DE1209212B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

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DE1209212B
DE1209212B DES86760A DES0086760A DE1209212B DE 1209212 B DE1209212 B DE 1209212B DE S86760 A DES86760 A DE S86760A DE S0086760 A DES0086760 A DE S0086760A DE 1209212 B DE1209212 B DE 1209212B
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vapors
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DES86760A
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Dr-Ing Reimer Emeis
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
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    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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AT688062A AT237751B (de) 1962-08-28 1962-08-28 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

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CH (1) CH409574A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1209212B (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1019332A (cg-RX-API-DMAC10.html)

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