DE1207508B - Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen - Google Patents

Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen

Info

Publication number
DE1207508B
DE1207508B DES54580A DES0054580A DE1207508B DE 1207508 B DE1207508 B DE 1207508B DE S54580 A DES54580 A DE S54580A DE S0054580 A DES0054580 A DE S0054580A DE 1207508 B DE1207508 B DE 1207508B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
component according
semiconductor layer
semiconductor body
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DES54580A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1207508C2 (OSRAM
Inventor
Dr Erich Weisshaar
Dr Otto Gert Folberth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES54580A priority Critical patent/DE1207508B/de
Publication of DE1207508B publication Critical patent/DE1207508B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1207508C2 publication Critical patent/DE1207508C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P10/12—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DES54580A 1957-08-01 1957-08-01 Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen Granted DE1207508B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES54580A DE1207508B (de) 1957-08-01 1957-08-01 Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES54580A DE1207508B (de) 1957-08-01 1957-08-01 Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1207508B true DE1207508B (de) 1965-12-23
DE1207508C2 DE1207508C2 (OSRAM) 1966-07-07

Family

ID=7489891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES54580A Granted DE1207508B (de) 1957-08-01 1957-08-01 Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1207508B (OSRAM)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2408116A (en) * 1941-07-12 1946-09-24 Fed Telephone & Radio Corp Selenium coated elements and method of making them
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2408116A (en) * 1941-07-12 1946-09-24 Fed Telephone & Radio Corp Selenium coated elements and method of making them
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie

Also Published As

Publication number Publication date
DE1207508C2 (OSRAM) 1966-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE977615C (de) Verfahren zur Herstellung eines fuer Signaluebertragungsvorrichtungen bestimmten Halbleiterelements
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE2422621A1 (de) Halbleiteranordnung vom iii-v-typ mit ohmschen kontakten und verfahren zur herstellung dieser kontakte
DE3413885C2 (OSRAM)
DE1277827B (de) Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterkoerpern
DE2031831A1 (de) Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1521057A1 (de) Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiterzone
DE1573720A1 (de) Elektro-mechanischer Wandler
DE1207508B (de) Halbleiterbauelement mit sperrfreien Kontakt-elektroden und Verfahren zum Herstellen
DE1764023A1 (de) Halbleiterbauelement mit verbesserter Durchbruchsspannung
DE2608813A1 (de) Niedrigsperrende zenerdiode
DE1283398B (de) Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid
DE1914563C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrolumineszenten Bauteils
DE1769271C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Festkörperschaltung
DE2028632A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1040700B (de) Verfahren zur Herstellung eines Diffusionstransistors
DE1514806C (de) Verfahren zur Herstellung einer sper renden oder nichtsperrenden Elektrode an einem Halbleiterkörper sowie einer diese Elektrode kontaktierenden Leitbahn
AT219659B (de) Halbleitendes Elektrodensystem und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1927876B2 (de) Halbleiteranordnung
DE1614818C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors
DE1090326B (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistors mit drei Zonen aus verschiedenen Halbleitermaterialien abwechselnden Leitungstyps
DE1564940C (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung sowie danach hergestellte Anordnung, insbesondere Transistor
DE1464696C (de) Verfahren zum Herstellen einer Esaki Diode, insbesondere mit einem Halbleiter korper aus Germanium
DE1116824B (de) Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Halbleiteranordnung mit mindestens einemp-n-UEbergang
DE966222C (de) Verfahren zur Herstellung verschiedenohmiger halbleitender Schichten bei einem Flaechentransistor