DE1134709B - Elektronische Torschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft elektronische Torschaltungen.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer verbesserten Torschaltung, die trotz hoher Leistungsfähigkeit grundsätzlich einfach aufgebaut ist.

Die elektronische Torschaltung, bei der Eingangssignale zwischen die Emitterelektrode und die Basiselektrode eines Transistors angelegt werden und ein Gleichrichter zwischen die Emitterelektrode und die Basiselektrode geschaltet ist, wobei dessen Vorwärtsleitrichtung zwischen diesen Elektroden entgegengesetzt zu der Vorwärtsleitrichtung der Basis-Emitter-Strecke in dem Transistor ist, so daß der Transistor nichtleitend gehalten wird, während der Gleichrichter leitend ist, ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Strompfad veränderlicher Impedanz, der einen niedrigen oder hohen Impedanzwert abhängig von der Anlegung eines Torsteuersignals an diesen Strompfad hat, so geschaltet ist, daß er die Eingangssignale im Nebenschluß mit der Emitter-Basis-Strecke des Transistors aufnimmt, und daß der Gleichrichter zwischen Emitter- und Basiselektrode leitend ist, wenn der Strompfad veränderlicher Impedanz seinen niedrigen Impedanzwert hat und nichtleitend ist, so daß dann Eingangssignale durch den Transistor verlaufen, wenn der Strompfad veränderlicher Impedanz seinen hohen Impedanzwert hat.

Zwei elektrische Torschaltungen, die beide erfindungsgemäß ausgebildet sind, werden nun als Beispiele im Zusammenhang mit der Zeichnung beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild der ersten Torschaltung und

Fig. 2 ein Schaltbild der zweiten Torschaltung, die eine abgeänderte Ausführungsform der in Fig. 1 gezeigten Schaltung ist.

Die erste Torschaltung nach Fig. 1 enthält einen pnp-Flächentransistor 1, dessen Basiselektrode direkt geerdet ist. Ein Gleichrichter 2 ist unmittelbar zwischen die Basiselektrode und die Emitterelektrode des Transistors 1 geschaltet, so daß die Vorwärtsleitrichtung des Gleichrichters 2 entgegengesetzt zu der des Basis-Emitter-Gleichrichters in dem Transistor 1 ist.

Von der Torschaltung durchzutastende positiv gerichtete Eingangsimpulse werden zwischen die Emitterelektrode und die Basiselektrode des Transistors 1 von einer Impulsquelle 3 angelegt, die über eine Leitung 4 an die Emitterelektrode angeschlossen ist. Ein Gleichrichter 5 und ein Widerstand 6 sind in Reihe zwischen die Leitung 4 und eine negative Vorspannungsquelle — Ve geschaltet, so daß ein Nebenschlußstrompfad zu dem Emitter-Basis-Gleichrichter Elektronische Torschaltung

Anmelder:

The General Electric Company Limited,
London

Vertreter: Dr.-Ing. H. Ruschke, Patentanwalt,
Berlin-Grunewald, Auguste-Viktoria-Str. 65

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 18. Dezember 1959 (Nr. 43 103)

David Martin Leakey, Wembley, Middlesex

(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden

in dem Transistor 1 hergestellt ist. Eine Torsteuerimpulsquelle 7 ist über einen Kondensator 8 an den Knotenpunkt des Gleichrichters 5 und des Widerstandes 6 angeschlossen, um positiv gerichtete Torsteuerimpulse an den Gleichrichter 5 anzulegen.

Eine Belastung 9 ist in den Kollektorkreis des Transistors 1 geschaltet, um diejenigen Eingangsimpulse von der Impulsquelle 3 auszunutzen, die von den Torsteuerimpulsen von der Quelle 7 durchgetastet werden.

Wenn kein Torsteuerimpuls an dem Gleichrichter 5 von der Quelle 7 aus angelegt ist, leiten die beiden Gleichrichter 2 und 5, und der Transistor 1 ist nichtleitend. Der durch den Gleichrichter 2 fließende Strom ergibt die Anlegung einer Gegenspannung an den Emitter-Basis-Gleichrichter in dem Transistor 1, so daß der Transistor 1 nichtleitend gehalten wird. Der Gleichrichter 2 leitet, um den Transistor 1 unabhängig von der Anlegung von Eingangsimpulsen über die Leitung 4 nichtleitend zu halten, da der durch den Gleichrichter 5 fließende Strom größer als der Maximalstrom ist, der in der Leitung 4 infolge der Eingangsimpulse fließt.

Die Anlegung eines positiven Torsteuerimpulses an den Gleichrichter 5 bewirkt, daß dieser nichtleitend wird. Infolgedessen hört auch der Gleichrichter 2 zu leiten auf, so daß eine Gegenspannung nicht länger an den Basis-Emitter-Gleichrichter in dem Tran-

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sistor 1 angelegt wird. Somit veranlaßt jeder Eingangsimpuls, der über die Leitung 4 zusammen mit dem Torsteuerimpuls angelegt wird, den Transistor 1 zu leiten, so daß dieser Eingangsimpuls dadurch über den Transistor 1 an die Belastung 9 übertragen wird.

Die Spannungsänderung an der Emitterelektrode des Transistors 1, die erforderlich ist, um den Transistor 1 leitend zu machen, ist gleich dem Unterschied zwischen den entsprechenden Spannungen, die erforderlich sind, um den Gleichrichter 2 und den Transistor 1 in Vorwärtsrichtung vorzuspannen. Dieser Unterschied ist so klein, daß die Amplitude des zum Bewirken des Torsteuervorgangs erforderlichen Torsteuerimpulses entsprechend klein ist. Beispielsweise ist in einer gemäß Fig. 1 ausgebildeten Schaltung die an der Emitterelektrode des Transistors 1 erforderliche Spannungsänderung angenähert 0,8 V, so daß sich eine Amplitude des Torsteuerimpulses von nur 1 V als angemessen erwiesen hat, um zuverlässige Arbeitsweise zu gewährleisten.

Es ist erwünscht, daß der Gleichrichter 5 geringe Lochspeicherfähigkeiten besitzt, so daß kein Stör- oder Streuausgangssignal an der Belastung 9 oder eine störende Beeinträchtigung durch die Wellenform irgendeines Eingangssignals von der Quelle 3 infolge des Stromflusses in der Sperriehtung durch den Gleichrichter S auftritt, wenn ein Torsteuerimpuls von der Quelle 7 aus angelegt wird.

Zur Verringerung der von der Torsteuerimpulsquelle zu entnehmenden Leistung kann die Torschaltung nach Fig. 1 so modifiziert werden, wie in Fig. 2 gezeigt ist. In Fig. 2 werden die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 für die Bauelemente der Torschaltung nach Fig. 1 verwendet, die durch die Abänderung unbeeinflußt bleiben.

Gemäß Fig. 2 enthält der Strompfad, der in diesem Fall parallel zu dem Emitter-Basis-Gleichrichter des Transistors 1 liegt, den Emitter-Kollektor-Pfad eines npn-Flächentransistors 10 und einen Widerstand 11. Eine Torsteuerimpulsquelle 12 ist an die Basiselektrode des Transistors 10 angeschlossen, um negativ gerichtete Torsteuerimpulse an diese Basiselektrode anzulegen.

Jeder Torsteuerimpuls von der Quelle 12 hat eine Amplitude von 1 V und veranlaßt den normalerweise leitenden Transistor 10, nichtleitend zu werden. Somit entsteht, wenn ein Torsteuerimpuls von der Torsteuerimpulsquelle 12 an den Transistor 10 angelegt wird, ein Anwachsen der Impedanz des Emitter-Kollektor-Pfades des Transistors 10 mit dem Ergebnis, daß der Gleichrichter 2 zu leiten aufhört. Daher verlaufen Eingangsimpulse, die über die Leitung 4 von der Quelle 3 gleichzeitig mit der Anlegung von Torsteuerimpulsen an den Transistor 10 von der Quelle 12 angelegt werden, zu der Belastung 9. Der normale leitende Zustand des Transistors 10 hält, während kein Torsteuerimpuls von der Torsteuerimpulsquelle 12 angelegt ist, eine Sperrspannung parallel zu dem Emitter-Basis-Gleichricher in dem Transistor! aufrecht, so daß Eingangsimpulse von der Quelle 3 dann nicht zu der Belastung 9 verlaufen. Ein Gleichrichter 13 ist zwischen die Emitterelektrode des Transistors 10 und eine geeignete negative Vorspannungsquelle geschaltet, so daß verhindert wird, daß das Potential der Emitterelektrode des Transistors 10 um mehr als 0,5 V negativer als das normale Potential an der Basiselektrode wird.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Elektronische Torschaltung, bei der Eingangssignale zwischen die Emitterelektrode und die Basiselektrode eines Transistors angelegt werden und ein Gleichrichter zwischen die Emitterelektrode und die Basiselektrode geschaltet ist, wobei dessen Vorwärtsleitrichtung zwischen diesen Elektroden entgegengesetzt zu der Vorwärtsleitrichtung der Basis-Emitter-Strecke in dem Transistor ist, so daß der Transistor nichtleitend gehalten wird, während der Gleichrichter leitend ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Strompfad (5, 6, Fig. 1; 10, 11, Fig. 2) veränderlicher Impedanz, der einen niedrigen oder hohen Impedanzwert abhängig von der Anlegung eines Torsteuersignals an diesen Strompfad hat, so geschaltet ist, daß er die Eingangssignale im Nebenschluß mit der Emitter-Basis-Strecke des Transistors (1) aufnimmt, und daß der Gleichrichter (2) zwischen Emitter- und Basiselektrode leitend ist, wenn der Strompfad (5, 6, Fig. 1; 10, 11, Fig. 2) veränderlicher Impedanz seinen niedrigen Impedanzwert hat und nichtleitend ist, so daß dann Eingangssignale durch den Transistor (1) verlaufen, wenn der Strompfad (5, 6, Fig. 1; 10, 11, Fig. 2) veränderlicher Impedanz seinen hohen Impedanzwert hat.

2. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Pfad veränderlicher Impedanz einen weiteren Gleichrichter (5, Fig. 1) enthält, der nur leitend ist, während kein Torsteuersignal daran angelegt ist.

3. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Pfad veränderlicher Impedanz den Emitter-Kollektor-Strompfad eines weiteren Transistors (10, Fig. 2) enthält und daß an die Basiselektrode des weiteren Transistors (10) angelegte Torsteuersignale den weiteren Transistor (10) nichtleitend machen.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1050 814,1057172.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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