DE1207965B - Transistorverstaerker zur Steuerung eines Relais - Google Patents

Transistorverstaerker zur Steuerung eines Relais

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DE1207965B
DE1207965B DES90331A DES0090331A DE1207965B DE 1207965 B DE1207965 B DE 1207965B DE S90331 A DES90331 A DE S90331A DE S0090331 A DES0090331 A DE S0090331A DE 1207965 B DE1207965 B DE 1207965B
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DE
Germany
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relay
amplifier
transistor
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voltage
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Application number
DES90331A
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English (en)
Inventor
Kurt Hornecker
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Transistorverstärker zur Steuerung eines Relais Die Erfindung betrifft einen Transistorverstärker zur Steuerung eines Relais in Abhängigkeit von der Amplitude einer gleichgerichteten Wechselspannung unter Verwendung von die Vorspannung der Transistoren stabilisierenden Zenerdioden in den Emitterkreisen.
  • Derartige Verstärker sind bekannt. Bei diesen Verstärkern tritt das Problem auf, daß die Betriebsspannung des Verstärkers möglichst weitgehend stabilisiert werden muß, wenn das Relais bei einem genau bestimmten Wert der Eingangsspannung erregt werden soll. Dieser Ansprechschwellwert kann aber andererseits infolge der Temperaturabhängigkeit der Transistoren sich sehr leicht in unerwünschter Weise verändern.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, mit geringem Aufwand einen Verstärker der eingangs geschilderten Art zu schaffen, der gegenüber Betriebsspannungsschwankungen und Temperaturänderungen weitgehend unempfindlich ist und sich beispielsweise als Schaltverstärker für Gegen- und Wechselsprechanlagen eignet, bei denen das Vorhandensein einer Wechselspannung bestimmter Höhe die Umschaltung eines Relais bewirken soll.
  • Es ist an sich bekannt, durch temperaturabhängige Widerstände und Dioden Transistorverstärker zu stabilisieren. Ferner ist es bekannt, in den Basiskreis eines Transistors eine Zenerdiode zur Spannungskonstanthaltung zu legen. Schließlich ist es bei Transistorverstärkern auch vielfach üblich, die Basiselektrode galvanisch an den Emitterkreis oder den Kollektorkreis der vorhergehenden Stufe zu koppeln. Bei Schaltverstärkern ist es ferner bekannt, den Schwellwert"bei dem das Relais umgeschaltet werden soll, von einer Diode abzuleiten, die im Emitterkreis des Transistors, welcher das Relais steuert, enthalten ist.
  • Bei einem bekannten Schaltverstärker mit zwei Transistoren wird die gesamte Speisespannung mittels einer Zenerdiode konstant gehalten. Zusätzlich ist eine weitere Diode mit einem besonderen Temperaturgang vorgesehen, die im Vorspannungskreis für die Basiselektrode des ersten Transistors liegt. Eine dritte Diode ist in den Emitterkreis des zweiten Transistors gelegt, welcher das Relais steuert; sie dient dort als Vorspannungserzeuger. Dieser bekannte Schaltverstärker hat im Vergleich zum Gegenstand der Erfindung eine geringere Verstärkung bei größerem Aufwand an Stabilisierungsmitteln. Demgegenüber zeichnet sich der Verstärker gemäß der Erfindung dadurch aus, daß eine Signalgleichrichterdiode in an sich bekannter Weise galvanisch mit der Basis eines ersten Transistors einer dreistufigen Verstärkerkaskade mit galvanischer Kopplung der Transistoren verbunden ist und daß sowohl die Kollektorspannung als auch die Basisvorspannung der ersten Stufe, in deren Emitterkreis keine Zenerdiode zur Stabilisierung eingeschaltet ist, von der Zenerdiode im Emitterkreis der dritten Stufe abgenommen sind, durch die das Relais gesteuert wird. Das Relais des Schaltverstärkers kann mit Vorteil neben seiner Funktion als Umschalter für Senden und Empfangen auch als Schalter für eine Anrufsignaleinrichtung oder für die Rauschunterdrückung in Sprechpausen herangezogen werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist nachstehend an Hand der Zeichnung erläutert, die schematisch einen Wechselsprechempfänger zeigt. Mit 1 ist eine Antennenschleife bezeichnet, die an die Eingangsklemmen 2, 3 eines Empfangsverstärkers 4 angeschlossen ist. Die Ausgangsklemmen 5, 6 des Empfangsverstärkers 4 sind mit einem mittels der Kapazität 7 abgestimmten Transformator 8 verbunden, der die empfangene Hochfrequenzspannung einer Signalgleichrichterdiode 9 zuführt, die im Basiskreis des Transistors 10 liegt. An die Basiselektrode des Transistors 10 ist der Eingang des Endverstärkers 11 angeschlossen, dessen Ausgangsübertrager 12 die Ausgangsklemmen 13, 14 speist, an welche ein geeignetes Tonwiedergabegerät angeschlossen werden kann. Die Betriebsspannung des Endverstärkers 11, die an der Klemme 15 zugeführt wird, ist über den Kontakt 16 mittels des Relais 17 abschaltbar, wenn das Eingangssignal an der Diode 9 unter einem bestimmten Schwellwert liegt.
  • Das Relais 17 wird in Abhängigkeit von der Amplitude des durch die Gleichrichterdiode 9 erzeugten Gleichstromes geschaltet. Hierzu liegt im Basiskreis des Transistors 10 ein Belastungswiderstand 10a, der vom Richtstrom der Diode 9 durchflossen wird. Der Transistor 10 ist galvanisch mit den in Kaskadenschaltung folgenden Transistoren 18 und 19 gekoppelt, die in ihren Emitterkreisen je eine Zenerdiode 20, 21 enthalten. Parallel zu der Zenerdiode 21, die im Emitterkreis des Transistors 19 liegt, ist ein aus den Widerständen 22, 23 bestehender Spannungsteiler geschaltet, von dem die Basisvorspannung für den Transistor 10 abgenommen wird. Die Kollektorelektrode des Transistors 10 sowie die mit dieser galvanisch gekoppelte Basiselektrode des Transistors 18 sind ebenfalls mit der Emitterelektrode des Transistors 19 galvanisch verbunden und erhalten die an der Zenerdiode 21 abfallende stabilisierte Spannung von beispielsweise 10 V. Durch die im Emitterkreis des Transistors 18 enthaltene Zenerdiode 20, an der beispielsweise 8 V abfallen, wird erreicht, daß auch die Basisvorspannung für den Transistor 19 konstant gehalten wird. Der Ansprechschwellwert für das im Kollektorkreis des Transistors 19 liegende Relais 17 läßt sich in einfacher Weise am Regelwiderstand 24 einstellen, der im Emitterkreis des Transistors 10 liegt.
  • Die beschriebene Anordnung hat den Vorteil, daß die an den Klemmen 25, 26 zugeführte Betriebsspannung um nennenswerte Beträge schwanken kann, ohne den Ansprechschwellwert zur Erregung des Relais 17 zu beeinflussen. Der Aufwand für die beiden Zenerdioden 20, 21 ist dabei erheblich geringer als der Aufwand für eine besondere Stabilisierung der Speisespannung und zusätzliche Mittel zur Temperaturkompensation.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Transistorverstärker zur Steuerung eines Relais in Abhängigkeit von der Amplitude einer gleichgerichteten Wechselspannung unter Verwendung von die Vorspannung der Transistoren stabilisierenden Zenerdioden in den Emitterkreisen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Signalgleichrichterdiode (9) in an sich bekannter Weise galvanisch mit der Basis eines ersten Transistors (10) einer dreistufigen Verstärkerkaskade (10, 18, 19) mit galvanischer Kopplung der Transistoren verbunden ist und daß sowohl die Kollektorspannung als auch die Basisvorspannung der ersten Stufe, in deren Emitterkreis keine Zenerdiode zur Stabilisierung eingeschaltet ist, von der Zenerdiode (21) im Emitterkreis der dritten Stufe abgenommen sind, durch die das Relais (17) gesteuert wird.
  2. 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Emitterkreis des ersten Transistors (10) ein Regelwiderstand (24) liegt, an dem der Schwellwert, bei dem das Relais (17) erregt wird, eingestellt werden kann. 3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch das Relais (17) ein Verstärker (11), vorzugsweise dessen Betriebsspannung, geschaltet wird. 4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker (11), der durch das Relais (17) ein- und ausgeschaltet wird, in einem Sprechstromkreis einer drahtlosen übertragungsanlage derart angeordnet ist, daß eine Rauschunterdrückung bei Übertragungspausen erfolgt. 5. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß durch einen Kontakt des Relais (17) eine Anrufsignaleinrichtung, z. B. ein Wecker, eingeschaltet wird. 6. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Relais (17) bei Wechselsprechverkehr jeweils bei einer dem Empfangsverstärker (4) zugeführten Trägerfrequenz den Wiedergabeverstärker (11) einschaltet und die Sendeeinrichtung abschaltet. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1027 728; deutsche Auslegeschriften Nr. 1135 049, 1057 172, 1044 891, 1109 739; USA.-Patentschrift Nr. 3 050 644; »electronies«, 15. 5. 1959, S. 74; »Elektronische Rundschau«, Nr. 3, 1959, S. 94.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044891B (de) * 1955-03-11 1958-11-27 Telefunken Gmbh Zweistufiger Transistorverstaerker mit Stabilisierung des Arbeitspunktes
DE1057172B (de) * 1958-05-09 1959-05-14 Telefunken Gmbh Schaltungsanordnung zur Sperrung eines einen Teil eines Geraetes, insbesondere der Nachrichtentechnik, bildenden Schalttransistors
DE1109739B (de) * 1957-05-31 1961-06-29 John Somerset Murray Zwei- bzw. dreistufiger, galvanisch gekoppelter Transistorverstaerker
US3050644A (en) * 1959-12-10 1962-08-21 Honeywell Regulator Co Transistor decision amplifier with temperature compensating means
DE1135049B (de) * 1959-10-02 1962-08-23 Hasler Ag Transistorverstaerker

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