DE1180850B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen

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DE1180850B
DE1180850B DEN19703A DEN0019703A DE1180850B DE 1180850 B DE1180850 B DE 1180850B DE N19703 A DEN19703 A DE N19703A DE N0019703 A DEN0019703 A DE N0019703A DE 1180850 B DE1180850 B DE 1180850B
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DE
Germany
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semiconductor body
space
alloy
centrifuge
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DEN19703A
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German (de)
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Inventor
Frans Martinus Leopold
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1060052B (de) * 1958-01-11 1959-06-25 Philips Patentverwaltung Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung grossflaechiger p-n-UEbergaenge bei Halbleiteranordnungen des Legierungstyps, insbesondere bei Kristalldioden
FR1224318A (fr) * 1958-02-22 1960-06-23 Philips Nv Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1944435A (en) * 1931-08-17 1934-01-23 Detroit Dental Mfg Company Casting machine
US2086483A (en) * 1933-11-20 1937-07-06 Cons Car Heating Co Inc Means for melting and molding materials
US2037618A (en) * 1934-05-31 1936-04-14 Webster I Carpenter Motor driven casting machine
US2192043A (en) * 1938-08-15 1940-02-27 Bert L Hooper Casting device
US2194182A (en) * 1939-07-13 1940-03-19 Mallory & Co Inc P R Rectifier
US2606347A (en) * 1949-11-25 1952-08-12 Ernest L Hildreth Investing machine
FR1063232A (fr) * 1952-06-27 1954-04-30 Perfectionnements apportés aux procédés et dispositifs de coulée centrifuge
NL96840C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1953-05-11 1900-01-01
NL100884C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1953-05-28 1900-01-01
BE537167A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1954-04-07
BE546128A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1955-03-18 1900-01-01
US3097112A (en) * 1960-01-12 1963-07-09 Gen Electric Method and apparatus for making cathodes

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1060052B (de) * 1958-01-11 1959-06-25 Philips Patentverwaltung Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung grossflaechiger p-n-UEbergaenge bei Halbleiteranordnungen des Legierungstyps, insbesondere bei Kristalldioden
FR1224318A (fr) * 1958-02-22 1960-06-23 Philips Nv Procédé d'application d'un contact sur un corps semi-conducteur

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US3181980A (en) 1965-05-04
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