DE2158270B2 - Kontaktloser schalter mit einem feldeffekt-thyristor - Google Patents
Kontaktloser schalter mit einem feldeffekt-thyristorInfo
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Description
Die Erfindung betrifft einen kontaktlosen Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Ein kontaktloser Schalter dieser Art ist aus der Zeitschrift »elektronikpraxis« (1970) Nr. 7/8, Seiten 8 bis
10, bekannt. Ferner ist aus der Zeitschrift »Solid-State Electronics« Bd. 9 (1966), Nr. 5, Seiten 571 bis 580, ein
kontaktloses schaltbares Halbleiterbauelement bekannt, bei dem innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung
die Hallspannung eines Hallelements mittels des hohen Eingangswiderstandes eines MOS-Transistors
verstärkt wird, bei dem also das Hallelement mit der isolierten Steuerelektrode des Feldeffekttransistors
verbunden ist.
Der Erfindung liegt nunmehr demgegenüber die Aufgabe zugrunde, einen zum Ein-Ausschalten hoher
Stromstärken geeigneten, magnetisch steuerbaren kontaktlosen Schalter zu schaffen.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Sowie die zwischen der ersten Kontaktelektrode auf dem ersten Bereich und die zweite Steuerelektrode
gelegte Schaltung kurzschließt, kann die Ein-Ausschaltung des kontaktlosen Schalters durch Änderung des
Widerstandswertes des Hallelementes über die an die erste Steuerelektrode gelegte Vorspannung erfolgen.
Hohe Stromstärken bis zu mehreren Ampere lassen sich deswegen erzielen, weil aufgrund der beiden gegenüberliegenden
Steuerelektroden ein breiter Kanal zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich im Halbleiterkörper
für die Stromleitung zur Verfugung steht.
Sieht man sowohl im ersten als auch im zweiten Bereich des Halbleiterkörpers einen Bereich des
gleichen Leitfähigkeitstyps wie der des Halbleiterkörpers vor, so erhält man einen bidirektionalen Schalter.
Der erfindungsgemäße Schalter ist insofern von großem industriellem Nutzen, als er als Tastaturschalter
verwendet werden kann, der mit Hilfe eines Magnetfeldes steuerbar ist.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigt
ίο Fig. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform
eines bekannten Feldeffekt-Thyristors,
Fig.2 eine bekannte Schaltung des Bauelements
nach Fig. 1,
Fig.3 die Spannung-Strom-Kennlinie des Bauelemems
nach Fig. 1,
F i g. 4 die Veränderungskennlinien von Spannung Vr
und Widerstand Rs des in F i g. 1 veranschaulichten
Bauelements,
F i g. 5 die Veränderungskennlinien von Spannung V1/,
und Spannung Vc des in F i g. 1 dargestellten Bauelements,
Fig.6 eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform
Feldeffekt-Thyristors,
Fig.7 die Spannung-Strom-Kennl-nien des Bauelemer.ts
nach F i g. 6 und
Fig. 8 die Schaltung eines erfindungsgemäßen kontaktlosen Schalters unter Verwendung eines der
Bauelemente nach F i g. 1 oder F i g. 6.
F i g. 1 zeigt einen bekannten Feldeffekt-Thyristor mit einem n-Halbleiterkörper 1, in dem an einer Hauptfläche
p-Bereiche 2 und 3 ausgebildet sind, von denen der p-Bereich 3 einen n-Bereich 4 aufweist. Das Bauelement
hat ferner eine Isolierschicht 5, eine auf dem p-Bereich 2 vorgesehene Kontaktelektrode 6, eine auf dem n-Bereich
4 vorgesehene Kontaktelektrode 7, eine auf der Isolierschicht 5 angeordnete erste Steuerelektrode 8
und eine auf dem Halbleiterkörper befindliche zweite Steuerelektrode 9. Als Halbleitermaterial können Ge, Si,
GaAs, GaP, InAs oder SiC verwendet werden, die alle in der einschlägigen Technik bekannt sind.
Fig.2 zeigt eine bekannte Schaltung für den Feldeffekt-Thyristor der F i g. 1, bei dem ein Widerstand
Rs zwischen einen Lastwiderstand Ri und die Kontaktelektroden
6 und 9 geschaltet ist. Die zwischen den *5 Kontaktelektroden 6 und 7 auftretenden Strom-Spannungs-Kennlinien
sind in Fig.3 dargestellt, die zeigen, daß das Bauelement am Punkt der Spannung V,/, von
»AUS« auf »EIN« geschaltet wird, und daß die Spannung auf V« zurückkehrt, wenn das Bauelement
so von »EIN« auf »AUS« geschaltet wird.
Wie nun im Rahmen der Erfindung festgestellt wurde, hängt der Wert von Vr von Rs ab, und zwar nähern sich
V,h und Vr einander bei einer Verringerung von Rs und
stimmen schließlich überein, wie F i g. 4 zeigt, d. h., die
Übereinstimmung erfolgt zwischen der Spannung VR
bei der das Bauelement von »EIN« auf »AUS* geschaltet wird, und der Spannung V,/* bei der da;
Bauelement von »AUS« auf »EIN« geschaltet wird Wenn nun eine Steuerspannung an die erste Steuerelek
trode 8 bei R5=O oder bei miteinander kurzgeschlosse
nen Kontaktelektroden 6 und 9 gelegt wird, veränder sich V/h wie Fig. 5 zeigt. Wenn eine positiv«
Steuerspannung an die erste Steuerelektrode angeleg wird, wird '/,/, größer, während die Spannung V,h kleine
wird, wenn eine negative Steuerspannung angeleg wird. Das bedeutet, daß der Schalter mit Hilfe diese
Steuerspannung ein- und ausschalten kann, da V,a = V
ist.
Die η- und p-Bereiche wurden nur zur besseren Erläuterung besonders festgelegt; diese Bereiche
können auch gegeneinander ausgetauscht werden, ohne das Schaltprinzip zu verändern.
Im folgenden wird nun ein Ausführungsbeispiel eines kontaktlosen Schalters gemäß der Erfindung beschrieben.
Der in F i g. 1 dargestellte FeldeffektThyristor ist mit der in Fig.8 gezeigten erfindungsgerr.äßen Schaltung
verbunden, die ein Hallelement H, Widerstände Rl und
Rc einen Anodenanschluß A, einen Steueranschluß G und einen Kathodenanschluß K aufweist. Die Bezugszahlen bezeichnen Elektroden, die denen der F i g. 1 und
2 entsprechen.
Die zwischen den Kontaktelektroden 6 und 7 erscheinenden Strom-Spannungs-Kennlinien sind die
gleichen wie die in Zusammenhang mit Fig. 3 beschriebenen. V,h bezeichnet die Kippspannung. Das
Bauelement ist so geartet, daß es vom Einschaltzustand in den Ausschaltzustand zurückkehrt. Durch Verändern
des Widerstandswertes des Hallelements H mit Hilfe eines Magnetfeldes, wobei eine Spannung an den
Steueranschluß G gelegt wird, wird die an die Steuerelektrode 8 gelegte Spannung verändert. Es
wurde festgestellt, daß die Beziehung zwischen den Spannungen Vg und V1/, im wesentlichen den oben in
Zusammenhang mit Fig. 5 beschriebenen Kennlinien entspricht. Die Spannung V,h kann in Abhängigkeit von
der Polarität der Steuerspannung Va erhöht bzw. verringert werden. Auf diese Weise kann man mit Hilfe
eines Magnetfeldes eine Ein- und Ausschalt-Steuerung für Ströme in der Größenordnung von einigen zehn
Milliampere bis zu einigen Ampere erzielen. Als Hallelement kann InSb, eine p-i-n-Ge-Diode od. dgl.
verwendet werden.
Es ist auch möglich, das in Fig. 1 gezeigte Feldeffekt-Halbleiterbauelement in der Schaltung der
F i g. 8 gegen den in F i g. 6 gezeigten Feldeffekt-Thyristor auszutauschen, das in npnpn- oder pnpnp-Form
aufgebaut sein kann. In diesem Fall dient der Schalter als bidirektionaler Schalter. F i g. 6 zeigt einen n-Halbleiterkörper
10, p-Bereiche 11 und 12, n-Bereiche 13 und 14, eine Isolierschicht 15 und Elektroden 16, 17, 18 und 19.
Bei diesem Aufbau ist es möglich, Kennlinien eines bidirektionalen negativen Widerstandes zu erhalten, wie
sie in F i g. 7 dargestellt sind. In diesem Fall wird V,h mit
der Steuerspannung gleichzeitig in zwei Richtungen verändert.
Im Grund ist es gleich ob die Widsrstände Ri. und /?r,
vorhanden sind oder nicht. Der wesentliche Punkt besteht darin, daß das Hallelement mit der ersten
Steuerelektrode des Feldeffekt-Halbleiterbauelements verbunden ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Kontaktloser Schalter mit einem F ifekt-Thyristor,
mit einem Halbleiterkörper d. , einen, ersten Leitungstyps an einer Hauptfläche des
Halbleiterkörpers, in dem ein erster und ein zweiter Bereich des entgegengesetzten, zweiten Leitungstyps gebildet sind und im ersten oder zweiten
Bereich ein dritter Bereich des ersten Leitungstyps gebildet ist, weiter mit einer ersten und einer zweiten
Kontaktelektrode auf dem ersten und dem dritten Bereich, und schließlich mit einer unter Zwischenlage
einer Isolierschicht auf dsm Halbleiterkörper zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich
angeordneten Steuerelektrode und einer auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers
angeordneten zweiten Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß mit der ersten Steuerelektrode
(8) ein Hallelement (H) verbunden ist und daß eine die erste Kontaktelektrode (6) auf dem
ersten Bereich (2) und die zweite Steuerlektrode (9) bei Bedarf kurzschließende Schaltung vorgesehen
ist.
2. Kontaktloser Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem nicht mit dem
dritten Bereich (14) versehenen ersten bzw. zweiten Bereich (11 bzw. 12) ein vierter Bereich (13)
ausgebildet ist, der einen dem Leitungstyp des ersten bzw. zweiten Bereichs entgegengesetzten Leitungstyp aufweist und mit dem eine Elektrode (16)
verbunden ist(Fig. 6).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10428570A JPS527716B1 (de) | 1970-11-26 | 1970-11-26 | |
JP45106523A JPS527717B1 (de) | 1970-11-30 | 1970-11-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2158270A1 DE2158270A1 (de) | 1972-06-29 |
DE2158270B2 true DE2158270B2 (de) | 1977-12-08 |
DE2158270C3 DE2158270C3 (de) | 1978-08-03 |
Family
ID=26444792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2158270A Expired DE2158270C3 (de) | 1970-11-26 | 1971-11-24 | Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3742318A (de) |
AU (1) | AU446887B2 (de) |
CA (1) | CA938736A (de) |
DE (1) | DE2158270C3 (de) |
FR (1) | FR2115412B1 (de) |
GB (1) | GB1377996A (de) |
NL (1) | NL7116235A (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3831187A (en) * | 1973-04-11 | 1974-08-20 | Rca Corp | Thyristor having capacitively coupled control electrode |
US3916428A (en) * | 1973-05-19 | 1975-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor magneto-resistance element |
JPS6036708B2 (ja) * | 1978-02-24 | 1985-08-22 | 株式会社日立製作所 | 電界効果形サイリスタのゲ−ト回路 |
JPS5936832B2 (ja) * | 1978-03-14 | 1984-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体スイッチング素子 |
DE2922250A1 (de) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Siemens Ag | Lichtsteuerbarer transistor |
DE2945380A1 (de) * | 1979-11-09 | 1981-05-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Triac mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper |
DE2945366A1 (de) * | 1979-11-09 | 1981-05-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen |
DE2945347A1 (de) * | 1979-11-09 | 1981-05-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit hilfsemitterelektrode und verfahren zu seinem betrieb |
FR2774511B1 (fr) * | 1998-01-30 | 2002-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie |
-
1971
- 1971-11-24 DE DE2158270A patent/DE2158270C3/de not_active Expired
- 1971-11-24 US US00201660A patent/US3742318A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-11-24 AU AU36106/71A patent/AU446887B2/en not_active Expired
- 1971-11-25 CA CA128563A patent/CA938736A/en not_active Expired
- 1971-11-25 GB GB5481071A patent/GB1377996A/en not_active Expired
- 1971-11-25 FR FR7142324A patent/FR2115412B1/fr not_active Expired
- 1971-11-25 NL NL7116235A patent/NL7116235A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU446887B2 (en) | 1974-04-04 |
US3742318A (en) | 1973-06-26 |
CA938736A (en) | 1973-12-18 |
AU3610671A (en) | 1973-05-31 |
GB1377996A (en) | 1974-12-18 |
FR2115412B1 (de) | 1976-09-03 |
FR2115412A1 (de) | 1972-07-07 |
DE2158270A1 (de) | 1972-06-29 |
NL7116235A (de) | 1972-05-30 |
DE2158270C3 (de) | 1978-08-03 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |