kann in gewissem Ausmaß durch Erhitzen der Abstichöffnung
vor dem Öffnen und mit Hilfe eines geeigneten Werkzeuges, wie eines Graphitstabes, erreicht
werden, wobei ein Kanal oder ein Weg geringeren Widerstandes durch die abgeschiedene Kristallmasse
nach unten und an der Innenwand des Gefäßes entlang bis zu der Abstichöffnung gebildet wird. Gute
Ergebnisse werden jedoch auch erhalten, wenn das Gefäß mit einer weiteren Abstichöffnung 20 (in
F i g. 4 gezeigt) ausgerüstet wird, die auf der Höhe oder auf etwa der Höhe der endgültigen oberen Oberfläche
der abgeschiedenen Kristallmasse angebracht wird. Wenn eine solche Abstichöffnung 20 vorgesehen
wird, wird diese wie die Abstichöffnung 18 mit einer Erhitzungsvorrichtung 21 und mit einem
Verschluß 24 für die oben angegebenen Zwecke ausgerüstet. Durch diese zweite oder höherliegende Abstichöffnung
20 wird ein Abstechen der oberhalb der abgeschiedenen Kristallmasse vorliegenden Mutterlauge
ermöglicht, bevor die untere Abstichöffnung 18 geöffnet wird, so daß eine unzweckmäßige Berührung
der in den oberen Abschnitten vorliegenden unreinen Mutterlauge mit den abgeschiedenen Kristallen vermieden
wird.
Bei jeder Ausführungsform und unabhängig davon, ob unterschiedlich angeordnete Abstichöffnungen
verwendet oder nicht verwendet werden, wird die Mutterlauge unmittelbar nach beendetem fraktioniertem
Kristallisieren so weit wie möglich abgezogen. An den Oberflächen anhaftende oder eingeschlossene
Mutterlauge ist nicht beweglich und kann daher gewöhnlich nicht leicht abgezogen oder dekantiert
werden. Während des Abziehens wird die Temperatur in dem Gefäß möglichst nahe bei der Temperatur
gehalten, bei der die fraktionierte Kristallisation durchgeführt worden ist, so daß ein wesentliches
Erstarren der Mutterlauge, oder umgekehrt, ein wesentliches Schmelzen der Kristalle vermieden
wird. Nach beendetem Abziehen wird die Kristallmasse zwecks Wiederaufschmelzens und Gewinnen
des kristallisierten Materials erhitzt, das nach dem Schmelzen aus der Abstichöffnung 18 in irgendeine
geeignete Form oder eine Kühlvorrichtung oder einen Aufbewahrungsbehälter fließt.
Wenn das kristallisierte Material nach dem Abziehen der Mutterlauge eine'solche durchschnittliche
Reinheit besitzt, die bereits für das Endprodukt angemessen ist, dann kann das Wiederaufschmelzen
der Kristallmasse nach irgendeinem Verfahren erfolgen. Wenn jedoch das zu raffinierende Ausgangsmaterial
Hüttenaluminium ist und eine wesentliche Fraktion mit einer Reinheit von 99,99% oder darüber
erzeugt werden soll, wird eine wesentliche Fraktion gewöhnlich nur dann erhalten, wenn das Wiederaufschmelzen
so durchgeführt wird, daß der obere Anteil der Kristallmasse in der Abscheidungszone
zunächst als getrennte Fraktion oder Fraktionen zuerst geschmolzen und erst dann der untere Anteil
der Kristallmasse als Endfraktion geschmolzen wird. Diese Endfraktion besitzt die gewünschte größte
Reinheit. Dieses aufeinanderfolgende erneute Schmelzen kann nach verschiedenen Verfahren erfolgen,
wobei jedoch die besten Ergebnisse dann erhalten werden, wenn die zum erneuten Schmelzen benötigte
Wärme der oberen Oberfläche der von der Mutterlauge befreiten Kristallmasse zugeführt wird, so daß
ein nach unten fortschreitendes, aufeinanderfolgendes Schmelzen der Kristalle in praktisch waagerechten
Abschnitten erfolgt. Wenn die in waagerechten Anteilen in dem oberen Abschnitt der von der
Mutterlauge befreiten Kristallmasse liegenden Kristalle zuerst geschmolzen und die geschmolzene
Schmelze abgezogen wird, kann eine Trennung in wiederaufgeschmolzene Fraktionen mit einer ansteigenden
Reinheit erfolgen, wobei der letzte der fortschreitend nach unten erschmolzenen waagerechten
Anteile die Fraktion mit der größten Reinheit liefert.
Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, bei der Aluminium mit einer Reinheit von
99% oder darüber raffiniert und eine wesentliche Fraktion mit einer Reinheit von 99,99% oder darüber
erhalten wird, wird nach dem an Hand von F i g. 6 schematisch gezeigten Verfahren gearbeitet,
die den in Fig. 4 gezeigten Behälter mit Zubehör bei der Stufe des Verfahrens zeigt, bei der die entfernbare
Mutterlauge von der verdichteten Kristallmasse abgezogen worden ist, die nunmehr in der
Abscheidungszone 13 liegt. Bei dieser Stufe des Verfahrens
sind die in F i g. 4 gezeigten Verdichtungsvorrichtungen bereits entfernt und durch eine auf
dem Behälter angeordnete Deckplatte 23 ersetzt worden, die mehrere Erhitzungsvorrichtungen 22
aufweist, die irgendeine Bauart besitzen können, hier aber schematisch als Gasbrenner gezeigt worden
sind, deren Gasanschluß nicht gezeigt ist. Diese Deckplatte kann, wie gezeigt, auf der Öffnung des
Behälters angeordnet werden. Wenn an den Innenwänden des Behälters 11, wie bei 15 in den F i g. 1
und 2 gezeigt, massiv erstarrtes Material vorliegt, und wenn dieses erstarrte Material nicht aufgeschmolzen
werden soll, dann kann die Deckplatte 23 derart bemessen sein, daß sie in den Behälter 11
in einer Ebene oberhalb der Oberfläche der abgeschiedenen Kristalle, jedoch unterhalb des massiv
erstarrten Materials an den Seitenwänden eingesetzt werden kann. Bei jeder Ausführungsform werden
nach dem Auflegen der Deckplatte 23 die Erhitzungsvorrichtungen in Betrieb genommen, worauf mit dem
Aufschmelzen der oberen Teile der in der Abscheidungszone liegenden Kristallmasse begonnen wird.
Beim Aufschmelzen der Kristalle bahnt sich die Schmelze ihren Weg zu dem Boden des Behälters
und zu der Abstichöffnung 18, aus der sie ausfließt und in geeignete Formen zwecks Wiederverwendung
gegossen werden kann. Wenn eine ausreichende Menge des oberen Anteils der Kristallmasse aufgeschmolzen
und eine gewünschte Menge dieser Fraktion erhalten worden ist, dann kann das aus
der Abstichöffnung austretende Metall zu anderen Formen oder Behältern geleitet werden, die die
nächste Fraktion aufnehmen, wobei dieses Verfahren fortgesetzt wird, bis die gesamte Menge der Kristalle
i 211
aufgeschmolzen worden ist. Die Aui'schmelztemperatur ist nicht hoch und wird gewöhnlich nur wenige
Grade oberhalb der Temperatur gehalten, bei der die Kristalle aufschmelzen. Eine solche Vorsichtsmaßnahme
ist zweckmäßig, damit eine Wärmeansammlung in dem aufgeschmolzenen Metall vermieden
wird, die zu einem unerwünschten Schmelzen von anderen Kristallen führen würde, mit denen das
aufgeschmolzene Metall bei seinem Weg nach unten und gegebenenfalls zu der Abstichöffnung 18 in Berührung
kommen kann.
Bei der praktischen Ausführung des Verfahrens im technischen Maßstab, und zwar bei der Raffination
von Hüttenaluminium-Chargen mit einem Ausgangsgewicht von etwa 90 bis 900 kg, werden stets Fraktionen
mit einer Reinheit von 99,99% Aluminium und darüber, die etwa 20 bis 30 Gewichtsprozent des
Ausgangsmaterials ausmachen, erhalten, ohne daß mehr als etwa 15 Gewichtsprozent des Ausgangsmaterials
verschlechtert werden, wobei auch dieser Aluminiummetallanteil noch eine Reinheit besitzt,
die für viele Zwecke angemessen ist. In den meisten Fällen ist der auftretende Metallverlust nicht größer
als der, der auf Grund einer Oxydation und Schaumbildung und beim Handhaben, z. B. durch Verspritzen,
auftritt, wenn ähnliche Aluminiummengen für andere Zwecke geschmolzen und gehandhabt
werden.
In den folgenden Beispielen wird die Ausführung der Verfahren der Erfindung erläutert.
Das verwendete Material bestand aus 21,3 kg unreinem Hüttenaluminium mit einem Aluminiumgehalt
von etwa 99,8 Gewichtsprozent, in dem die eutektischen Verunreinigungen zum größten Teil aus
0,094 Gewichtsprozent Eisen, 0,067 Gewichtsprozent Silicium und 0,017 Gewichtsprozent Gallium bestanden.
Die Gesamtmenge der pertektischen Verunreinigungen betrug etwa 0,011 Gewichtsprozent, wobei
Titan in einer Menge von 0,005 Gewichtsprozent zugegen war und die hauptsächliche Verunreinigung
darstellte. Die Gesamtmenge des Materials wurde in einem Mischofen geschmolzen, worauf der Schmelze
etwa 31,6 g einer Aluminium-Bor-Legierung, die etwa 3 Gewichtsprozent Bor enthielt, zugesetzt wurden.
Nach dem Schmelzen der Legierung und nach vollständigem Umrühren des Gemisches wurde die
erhaltene Schmelze etwa 30 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 720° C in einem Ruhezustand
gehalten, wobei sich die pertektischen Verunreinigungen abschieden. Die erhaltene Schmelze wurde
von den abgeschiedenen pertektischen Verunreinigungen abgetrennt und dann als Beschickungsmaterial
verwendet, das pertektische Verunreinigungen in einer Gesamtmenge von nur 0,005 Gewichtsprozent
enthielt.
Die nach diesem Verfahren behandelte Schmelze wurde dann in einen isolierten Schmelzbehälter gebracht,
der vorerhitzt war, so daß die inneren Oberflächen eine Temperatur von etwa 665° C hatten.
Die Tiefe der geschmolzenen Metallmasse betrug etwa 28 cm, und die obere, der Luft ausgesetzte
Oberfläche betrug etwa 3,7 dm2. Die Luft-Metall-Grenzfläche wurde auf 660° C abkühlen gelassen,
wobei die Kristallisation eingeleitet wurde. Während des fraktionierten Kristallisationsverfahrens wurde
die Temperatur an der Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft derart geregelt, daß an
der Grenzfläche eine Kristallisationsgeschwindigkeit von etwa 4,31 kg je Stunde je dm2 der Grenzfläche
erzielt wurde. Die fraktionierte Kristallisation wurde in einer Zone unmittelbar an, unter oder parallel zu
der Luft-Metall-Grenzfläche eingeleitet. Die Tiefe der Zone betrug etwa 7,6 cm. Zwecks Vermeidung
einer Krustenbildung an der Oberfläche bei der Berührung der geschmolzenen Mutterlauge mit der
Luft wurde an der Grenzfläche dieser Kristallisationszone von Zeit zu Zeit mit einem Graphitstab mäßig
gerührt. Die fraktionierte Kristallisation wurde für eine Dauer von etwa 60 Minuten ablaufen gelassen,
wobei nach Ablauf dieser Zeit etwa 80 Gewichtsprozent des ursprünglich geschmolzenen Metalls in
fester kristalliner Form vorlagen. Die in der Kristallisationszone vorliegenden Kristalle lagen in Form einzelner
Kristalle vor. Innerhalb der Kristallisationszone wurde keine massive Erstarrung beobachtet.
Die Kristalle setzten sich nach ihrer Bildung in tieferen Abschnitten des Behälters ab und bildeten am
Boden des Behälters eine dichte Kristallschicht, die etwas Mutterlauge enthielt. Bei dem Verfahren wurden
die isolierten Außenwände des Behälters an der Seite auf einer Temperatur von etwa 600° C und am
Boden auf einer Temperatur von 670° C gehalten. Durch Aufrechterhalten dieses Temperaturunterschiedes
wurde sichergestellt, daß in dem Behälter innerhalb der Abscheidungszone, d. h. in den unteren
Abschnitten des Behälters, in dem die abgeschiedenen Kristalle zur Ruhe kommen, eine massive Erstarrung
nicht erfolgte. An der Seitenwand, und zwar unmittelbar neben der Kristallisationszone, erfolgte
jedoch eine geringe Erstarrung. Die Gesamtmenge des massiv erstarrten Metalls betrug etwa 1,8 kg. Das
erstarrte Metall bildete ein Band mit einer Breite von etwa 2,5 cm an und unmittelbar unter der Verfestigungszone.
Die größte Tiefe dieses Bades, das eine unregelmäßige Tiefe aufwies, betrug etwa 5 cm.
Nach der Verfestigung von etwa 80 Gewichtsprozent der ursprünglichen Beschickung wurde ein seitliches
Abstichloch, das in der Höhe des Bodens des Behälters angeordnet war, geöffnet, worauf aus dem
Behälter die abziehbare Mutterlauge entfernt wurde. Vor dem Öffnen des Abstichloches waren die Wände
des Abstichloches vorerhitzt worden. Das Abziehen der Mutterlauge erfolgte innerhalb von etwa
1 Minute, wobei die Menge der Mutterlauge etwa 3 Gewichtsprozent der Ausgangsbeschickung ausmachte
und wobei die Mutterlauge etwa 5,5% der eutektischen Verunreinigungen enthielt, die in dem
Ausgangsgewicht des Hüttenaluminiums zugegen waren. Nach beendetem Abziehen der Mutterlauge
wurde die obere Oberfläche der von der Mutterlauge befreiten Kristallmasse einer mehr oder weniger
gleichmäßig verteilten Erhitzung ausgesetzt, wobei eine wiederaufgeschmolzene Fraktion erhalten wurde,
die bei einer Temperatur von etwa 660 bis 670° C aus dem Gefäß abgezogen wurde. Dieses Erhitzen
wurde fortschreitend nach unten fortgesetzt, bis die Kristallmasse bis auf den Boden geschmolzen war.
Ein erster Schmelzenanteil des wiederaufgeschmolzenen Materials, der bei dem fortschreitenden
Schmelzen waagerechter Anteile erhalten worden war und der etwa 75 % der Masse ausmachte, wurde
abgetrennt und hatte eine Reinheit von 99,8%, wobei sich die restlichen Verunreinigungen wie
folgt zusammensetzen: 0,12 Gewichtsprozent Eisen, 0,084 Gewichtsprozent Silicium, 0,018 Gewichtsprozent
Gallium und 0,008 Gewichtsprozent andere Verunreinigungen. Der restliche oder zuletzt geschmolzene
Anteil der nach unten fortschreitend aufgeschmolzenen Kristallmasse wurde in Form einer
Endfraktion abgetrennt, die einen Aluminiumgehalt von 99,97% und ein Gewicht von etwa 5,45 kg hatte.
Der Gehalt dieser Endfraktion an Verunreinigungen setzte sich aus 0,008 Gewichtsprozent Eisen,
0,017 Gewichtsprozent Silicium, 0,005 Gewichtsprozent Gallium und aus 0,005 Gewichtsprozent anderen
Verunreinigungen zusammen. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens erfolgte keine Verdichtung
der Kristallmasse in der Kristallisationszone. Etwa 1 Gewichtsprozent der Gesamtbeschickung gingen
durch Verschütten oder durch Oxydation verloren. Wenn man den bei der Gewinnung des oxydierten
oder verschütteten Anteils erhaltenen Wert nicht berücksichtigt, überschreitet der Wert der bei
dem Verfahren erhaltenen Fraktionen den Wert des Ausgangsmaterials um etwa 17 %.
Das verwendete Material bestand aus 453 kg unreinem Aluminium mit einem Aluminiumgehalt von
etwa 99,90%. Pertektische Verunreinigungen, zu denen Titan, Chrom, Vanadium und Zirkonium gehörten,
waren in einer Menge von etwa 0,001 Gewichtsprozent zugegen. Die Gesamtmenge der eutektischen
Verunreinigung betrug 0,094 Gewichtsprozent, und zwar war Eisen in einer Menge von
0,036 Gewichtsprozent, Silicium in einer Menge von 0,043 Gewichtsprozent und Gallium in einer Menge
von 0,008 Gewichtsprozent zugegen. Das Metall wurde zunächst nach dem im Beispiel 1 beschriebenen
Verfahren zwecks Entfernung der pertektischen Verunreinigungen behandelt. Anschließend wurde das
behandelte Metall in einen Schmelzbehälter gebracht, der zuvor vorerhitzt worden war, so daß dessen
Innenflächen eine Temperatur von etwa 665 bis 670° C aufwiesen. Die in dem Behälter enthaltene
Metallmasse hatte eine Tiefe von etwa 38 cm und hatte gegenüber der Luft eine freie Oberfläche von
etwa 52 dm2. Die Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft wurde auf eine Temperatur
von 660° C gebracht, wobei die Kristallisation eingeleitet wurde. Die Temperatur des Metalls wurde
zwecks Bildung einer Kristallisationszone an, unter und parallel zu der Grenzfläche aus geschmolzenem
Metall und Luft mit einer Tiefe von etwa 10 cm aufrechterhalten, so daß in dieser Zone Kristalle mit
einer Geschwindigkeit von etwa 3 kg je Stunde je dm2 dieser Grenzfläche abgeschieden wurden. Bei der folgenden
Kristallisation, die etwa 2 Stunden in Anspruch nahm, wurden die umgrenzenden Wände der
Kammer gerade oberhalb der Temperatur des Metalls gehalten, mit dem sie in Berührung korn- 6c
men, so daß das massive Erstarren an den umgrenzenden Außenseiten des Gemisches aus Mutterlauge
und Kristallen auf einen geringsten Wert gehalten wurde. Innerhalb der Kristallisationszone wurde kein
massives Erstarren beobachtet, wobei jedoch ein geringes Erstarren an der Seitenwand unmittelbar neben
der Grenzfläche des Metalls gegenüber der Luft erfolgte. Unmittelbar nach dem Einsetzen der Kristallisation
wurde mit der Verdichtung der Kristalle begonnen, die sich in den unteren Abschnitten der
geschmolzenen Masse auf Grund der Schwerkraft absetzten. Die Verdichtung erfolgte durch senkrechtes
Bewegen von Graphitstäben, die eine Druckoberfläche von je etwa 1,93 dm2 hatten. Vier dieser
Stäbe wurden hierzu verwendet, wobei am obersten Punkt jedes senkrechten Hubes jeder Stab zu einer
anderen Stellung seitlich versetzt wurde, so daß beim nächsten Hub ein anderer Anteil der Kristallmasse
verdichtet wurde. Die Kristallmasse war über einer Fläche ausgebreitet, die etwa der Fläche der Grenzfläche
zwischen geschmolzenem Metall und Luft entsprach, wenn man diese Fläche senkrecht projiziert.
Die senkrechte Bewegung der Graphitstäbe und deren Versetzung nach jedem Hub wurden seitlich
derart bemessen, daß die gesamte Fläche einmal in einer halben Minute mit der Druckfläche eines Stabes
in Berührung kam. Die Druckstäbe oder Stampfvorrichtungen hatten eine solche Länge, daß stets ein
Anteil davon aus der Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft herausragte. Während jedes
senkrechten Hubes wurde der Stab von dieser Grenzfläche abgehoben und wurde dabei Gasbrennern ausgesetzt,
die zum Erhitzen der Stäbe nach jedem Hub dienten, so daß ein örtliches Abkühlen und ein massives
Erstarren an den Druckstäben verhindert wurde. Beim Fortschreiten der Kristallisation wurde der Hub
der Stäbe verkürzt, weil die Dicke und die Festigkeit des Bettes aus den verdichteten Kristallen zunahm
und das Bett dem Druck der Stäbe widerstand. Nachdem durch die fraktionierte Kristallisation etwa
70% des ursprünglichen Metalls in Form von Kristallen erhalten worden waren, wobei das verdichtete
Kristallbett in der Abscheidungszone eine Dicke von etwa 10 cm angenommen hatte, wurden die Druckstäbe
herausgezogen, wurde ein vorerhitztes Abstichloch, das an der Außenseite der verdichteten Masse
am Boden angeordnet war, geöffnet und die abziehbare Mutterlauge daraus abgezogen, wodurch die
fraktionierte Kristallisation beendet wurde. Diese abziehbare Mutterlauge machte etwa 15 Gewichtsprozent
der ursprünglichen Beschickung aus und enthielt 35% der Gesamtmenge der in der ursprünglichen
Beschickung enthaltenen Verunreinigungen. Auf die obere Oberfläche der von der Mutterlauge befreiten
und verdichteten Kristallmasse wurde eine gleichmäßige Wärmequelle einwirken gelassen, um die
Kristalle aufzuschmelzen, wobei eine Schmelze mit einer Temperatur von 660 bis 670° C erhalten wurde,
die nach ihrer Bildung durch die Schwerkraft zu dem und durch das Abstichloch befördert wurde. Als erste
aufgeschmolzene Fraktion wurde die Schmelze der obersten 70% der Kristallmasse erhalten. Die erste
Fraktion hatte ein Gewicht von etwa 272 kg, machte 60 % der ursprünglichen Beschickung aus, hatte eine
Aluminiumreinheit von. 99,90 Gewichtsprozent, einen Gehalt an pertektischen Verunreinigungen von 0,000
Gewichtsprozent und einen Gehalt an eutektischen Verunreinigungen von 0,10 Gewichtsprozent, wovon
Eisen 0,038 Gewichtsprozent, Silicium 0,045 Gewichtsprozent und Gallium 0,008 Gewichtsprozent
ausmachte. Eine zweite und endgültige Fraktion wurde dann gewonnen, indem der Rest der Kristalle
wiederaufgeschmolzen wurde. Die zweite Fraktion hatte ein Gewicht von etwa 113 kg und besaß eine
Aluminiumreinheit von 99,99 Gewichtsprozent. Diese Endfraktion enthielt nur noch 3 % der ursprünglichen
eutektischen Verunreinigungen, bezogen auf das Gewicht der gesamten Fraktion. Bei dem gesamten
Verfahren betrug der durch Oxydation und Verspritzen hervorgerufene Metallverlust etwa 1 Gewichtsprozent
des Ausgangsmaterials. Wenn man den bei 5 der Gewinnung des oxydierten oder verspritzten
Materials erhaltenen Wert nicht berücksichtigt, ist der Gesamtwert der abgezogenen Mutterlaugenfraktion,
der ersten wiederaufgeschmolzenen Fraktion und der zweiten wiederaufgeschmolzenen Fraktion
um etwa 31% größer als der ursprüngliche Wert des Ausgangsmaterials, wenn man, wie bei Beispiel 1,
alle Werte unter Berücksichtigung der gegenwärtig erzielten Marktpreise berechnet.
Das im Beispiel 2 beschriebene Verfahren wurde wiederholt, wobei jedoch das Abziehen der abzieh- ao
baren Mutterlauge in zwei Stufen wie folgt durchgeführt wurde. Das erste Abziehen erfolgte durch ein
vorerhitztes Abstichloch, das unmittelbar oberhalb der Oberfläche der verdichteten Kristallmasse angeordnet
war. Anschließend wurde ein Abstichloch, das an der Außenseite der verdichteten Kristallmasse
und in der Höhe des Bodens dieser Masse angeordnet war, geöffnet, wobei der Rest der abziehbaren Mutterlauge
entfernt wurde. Durch dieses zweistufige Abziehverfahren wurde die Aluminiumausbeute der aufgewerteten
Fraktion etwas, und zwar auf etwa 80% absolut, erhöht.
Bei der technischen Ausführung des bevorzugten Verfahrens, bei der Ausgangschargen mit einem Gewicht
von etwa 750 kg verwendet werden, wird stets eine wiederaufgeschmolzene Endfraktion mit einer
Reinheit von 99,99 Gewichtsprozent Aluminium oder darüber in einer Menge von etwa 16% des Gesamtgewichts
des Ausgangsmaterials und werden andere Fraktionen mit einem solchen Wert erhalten, daß bei
den gegenwärtig vorliegenden Marktpreisen der Wert des Ausgangsmaterials um mindestens 19% erhöht
wird.
Die bei der praktischen Ausführung des Verfahrens erhaltenen Ergebnisse können durch Regeln von
anderen Veränderlichen noch verbessert werden. Es ist z. B. gefunden worden, daß den Wänden des Behälters,
die die Schmelze umfassen, vorzugsweise eine solche Form gegeben werden sollte, daß scharfe oder
zurückhaltende Winkel vermieden werden, wobei auch die Wände derart geneigt sein sollten, daß das
Fließen zu dem Abstichloch oder der Öffnung durch die Schwerkraft erleichtert wird, durch die die Mutterlauge
oder Schmelze abgezogen wird, die beim Wiederaufschmelzen der abgeschiedenen Kristalle
erhalten wird. Auch ist eine Ausführung des Verfahrens zweckmäßig, bei der die Oxydbildung an der
Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft verringert oder vermieden wird. Eine solche
Regelung kann in bekannter Weise erfolgen, indem entweder das Oxyd durch Abheben mechanisch entfernt
oder indem die Oxydbildung durch Verwendung einer inerten Atmosphäre verhindert wird. Ob
und in welchem Ausmaß eine solche Regelung zweckmäßig ist, wird von wirtschaftlichen Gesichtspunkten,
und zwar dadurch bestimmt, ob die erhaltene erhöhte Wärmeübertragung an der Grenzfläche den Kosten
für die Regelung entspricht.
Claims (8)
1. Verfahren zum Raffinieren von flüssigem Aluminium, insbesondere von Hüttenaluminium,
mit einer Reinheit von mindestens 99%, das eutektische Verunreinigungen enthält, durch fraktionierte
Kristallisation, wobei das zu raffinierende Aluminium in einen oben offenen Schmelzbehälter
gebracht und das flüssige Metall zur Herbeiführung der fraktionierten Kristallisation abgekühlt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärme fast vollständig durch die Grenzfläche
zwischen geschmolzenem Metall und Luft mit einer solchen Geschwindigkeit abgeführt wird,
daß sich aluminiumreiche Kristalle in der Schmelze aus unreinem Aluminium an, unter und
in einer Zone bilden können, die zur Grenzfläche zwischen geschmolzenem Metall und Luft im
wesentlichen parallel verläuft, und daß diese aluminiumreichen Kristalle in der schmelzflüssigen
Metallmasse absitzen gelassen werden, daß die Kristallisation fortgesetzt wird, bis ein bestimmter
Anteil der ursprünglich schmelzflüssigen Masse auskristallisiert ist, daß zwischenzeitlich auf den
oberen Teil der Kristallmasse unter Bildung eines kompakten Kristallkörpers Druck ausgeübt wird
in dem Maße, in dem die Kristalle sich vermehren, daß anschließend die Mutterlauge über dem
Kristallkörper abgetrennt wird und daß der Kristallkörper an der Oberfläche des Körpers nochmals
aufgeschmolzen wird und der Rest des Körpers fortschreitend geschmolzen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristalle durch Wärmeeinwirkung
über der oberen Begrenzungsfläche des Kristallkörpers erneut geschmolzen werden,
wobei der Körper fortschreitend nach unten wieder geschmolzen und mit dem Fortschreiten des
Schmelzens das erneut geschmolzene Aluminium mindestens in zwei aufeinanderfolgenden Fraktionen
getrennt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckanwendung
bei jeder gegebenen Einwirkung auf eine Fläche erfolgt, die nicht größer als die Hälfte
der gesamten oberen Begrenzungsfläche der durch die Kristalle gebildeten Masse ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckanwendung
mit solcher Geschwindigkeit erfolgt, daß der Druck auf nahezu der gesamten oberen
Fläche des Kristallkörpers mindestens einmal während etwa jeweils 10 Minuten ausgeübt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Geschwindigkeit
der Wärmeübertragung an der Grenzfläche erhöht wird, während der Wärmeausgleich an den von dem Behälter umfaßten
Außenseiten des geschmolzenen Körpers aufrechterhalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß an der Berührungsstelle der
Grenzfläche mit druckausübenden Vorrichtungen der Wärmeausgleich aufrechterhalten wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeübertragung
an der Grenzfläche durch Regeln der Temperaturbedingungen an dieser Fläche beschleunigt
wird.
609 510/347
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschleunigung
der Wärmeübertragung an der Grenzfläche durch Inberührungbringen des flüssigen Aluminiums an der Grenzfläche mit einem
20
sich bewegenden kühlenden Mittel, vorzugsweise Luft, erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 326160, 561173.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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