DE1167803B - Verfahren zum Aufdampfen hochreiner oder definiert dotierter einkristalliner Siliciumschichten - Google Patents

Verfahren zum Aufdampfen hochreiner oder definiert dotierter einkristalliner Siliciumschichten

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DE1167803B
DE1167803B DES76889A DES0076889A DE1167803B DE 1167803 B DE1167803 B DE 1167803B DE S76889 A DES76889 A DE S76889A DE S0076889 A DES0076889 A DE S0076889A DE 1167803 B DE1167803 B DE 1167803B
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1289832B (de) * 1964-08-21 1969-02-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Herstellung planer Oberflaechen von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterkristallschichten

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DE1065826B (de) * 1959-09-24 LICENTIA Patent-Verwaltungs GmbH Hamburg Verfahren zum Reinigen von Silicium

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