DE1190107B - Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements - Google Patents

Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements

Info

Publication number
DE1190107B
DE1190107B DES75819A DES0075819A DE1190107B DE 1190107 B DE1190107 B DE 1190107B DE S75819 A DES75819 A DE S75819A DE S0075819 A DES0075819 A DE S0075819A DE 1190107 B DE1190107 B DE 1190107B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact electrode
lead
contact
point
stamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES75819A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Karl Siebertz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL283249D priority Critical patent/NL283249A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES75819A priority patent/DE1190107B/de
Priority to GB35068/62A priority patent/GB993280A/en
Priority to US223976A priority patent/US3274667A/en
Priority to CH1098762A priority patent/CH396224A/de
Priority to FR909765A priority patent/FR1333644A/fr
Priority to SE10061/62A priority patent/SE305033B/xx
Publication of DE1190107B publication Critical patent/DE1190107B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W99/00—
    • H10W72/552—
    • H10W72/5522—
    • H10W72/5524—

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
DES75819A 1961-09-19 1961-09-19 Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements Pending DE1190107B (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL283249D NL283249A (enExample) 1961-09-19
DES75819A DE1190107B (de) 1961-09-19 1961-09-19 Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements
GB35068/62A GB993280A (en) 1961-09-19 1962-09-14 Improvements in or relating to process for contacting a semi-conductor arrangement
US223976A US3274667A (en) 1961-09-19 1962-09-17 Method of permanently contacting an electronic semiconductor
CH1098762A CH396224A (de) 1961-09-19 1962-09-17 Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung
FR909765A FR1333644A (fr) 1961-09-19 1962-09-18 Procédé pour réaliser les contacts d'un dispositif à semi-conducteur
SE10061/62A SE305033B (enExample) 1961-09-19 1962-09-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES75819A DE1190107B (de) 1961-09-19 1961-09-19 Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1190107B true DE1190107B (de) 1965-04-01

Family

ID=7505644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES75819A Pending DE1190107B (de) 1961-09-19 1961-09-19 Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3274667A (enExample)
CH (1) CH396224A (enExample)
DE (1) DE1190107B (enExample)
GB (1) GB993280A (enExample)
NL (1) NL283249A (enExample)
SE (1) SE305033B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068206A (en) * 1988-07-22 1991-11-26 Rohm Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1106163A (en) * 1964-03-02 1968-03-13 Post Office Improvements in or relating to the bonding of metals to semiconductor, metallic or non-metallic surfaces
US3348016A (en) * 1964-04-29 1967-10-17 Western Electric Co Apparatus for attaching leads to electrical components
US3515952A (en) * 1965-02-17 1970-06-02 Motorola Inc Mounting structure for high power transistors
US3442003A (en) * 1965-07-26 1969-05-06 Teledyne Inc Method for interconnecting thin films
US3459918A (en) * 1967-01-13 1969-08-05 Ibm Welding of electrical elements having voltage sensitive components
US3577042A (en) * 1967-06-19 1971-05-04 Int Rectifier Corp Gate connection for controlled rectifiers
US3617682A (en) * 1969-06-23 1971-11-02 Gen Electric Semiconductor chip bonder
US3660632A (en) * 1970-06-17 1972-05-02 Us Navy Method for bonding silicon chips to a cold substrate
GB1389542A (en) * 1971-06-17 1975-04-03 Mullard Ltd Methods of securing a semiconductor body to a support
US3783348A (en) * 1972-10-30 1974-01-01 Rca Corp Encapsulated semiconductor device assembly
US3878553A (en) * 1972-12-26 1975-04-15 Texas Instruments Inc Interdigitated mesa beam lead diode and series array thereof
JPS5444881A (en) * 1977-09-16 1979-04-09 Nec Corp Electrode wiring structure of integrated circuit
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
US4441248A (en) * 1982-12-02 1984-04-10 Stanley Electric Company, Ltd. On-line inspection method and system for bonds made to electronic components
GB2162686B (en) * 1984-08-02 1988-05-11 Stc Plc Thermistors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE559732A (enExample) * 1956-10-31 1900-01-01
DE1034274B (de) * 1957-04-18 1958-07-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes
AT203550B (de) * 1957-03-01 1959-05-25 Western Electric Co Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3068412A (en) * 1962-12-11 Electrical contact and method of making the same
US1938499A (en) * 1931-01-19 1933-12-05 Budd Edward G Mfg Co Apparatus for electric welding
US2372211A (en) * 1942-05-11 1945-03-27 Progressive Welder Company Welding apparatus
US2796510A (en) * 1955-10-10 1957-06-18 Rohr Aircraft Corp Method of resistance welding sandwich panels
GB846559A (en) * 1956-01-18 1960-08-31 Telefunken Gmbh Improvements in or relating to a method of securing electrical components to circuit panels having adhering conductors
US2946119A (en) * 1956-04-23 1960-07-26 Aeroprojects Inc Method and apparatus employing vibratory energy for bonding metals
US2996800A (en) * 1956-11-28 1961-08-22 Texas Instruments Inc Method of making ohmic connections to silicon semiconductors
GB846155A (en) * 1956-12-07 1960-08-24 Du Pont Improvements in or relating to the manufacture of monovinylacetylene
US3109225A (en) * 1958-08-29 1963-11-05 Rca Corp Method of mounting a semiconductor device
US3061923A (en) * 1959-05-11 1962-11-06 Knapp Mills Inc Method of making composite sheets
US3091849A (en) * 1959-09-14 1963-06-04 Pacific Semiconductors Inc Method of bonding materials
US3115697A (en) * 1960-08-31 1963-12-31 Pacific Semiconductors Inc Method of making a low resistance ohmic contact
US3125803A (en) * 1960-10-24 1964-03-24 Terminals

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE559732A (enExample) * 1956-10-31 1900-01-01
AT203550B (de) * 1957-03-01 1959-05-25 Western Electric Co Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1034274B (de) * 1957-04-18 1958-07-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Verbindung eines draht- oder bandfoermigen elektrischen Leiters mit einer Elektrode eines Halbleiterelementes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5068206A (en) * 1988-07-22 1991-11-26 Rohm Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices, and leadframe and differential overlapping apparatus therefor

Also Published As

Publication number Publication date
NL283249A (enExample) 1900-01-01
CH396224A (de) 1965-07-31
SE305033B (enExample) 1968-10-14
US3274667A (en) 1966-09-27
GB993280A (en) 1965-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1190107B (de) Thermokompressionsverfahren zum Anbringen der Kontaktelektrode oder Zuleitung eines Halbleiterbauelements
DE2608250A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von auf halbleiterkoerpern befindlichen anschlusskontakten
DE1063277B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit Legierungselektroden
DE1178519B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen durch das Aufschmelzen einer kleinen Menge Elektrodenmaterials auf einen halbleitenden Koerper
EP0037005A1 (de) Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1300165B (de) Mikrominiaturisierte Halbleiterdiodenanordnung
DE1275221B (de) Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes
DE2048020A1 (de) Halbleilergedachtnisvornchtung mit einem den Halbleiter berührenden Viel schichtisolator
DE1239871B (de) Druckempfindliche Halbleiteranordnung
DE1648724A1 (de) Spannungsmessbruecke und Verfahren zur Herstellung derselben
AT239852B (de) Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung
AT214485B (de) Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in einem Grundkörper aus vorwiegend einkristallinem Halbleitermaterial
DE946645C (de) Trockengleichrichter der Freiflächeinbauart
AT250699B (de) Thermoelektrische Einrichtung
DE1113520B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps
AT244390B (de) In ein Gehäuse eingebaute Halbleiteranordnung
DE1296264B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen
AT235598B (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung ohne Gleichrichterwirkung zwischen einer Stromzuführung und einem thermoelektrischen Halbleiter
DE1514839C3 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Halbleitersystemen
DE1936746A1 (de) Halbleiterresonanzkreis
DE1116826B (de) Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehaeuse untergebrachten, mindestens zwei dicht nebeneinander in einer Ebene einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung
DE1764998A1 (de) Silizium-Siliziumdioxyd-Kondensator mit hohem Guetefaktor
DE2400863B2 (de) Verfahren zur Kontaktierung der Elektroden eines scheibenförmigen Halbleiterelementes
DE1163977B (de) Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes
AT221587B (de) Halbleiterelektrodensystem mit einem Halbleiterkörper und wenigstens einer aluminiumenthaltenden Elektrode auf diesem Körper