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Transistor-Mischschaltung Die Erfindung betrifft eine Transistor-Mischschaltung
für zwei weit voneinander entfernte Frequenzbereiche, z. B. 41 bis 68 und 174 bis
216 MHz, bei der die Zwischenfrequenz nur wenig niedriger ist als die niedrigste
Empfangsfrequenz, wobei die Ortsoszillatorschwingungen über einen sehr kleinen Kondensator
dem Mischtransistor zugeführt werden. Solche Verhältnisse liegen insbesondere vor
beim Empfang von mehr als eine Oktave voneinander entfernten Frequenzbereichen in
Fernsehempfängern, die sowohl für Band 1 (41 bis 68 MHz) als auch für Band 111 (174
bis 216 MHz) eingerichtet sind.
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Bei einer derartigen Schaltung ergibt sich, daß der Eingangswiderstand
des Mischtransistors im niedrigeren Frequenzbereich wesentlich höher als im höheren
Frequenzbereich ist.
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Bei einer Mischschaltung der eingangs erwähnten Art wird dies vermieden,
und es wird eine gleichmäßige Aussteuerung durch die Oszillatorschwingungen und
eine gleichmäßige Mischsteilheit erreicht, wenn gemäß der Erfindung in Reihe mit
dem Kondensator eine Spule mit geringer Selbstinduktion eingeschaltet ist, derart,
daß die Kopplung zwischen dem Ortsoszillator und dem Mischtransistor mit höheren
Frequenzen so stark zunimmt, daß die dem Mischtransistor zugeführte Oszillatorenergie
vom Frequenzbereich unabhängig ist.
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Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Figuren beispielsweise
näher erläutert, die in F i g. 1 ein Prinzipschaltbild und in F i g. 2 ein eingehender
ausgeführtes Beispiel zeigen. In F i g. 1 werden dem aus einer Spule 3 und einem
Kondensator 4 aufgebauten Hochfrequenzparallelkreis 2, dessen nicht mit Erde verbundenes
Ende über einen Koppelkondensator 5 mit der Basis des Mischtransistors 1 verbunden
ist, Hochfrequenzsignale aus der Quelle 13 zugeführt. Umschaltung von einem Kanal
auf den anderen und von -einem Band auf das andere erfolgt durch Austausch der Spule
3. Die von einem Ortsoszillator 10 herrührenden Signale werden über einen sehr kleinen
Kondensator 9 mit den Eingangselektroden des Mischtransistors 1 gekoppelt. Zwischen
dem Emitter und der Basis des Transistors 1 ist ein aus einer Reihenschaltung einer
Spule 6 und eines Kondensators 7 bestehender Saugkreis angebracht. Die Spule 6 ist
durch einen Widerstand 8 überbrückt. Der Widerstand dämpft den Saugkreis 6, 7 in
so hohem Maße, daß die Rückwirkung des Zwischenfrequenzkreises 11 über die Kollektor-Basis-Kapazität
des Mischtransistors 1 zum Hochfrequenzkreis 2 ein vernachlässigbares Zwischenfrequenzsignal
zwischen Emitter und Basis des Transistors 1 in einem breiten Frequenzbereich erzeugt,
wodurch die Durchlaßkurve des Zwischenfrequenzkreises 11 vom Saugkreis 6, 7 nicht
verformt wird. Außerdem sorgt der Widerstand 8 dafür, daß der aus dem Saugkreis
6, 7 und der Eingangsstreukapazität 12 des Transistors 1 bestehende Parallelkreis,
der im Frequenzbereich des Bandes 1 (41 bis 68 MHz) noch eine große Impedanz hat
und die Durchlaßkurve des Hochfrequenzkreises 2, wenn dieser auf einen Kanal im
Band I abgestimmt ist, ungünstig beeinflußt, erheblich gedämpft wird, wodurch die
Durchlaßkurve des Hochfrequenzkreises ihre erwünschte Form beibehält.
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Für die Kanäle im Band III ist diese Dämpfung zwar viel geringer,
aber hier sind die erwähnten Nachteile weniger störend, weil nicht nur der Parallelkreis
6, 7, 12 eine vernachlizssigbare Impedanz hat, sondern auch, weil jetzt die Eingangsimpedanz
des Transistors 1 viel kleiner ist als für Frequenzen im Band I.
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Es wird in Reihe mit dem Koppelkondensator 9 eine Spule 19 mit geringer
Selbstinduktion geschaltet, die dafür sorgt, daß die Kopplung zwischen dem Ortsoszillator
und dem Mischtransistor 1 bei höheren Frequenzen zunimmt. Hierdurch wird erreicht,
daß, wenn man die Eingangsimpedanz des Transistors 1 in Erwägung zieht, die dem
Mischtransistor 1 zugeführte Oszillatorenergie vom Frequenzbereich unabhängig ist.
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Das Ausführungsbeispiel nach F i g. 2 zeigt ein eingehend ausgeführtes
Schaltbild eines Transistorverstärkers, der eine Schaltung enthält, deren Prinzipschaltbild
in F i g.1 dargestellt ist. Auf die übliche Weise wird das zu verstärkende Signal
über eine Antenne und einen Hochfrequenzeingangskreis 14 von einem Transistor 20
verstärkt und dann dem Hochfrequenzparallelkreis
2 und über den
Koppelkondensator 5 dem Mischtransistor 1 zugeführt. Die im Transistor
16 erzeugten Ortsoszillatorsignale werden über den sehr kleinen Kondensator
9 gleichfalls dem Mischtransistor 1 zugeführt.
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Durch die erwähnte Wirkung der Spule 19 wird somit erreicht, daß die
dem Mischtransistor 1. zugeführte Oszillatorenergie im Frequenzbereich des Bandes
III von der gleichen Größenordnung ist wie im Frequenzbereich des Bandes I.
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Umschaltung der Oszillatorfrequenz von einem Band auf das andere und
von einem Kanal auf den anderen erfolgt durch Austausch der Spule 17.
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Für die Schaltelemente werden z. B. die folgenden Werte gewählt:
| Kondensator 4 . . . . . . . . . . . 0,5 bis 2 pF |
| Kondensator 5 . . . . . . . . . . . 4,7 pF |
| Kondensator 7 . . . . . . . . . . . 47 pF |
| Kondensator 9 . . . . . . . . . . . 1 pF |
| Kondensator 18 . . . . . . . . . . . 0,5 bis 2 pF |
| Kondensator 21 . . . . . . . . . . . 18 pF |
| Selbstinduktion 6 . . . . . . . . . 0,44 #tH |
| Selbstinduktion 19 . . . . . . . . . 0,25 VJ |
| Widerstand 8 . . . . . . . . . . . . . 470 Ohm |
Die Transistoren sind vom Typ; bei dem in geerdeter Emitterschaltung der Eingangswiderstand
bei 60 MHz etwa 300 Ohm und bei 20Ö MHz etwa 30 Ohm beträgt,, während die Eingangskapazität
bei diesen Frequenzen etwa..30 bzw. etwa 1.0 pF-ist.