DE1174365B

DE1174365B - Schaltungsanordnung fuer eine tastbare Transistorverstaerkerstufe

Info

Publication number: DE1174365B
Application number: DEJ21206A
Authority: DE
Inventors: Geza Beszedics
Original assignee: International Standard Electric Corp
Current assignee: International Standard Electric Corp
Priority date: 1961-01-27
Filing date: 1962-01-25
Publication date: 1964-07-23
Also published as: GB923428A; AT227306B

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Internat. Kl.: H03f

Deutsche Kl.: 21 a2 -18/08

Nummer; 1174 365

Aktenzeichen: J 21206 VIII a / 21 a2

Anmeldetag: 25. Januar 1962

Auslegetag: 23. Juli 1964

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für eine Transistorverstärkerstufe, die durch eine Tastspannung abwechselnder Polarität entweder gesperrt oder entspeirt werden kann.

Für impulsfönnige Signale können entsprechend ausgebildete Transistorstufen durch hinreichend hohe Amplituden des Ekigangssignals selbst gesperrt bzw. entsperrt werden, wie in Electronics, August 1959, S. 58 und 59, beschrieben wurde.

Es ist auch bekannt, durch Verlagerung des Arbeitspunktes eines Transistors eine Verstärkerstufe zu sperren bzw. zu entSperren. Der jeweilige Arbeitspunkt eines solchen Verstärkers ist abhängig von der ausgelegten Regelspannung. Zum Erhalten eines gleichbleibenden Arbeitspunktes muß für den entsperrten Zustand die Regelspannung konstant gehalten werden und für den gesperrten Zustand naturgemäß eine hierfür erforderliche Mindestgröße nicht unterschreiten. Dieses ist bei stark schwankenden Regelspannungen, wie sie z. B. aus Sprechwechselströmen ^ao zur Steuerung einer Verstärkerstufe gewonnen werden, zu beachten. Außerdem weisen diese Stufen im gesperrten Zustand einen hohen Eingangswiderstand auf, während der Eingangswiderstand im entsperrten Zustand von der Höhe der Regelspannung abhängig ist. Eine solche Anordnung beschreibt die britische Patentschrift 756 017. Anzustreben ist eine Verstärkerstufe, die im entsperrten und gesperrten Zustand gleiche Eingangswiderstände hat.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß der britisehen Patentschrift 817 417 bei einer Transistorstufe in Basisschaltung zwischen Steuer- und Grundelektrode eine Diode gelegt, die ihren Widerstand in dem gleichen Maße erniedrigt, wie der Widerstand der Emitter-Basis-Strecke ansteigt bzw. umgekehrt. Nun haben aber Transistorstufen in Basisschaltung kleinen Eingangs- und großen Ausgangs widerstand — in der britischen Patentschrift wird der Eingangswiderstand mit 29 + 2 Ohm angegeben —, wodurch die notwendige Regelleistung verhältnismäßig hoch wird.

Gemäß der Erfindung sollen nun diese Nachteile der bekannten Schaltungsanordnungen für eine Transistorstufe in Emitterschaltung, deren Basis vorspannung über Widerstände von derKollektorversorgungsspannung abgeleitet wird und die durch eine Tastspannung abwechselnder Polarität entweder gesperrt oder entsperrt werden kann, behoben werden. Dieses wird nun dadurch erreicht, daß im Basiskreis des Transistors zwei Dioden angeordnet sind, von denen die erste Diode zwischen Basis und Emitter des Transistors liegt und so gepolt ist, daß sie bei der die Schaltungsanordnung für eine tastbare
Transistorverstärkerstufe

Anmelder:

International Standard Electric Corporation,

New York, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,

Stuttgart W, Rotebühlstr. 70

Als Erfinder benannt:
Geza Beszedics, Wien

Beanspruchte Priorität:

Österreich vom 27. Januar 1961 (A 685/61)

Sperrung des Transistors bewirkenden Phase des Tastsignals Mtead ist, und von deaen die zweite Diode bei der die Sperrung des Transistors bewirkenden Polarität der Tastspanniing leitend wird und einen Stromfluß über die eiste Diode ermöglicht, durch den der Durchlaßwiderstand dieser Diode gleich dem Eingangswiderstand des leitenden Transistors wird.

Nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird die RegelgleJchspannungsqueBe mit Impedanzen belastet, die für den zu verstärkendem Frequenzbereich in der Größenordnung des DurchlaßwideEstandes der Richtieiter liegen, wodurch der zweite Richtleiter entweder zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen während des Regelvorganges oder zur Erhöhung der Dämpfung während der Dämpfungsperiode dient.

Schließlich kann nach der weiteren Erfindung zwischen der Basis und dem Verbindungspunkt des ersten Richtleiters mit dem zweiten Richüeiter ein Zweipol eingeschaltet sein, durch welchen der Grad und bzw. oder der Verlauf der Dämpfung einstellbar ist.

Ein Beispiel der erfindnngsgemäßen Schaltungsanordnung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert.

Der Transistor T, vorzugsweise ein pnp-Transistor, ist in Emittergrundschaltung geschaltet, d. h., der Emitter E liegt am Bezugspunkt. Der Kollektor K wird über einen Widerstand R₁ wie üblich gespeist, während zwischen dem Kollektor K und der Basis B in bekannter Weise ein Widerstand R₂ liegt.

409 637/292

Eine Wechselspannungsquelle t/~, z. B. ein mit menschlichen Sprechlauten gesteuerter elektroakustischer Wandler, liegt über dem Innenwiderstand Ri und dem Kondensator C am Eingang der Transistorverstärkerstufe an der Basis B des Transistors T.

Die bisher beschriebenen Schaltungsteile sind bei Transistorverstärkerstufen üblich und bekannt. Erfindungsgemäß werden nun mindestens zwei Richtleiter in der Schaltungsanordnung vorgesehen, nämlich der erste Richtleiter D₁ und der zweite Richtleiter D₂, wie in der Zeichnung dargestellt.

Der erste Richtleiter D ist zwischen der Basis B des Transistors T und dem Emitters des Transistors T eingeschaltet, und zwar mit einer Durchlaßrichtung von der Basis B zum Emitter E. Durch diese Schaltung bestimmt der erste Richtleiter den Eingangswiderstand der Transistorverstärkerstufe im Sperrzustand des Transistors T.

Der zweite Richtleiter D₂ ist zwischen der Basis B und dem ersten Pol 1 einer Tastgleichspannungsquelle JJ_R eingeschaltet, deren zweier Pol 2 am Emitter E des Transistors T liegt. Durch diese Schaltung bestimmt der zweite Richtleiter D₂ den Arbeitszustand der Verstärkerstufe. Wenn nämlich an der ersten Klemme 1 der Tastgleichspannungsquelle £/_Ä positive Spannung und an der zweiten Klemme 2 der Tastgleichspannungsquelle U_R negative Spannung liegt, dann ist der Verstärker gesperrt, d. h., er besitzt eine hohe Sperrdämpfung. Die Spannung dieser Tastgleichspannungsquelle kann z. B. aus der Sprechwechselspannung einer anderen Verstärkerstufe eines anderen Verstärkers hergeleitet sein. Wenn jedoch an der ersten Klemme 1 der Tastgleichspannungsquelle U_K positive Spannung liegt, dann ist der Verstärker auf »Verstärkung« geschaltet, wobei die oben bezeichnete negative Spannung infolge der Sperrwirkung des Richtleiters D₂ (bei ideeller Kennlinie dieses Richtleiters) beliebige Werte annehmen darf, ohne den Arbeitspunkt und hiermit den Verstärkungsgrad der Stufe zu beeinflussen. Eine solche Spannung der Tastgleichspannungsquelle kann z. B. vom Ausbleiben der vorher beschriebenen Sprechwechselspannung einer anderen Verstärkerstufe abgeleitet werden.

Zur Erhöhung der Sperrdämpfung und zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen wird nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung die Tastgleichspannungsquelle durch Impedanzen belastet, die für den zu verstärkenden Frequenzbereich in der Größenordnung des Durchlaßwiderstandes der Richtleiter liegen.

Der Grad und bzw. oder der Verlauf der Dämpfung kann durch Einschaltung eines Zweipols zwischen der Basis B und dem Verbindungspunkt 3 der beiden Richtleiter D₁ und D₂ verändert werden.

An Stelle der Transistorstufe mit einem Transistor kann auch eine Transistorstufe mit mindestens einem symmetrischen Transistor verwendet werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung für eine Transistorstufe in Emitterschaltung, deren Basisvorspannung über Widerstände von der Kollektorversorgungsspannung abgeleitet wird und die durch eine Tastspannung abwechselnder Polarität entweder gesperrt oder entsperrt werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß im Basiskreis des Tansistors (T) zwei Dioden (D₁, D₂) angeordnet sind, von denen die erste Diode (D₁) zwischen Basis und Emitter des Transistors (T) liegt und so gepolt ist, daß sie bei der die Sperrung des Transistors bewirkenden Phase des Tastsignals leitend ist, und von denen die zweite Diode (D₂) bei der die Sperrung des Transistors (T) bewirkenden Polarität der Tastspannung leitend wird und einen Sromfluß über die erste Diode (D₁) ermöglicht, durch den der Durchlaßwiderstand dieser Diode (D₁) gleich dem Eingangswiderstand des leitenden Transistors (T) wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tastspannungsquelle mit Impedanzen belastet ist, die für den zu verstärkenden Frequenzbereich in der Größenordnung des Durchlaßwiderstandes der Richtleiter liegen, während der zweite Richtleiter (D₂) entweder zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen während des Regelvorganges oder zur Erhöhung der Dämpfung während der Dämpfungsperiode dient.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Basis (B) und dem Verbindungspunkt (3) des ersten Richtleiters (D₁) mit dem zweiten Richtleiter (D₂) ein Zweipol eingeschaltet ist, durch welchen der Grad und bzw. oder Verlauf der Dämpfung einstellbar ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:

Britische Patentschriften Nr. 756 017, 817417;

»Technische Mitteilungen BRF«, Heft 1, Jg. 5, März 1961, S. 16;

R. B. Hucley, »Junction Transistor Electronics«, 1958, S. 301 und 302;

»Electronics«, 28.8.1959, S. 58.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

409 637/292 7. 64

ι Bundesdruckerei Berlin