DE1204049B - Verfahren zur Erhoehung der Dotierung von Halbleiter-Material - Google Patents

Verfahren zur Erhoehung der Dotierung von Halbleiter-Material

Info

Publication number
DE1204049B
DE1204049B DEW30971A DEW0030971A DE1204049B DE 1204049 B DE1204049 B DE 1204049B DE W30971 A DEW30971 A DE W30971A DE W0030971 A DEW0030971 A DE W0030971A DE 1204049 B DE1204049 B DE 1204049B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
arsenic
germanium
doped
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW30971A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Ralph Andre Logan
William George Spitzer
Forrest Allen Trumbore
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1204049B publication Critical patent/DE1204049B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DEW30971A 1961-01-23 1961-10-31 Verfahren zur Erhoehung der Dotierung von Halbleiter-Material Pending DE1204049B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83972A US3111433A (en) 1961-01-23 1961-01-23 Method for increasing the doping level of semiconductor materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1204049B true DE1204049B (de) 1965-10-28

Family

ID=22181836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW30971A Pending DE1204049B (de) 1961-01-23 1961-10-31 Verfahren zur Erhoehung der Dotierung von Halbleiter-Material

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3111433A (enEXAMPLES)
BE (1) BE610326A (enEXAMPLES)
DE (1) DE1204049B (enEXAMPLES)
GB (1) GB1000970A (enEXAMPLES)
NL (1) NL270331A (enEXAMPLES)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3231436A (en) * 1962-03-07 1966-01-25 Nippon Electric Co Method of heat treating semiconductor devices to stabilize current amplification factor characteristic

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB632980A (en) * 1945-12-29 1949-12-05 Western Electric Co Methods of treating germanium material
NL87381C (enEXAMPLES) * 1950-03-31
US2669533A (en) * 1951-01-03 1954-02-16 Gen Electric Method of making germanium hall plates
US2785096A (en) * 1955-05-25 1957-03-12 Texas Instruments Inc Manufacture of junction-containing silicon crystals
US2798826A (en) * 1956-05-09 1957-07-09 Ampco Metal Inc Method of heat treating nickel bearing aluminum bronze alloys
US3033714A (en) * 1957-09-28 1962-05-08 Sony Corp Diode type semiconductor device
US3007819A (en) * 1958-07-07 1961-11-07 Motorola Inc Method of treating semiconductor material
US2966434A (en) * 1958-11-20 1960-12-27 British Thomson Houston Co Ltd Semi-conductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
US3111433A (en) 1963-11-19
BE610326A (fr) 1962-03-01
GB1000970A (en) 1965-08-11
NL270331A (enEXAMPLES)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1222586B (de) Formierung von Halbleitern
DE1223951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen
DE2005271C3 (de) Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat
DE1185151B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere duennen halbleitenden Schichten
DE1913718C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1285465B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Schichten aus Silicium oder Germanium
DE974364C (de) Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze
DE3827496C2 (enEXAMPLES)
DE1444505B2 (de) Verfahren zur herstellung von einkristallen
EP0005744A1 (de) Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten
DE2316520A1 (de) Verfahren zum dotieren von halbleiterplaettchen durch diffusion aus einer auf das halbleitermaterial aufgebrachten schicht
DE1204049B (de) Verfahren zur Erhoehung der Dotierung von Halbleiter-Material
DE1909720A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit pn-UEbergang
DE1963131B2 (de) Verfahren zum herstellen eines aus einer p-leitenden epitaktisch gewachsenen galliumarsenid-schicht und einer einkristallinen n-leitenden galliumarsenidunterlage bestehenden halbleiterkoerpers
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE2144828A1 (de) Verfahren zur Bildung einer GaP Schicht auf einem Si-Träger
DE1239669B (de) Verfahren zum Herstellen extrem planer Halbleiterflaechen
DE2049696C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
AT229371B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1186950C2 (de) Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
DE69500133T2 (de) Verfahren zur Steuerung der Si-Konzentration in einer Einkristallinen Gallium-Phosphid schicht
DE1268744B (de) Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs durch Legieren
AT222702B (de) Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1521975C (de) Verfahren zum Dünnätzen von Siliciumscheiben
AT241537B (de) Verfahren zum Züchten eines Einkristalls aus Galliumphosphid, Galliumarsenid oder deren Mischungen