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Halbleiterelement mit pn-übergang Die Erfindung bezieht sich auf einen
verbesserten Aufbau eines Halbleiterelementes mit pn-übergang und mit zwei auf gegenüberliegenden
Seiten des Halbleiterelementes vorgesehenen Hilfsträgerplatten, bei dem die eine
Hilfsträgerplatte mit der ganzen zugehörigen Seite und die andere Hilfsträgerplatte
nur mit einem Teil der zugehörigen Seite derart verbunden ist, daß der durch den
auf der gleichen Seite heraustretenden pn-übergang und den Rand des Halbleiterkörpers
gebildete Oberflächenteil frei bleibt.
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Der Halbleiterkörper besteht dabei aus einem Körper aus oder nach
Art von Germanium oder Silizium oder einer interznetallischen Verbindung.
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Für eine solche Bauform eines Halbleiterelementes ist es bekannt,
einen plattenförmigen, einkristallinen n-leitenden Siliziumausgangshalbleiterkörper
an seiner einen der beiden über die Dicke der Platte gegenüberliegenden Oberflächen
über ein Silberlot mit einer Hilfsträgerplatte bzw. einer Anschlußkontaktplatte
aus Molybdän, Wolfram oder einer Legierung dieser Metalle zu verbinden, welche auf
beiden Stirnflächen mit je einem Silberüberzug gegebenenfalls auf einem darunterliegenden
Nickel-Phosphid-Überzug versehen sind und wobei diese Hilfsträgerplatte in der Ebene,
in welcher ihre Verbindung mit der Halbleiterplatte stattfindet, eine größere Flächenausdehnung
als diese aufweist. An der gegenüberliegenden Oberfläche bzw. Seite ist die Halbleiterplatte
über Aluminium oder eine Legierung auf Aluminiumbasis als Lot und gleichzeitig als
einzudiffundierender Dotierungsstoff mit einem weiteren Anschlußkontaktkörper aus
Molybdän verbunden.
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Dieser Anschlußkontaktkörper hat die Grundform eines einheitlichen
pilzförmigen Kontaktköraers, der bei kleinerer Flächenausdehnung seiner senkrecht
zur Längsachse der Pilzform liegenden planen äußeren Pilzdachfläche als die Halbleiterplattenoberfläche,
also nur mit einem Oberflächenanteil derselben über die zugleich als Lot und als
einzudiffundierende, p-dotierende Stoffschicht aus Aluminium oder einer Aluminiumgrundlegierung
verbunden ist. Die innere Pilzdachfläche geht in einem zentralen Flächenteil in
den pilzschaftförmigen Anteil des Kontaktkörpers über, der von seiner freien Endfläche
aus eine becherförmige Aussparung aufweist für das Einsetzen und Einlöten des Endes
eines biegsamen bzw. litzenförmigen Anschlußleiters, der zum inneren Metallteil
einer elektrisch isolierenden Durchführung führt.
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Bei einer anderen bekannten Halbleiterelemente-Ausführung ist das
auf der Basis einer Silizumplatte hergestellte Halbleiterelement über eine mit ihm
durch Verlötung bzw. Anlegierung mittels Aluminium verbundene Versteifungsplatte
in einer zentralen Aussparung an der inneren Bodenfläche eines becherförmigen Gehäuseteiles
aus Kupfer befestigt, welcher eine Einheit mit einem von seiner äußeren Bodenfläche
ausladenden, zur Befestigung des Halbleiterbauelementes dienenden Schraubenbolzens
bildet. Auf seiner anderen Oberfläche, welche also der zur Verbindung mit dem becherförmigen
Gehäuseteil benutzten Oberfläche gegenüberliegt, folgt der Halbleiterplatte mit
einer kleineren Flächenausdehnung ein Systemaufbau aus einem einlegierten Gold-Antimon-Elektrodenmaterial,
ein Molybdänblech, welches gegenüber der Goldschicht mit einem Nickelüberzug und
gegenüber einem mit ihm mittels einer Folie eingebrachten Silberlot hart verlöteten
Kupferklotz mit einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung versehen ist, so daß also an
dieser Oberfläche der Halbleiterplatte der Rand des gebildeten pn-überganges heraustritt.
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Für Halbleiterelemente der angegebenen Art ist es auch bereits vorgeschlagen
worden, bei - elektrisch unsymmetrischem Aufbau einen mechanisch symmetrischen Aufbau
zu wählen, so daß also das Halbleiterelement nach Wahl mit der einen Endfläche oder
mit der anderen Endfläche des scheibenförmigen Halbleitersystems in seinen Sitz
an einem Träger eingebracht werden kann, und auf diese Weise das Halbleiterelement
nach Wahl mit der einen oder der anderen Durchlaßrichtung eingesetzt werden kann
oder, kurz ausgedrückt, polaustauschbar aufgebaut ist.
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Bei einem solchen Aufbau hat es sich aber trotzdem als zweckmäßig
erwiesen, diesen noch derart zu
gestalten, daß die Oberfläche des
Halbleiterkörpers, wo der pn-übergang heraustritt, relativ leicht zugänglich bleibt
und nicht zwischen gegenüberliegenden Flächen des Raumes, in welchem der pn-übergang
heraustritt, nur ein relativ geringer bzw. enger Spalt bestehenbleibt. Es ist vielfach
als zweckmäßig erkannt worden, die empfindlichen Teile der Halbleiteranordnung noch
mit einem Überzug aus einem Schutzlack zu versehen. Dieser Schutzlack kann dabei
gleichzeitig, gegebenenfalls zufolge eines besonderen Zusatzes, wie z. B. aus Alizarin,
die Funktion haben, nach seinem Aufbringen mit einer bestimmten elektrischen Polarität
zu wirken, um auf diese Weise in der Halbleiteroberfläche bestimmte entgegengesetzte
elektrische Ladungen zu influenzieren. Dieser Lack würde sich aber dann nicht in
einwandfreier Weise an- und einbringen lassen, wenn nur ein solcher angeführter
Spalt bestehen würde, denn es können dann in unerwünschter Weise Lufteinschlüsse
zwischen den Teilen des Halbleiterelementes und der sie umschließenden Lackhülle
oder/und innerhalb dieser Lackhülle entstehen, die auch insbesondere z. B. die Spannungsfestigkeit
der Halbleiteranordnung nachteilig beeinflussen können.
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Hierdurch ergibt sich aber ein verschiedener Aufbau der beiden verschiedenen,
an den entgegengesetzten Oberflächen des Halbleiterelementes benutzten Hilfsträgerplatten,
die, wie üblich, aus einem Werkstoff wie Molybdän, Wolfram, Tantai oder Chrom bestehen,
der also in seinem Ausdehnungskoeffizienten demjenigen des Halbleiterelementes möglichst
benachbart liegt. Bei einer solchen Dicke der beiden Hilfsträgerplatten würde sich
somit für die Abfuhr der an dem Halbleiterelement betriebsmäßig anfallenden Jouleschen
Wärme über jede der beiden Hilfsträgerplatten bis zu deren. Endflächen ein verschieden
großer Wärmeableitungswiderstand ergeben. Hierdurch würde aber die eine Art des
räumlichen Einsatzes des Halbleiterelementes mit der einen Flußrichtung bzw. Polun2
in thermischer Hinsicht dann im Betrieb für das Halbleiterelement nachteiliger sein,
als wenn der Einsatz des Halbleiterelementes mit der anderen Flußrichtung bzw. Polung
erfolgt, insbesondere wenn die wesentliche Abfuhr der Jouschen Wärme über diejenige
Endfläche des Halbleiterelementes bzw. der Hilfsträgerplatte erfolgt, mit welcher
das Halbleiterelement in einem weiteren Träger eingesetzt bzw. eingespannt oder
an diesem angedrückt ist.
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Solche Mangelerscheinungen lassen sich jedoch bei einem Halbleiterelement
der eingangs angegebenen Art dadurch beseitigen, daß erfindungsgemäß beide Hilfsträgerplatten
gleiche Wärmeleitfähigkeit haben.
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Für die Erreichung dieses Zieles können verschiedene Lösungswege eingeschlagen
werden. So können die beiden Hilfsträgerplatten unter Berücksichtigung ihrer Querschnittsverhältnisse
mit einer solchen relativen Dicke zueinander hergestellt werden, daß jeder der Wärmewiderstände,
den die einzelne Hilfsträgerplatte bildet, etwa gleich demjenigen der anderen wird.
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Eine weitere Lösung ergibt sich dadurch, daß die eine an der Bildung
des den Rand des pn-überganges enthaltenden Raumes beteiligte Hilfsträgerplatte,
von der Elektrode des Halbleiterkörpers aus gerechnet, derart aus Werkstoffen verschiedener
Wärmeleitfähigkeit aufgebaut ist, daß den Endflächen der Hilfsträgerplatte benachbarte
Teile ihres Aufbaues aus dem eigentlichen Werkstoff der Hilfsträgerplatte bestehen;
dies ist für das Zusammenwirken mit der Elektrode am Halbleiterkörper wichtig, kann
aber auch an der Anlagefläche des Halbleiterelementes über die Hilfsträgerplatte
an dem weiteren Träger des Halbleiterelementes z. B. zur Erhaltung einer gegenseitigen
Gleitfähigkeit beim gegenseitigen Anpressen für die Wärmeableitung vom Halbleiterelement
und die Stromführung zu bzw. von diesem wichtig sein. So hat es sich z. B. bei der
Einspannung eines Halbleiterelementes in eine besondere Einrichtung für den elektrischen
Anschluß und die Wärmeabfuhr als zweckmäßig erwiesen, Endflächen aus Molybdän mit
gegenüberliegenden Flächen aus Nickel oder Silber zusammenwirken zu lassen, um eine
gleitfähige gegenseitige Anlage der unter Druck, vorzugsweise mittels eines Kraftspeichers
gegeneinander gehaltenen Flächen der Körper aufrechtzuerhalten.
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Es liegt im Sinne einer Weiterbildung der Erfindung, derjenigen Hilfsträgerplatte,
welche zusammen mit der Hableiterkörperoberfläche an der Bildung des Raumes beteiligt
ist, in welchem der Rand des pn-überganges heraustritt, eine pyramidenförmige oder
kegelförmige Körperstumpfform zu geben, wobei die kleinere Grundfläche des Körperstumpfes
mit der Elektrode des Halbleiterelementes verbunden ist oder an diese angedrückt
ist. Die größere Grundfläche der Körperstumpfform kann dann unmittelbar an einem
weiteren Träger zur Anlage gebracht werden, oder es kann mit dieser Körperstumpfform
eine zusätzliche Platte größerer Flächenausdehnung zusammenwirken oder bereits als
Einheit mit ihr verbunden sein.
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Zur gegenseitigen Anpassung der Wärmewiderstände kann die größere
Grundfläche dieser Stumpfform oder die Fläche der sich an die äußere Grundfläche
dieser Stumpfform anschließenden Plattenform wesentlich größer bemessen werden als
die Fläche derjenigen Hilfsträgerplatte, die an der gegenüberliegenden Fläche des
Halbleiterkörpers über dessen volle Flächenausdehnung anliegt bzw. anlegiert oder
durch Lötung befestigt ist. Es ist zu erkennen, daß auf diese Weise ebenfalls eine
gegenseitige Anpassung der Wärmewiderstandswerte, welche die beiden Hilfsträgerplatten
besitzen, stattfinden kann.
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Es liegt weiterhin im Rahmen der Erfindung, die mit den gegenüberliegenden
Elektroden des Halbleiterelementes verbundenen Körper aus verschiedenen Werkstoffen
herzustellen. So liegt es auch z. B. im Rahmen der Erfindung, zwar die eine Hilfsträgerplatte,
die über ihre gesamte Flächenausdehnung mit der Fläche des Halbleiterkörpers verbunden
ist, aus einem Werkstoff herzustellen, der in seinem thermischen Ausdehnungskoeffizienten
demjenigen des Halbleiterkörpers benachbart liegt, jedoch die Körperstumpfform,
welche mit der gegenüberliegenden Elektrode des Halbleiterkörpers verbunden ist,
aus einem gut wärmeleitenden Werkstoff, wie z. B. Kupfer, herzustellen. In diesem
Falle muß aber dafür Sorge getragen werden, daß bei Erwärmung die verschiedene thermische
Dehnung des Kupfers und des Elektrodenmaterials nicht zu mechanischen Schubbeanspruchungen
an der gegenseitigen Anlagefläche bzw. Verbindungsfläche führen kann. Diese Wirkung
läßt sich dadurch erreichen,
daß man diesen Körper, der einen anderen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten als der Halbleiterkörper und das Elektrodenmaterial
besitzt, an diesem Elektrodenmaterialkörper nur gleitfähig zur Anlage kommen läßt.
Außerdem kann die thermische Dehnung des Körpers aus dem Werkstoff abweichenden
Ausdehnungskoeffizientens durch einen Hilfskörper unterbunden bzw. auf ein zulässiges
Maß in ihrer Auswirkung beschränkt werden. So kann z. B. um den Körper von größerem
thermischen Ausdehnungskoeffizienten herum ein Spannring vorgesehen werden, der
eine entsprechende Zugfestigkeit und entsprechende Formfestigkeit aufweist, um die
Auswirkung der thermischen Spannungen senkrecht zur Achse des Körpers zu unterbinden.
Ein solcher Spannring kann z. B. aus Stahl oder auch, um eine Anpassung an die am
Halbleiterkörper auftretende thermische Dehnung zu erreichen, aus einem gleichartigen
Material wie die Hilfsträgerplatte, aus Molybdän, Tantal, Wolfram, Chrom oder einer
Legierung -derselben, die an der gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterkörpers
benutzt wird, hergestellt werden.
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Eine weitere Lösung besteht darin, daß die Hilfsträgerplatte als Hohlkörper
aufgebaut ist und einen oder mehrere Räume aufweist, in welche ein Werkstoff von
besserer Wärmeleitfähigkeit eingepreßt bzw. eingegossen werden kann, so daß der
von diesem gebildete anteilige Körper auf diese Weise zusammen mit dem eigentlichen
Werkstoff der Hilfsträgerplatte für die resultierende Wärmeleitfähigkeit bzw. den
Wärmeableitungswiderstand dieser Hilfsträgerplatte bestimmend ist.
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Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele
wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen, welche in einem zur Veranschaulichung
der Erfindung gewählten Maßstab wiedergegeben sind.
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In F i g. 1 bezeichnet 1 einen Halbleiterkörper in Form einer Platte,
z. B. aus schwach p-leitendem Silizium, an welchem von der einen Oberfläche eine
Elektrode 2 aus Aluminium und von der gegenüberliegenden Oberfläche eine Elektrode
3 aus einer Legierung Gold - Arsen zur Dotierung des Halbleiterkörpers einlegiert
worden sind, wobei ein pnübergang la entstanden ist. Bei dieser Einlegierung ist
an der unteren Oberfläche entweder gleichzeitig während des Legierungsprozesses
zur Dotierung eine zur mechanischen Stabilisierung des Halbleiterelementes dienende
Hilfsträgerplatte 4 aus einem der Stoffe Molybdän, Wolfram, Täntal oder Chrom oder
einer Legierung derselben anlegiert worden. An der oberen Elektrode 3 ist gegebenenfalls
ebenfalls unmittelbar im Verlauf des Legierungsvorganges oder in einem besonderen
Prozeß eine Hilfsträgerplatte 5 befestigt worden oder an der Elektrode 3 nur zur
gleitfähigen, durch einen Anpreßdruck hervorgerufenen Anlage gebracht. Die Hilfsträgerplatte
5 hat, wenn die Elektrode 3 Kreisflächenform hat, die Form eines kegelförmigen Körperstumpfes,
der also mit seiner Grundfläche kleineren Durchmessers der Elektrode 3 benachbart
liegt und eine Grundfläche größeren Durchmessers aufweist bei einer solchen Bemessung
des Körpers 5, daß sein Widerstand für die Wärmeableitung der an dem Halbleiterkörper
1 anfallenden Jouleschen Wärme von diesem Halbleiterkörper etwa gleich ist dem Widerstand,
den die Hilfsträgerplatte 4 für die Ableitung der am Halbleiterkörper 1 anfallenden
Jouleschen Wärme bis an ihre freie Oberfläche bietet: Ein in dieser Weise aufgebautes
Halbleiterelement kann also nach Wahl entweder mit der freien Oberfläche der Hilfsträgerplatte
4 oder zur Erzielung einer anderen Polung des Halbleiterelementes in dem Stromlauf,
in welchem es liegt, mit der freien Oberfläche der Hilfsträgerplatte 5 auf einen
weiteren zur Wärmeabführung dienenden Körper 6 aufgesetzt werden. Für die Anpassung
der beiden Wärmeableitungswiderstände ist also in diesem Falle insbesondere eine
Vergrößerung der freien Oberfläche bzw. Anlagefläche der Hilfsträgerplatte 5 gewählt
worden.
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Die in jedem Falle entweder mit der einen Polung oder der anderen
Polung gleichartige räumliche Einordnung eines solchen Halbleiterelementes nach
F i g. 2 läßt sich dadurch erreichen, daß die Hilfsträgerplatten 4 bzw. 5 Vorsprünge
7 bzw. 8 aufweisen, welche in entsprechende Aussparungen 9 der Flächen an denjenigen
Körpern angreifen, an welchen die Hilfsträgerplatte 4 bzw. 5 im eingebauten
Zustand zur Anlage kommen. An Stelle von Vorsprüngen an der Hilfsträgerplatte 5
können auch in dieser Aussparungen benutzt werden, die mit entsprechenden Vorsprüngen
oder über einsetzbare Stifte mit Aussparungen an den Flächen der weiteren Körper
zusammenwirken, an welchen das Halbleiterelement zur Anlage kommt bzw. zwischen
welchen es eingesetzt wird.
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In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 2, in welchem gleichartige
Teile, die bereits in F i g. 1 vorhanden waren, mit den gleichen Bezugszeichen versehen
worden sind, ist die an der Elektrode 3 .des Halbleiterelementes befestigte oder
zur Anlage gebrachte Hilfsträgerplatte 10 dadurch in ihrem Wärmewiderstand
an denjenigen der Hilfsträgerplatte 4 angepaßt worden, daß sie in ihrer Dicke geringer
gewählt ist, so daß also die Wegstrecke, welche der Wärmefluß zu durchlaufen hat,
entsprechend geringer ist.
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Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3, in welchem ebenfalls wieder
für die bereits in den vorausgehenden Figuren vorhandenen gleichartigen Teile die
gleichen Bezugszeichen beibehalten worden sind, wirkt mit der Elektrode 3 des Halbleiterelementes
eine Hilfsträgerplatte 11 zusammen, die in ihrem Wärmeableitungswiderstand, bezogen
auf denjenigen der Hilfsträgerplatte 4, dadurch angepaßt ist, daß sie aus einem
gut wärmeleitenden Werkstoff, wie z. B. Kupfer, besteht, und daß zur Dosierung ihres
Wärmewiderstandswertes gegebenenfalls in die Endfläche eine Aussparung bzw. Bohrung
12 eingearbeitet worden ist. Wegen der verschiedenen thermischen Dehnung des Werkstoffes
der Hilfsträgerplatte 11 gegenüber derjenigen der Gold-Arsen-Legierung des
Körpers 3 und zur Vermeidung von Schubspannungen, welche sich bei verschiedenen
Temperaturen an der gegenseitigen Anlagefläche der Hilfsträgerplatte 11 und der
Elektrode 3 ergeben könnten, sind zwischen ihre benachbarten Flächen noch je eine
Silberschicht 13 und eine Molybdänschicht 14 in Form von Folien oder dünner Scheiben
oder entsprechender Überzüge eingebracht worden, also aus zwei Metallen, die bekanntermaßen
nicht die Neigung haben, miteinander bei der für die Anlage der Hilfsträgerplatte
notwendigen Druckwirkung eine gegenseitige mechanische Verbindung
nach
Art einer Legierung oder Verschweißung miteinander einzugehen, so daß also in technisch
vorteilhafter Weise entsprechend dem angestrebten Ziel jederzeit eine relative Gleitfähigkeit
zwischen der Hilfsträgerplatte 11 und der Elektrode 3 über diese Zwischenschichten
gewährleistet bleibt, wodurch also das Auftreten für das Halbleiterelement schädlicher
mechanischer Schubspannungen an dem überlang zwischen Werkstoffen verschiedener
thermischer Dehnung ausgeschlossen wird.
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Auch in dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 4 haben bereits in den
vorausgehenden Figuren enthaltene Teile wieder die gleichen Bezugszeichen erhalten.
Mit der einlegierten Elektrode 3 des Halbleiterelementes wirkt in diesem Falle eine
kegelstumpfförmige Hilfsträgerplatte 15 zusammen, die aus dem gleichen oder einem
gleichartigen Werkstoff wie die Hilfsträgerplatte 4 besteht. Für die Anpassung
der Hilfsträgerplatte 15 hinsichtlich ihres Wärmeableitungswiderstandes an denjenigen
der Hilfsträgerplatte 4 ist die Hilfsträgerplatte 15 von der frei liegenden Oberfläche
aus zunächst mit einer Vertiefung 16 versehen worden, in die ein besonderer Füllkörper
17 aus einem besser leitenden Werkstoff wie der der Hilfsträgerplatte 15 eingepreßt,
eingesetzt oder eingegossen oder in Form eines gesinterten Körpers eingebracht oder
unmittelbar in der Vertiefung 16 als Hilfsform erzeugt worden ist. Dieser gesinterte
Körper kann dabei gegebenenfalls auch aus einer Mischung von verschiedenen Werkstoffen
und von verschieden großer Körnung der Ausgangswerkstoffe bestehen, um auf diese
Weise eine bestimmte Porosität des erzeugten Sinterkörpers mit Rücksicht auf den
von ihm gelieferten Wärmewiderstandswert oder auch zugleich mit Rücksicht auf sein
mechanisches Verhalten bei thermischen Beanspruchungen zu erreichen.
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Der Wärmewiderstandswert der Hilfsträgerplatte 15 mit der Füllung
17 kann auch noch dadurch einer Feinjustierung unterworfen werden, daß die Füllung
17 nach Form und/oder Volumen nachträglich durch eine entsprechende Bearbeitung,
z. B. durch Anbringung von Bohrungen oder eine andere spanabhebende Formung verändert
wird.
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In F i g. 5, in welcher für die gleichartigen, bereits in den vorausgehenden
Figuren enthaltenen Einzelteile die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden sind,
ist die Hilfsträgerplatte 18, welche mit der Elektrode 3 des Halbleiterelementes
mittelbar oder unmittelbar zusammenwirkt, in Form eines Körpers guter Wärmeleitfähigkeit,
wie Kupfer, ausgebildet. Auf der Mantelfläche seines der Elektrode 3 benachbart
liegenden Volumenteils ist ein zusätzlicher Körper 19 wesentlich größerer
mechanischer Festigkeit aufgebracht bzw. aufgeschrumpft, der gegenüber der Hilfsträgerplatte
18 nur eine relativ geringe thermische Dehnung aufweist und mechanisch derart
widerstandsfähig ist, daß er die Volumenvergrößerungen der Hilfsträgerplatte
18 bei Erwärmungen in radialer Richtung in wesentlichem Maße abfangen kann.
Auf diese Weise werden bei den verschiedenen Temperaturen, die die Halbleiteranordnung
annimmt, die tatsächlich an den benachbart liegenden Flächen der Hilfsträgerplatte
18 und der Elektrode 3 auftretenden Schubspannungen auf ein sehr geringes zulässiges
Maß herabgesetzt. Die Hilfsträgerplatte 18 könnte daher gegebenenfalls auch eine
feste mechanische Verbindung mit der Elektrode 3 des Halbleiterelementes über eine
geeignete Lotschicht eingehen, wobei gegebenenfalls diese Lotschicht mit Rücksicht
auf eine unschädliche Nachgiebigkeit bei thermischen Beanspruchungen mit einer entsprechenden
Dicke bemessen werden kann.
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Es kann jedoch auch zwischen der Hilfsträgerplatte 18 und der
Elektrode 3 lediglich eine gleitfähige Anlage, gegebenenfalls über besondere
Zwischenschichten aus Werkstoffen, benutzt sein, die bei den auftretenden Temperaturen
und dem an den Berührungsflächen der Elektroden benutzten Anpreßdruck keine gegenseitige
Verbindung nach Art einer Lötung oder Schweißung oder Legierung miteinander eingehen,
wie z. B. Molybdän auf Silber oder Nickel, so daß also stets eine relative Beweglichkeit
an den Kontaktflächen der Elektrode 3 und der Hilfsträgerplatte 18 gewährleistet
bleibt.
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In der vorausgehenden Beschreibung ist im wesentlichen zunächst davon
ausgegangen worden, daß die an der unteren Fläche dez Halbleiterelementes vorgesehene
Hilfsträgerplatte bereits die ausreichende mechanische Stabilisierung des Halbleiterelementes
übernimmt. Es kann jedoch auch ein solcher Aufbau des Halbleiterelementes gewählt
werden, bei welchem für die mechanische Stabilisierung des Halbleiterkörpers die
anteilige Wirkung jedes der beiden Hilfsträgerplatten im Sinne der Hilfsträgerplatten
4 bzw. 5 nach F i g. 1 für die mechanische Stabilisierung des Halbleiterkörpers
1 in Rechnung gestellt ist bzw. wird, denn wenn an beiden Oberflächen des Halbleiterkörpers
solche starre Hilfsträgerplatten benutzt werden, so wird jede derselben, ungeachtet
dessen, ob sie mechanisch durch einen Verlötungs-, Legierungs- oder Verschweißungsprozeß
mit dem Halbleiterelement verbunden ist oder nicht, d. h. im letzteren Falle lediglich
an dieses angepreßt wird, für eine Erhaltung der Stabilität des Halbleiterkörpers
anteilig beitragen, so daß sich durch das Zusammenwirken beider starrer Hilfsträgerplatten
mit dem Halbleiterkörper für diesen eine Summenwirkung seiner mechanischen Stabilisierung
ergeben wird.
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Eine gegenseitige Anpassung der Wärmewiderstände der im wesentlichen
zur mechanischen Stabilisierung dienenden Hilfsträgerplatte und der dem pn-Übergang
benachbarten Hilfsträgerplatte des Halbleiterelementes kann gemäß einer Weiterbildung
der Erfindung auch durch Anbringung von Schlitzen bzw. Sägeschnitten oder Eindrehungen
an den Mantelflächen der beiden Hilfsträgerplatten erfolgen.