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Anordnung mit Spannungsquelle zur wahlweisen Betätigung einer Einheit
aus einer Gruppe von elektrischen Einrichtungen oder Kreisen, welche parallel zwischen
zwei Leitungen angeschlossen sind Die Erfindung bezieht sich auf Anordnungen mit
Spannungsquelle zur wahl::weisen. Betätigung einer Einheit aus einer Gruppe von
elektrischen Einrichtungen oder Kreisen, welche parallel zwischen zwei Leitungen
angeschlossen sind. Solche Anordnungen sollen erfindungsgemäß einen besonders einfachen
Aufbau erhalten und hohe Betriebssicherheit besitzen.
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Zur Lösung dieser Aufgabe benutzt die Erfindung einseitig wirkende
elektrische Schwellwertschaltungen, bei denen Halbleiterelemente mit pn-Verbindung
Verwendung finden, deren Kennlinien in Sperrichtung sowohl ein Gebiet mit hohem
Widerstand ab auch ein gut definiertes Gebiet mit im wesentlichen konstanter Spannung
haben.
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Solche Halbleiterelemente bestehen bekanntlich aus einem zusammenhängenden
Körper aus Halbleitermaterial mit zwei Gebieten von entgegenge-setztem Leitfähigkeitstyp,
die durch eine schmale Zone des übergangs vom Material eines Leitfähigkeitstyps
zum Material mit dem entgegengesetzten Leitfahigkeitstyp getrennt sind.
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Zweipol-Halbleitereinrichtungen dieser Art haben asymmetrische Leitungseigenschaften,
d. h. Gleichrichtereigenschaften. Durch die Verbindung von einem Leitfähigkeitstyp
zum anderen besteht für eine gegebene Potentialdifferenz eine gute Leitung bzw.
eine Leitung in Flußrichtung und für die entgegengesetzte Potentialdifferenz eine
schlechte Leitung bzw. eine Leitung in Sperrichtung.
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Für solche Einrichtungen haben Germanium und neuerdings Silizium besondere
Bedeutung erlangt. Im Falle des Germaniums sind die für die Zwecke der Erfindung
wesentlichen Eigenschaften der Einrichtungen nicht mit dem negativen Widerstand
zu verwechseln, den Germanium-Dioden mit Spitzenkontakten zeigen, wenn sie genügend
weit ins Sperrgebiet gebracht werden. Dieser negative Widerstand entsteht durch
Temperatureffekte. Man nimmt an, daß dies bei der erfindungsgemäß auszumitzenden
Kennlinie mit konstanter Spannung in Sperrichtung nicht der Fall ist.
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pn-Verbindungen weisen bei der Leitungskennlinie in Sperrichtung ein
Gebiet mit im wesentlichen konstanter Spannung unterhalb des Durchbrennens und in
einem großen Strombereich auf. Wichtige Merkmale dieser Eigenschaft bestehen darin,
daß bei der Leitungskennlinie in Sperrichtung der Zusammenbruch von einem sehr hohen
Widerstand zu einem niedrigen Wechselstromwiderstand bei nahezu konstanter Spannung
sehr scharf ausgeprägt ist und daß die kritische Sperrspannung, bei der die Kennlinie
ZUS2mme'n richt, sehr stabil sowohl bezüglich der Lebensdauer als auch gegenüber
Temperaturänderangen ist. Diese kritische Spannung am »Knick« der Kennlinie kann
vorausbestimmt und durch geeigaete Maßnahmen bei jeder gewünschten Spannung in einem
Bereich von wenigen Volt bis etwa tausend Volt erhalten werden. Eine dazu geeignete
Maßnahme besteht in der Regulierung des Konzentrationsgradienten in der Übergangszone,
z. B. durch Regulierung entweder der Breite der Übergangszone oder der eigenen Leitfähigkeit
des verwendeten Halbleiterinaterials, was insbesondere durch Änderung der Menge
der dem Material zugefügten Beimengung geschehen kann. Es können ohne weiteres Einheiten
mit niedrigen kritischen Spannungen in Sperrichtung gebaut werden.
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Zur Amplitudenbegrenzung, z. B. zur Löschung von Kontaktfunken, ist
die Reihenschaltung herkömmlicher Gleichrichter bekannt. Dazu werden zwei möglichst
gleiche Gleichrichter gegeneinandergeschaltet, so daß sich für beide Strom-richtungen
symmetrische Strom-Spannungs-Kennlinien ergeben. Die Begrenzung findet dabei unter
Ausnutzung der
Widerstandsänderung in der Umgebung des Spannungsnullpunktes
oder der Widerstandsabnahme bei hohen Sperrspannungen statt.
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Die Besonderheit der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin, daß
in Reihe mit jeder Einxichtung oder jedem Kreis eine Diode mit in Flußrichtung niedrigem
Widerstand und in Sperrichtung innerhalb des betriebsmäßig zu erwartenden Spannungsbereichs
hohem Widerstand sowie ein Halbleiter geschaltet sind, wobei der Halbleiter eine
pn-Verbindung und an jeder Leitfähigkeitszone eine Anschlußklemme aufweist sowie
einen niedrigen Widerstand in Flußrichtung, einen hohen Widerstand in Sperrichtung
für Spannungen unterhalb eines kritischen Wertes und ein Gebiet mit konstanter Spannung
für Spannungen, welche den kritischen Wert -übersteigen, hat und die Diode, so angeordnet
ist, daß ihre Flußrichtung derjenigen des Halbleiters entgegengesetzt verläuft,
und daß die Spannungsquelle, die Dioden und die Halbleiter eine solche Anordnung
bilden, daß Sperrspannungen oberhalb des kritischen Wertes wahlweise und ausschließlich
an jeweils einen der Halbleiter angelegt werden können.
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Durch diese beschriebene Kombination wird der Strom in einer Richtung,
wenigstens in einem vorbestimmten Bereich der angelegten Spannung, im wesentlichen
gesperrt, während ein Stromfluß in der entgegengesetzten Richtung nur bei angelegten
Spannungen stattfindet, die größer sind als der Schwellwert, der durch die kritische
Sperrspannung der pn-Verbindungseinrichtung bestimmt ist. Dieser Stromfluß tritt
bei einer negativen Spannung auf, die größer als der Schwellwert ist, so daß man
ein Ergebnis erhält, das bei bekannten Einrichtungen nur bei positiven Spannungen
erreichbar war. Durch geeignete Polung kann man jedoch im Sinne der Erfindung gleiche
Ergebnisse auch für positive Spannungen erhalten.
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Als spezielle Anordnung dieser Art empfiehlt die Erfindung, daß die
Gruppe von elektrischen Einrichtungen oder Kreisen vier Einheiten -umfaßt, von welchen
das eine Paar zwischen dem einen Leiter und Erde, das zweite Paar zwischen dem zweiten
Leiter und Erde liegt, und daß die Spannungsquelle so angeordnet ist, daß Spannungen
oberhalb des kritischen Wertes mit Bezug auf Erde an jeden der Leiter angelegt werden
können.
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Bei jedem Paar von Einheiten können dabei die der einen Einheit zugeordneten
Dioden und Halbleiter zueinander entgegengesetzt gepolt sein wie die Diode und der
Halbleiter, welche der zweiten Einheit zugeordnet sind.
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Die Erfindung soll an Hand der Zeichnung näher erläutert werden.
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Erklärung der Zeichnungen: Fig. 1 zeigt eine allgemeine Halbleitereinrichtung
mit pn-Verbindung der oben beschriebenen Art, die zur Darstellung ihrer Leitungskennlinie
in einen Kreis geschaltet ist; Fig. 1 a zeigt eine spezielle Einrichtung
dieser Art; Fig. 2 zeigt Leitungskennlinien von mehreren pn-Verbindungs-Einrichtungen,
die man durch den Kreis der Fig. 1 erhalten kann; Fig. 3 und 4 zeigen
schematisch zwei Kreise, bei denen das Prinzip der vorliegenden Erfindung verkörpert
wird; Fig. 3 a ist ein Spannungs-Strom-Diagramm, das den Kreis der Fig.
3 erläutert; Fig. 5 zeigt eine voll selektive, Klingelschaltung fär
vier Anschlüsse, bei der das Prinzip der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
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Die Halbleiter-Einrichtung 11 in Fig. 1 hat eine, pn-Verbindung,
die durch einen Gesamtkörper aus Halbleitermaterial gebildet wird, der Körperteile
aus Material mit p- bzw. n-Typ-Leitfähigkeit enthält. An der Zwischenfläche
der p- und n-Typ-Körperteile besteht eine dünne Zone, in der ein fortschreitender
Wechsel oder übergang vom Grad und Typ der Leitfähigkeitseigenschaft eines
Körperteils zum Grad und Typ der Leitfähigkeitseigenschaft des anderen Körperteils
vorhanden ist. Die Elektroden 12 und 13 stellen elektrische ohmsche Anschlüssse
an die p- und n-Typ-Körperteile her.
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Fig. 1 a zeigt die Darstellung einer zweiten pn-Verbindungs-Einrichtang
im Querschnitt, die mit Hilfe des Legierungsprinzips hergestellt ist, die jedoch
ebenfalls die gewünschten Kennlinien der Leitung in Sperrichtung aufweist.
Diese zweite Einrichtung besteht aus einem homogenen Kristall 14 aus n-Typ-Silizium,
an den eine Aluminium-Elektrode 15 durch Erwärmung des Kristalls und durch
Inberährungbringen mit dem Aluminium anlegiert ist. Man nimmt an, daß eine pn-Verbindung
mit der allgemeinen in der Figur dargestellten Gestalt durch Ablagerung während
der Abkühlung entsteht und sich an der Innenfläche zwischen dem ungeschmolzenen
Sflizium und der erstarrten, zuerst entstehenden festen Lösung befindet. Eine zweite
metallische Elektrode 16, die aus Gold bestehen kann, kann so angeordnet
sein, daß sie einen ohmschen Kontakt mit der gegenüberliegenden Fläche des Kristalls
14 herstellt. Das in Fig. 1 verwendete Symbol wird in den übnigen Figuren
benutzt, um allgemein eine Einrichtung mit den noch zu beschreibenden Kennlinien
darzustellen.
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Mit Hilfe des doppelpoligen Zweiwegeschalters 19
in Fig.
1 können von der Batterie 20 Spannungen beider Polaritäten an die pn-Verbindungs-Einrichtung
11 angelegt werden. Mit Hilfe des veränderlichen Widerstandes 21 kann die
Größe dieser Spannungen verändert werden. Der Widerstand 22 begrenzt den Strom durch
die Einrichtung 11 auf einen gefahrlosen Wert.
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Fig. 2 zeigt zwei typische Kennlinien dieser Einrichtmgen, die man
durch die in Fig. 1 dargestellte Schaltung erhalten kann. Sowohl Ströme als
auch Spannungen sind in logarithmischem Maßstab aufgetragen, um das Sättigungsgebiet
in der Leittmgskennlinie in Sperrichtung klarer zu zeigen. In diesem Gebiet,
das zwischen 0 Volt und den Knicken der Kurven liegt, handelt es sich um
Kennlinien von sehr hohen Widerständen. Wenn ein linearer Maßstab für den Strom
verwendet würde, wäre dieses Gebiet zu einer senkrechten Linie zusammengeschrumpft
und durch die Spannungsordinate verdeckt. Bei den kritischen Sperrspannungen V,
bzw. V,' schlagen die Kennlinien scharf von einem hohen Widerstand zu
einer
Kennlinie mit niedrigem Wechselstromwidtrstand und im wesentlichen konstanter
Spannung um, die sich über einen beträchtlichen Strombereich erstreckt und mehrere
Dekaden der Stromänderung umfaßt. Wenn auch das Umschlagen bei den Spannungen V,
und V,' bei dem verwendeten Maßstab durchaus scharf erscheint, so sei doch abermals
darauf hingewiesen, daß die Schärfe des Umschlagens bei Verwendung eines linearen
Strommaßstabes sogar noch auffallender sein würde.
Bei der vorliegenden
Erfindung wird von der soeben beschriebenen Kennlinie in Sperrichtung Gebrauch gemacht.
Wie oben erwähnt, kann durch geeignete Ausführung der pn-Verbindungs-Einrichtung
und insbesondere durch geeignete Regulierung des Konzentrationskoeffizienten in
der übergangszone eine Einheit für jeden gewünschten Wert von V, in einem großen
Bereich gebaut werden. Es sei bemerkt, daß die Leitungskennlinien in Flußrichtung
diejenigen üblicher pn-Verbindungs-Dioden sind und sich voneinander nur in geringem
Grad unterscheiden.
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In Fig. 3 ist eine Halbleitereinrichtung 31 mit pn-Verbindung
in Reihe mit einer Spannungsquelle 32 und mit einem asymmetrisch leitenden
Impedanzelement 33 geschaltet, das aus einer üblichen Vakuum- oder Kristalldiode
bestehen kann. Das letztere Element ist in Gegensinn-Reihenschaltung für Ströme
in Flußrichtung zur pn-Verbindungs-Einrichtung geschaltet, wobei die Leitung in
Flußrichtung in der pn-Verbindungs-Einrichtung durch die Verbindung vom p-Typ-Gebiet
zum n-Typ-Gebiet eintritt, wenn das n negativer ist als das p. Wenn man annimmt,
daß die kritische Sperrspannung der pn-Verbindungs-Einrichtung V, ist, erzeugt die
Spannungsquelle 32
Spannungen, die wenigstens zeitweilig größer als V, sind.
In Reihe mit der pn-Verbindungs-Einrichtung 31 und dem asymmetrisch leitenden
Impedanzelernent 33 sind ein Belastungskreis 35 und ein Strombegrenzungswiderstand36
geschaltet. Für alle positiven Spannungen, d. h. Spannungen, die das p-Gebiet
positiv gegenüber dem n-Gebiet machen, wird die pn-Verbindungs-Einrichtung in einem
Zustand leitend, der als Leitung in Flußrichtung bzw. als gute Leitung bezeichnet
wird, jedoch wird die Diode 33 im Zustand der Leitung in Sperrichtung bzw.
schlechter Leitung betrieben, wodurch der Strom von der Quelle 32 zur Belastung
35 im wesentlichen gesperrt wird. Für alle negativen Spannungen von
p nach n, die geringer als V, sind, wird die pn-Verbindungs-Einrichtung
31 ein sehr hoher Widerstand und sperrt ebenfalls den Strom zur Belastung.
Wenn jedoch die Spannung an der pn-Verbindungs-Einrichtung 31 -V, in negativer
Richtung übersteigt, wird die pn-Verbindungs-Einrichtung in ihr Gebiet mit niedrigem
Widerstand und konstanter Spannung gebracht, und der hauptsächlich durch den Widerstand36
begrenzte Strom fließt durch die Belastung, da die Diode33 nunmehr in Flußrichtung
arbeitet. Eine zweite, ebenso gepolte pn-Verbindungs-Einrichtung mit im wesentlichen
derselben kritischen Spannung in Sperrichtung kann in Reihe mit der ersten Einrichtung
geschaltet werden. In diesem Falle ist die effektive kritische Spannung im wesentlichen
die Summe der beiden kritischen Werte.
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Die Reihenkombination der pn-Verbindungs-Einrichtung 31 und
der Diode 33 sperrt daher den Strom in einer Richtung und gibt ihn in der
anderen Richtung nur bei angelegten Spannungen frei, die einen Schwellwert übersteigen.
Die Kennlinie dieser Kombination ist durch die ausgezogenen Teile der Kurve in Fig.
3 a dargestellt. Hierdurch wird ein scharfer Übergang der Impedanz und damit
der Leitung durch Elemente erzielt, die praktisch passive Einrichtungen bei einer
von Null verschiedenen Spannung und ohne Verwendung einer Gleichstromvorspannung
sind. Weiter ist die Schwelle, bei welcher der Übergang im Sperrspannungsgebiet
eintritt, bei dem betrachteten Falle eine negative Spannung. Wenn die asymmetrische
Einrichtung 33 ebenfalls eine pn-Verbindungs-Einrichtung mit einem Gebiet
konstanter Spannung in der Kennlinie in Sperrichtung wäre, müßte die zweite Einrichtung
so gewählt werden, daß sie eine kritische Sperrspannung hat, die größer als die
maximale anzulegende positive Spannung ist, wenn alle Ströme in Flußrichtung der
ersten pn-Verbindungs-Einrichtung gesperrt werden sollen. Wenn jedoch ein Strom
bei positiven Spannungen, die größer als ein Schwellwert V, sind, wie auch bei negativen
Spannungen, die größer als - V,' sind, durch die Einrichtung fließen soll,
muß die Diode 33
durch eine pn-Verbindungs-Einrichtung ähnlich der Einrichtung
31, jedoch mit einer kritischen Sperrspannung von - V,' ersetzt werden.
Diese letzte Einrichtung muß ebenfalls in Gegensinn-Reihenschaltung für Ströme in
Flußrichtung zur ersten pn-Verbindungs-Einrichtung geschaltet werden. Bei einer
solchen Einrichtung wird die Kombinationskennlinie die durch die gestrichelte Linie
abgeänderte Kurve in Fig. 3 a.
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Da der Belastungskreis 35 in Reihe mit der pn-Verbindungs-Einrichtung
31 und der Diode 33
liegt, wirken die pn-Verbindungs-Einrichtung und
die Diode als Reihenschalter, der einen in mehr oder weniger linearer Weise von
der Eingangsspannung abhängigen Strom durch den Belastungskreis freigibt, wenn der
Schalter geschlossen ist, d. h. wenn die kritische Sperrspannung der pn-Verbindungs-Einrichtung
überschritten wird. Wenn die Belastung 35' und der Strombegrenzungswiderstand
36' parallel zu den asymmetrisch leitenden Elementen 31' und
33' geschaltet werden, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, erhält man andere
Kennlinien. Dieser Belastungskreis nimmt Strom auf, der in linearem Zusammenhang
mit der Eingangsspannung der Quelle steht, und zwar für alle positiven Spannungen,
welche die Diode 33" in den Zustand mit hohem Widerstand bringen, und für
negative Spannungen unterhalb der kritischen Sperrspannung der pn-Verbindungs-Einrichtung
31,
welche die letztere Einrichtung in denselben Zustand bringen. Für negative
Spannungen, die größer als dieser kritische Wert sind, begrenzt die pn-Verbindungs-Einrichtung
31', die an die Belastung und den Reihenwiderstand gelegte Spannung auf einen
Wert, der etwa gleich ihrer kritischen Sperrspannung ist, da die Diode
33' unter dieser Bedingung ein sehr niedriger Widerstand ist. Die verwendete
besondere Schaltung hängt von der Impedanz der Belastung wie auch von der gewünschten
Leitungskennlinie ab.
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Fig. 5 zeigt als Beispiel der erfmdungsgemäßen Anordnung eine
voll selektive Klingelschaltung für vier Anschlüsse. Ein 20-I-1z-I<IingeIstrom
von ± 90 Volt effektiv wird durch den Generator 41 geliefert, dessen eine
Seite geerdet ist. Dem Klingelstrom ist eine Gleichstromvorspannung überlagert,
die durch die Spannungsquelle des Zentralamtes geliefert wird, welche aus der Batterie
42 besteht, deren Polung durch den doppelpoligen. Zweiwegeschalter 43 umgekehrt
werden kann.
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Nfit Hilfe des einpoligen Zweiwegeschalters 44 können der Klingelstrom
und die Gleichstromvorspannung über das Auslöserelais 40 an jede Seite der Leitung
gegen Erde angelegt werden.
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Die Telefonapparate 45 bis 48 der vier Teilnehmer, die übliche Telefonmikrofone
und -hörer enthalten, sind an die Zweidrahtleitung 49-50 geschaltet, die an keiner
Seite geerdet ist. Jeder Apparat ist mit
einer üblichen Klingel
versehen, die zwischen eine Seite der Leitung und die Erde geschaltet ist. Zwei
der Klingeln, nämlich 51 und 52, sind an eine Seite der Leitung 49
und zwei, nämlich 53 und 54, an die andere Seite geschaltet. Die Telefonapparate
sind selbstverständlich Arbeitsstromkreise, wenn der Klingelstroin angelegt wird.
Dieses Verfahren ist in der Telefontechnik bekannt und in den Zeichnungen nicht
dargestellt.
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In Reihe mit jeder Klingel liegen eine pn-Verbindungs-Halbleitereinrichtung
der oben beschriebenen Art, nämlich die Einrichtungen 55 bis 58, und
eine übliche Diode mit hohem Sperrwiderstand, nämlich die Einrichtungen
59 bis 62, die für Ströme in Flußrichtung in Gegensinn-Reihenschaltung
geschaltet sind. Ein teilweise selektives Klingeln wird dadurch erreicht, daß zwei
Klingeln an eine Seite der Leitung und zwei an die andere geschaltet sind und daß
die Klingelströme an beide Seiten der Leitung in bezug auf die Erde angelegt werden.
Eine volle Selektivität wird dadurch erreicht, daß die Polarität der pn-Verbindungs-Einrichtungen,
die an dieselbe Seite der Leitung angeschlossen sind, gegeneinander vertauscht sind
und daß eine Vorspannung mit beiden Polaritäten an beide Leitungen angelegt wird.
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Um die Arbeitsweise dieser selektiven Klingelschaltung klarer zu machen,
werden gewissen vorhandenen Paranietern spezielle Werte zugeordnet. Es sei angenommen,
daß die pn-Verbindungs-Einrichtungen 55 bis 58 annähernd dieselbe
kritische Sperrspannung von -70 Volt haben, bei der ihre Kennlinien von hohem
Widerstand zu niedrigem Widerstand und konstanter Spannung umschlagen. Die Batterie
42 soll eine Soll-Klemmspannung von 48 Volt haben, ferner beträgt die Klemmspannung
der 20-Hz-Klingelquelle 41 ± 90 Volt effektiv. Weiter hat jede Klingel einen
effektiven Reihenwiderstand von 20 000 Ohm und erfordert zum Betrieb
3 Milliampere. Die, Leitungsverluste sollen vernachlässigt werden.
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Es sei nun angenommen, daß +48 ±90 Volt effektiv an den Leiter
49 gegen Erde angelegt werden. Die Augenblicksspannung am Leiter 49 schwingt von
einer positiven Spitze von + 175 Volt zu einer negativen Spitze von
-79 Volt. Bei Abzug des Spannungsabfalls an den Klingeln bleibt eine effektive
Spannungsschwingung von + 115 bis - 19 Volt übrig, um die pn-Verbindungs-Einrichtungen
zusammenbrechen zu lassen. Die Klingeln 53 und 54 werden nicht beeinflußt,
da sie zwischen die Leitung 50 und die Erde, geschaltet sind. Die Klingel
52 bleibt ebenfalls unbetätigt, da die Diode 60 bei den positiven
Schwingungen den Strom sperrt und die negativen Spitzen nicht ausreichen, um die
Einrichtung 56
in ihren Zustand der Leitung in Sperrichtung mit konstanter
Spannung zu bringen. Die Klingel 51 wird jedoch erregt, da die Einrichtung
55 »zusammenbricht«, d. h. durch die positiven Schwingungen in ihr
Gebiet mit konstanter Spannung gebracht wird. (Bei einem Sparinungsabfall von
60 Volt an der Klingel 51, wovon 48 Volt durch die Gleichstromvorspannung
geliefert werden, wird die, Einrichtung 55 eine kleine Impedanz für den größten
Teil der positiven Schwingungen.) Durch Umschalten des Schalters 43 werden -48
90 Volt effektiv an die Leitung 49 gelegt, die nunmehr von einer positiven
Spitze von + 79 Volt bis zu einer negativen Spitze von - 175 Volt
schwingt. Die Klingel 52 wird während des größten Teils der negativen Schwingungen
erregL Durch Umschaltung des Schalters 44 kann entweder + 48 ± 90
Volt effektiv oder - 48 ± 90 Volt effektiv an die untere Leitung gele
werden, und danfit kann entweder die Klingel 53 oder 54 unter Ausschluß der
anderen Klingeln selektiv erregt werden. Zusammengefaßt zeigt sich, daß durch Anlegung
von ± 48 Volt und des Klingelstroms von 90 Volt effektiv an beide
metallischen Leiter gegen Erde ein selektives Betätigen jeder der beiden Klingeleinrichtungen
durchgeführt werden kann, so daß man eine selektive Klingeleinrichtung für vier
Anschlüsse erhält.
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Die soeben beschriebene Klingelschaltung ist mancher Beziehung bereits
bekannten Klingelschaltungen mit gasgefüllten Röhren ähnlich. Die oben beschriebene
Schaltung hat viele Vorteile gegenüber den Schaltungen mit gasgefüllten Röhren.
Zum Beispiel kann man pn-Verbindungs-Einrichtungen mit einem viel größeren Bereich
für kritische- Sperrspannungen bauen, als der Bereich ist, der bei gasgefiffiten
Röhren für die Zündspannungen verfügbar ist. Weiter kann diese kritische Spannung
mit viel kleinerer Toleranz auf einem speziellen Wert gehalten werden als die Zündspannung
von gasgefüllten Röhren-. Hierdurch wird der Bau von Schaltungen mit längeren Leitungen
vereinfacht, da ein verhältnismäßig kleiner Prozentsatz der Klingel-Stromversorgungsspannung
des Zentralarates vorgesehen werden muß, um Änderungen der kritischen Durchbrachsspannung
zu kompensieren, und ein größerer Prozentsatz zur Kompensation von Leitungsverlusten
zur Verfügung steht. Der Bau der Betätigungseinrichtung wird ebenfalls durch die
Verbesserung der Toleranz vereinfacht, da die an der Klingel liegende Spannung die
Differenz zwischen der Stromversorgungsspannung des Zentralamtes und dem Spannungsabfall
an den Klingel-Steuereleinenten (Elemente 55 bis 62,), verändert durch die
Schleifen- und Leitungsahloitverluste, ist, Diese Einrichtungen sind ferner in bezug
auf Temperaturänderungen sehr stabil und weisen als augenfällige Vorteile mechanische
Festigkeit geringe Größe und große Lebensdauer auf.