DE1198423B - Schaltung zur Erdung einer Transistorelektrode fuer hochfrequente elektrische Schwingungen in einer Abstimmeinrichtung - Google Patents

Description

• Schaltung zur Erdung einer Transistorelektrode für hochfrequente elektrische Schwingungen in einer Abstimmeinrichtung Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Erdung einer Transistorelektrode für hochfrequente elektrische Schwingungen in einer Abstimmeinrichtung mit nebeneinander angeordneten Topfkreisen mit gemeinsamer Zwischenwand, welche eine Aussparung aufweist, in der der Transistor mit in der Zwischenwand liegender Symmetrieachse angeordnet ist und bei der die Erdung einer Transistorelektrode durch einen flächenhaften elektrisch mit der Zwischenwand verbundenen Kondensator vorgenommen ist.
• Es ist eine Abstimmeinrichtung bekannt, bei der ein Gehäuse durch Zwischenwände in Topfkreiskammern unterteilt ist. Dabei sind in Zwischenwänden Aussparungen vorgesehen, in die durch Bohrungen im Gehäuse je ein Transistor zumindest teilweise einsetzbar ist. Um nun z. B. bei einem in Basisschaltung betriebenen Transistor die Basiselektrode für die Hochfrequenz möglichst niederohmig mit der als Topfkreisaußenleiter dienenden Zwischenwand verbinden zu können, ist in unmittelbarer Nähe der Aussparung ein Scheibchenkondensator mit einem Belag platt auf die Zwischenwand aufgelötet, und mit dem anderen Belag ist die Basiselektrode verbunden. Die Achse des Transistors verläuft hierbei etwa parallel oder senkrecht zur Achse eines Topfkreisinnenleiters, während die Achse des zur Gleichstromabblockung dienenden Kondensators annähernd senkrecht zum Innenleiter steht, indem er beispielsweise flach auf die Zwischenwand aufgelötet ist.
• Es hat sich gezeigt, daß bei einem derartigen Aufbau nicht die zu erwartende Verstärkung ohne eine erhöhte Rückwirkung zu erreichen ist. Eine erhöhte Rückwirkung macht sich jedoch durch eine größere Fehlanpassung der Antenne bemerkbar. Das Stehwellenverhältnis m, ein Maß für die Fehlanpassung, soll möglichst nahe bei 1 liegen und darf keinesfalls negativ werden, da sonst die Gefahr von Vorstufenschwingungen besteht. Eine erhöhte Rückwirkung wirkt sich auch nachteilig auf das Signal-Rausch-Verhältnis aus.
• Erfindungsgemäß wird deshalb zur Vermeidung dieses Nachteils vorgeschlagen, daß der Kondensator und gegebenenfalls auch in an sich bekannter Weise der Transitor so angeordnet ist, daß seine Symmetrieachse und gegebenenfalls auch die des Transistors wenigstens annähernd in der Zwischenwandebene verläuft.
• Dadurch wird offenbar der störende Einfluß der Wandströme weitgehend ausgeschaltet, denn die Verstärkung steigt ohne wesentliche Rückwirkung. Weitere vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung sind nachfolgend an Hand der Zeichnung eines vorteilhaften Ausführungsbeispiels näher beschrieben.
• F i g. 1 zeigt eine Teilansicht einer mit der Erfindung ausgerüsteten Abstimmeinheit, und in F i g. 2 ist in einer perspektivischen Ansicht eine Anordnung eines Kondensators und eines Transistors in einer Zwischenwand dargestellt; F i g. 3 zeigt in einem Diagramm das Stehwellenverhältnis eines bekannten UHF-Tuners und das eines erfindungsgemäß ausgeführten UHF-Tuners.
• Ein nur teilweise dargestelltes Gehäuse 1 einer Abstimmeinrichtung ist durch Zwischenwände 2, 3 in Kammern unterteilt, die als Außenleiter von Topfkreisen dienen. Die Innenleiter 4 sind beispielsweise einseitig mit einer Kammerwand verbunden, während am anderen Ende je ein Stator eines Abstimmkondensators 5 befestigt ist. In der Zwischenwand 2 befindet sich eine Aussparung 6, in die ein Transistor 7 und ein Kondensator 8 zur Abblockung einer Elektrode 9 des Transistors 7 eingesetzt sind. Transistor 7 und Kondensator 8 sind dabei so angeordnet, daß ihre Achsen annähernd in einer Geraden liegen, die durch die Schnittlinie der Zwischenwand mit einer parallel zur Achse des Innenleiters 4 verlaufenden Ebene gebildet wird. In besonders vorteilhafter Weise sind der Transistor 7 und der Kondensator 8 zu einer Baueinheit auf einem abgewinkelten Blech 10 zusammengefaßt, auf dem der Transistor 7 mittels Schnappfedern 11 gehaltert und der Kondensator 8 auf dem senkrecht abgebogenen Lappen 12 aufgelötet ist. Diese Baueinheit ist außerhalb der Abstimmeinrichtung zusammenbaubar und durch Einsetzen in die Aussparung 6 und z. B. Verlöten des Bleches 10, 12 und der Zwischenwand 2 festsetzbar. Zur Zentrierung in der Aussparung 6 sind dabei vorzugsweise am Blech 10 noch Ansätze oder Sicken vorgesehen. Um die einseitig offene Aussparung 6 nach dem Einbau der beschriebenen Baueinheit abschließen zu können, ist ein U-förmig gebogenes und gegebenenfalls selbstklemmendes Blech 13 vorgesehen, das auf die Flanken der Aussparung aufgesteckt (F i g. 2) und bis zum Aufliegen auf der Oberkante der Zwischenwand 2 gedrückt wird.
• Durch diese Anordnung wird neben den elektrischen Vorteilen noch ein besonders einfacher und übersichtlicher Aufbau erzielt.
• Die nachfolgende Tabelle zeigt die gemessenen Werte der Anpassung über den Frequenzbereich bei einem bekannten A/4-Tuner und bei einem gemäß der Erfindung ausgeführten Tuner in Kurvenmitte m1 und im Bereich der Durchlaßkurve das jeweils maximale Stehwellenverhältnis m2. Der Index B bezeichnet dabei die bekannte, der Index E die Ausführung gemäß der Erfindung.

  Bekannte Ausführung Endungsgemäße
  f (MHz) Ausführung
  m 1B I m2 B miE I m2E
  470 2,2 3,3 3,45 6
  500 2,7 12 3 6
  600 2,7 -20 3 5,7
  700 20 -7 2,35 6,3
  800 -22 -5,5 1,5 5,5
  860 -9 -3,6 1,2 4

  Zur besseren Veranschaulichung sind die Meßwerte in F i g. 3 im Diagramm eingezeichnet.

Claims (4)

1. Patentansprüche: 1. Schaltung zur Erdung einer Transistorelektrode für hochfrequente elektrische Schwingungen in einer Abstimmeinrichtung mit nebeneinander angeordneten Topfkreisen mit gemeinsamer Zwischenwand, welche eine Aussparung aufweist, in der der Transistor mit in der Zwischenwand liegender Symmetrieachse angeordnet ist und bei der die Erdung einer Transistorelektrode durch einen flächenhaften elektrisch mit der Zwischenwand verbundenen Kondensator vorgenommen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator und gegebenenfalls auch in an sich bekannter Weise der Transistor so angeordnet ist, daß seine Symmetrieachse und gegebenenfalls auch die des Transistors wenigstens annähernd in der Zwischenwandebene - verläuft.
2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kondensator auf einem rechtwinklig abgewinkelten Teil eines in die Aussparung einsetzbaren Blechstreifens befestigt ist und der andere Teil als federnde Halterung des Transistors ausgebildet ist.
3. 3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Blechstreifen mit Ansätzen oder Sicken zur Zentrierung in der Aussparung versehen ist.
4. 4. Schaltung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussparung durch ein U-förmig gebogenes, auf die Zwischenwand aufsteckbares Blech schließbar ist. In Betracht gezogene Druckschriften: »Funkschau«, 1963, Heft 9,- S. 247.