DE1191488B - Transistorschaltung fuer elektrische Weidezaeune mit Schutz des Schalttransistors - Google Patents

Transistorschaltung fuer elektrische Weidezaeune mit Schutz des Schalttransistors

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DE1191488B
DE1191488B DES79980A DES0079980A DE1191488B DE 1191488 B DE1191488 B DE 1191488B DE S79980 A DES79980 A DE S79980A DE S0079980 A DES0079980 A DE S0079980A DE 1191488 B DE1191488 B DE 1191488B
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voltage
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DES79980A
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Adolf Salzer
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05CELECTRIC CIRCUITS OR APPARATUS SPECIALLY DESIGNED FOR USE IN EQUIPMENT FOR KILLING, STUNNING, OR GUIDING LIVING BEINGS
    • H05C1/00Circuits or apparatus for generating electric shock effects
    • H05C1/04Circuits or apparatus for generating electric shock effects providing pulse voltages

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Insects & Arthropods (AREA)
  • Housing For Livestock And Birds (AREA)
  • Catching Or Destruction (AREA)
  • Electrostatic Separation (AREA)

Description

  • Transistorschaltung für elektrische Weidezäune mit Schutz des Schalttransistors Bei Transistor-Weidezaungeräten wird meistens ein Leistungstransistor als ein von einem Impulserzeuger gesteuerter Schalter im Primärkreis P eines Ausgangsübertragers und eines Speicherkondensators C benutzt.
  • Es ist bekannt, daß an der Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors mit induktivem Ausgang eine induktiv bedingte Rückspannung auftritt, die ein Vielfaches der Betriebsspannung annehmen kann.
  • Bei Elektro-Weidezaungeräten wird im allgemeinen mit einer niedrigen Betriebsspannung von z. B. 9 V gearbeitet, während die Ausgangsspannung mindestens 2000 V betragen muß, und zwar bei einer vorgeschriebenen kapazitiven und ohmschen Mindestbelastung von z. B. 0,01 uF bzw. 500 Ohm, so daß das übersetzungsverhältnis wegen der Sekundärbelastungen nach oben hin begrenzt werden muß.
  • Dies hat umgekehrt zur Folge, daß an der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors mehr als die zehnfache Betriebsspannung auftreten kann, eine Spannung, die den Transistor zerstören kann, zumal wenn dieser gerade eine Basis-Emitter-Spannung erhält, die gleich Null oder sogar noch negativ ist, nämlich dann, wenn die von dem vorgeschalteten Impulserzeuger angelegte Steuerspannung noch andauert, während bereits die durch den aus Sekundärwicklung 3 und Zaunkapazität 2 gebildeten Schwingkreis zeitlich bedingte Rückspannung auftritt.
  • Da die vom Weidezaun bestimmte kapazitive Belastung je nach Zaunlänge verschieden ist und damit eine für die Rufladung der Kapazität jeweils verschiedene Mindestimpulsdauer vorhanden sein muß, andererseits aus Gründen der Stromersparnis, die bei Batterie betriebenen Geräten eine entscheidende Rolle spielt, der Impuls nicht länger dauern sollte als für die Rufladung der jeweiligen Zaunkapazität erforderlich ist, wird allgemein eine Kompromißimpulsdauer gewählt, die auf eine bestimmte Zaunbelastung abgestellt ist.
  • Tritt bei einer derart eingestellten Impulsdauer eine geringere Zaunkapazität auf, so gelangt die Induktionsrückspannung bereits an den Transistor, wenn er noch durchgeschaltet ist, also eine negative Basis-Emitter-Spannung erhält. In diesem Zustand ist die Durchbruchsspannung, d. h. die zulässige Höchstspannung des Transistors aber sehr gering, er kann dabei vernichtet werden. Diese Gefahr erhöht sich, je länger die Impulse andauern und je kleiner die Zaunkapazität wird, wobei in diesem Falle noch hinzukommt, daß die Rückspannungen ansteigen, je geringer die Zaunkapazität ist.
  • Diese nachteiligen und schädlichen Wirkungen werden durch die Schaltungsmaßnahmen der Erfindung vermieden.
  • Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung zur Erzeugung von Schreckimpulsen für elektrische Weidezäune, bei welcher die Emitter-Kollektor-Strecke eines durch einen Impulserzeuger gesteuerten Schalttranssistors in Reihe mit der Primärwicklung eines Ausgangsübertragers im Entladestromkreis eines Kondensators liegt. Bei einer solchen Impulsschaltung ist erfindungsgemäß - zwecks Stromersparnis und Verringerung der Durchbruchsspannung des Transistors - der Basis des Transistors 5 eine positive Sperrspannung zugeführt, die galvanisch kapazitiv oder vorzugsweise induktiv der Induktionsrückspannung entnommen wird, welche nach Rufladung der Zaunkapazität 2 an der Sekundärwicklung 3 entsteht, wobei die Sperrspannung dem Impulserzeuger - zur Verhinderung eines Einflusses auf das Taktverhältnis - ferngehalten ist.
  • Eine zweckmäßige Weiterbildung der Erfindung sieht eine auf dem Ausgangsübertrager zusätzlich angebrachte Wicklung 1 vor, deren Spannung bei Einsetzen der von der Zaunkapazität 2 und der Sekundärwicklung 3 als Schwingkreis ausgehenden Rückspannung über die Diode4 der Basis5 des vom Impulserzeuger 6 gesteuerten Transistors 7 zugeführt ist, wogegen die Diode anders gerichtete Spannungen aus diesem Kreis der Basis fernhält.
  • Dieser Anordnung kann ein Kondensator 8 parallel geschaltet sein, welcher der Verlängerung der Sperrzeit während mehrerer Phasen des Schwingkreises 2, 3 dient.
  • Die Schaltung nach der Erfindung erbringt den Vorteil, daß durch Herabsetzung der Durchbruchsspannung der Ausgangstransistor weitgehend vor der Zerstörung durch Induktionsspannungen geschützt ist, und daß bei den verschiedenen Zaunkapazitätsverhältnissen die Impulsdauer und damit der Stromverbrauch stets minimal, der Wirkungsgrad also immer optimal ist.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Transistorschaltung zur Erzeugung von Schreckimpulsen für elektrische Weidezäune, bei welcher die Emitter-Kollektor-Strecke eines durch einen Impulserzeuger gesteuerten Schalttransistors in Reihe mit der Primärwicklung eines Ausgangsübertragers im Entladestromkreis eines Kondensators liegt, dadurch gekennzeichnet, daB - zwecks Stromersparnis und Verringerung der Durchbruchsspannung des Transistors (7) - der Basis (5) des Transistors eine positive Sperrspannung zugeführt ist, die galvanisch, kapazitiv oder vorzugsweise induktiv der Induktionsrückspannung entnommen wird, welche nach Aufladung der Zaunkapazität (2) an der Sekundärwicklung (3) entsteht, wobei die Sperrspannung dem Impulserzeuger - zur Verhinderung eines Einflusses auf das Taktverhältnis - ferngehalten ist.
  2. 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrspannung einer zusätzlichen Wicklung (1) des Ausgangsübertragers entnommen und über eine Diode (4) der Basis (5) des Schalttransistors (7) oder der Basis eines vorgeschalteten Verstärkertransistors zugeführt ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2733145A1 (de) * 1977-07-22 1979-02-08 Horizont Geraetewerk Gekoppelter serien- und parallelschwingkreis, insbesondere fuer elektrozaungeraete

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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